JPS61113293A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS61113293A JPS61113293A JP59235619A JP23561984A JPS61113293A JP S61113293 A JPS61113293 A JP S61113293A JP 59235619 A JP59235619 A JP 59235619A JP 23561984 A JP23561984 A JP 23561984A JP S61113293 A JPS61113293 A JP S61113293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- laser
- array device
- laser array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は複数のストライプを有する半導体レーザアレ
イ装置に関する。
イ装置に関する。
〈従来技術〉
近年、光ディスクや光通信システムにおいて、前者では
高速化、後者では大容量化のため、光源として高出力半
導体レーザの要望が大である。
高速化、後者では大容量化のため、光源として高出力半
導体レーザの要望が大である。
現在、単一の半導体レーザで得られる出力は高々数十ｍ
Ｗである。そこで、複数の半導体レーザを位相同期させ
て並列に駆動させ、高出力化を図るようにした半導体レ
ーザアレイ装置が提案されている。
Ｗである。そこで、複数の半導体レーザを位相同期させ
て並列に駆動させ、高出力化を図るようにした半導体レ
ーザアレイ装置が提案されている。
ところが、この半導体レーザアレイ装置において、位相
同期条件を得ることは非常に困難であり、様々な構造が
提案されてきているが、未だ成功はしていない。
同期条件を得ることは非常に困難であり、様々な構造が
提案されてきているが、未だ成功はしていない。
本発明者が７アブリ・ベロー型半導体レーザアレイ装置
で試みたところでは、第３図に示す様に出力２０＋ａＷ
までは位相同期がなされでいるが、それ以上の出力では
、非同期になることが分った。
で試みたところでは、第３図に示す様に出力２０＋ａＷ
までは位相同期がなされでいるが、それ以上の出力では
、非同期になることが分った。
この非同期状態のレーザアレイ装置の紬モードを観測す
ると、第４図のように主モードから短波長側に２本の副
モードが存在していることが分った。
ると、第４図のように主モードから短波長側に２本の副
モードが存在していることが分った。
これはストライブ数３本のレーザアレイ装置の場合であ
るが、駆動電流を増加させていくに従って、熱放散の関
係から外側の２本に対して中央の１本の温度が高くなっ
ている。半導水においては温度が高くなる程、禁制帯幅
が狭くなり、発光波長は良くなる。
るが、駆動電流を増加させていくに従って、熱放散の関
係から外側の２本に対して中央の１本の温度が高くなっ
ている。半導水においては温度が高くなる程、禁制帯幅
が狭くなり、発光波長は良くなる。
従って、前述の主モードは中央のストライプに同期した
レーザ光であり、短波長側の２本の副モードは同期から
ずれ、外側の２本のストライプが独立に発振したレーザ
光であることが分った。
レーザ光であり、短波長側の２本の副モードは同期から
ずれ、外側の２本のストライプが独立に発振したレーザ
光であることