JPH069272B2 - フエ−ズドアレイ半導体レ−ザ - Google Patents

フエ−ズドアレイ半導体レ−ザ

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JPH069272B2
JPH069272B2 JP61109334A JP10933486A JPH069272B2 JP H069272 B2 JPH069272 B2 JP H069272B2 JP 61109334 A JP61109334 A JP 61109334A JP 10933486 A JP10933486 A JP 10933486A JP H069272 B2 JPH069272 B2 JP H069272B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は多重放出能力または広い放出能力を有するフェ
ーズドアレイ半導体レーザに関し、更に詳細には、不純
物誘導不規則化(IID)を用いる構造的設計をもって
好ましい基本スーパモードを有するフェーズドアレイレ
ーザすなわちフェーズロックアレイレーザに関する。
(従来の技術) フェーズドアレイ半導体レーザは、同じ一体的の構造体
または基板上に、複数の緊密に結合した、または間隔を
おいたエミッタを備えている。かかるフェーズドアレイ
レーザの例としては、米国特許4,255,717号
(現在は再発行特許第31,806号)、及び「レーザ
・フォーカス/エレクトローオプティックス」(Laser
Focus/Electro-Optics)誌の1984年6月号に所載
のウイリアム・ストレイファ(William Streifer)等の
論文、「フェーズドアレイダイオードレーザ」(Phased
Array Diode Lasers)に示されているものがある。かか
るレーザのエミッタは、電流ポンピングのための周期的
に間隔をおく電流閉込め手段、例えばストライプ、及び
構造体の活性領域内の相互間隔をおく光学空洞の形成に
よって表わされるものである。上記電流閉込め手段は、
それぞれの電流閉込め手段の下にある各レーザ作用空洞
内に形成される光学モードがその隣りの光学モードに結
合するという程度まで、即ち、次第に消えて行く波が隣
接の光学的レーザ作用空洞内へ重なり合うという程度ま
で、相互接続または近接間隔配置される。ここで作られ
る光学的視野のアレイは位相固定されるようになり、そ
して相隣接する電流閉込め手段間の位相差がゼロになる
と、遠視野における横放射パターンは単一ローブを構成
する。しかし、上掲の論文に説明されているように、フ
ェーズドアレイレーザは単モードでは動作せず、一般
に、遠視野像における2つまたはそれ以上のローブで動
作する。相隣接する光学モード間の位相関係は独立的制
御の下にはなく、位相は、レーザしきい値電流を最小化
する方向に自己調節をなす。大部分の場合には、得られ
るレーザ作用モードはスーパモードであり、相隣接する
光学エミッタ間の光学視野がゼロを通過すると思われ
る。その理由は、大部分の実屈折率レーザ及び多くの利
得誘導レーザにおいては、レーザエミッタ相互間の場所
でポンピング作用が低下し、全体的電流ポンピングを低
下させるからである。
上述の説明を次の如き例で示すことができる。
即ち、N個の結合したエミッタを具備するアレイレーザ
はN個の結合モードを有することが可能であり、これら
は「スーパモード」と呼ばれている。スーパモードは上
記アレイレーザのN個の光学的エミッタまたはフィラメ
ントの協同レーザ作用である。N個のエミッタがあるか
ら、N個のスーパモードのあることが可能である。即
ち、これらフィラメントは、全て、光学的に結合し合わ
せられるからである。
各スーパモードの特性として、第1及び第Nのスーパモ
ードは同じ強度パターンまたはエンベロープを有し、第
2及び第(N−1)のスーパモードは同じ強度エンベロ
ーブを有す。一般的にいうと、第i及び第(N−i)の
スーパモードは同じ強度エンベロープを有す。第1また
は基本スーパモードにおいては、全てのエミッタは同相
でレーザ用をなし、振巾分布は半正弦サイクルを表わ
す。これは、全てのエミッタが同相になっているので、
遠視野像における単一の中央ローブで放出をなす唯一の
スーパモードパターンである。
従って、同構造のエミッタの一様間隔をおくアレイに対
しては、第1及び第Nのスーパモードのエンベロープは
半正弦周期であり、第2及び第(N−1)のスーパモー
ドのエンベロープは2つの半正弦周期であり、以下同様
である。N個のスーパモードにおける個々のエミッタ間
の位相関係は相異なる。特に、第1スーパモードに対し
ては、全てのエミッタは同相になっており、第Nスーパ
モードに対しては、位相はゼロとπとの間で交番する。
通例、第1及び第Nのスーパモードは他の全てのスーパ
モードに比べて最低の電流しきい値を有す。即ち、これ
らの強度エンベロープはアレイの中心付近でゼロを示さ
ないからである。このアレイの中心においては、アレイ
レーザの活性領域内での電流の広がり及び電荷の拡散の
結果、電荷密度が大きくなっている。しかし、前述した
ように、2つのローブで放出を行なう第Nスーパモード
は、第1スーパモードよりも動作の電流しきい値が低
い。
フェーズドアレイレーザは、そのパワー出力が高いの
で、有用性が高い。このパワーを単一のローブに集中さ
せること、即ち第1スーパモードにあらしめることが好
ましい。その理由は、レーザの用途の大半は、単一の遠
視野ローブにおけるパワーを必要とするからである。レ
ーザ作用が1つよりも多くのローブにおいて生ずる場合
には、遠視野像における他の動作ローブを減少させる
か、または除去もしくは遮断するための措置を構ずる。
近時、フェーズロックアレイレーザすなわちフェーズド
アレイレーザに関する多くの研究がなされており、スー
パモード間の識別を行なって基本スーパモードを選択す
るという成果が得られている。一つのかかる提言が、1
984年7月のブラジル国における第9回IEEE会議
においてなされ、ジェー・カッツ(J.Katz)等がスーパ
モード識別についての講演を行なった。この識別は、各
レーザアレイ素子の別々の接点を設けてこれらアレイレ
ーザ素子を流れる電流を調整することにより、レーザ動
作素子の平面に沿う横の利得分布を制御することによっ
て行なうものである。この講演の概要は、この会議の会
議録の第94頁及び第95頁に、「半導体レーザアレイ
のフェーズロックアレイにおけるスーパモード識別」
(Supermode Discrimination in Phase-Locked Arrays
of Semiconductor Laser Arrays)なる題名で記載され
ている。
更にその後、ツー(Twu)等の論文、「高パワー結合リ
ッジ導派半導体レーザアレイ」(High Power Coupled R
idge Waveguide Semiconductor Laser Arrays)(「ア
プライド・フィジックス・レターズ(Applied Physics
Letters)誌、第45(7)巻、第709〜711頁(19
84年10月1日))、及びエス・ムカイ等の論文、
「埋設リッジ導波レーザアレイの基本モード発振」(Fu
ndamental Mode Oscillation of Buried Ridge Wavegui
de Laser Array)(「(アブライド・フィジックス・レ
ターズ」誌、第45(8)号、第834〜835頁)(1
984年10月15日))が発表された。これらの論文
は、屈折率誘導リッジ導波構造を採用することによって
単ローブ基本スーパモードを得るためのスーパモード間
識別を提言しており、レーザ素子が、上記構造のリッジ
領域に主として閉じ込められた光学視野をもって一様に
ポンピングされ、一方、谷または結合領域において利得
が高くなって同相動作(0゜位相)を誘導し且つ基本ス
ーパモード動作を促進する。
スーパモード間の識別を行なうための更に他の方法が、
本願と同じ譲渡人に譲渡された「単ローブにおける好ま
しい放出を有するフェーズドアレイ半導体レーザ」(Ph
ased Array Semiconductor Lasers with Preferred Emi
ssion in a Single Lobe)なる発明の名称の1984年
11月1日出願の米国特許出願第667,251号に示
されている。この米国特許出願において提案されている
方法は、アレイを横切る各レーザ作用素子の相隣接する
光学空洞間の領域に生ずる利得の量を増加させ、これに
より、他の可能なモードにわたる基本スーパモードを賦
与するようにレーザと関連させた構造的手段の使用に関
するものである。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、所望の基本スーパモード動作を提供し、しか
も、不純物誘導不規則化(IID)法を用いることによ
り、製作方法が著しく簡単になる簡素化した構造的形態
を採用した改良されたフェーズドアレイ半導体レーザを
提供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明にかかるフェーズドアレイ半導体レーザは基本ま
たは好ましい第1スーパモード動作を提供し、その製作
は、不純物誘導不規則化(IID)、例えば、業界に周知
の不純物拡散法または打込み/アニーリング法が後に続
く単一の連続製作工程によってなされる。基本スーパモ
ードの選択は、多重量子ウェル超格子を、フェーズドア
レイレーザ構造内にクラッド層として通例の単一半導体
クラッド層と組み合わせて設け、これに続いて、不純物
誘導不規則化をなされてない隣接領域に比べて高い利得
を提供することの領域を空間的に形成するように上記超
格子を通って延びる空間的に配置された不純物誘導不規
則化領域を設けることによってなされる。不純物誘導不
規則化のない上記隣接領域はスポイルされない超格子領
域を含んでおり、この領域は、上記不規則化領域内の拡
散を有する隣接不規則化領域に比べて高い実屈折率導波
を提供し、残りの規則的領域に比べて高い導電率特性を
有し、従って、より効率的に電気的にポンピングされ
る。その結果、不規則化領域は、高い実屈折率導波特性
を有するが利得特性が低い未不規則化導波領域相互間で
ずれている交番利得領域を形成し、これにより、基本ま
たは好ましい第1スーパモード動作を提供するのに必要
な条件を満たす。
本発明のフェーズドアレイ半導体レーザの活性領域は、
通例の活性層から成るか、または単一量子ウェルもしく
は多重量子ウェルを具備する活性領域から成っていても
よい。
本発明の他の目的及び成果は、図面を参照して行なう本
発明の実施例についての以下の詳細な説明から明らかに
なり、また本発明を更によく理解できる。
(実施例) 実施例の説明に入る前に断わっておくが、第1図及び第
2図のフェーズドアレイ半導体レーザ10及び30を構
成している諸半導体層は、本発明の特徴を示すために、
正しく比例した寸法で示してはない。
先ず第1図に本発明のフェーズドアレイ半導体レーザの
第1の実施例を示す。例示のフェーズロックアレイレー
ザ10はGaAs/GaAl As系のIII−V族材料で構成されて
いる。レーザ10はn形GaAsの基板12を備えており、
この基板上に、n形Ga1-xAlxAsのクラッド層14、及
び、ドーピングなし、p形またはn形の活性領域16が
エピタキシャル付着されている。この活性領域16は、
業界に周知の活性領域構造体から成っており、この活性
領域構造体の例としては、例えば50ないし500nm厚
のGaAs層、または、GaAsもしくはGa1-yAlyAsの単一量子
ウェル(yは極めて小で且つx>y)、または、GaAsも
しくはGa1-yAlyAsの交番ウェル層とAlAsもしくはGa1-y'
Aly'Asの対応障壁層との多重量子ウェル構造、または、
分離した閉込め空洞内の分離した単一もしくは多重の量
子ウェル構造がある。上記基板上には、更に、p形Ga
1-zAlzAsのクラッド層18(x、z>y)、及びn形また
はp形の超格子20の多重層がエピタキシャル付着され
ている。この超格子20の多重層は、AlAsもしくはGa
1-wAlwAsもしくはAlAsの障壁層具備のGaAsもしくはGa
1-w'Alw'Asの交番ウェル層(x、z、w>y′、w′>
y)から成る。上記基板上には、更に、P形GaAsのキ
ャップ層22がエピタキシャル付着されている。また、
基板12上には、上記の層14ないし22の付着に先立
って、薄いn形GaAsのバッファ層が付着される場合もあ
る。
代表的な層厚さの例をあげると、クラッド層14は0.5
ないし1.0μmの範囲内にあり、活性領域16は、5
0ないし500nm厚の活性層を有する通例の二重ヘテロ
構造であるか、または、GaAsの量子ウェルが約3ないし
50nm厚、及びGa1-yAlyAsの障壁層が約1ないし10nm厚
である量子ウェル構造である(yは0.1ないし0.4
の範囲内)。クラッド層18は0.1ないし1.0μm
の範囲内にある。超格子20は0.01ないし1.0μ
mの範囲内にあり、この超格子において、GaAsの量子ウ
ェルは約4nm厚、及びGa1-yAlyAsの障壁層は約6nm厚で
ある。キャップ層22は0.1ないし1.0μmの範囲
内にある。
多重空洞アレイレーザを形成するには、業界に周知の不
純物誘導不規則化(IID)法、例えば拡散不規則化ま
たは打込み/アニーリング不規則化を用いる。拡散不規
則化は米国特許第4,378,255号に例示されており、この
米国特許においては、亜鉛拡散を用いて半導体装置内の
多重量子ウェル構造または超格子を選択的に不規則化
し、この不規則化された材料の禁止帯の巾を、不規則化
が生じてない多重量子ウェル構造の領域に比べて上方へ
移動させるという方法が教示されている。かかる拡散は
一般に500ないし600℃の温度範囲内で行なわれ、
この温度は、約750℃であるIII〜V族材料のエピタ
キシャル成長温度よりも低い。
かかる不規則化はSi、Ge及びSnのような他の元素を用い
ても可能であるが、その場合には温度がもっと高く、例
えば約675℃である。
また、不規則化は、Se、Mg、Sn、O、S、Be、Te、Si、M
n、Zn、Cd、Ln、CrまたはKrのような浅レベルまたは高
レベル不純物として働く元素の打込み、及びこれに続く
高温アニーリングによっても可能である。この高温アニ
ーリングは、III〜V族エピタキシャル成長の場合に
は、成長体からのAsの外方拡散を防止するためにAs雰囲
気内で行なうのが最もよい。
この不純物打込みとこれに続くアニーリングとを行なう
場合には、このアニーリング温度は拡散温度に比べてか
なり高く、例えば約800℃以上である。
これら形式の不規則化は、従来から不純物と考えられて
いる種類の物質に限定されるものではなく、拡散によっ
て結晶を不規則化するかまたは結晶を損傷するすべての
物質をも含むように拡散されるものであり、損傷した結
晶のアニーリングにより、不規則化した結晶が生ずる。
本発明の説明は、拡散不規則化について行なう。多重空
洞アレイレーザを形成するために、Si3N4マスクを層2
2の頂面に形成し、その開口部がこのレーザ構造体の諸
領域を不純物拡散にさらす。上記マスクは、ファセット
放出点17を有する一連りのレーザ光学空洞または素子
を形成する領域を保護する。これらは、光学的に結合し
た相隣るエミッタを提供するように、即ち、相隣接して
いる一つの光学空洞の次第に消えて行く波がその隣りの
光学空洞内に重なり合うように、互いに十分に近接して
いる。
電流閉込め手段及び所望の屈折率特性は、高濃度のp形
不純物を上記レーザ構造体の露出領域に選択的に拡散さ
せることによって形成される。例えば、適当する拡散源
を内蔵している半閉鎖形の黒鉛製ボート内で亜鉛を70
0℃で十分な時間にわたって選択的に拡散させる。この
方式の工程は、一般に、水素流中で行なわれる。超格子
20の拡散により、GaAs-GaAlAs超格子内でAlとGaとの
混合が生じ、その結果、第1図にIID領域28として
示す平均AlAsモル分率のGaAlAs合金が生ずる。上記亜鉛
の拡散は700℃のような比較的低い濃度で行なわれ、
点29で示す如くクラッド層18の深さに到達または侵
入するまでの時間だけ保持される。この亜鉛拡散を上記
レーザの活性領域を横切って延ばさないことが好まし
い。即ち、拡散領域がこのように延びると、レーザ構造
体内の寄生p−n接合の問題、及びレーザ光学空洞内の
自由キャリア吸収の問題が生ずるからである。
上記拡散工程が完了したら、通例の金属接点24及び2
6をキャップ層22の表面及び基板12の底面にそれぞ
れ被着させる。
亜鉛拡散領域即ちIID領域28のアレイは、超格子2
0を破壊または不規則化し、破線27Aで示す各レーザ
素子の光学空洞に沿って放射の伝播を導くための屈折率
特性を提供するという機能と、破線27Aで示す一般領
域内の活性領域16内への電流注入のために領域28に
おいてp形の不規則化済み超格子を通るもう少し好まし
い電流路を提供するという機能との二重機能をなす。
IID領域28によって提供される屈折率特性は低いの
で、この構造は単ローブ遠視野像を有するレーザのアレ
イの動作を助長する。また、超格子20に対してはn形
層が選定されているので、電流注入は領域28の亜鉛拡
散p形層へより多く閉じ込められる。その結果として超
格子20の平面内に形成されるレーザ構造は、複数の高
屈折率誘導領域27が超格子20の非不規則化領域内に
提供されるという構造である。この誘導領域は、領域2
8に比べて屈折率が高いので、導波作用を増大するよう
に働く。他方、領域28は、非不規則化領域27に比べ
て、電流に対して高い導電率または低い抵抗の領域を提
供し、従って、金属接点24と26とを横切って電圧を
印加すると、電流はIID領域28に実質的に閉じ込め
られてこれを通って流れる。キャリアが横に拡散するの
で、電流はまた領域27Aを通って流れる。
上記から得られる結果として、破線28Aで示す領域
は、その利得が、破線27Aで示す光学空洞領域におい
て得られる利得に比べて高くなり、従って、各レーザ素
子の光学視野の光学的重なり合いの空間的変調がアレイ
を横切って得られ、これにより、基本または一次のスー
パモードが多素子アレイレーザ10の他のポテンシャル
モードにわたって賦与される。前述した従来の技術と比
較すると解るように、レーザ10の構造は、製作がより
簡単且つ容易であるアレイレーザ構造をもってこれら構
造の成果を達成し、IID法の使用によって単モード出
力パワー能力を高め、且つ光学視野モード制御を改善す
る。例えば、従来の若干のアレイレーザ構造は電流閉込
め手段のために陽子衝撃境界限定を必要とするが、これ
は本発明のレーザ構造については不必要である。
クラッド層18及び超格子20を含むp形側のクラッド
領域の個々の構成体を、n形側のクラッド層14と実質
的に同じ屈折率をもたせるために領域27及び27Aに
おける合成屈折率を有するように設計することにより、
事実上対称的な導波構造を、破線27Aで示す領域に保
持することができる。
同様に、超格子を、底部またはn形側のクラッド層14
内に、単独で、またはp形側クラッド超格子20との組
合せで、形成してもよい。超格子クラッド組合せ体とし
て、全長光学空洞屈折率誘導体が形成される。
第2図において、アレイレーザ30は、レーザ構造を構
成しているそれぞれの半導体層の不純物導電形が逆にな
っているという点を除けば、アレイレーザ10と同構造
である。レーザ30はp形GaAsの基板32を備えてお
り、この基板上にはp形Ga1-xAlxAsのクラッド層34が
エピタキシャル付着されている。レーザ30は、更に、
ドーピングなしまたはp形またはn形の活性領域36を
備えており、この活性領域は、第1図において領域16
について例示したように、業界の周知の任意の活性領域
構造から成るものであってもよい。レーザ30は、更
に、n形Ga1-zAlzAs(x、z>y)のクラッド層38、
及び多層形のn形またはp形の超格子40を備えてお
り、この超格子は、第1図において超格子20について
例示した材料の交番ウェル層から成っている。レーザ3
0は、更に、n形GaAsのキャップ層を備えている。
レーザ30を構成している該層に対する層厚の例として
は、レーザ10の対応の層に対して例示した範囲内であ
る。
多重空洞アレイレーザを形成するには、Si3N4マスクを
層42の頂部領域上に形成し、前述したように、その開
口部がレーザ構造の諸領域をIID法に対して露出させ
る。放出点47′を有する一連りのレーザ素子が形成さ
れ、これらは、光学的に結合した隣接エミッタを提供す
るように、即ち、隣りの光学空洞の次第に消えて行く波
が隣接の光学空洞内へ重なり合うように、互いに十分に
近接している。電流閉込め手段及び屈折率特性は、次の
点を除き、前述した方法で形成される。即ち、本例にお
いては、n形の拡散剤、例えば、シリコン、錫またはゲ
ルマニウムを用い、領域40内の超格子構造を、活性領
域36に侵入することのないクラッド層38内への深さ
まで効果的に不規則化し、光学的誘導領域47Aを形成
する。
この拡散工程が完了したら、通例の金属接点44及び4
6をキャップ層42の表面及び基板32の底面にそれぞ
れ被着する。
シリコン拡散領域48のアレイは、超格子40を破壊ま
たは不規則化して、破線47Aで示す各レーザ素子の光
学空洞に沿う放出の伝播を導くための屈折率特性を提供
するという機能と、破線47Aで示す一般領域内の活性
領域36内への電流注入のために領域48においてn形
の不規則化済超格子を通るもう少し好ましい電流路を提
供するという機能との二重機能をなす。IID領域即ち
シリコン拡散領域48によって提供される屈折率特性は
低いので、この構造は単ローブ遠視野像を有するレーザ
のアレイの動作を助長する。また、超格子40に対して
はp形層が選定されているので、電流注入は領域48の
n形層へより多く閉じ込められる。その結果として超格
子40の平面内に形成されるレーザ構造は、複数の高屈
折誘導領域47が超格子40の非不規則化領域内に提供
されるという構造である。この領域は、領域48に比べ
て屈折率が高いので、導波作用を増大するように働く。
他方、領域48は、非不規則化領域47に比べて、電流
に対し高い導電率または低い抵抗の領域を提供し、従っ
て、金属44と46とを横切って電圧を印加すると、電
流はIID領域48に実質的に閉じ込められてこれを通
って流れる。キャリアが横に拡散するので、電流はまた
領域47Aを通って流れる。
従って、破線48Aで示す領域においては、利得が、破
線27Aで示す光学空洞領域内で得られる利得に比べて
高くなり、従って各レーザ素子の光学視野の光学的重な
り合いの空間的変調がアレイを横切って得られ、これに
より、基本または一次のスーパモードが多素子アレイレ
ーザ30の他の可能なモードにわたって賦与される。
同様に、超格子を、底部またはp形側のクラッド層34
内に、単独で、またはn形側クラッド超格子40との組
合せで、形成してもよい。超格子クラッド組合せ体とし
て、全長光学空洞屈折率誘導体が形成される。
第1図及び第2図の両実施例に関しては、当業者には解
るように、第1図におけるレーザ10に対してP形と
して示してある拡散領域28は、超格子20の背景ドー
ピングがp形であるならば、p形の拡散領域、例えば
シリコン拡散領域となる。同様に、第2図におけるレー
ザ30に対しては、n形の拡散領域48は、超格子4
0の背景ドーピングがn形であるならば、p形の拡散
領域、例えば亜鉛拡散領域となる。
第1図及び第2図に示す形態はプレーナ形構造である
が、当業者には解るように、これら構造に設けられる不
純物誘導不規則化領域を非プレーナ形レーザの形態にも
同様に用いることができる。
以上の実施例はいずれもGaAs及びGaAlAs系の半導体につ
いて説明したものであるが、InGaAsP、GaAlAsP、InGaAl
P、InGaAlAsP及びGaAlSbのような他の発光材料、並びに
ZnSe/Znsseのような適当するII−VI族材料を用いること
もできる。また、上記の実施例において示したように、
活性領域は、単一の活性層から成っていても、或いはま
た、単一量子ウェルもしくは多重量子ウェルの活性領域
から成っていてもよい。
以上、本発明をその実施例について説明したが、当業者
には解るように、以上の説明に照らして、種々の代替、
変形及び変更が可能である。従って、本発明は、特許請
求の範囲に記載の如き本発明の精神及び範囲内にあるか
かる代替、変形及び変更を全て包含する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のフェーズドアレイ半導体レーザの第1
の実施例の略側面図、第2図は本発明のフェーズアレイ
半導体レーザの第2の実施例の略側面図である。 16、36……活性領域 18、38……クラッド層 20、40……超格子 27、47……非不規則化領域 28、48……IID領域

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ作用下での光波の発生及び伝播のた
    めの活性領域に対する光学的誘導領域内に配置された一
    連の多重レーザ作用素子を有し、上記レーザ作用素子の
    光学的視野はアレイを横切ってフェーズロック条件を提
    供するように結合されており、上記光学的誘導領域内に
    生ずる利得に比べて高い利得を生じさせるために上記光
    学的誘導領域相互間に隣接領域を提供するようにレーザ
    と関連する構造的手段を有し、上記活性領域内に存在す
    る光学的視野の利得の総体が上記隣接領域内で上記光学
    的誘導領域に比べて高くなるように上記アレイを横切る
    電流分布を空間的に変調し、上記構造的手段は上記隣接
    領域内の不純物誘導不規則化の導入手段を有することを
    特徴とするフェーズドアレイ半導体レーザ。
  2. 【請求項2】不純物誘導不規則化が不純物拡散を含んで
    いる特許請求の範囲第1項記載のフェーズドアレイ半導
    体レーザ。
  3. 【請求項3】不純物誘導不規則化が、打込み/アニーリ
    ング手段を含んでいる特許請求の範囲第1項記載のフェ
    ーズドアレイ半導体レーザ。
  4. 【請求項4】活性領域に近接し且つ超格子構造を具備す
    るクラッド層を含んでおり、光学的誘導領域が、不純物
    誘導不規則化によって不規則化されてない上記超格子構
    造を含み、隣接領域が、上記不純物誘導体不規則化によ
    って不規則化された上記超格子構造を含んでいる特許請
    求の範囲第1項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  5. 【請求項5】活性領域が単一の活性層である特許請求の
    範囲第1項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  6. 【請求項6】活性領域がプレーナ形である特許請求の範
    囲第5項記載のフェーズアレイ半導体レーザ。
  7. 【請求項7】活性領域が非プレーナ形である特許請求の
    範囲第5項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  8. 【請求項8】活性領域が単一量子ウェルである特許請求
    の範囲第1項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  9. 【請求項9】活性領域がプレーナ形である特許請求の範
    囲第8項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  10. 【請求項10】活性領域が非プレーナ形である特許請求
    の範囲第8項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  11. 【請求項11】活性領域が多重量子ウェルである特許請
    求の範囲第1項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  12. 【請求項12】活性領域がプレーナ形である特許請求の
    範囲第11項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  13. 【請求項13】活性領域が非プレーナ形である特許請求
    の範囲第11項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  14. 【請求項14】活性領域が分離閉込め空洞内の分離量子
    ウェル構造である特許請求の範囲第1項記載のフェーズ
    ドアレイ半導体レーザ。
  15. 【請求項15】活性領域がプレーナ形である特許請求の
    範囲第14項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
  16. 【請求項16】活性領域が非プレーナ形である特許請求
    の範囲第14項記載のフェーズドアレイ半導体レーザ。
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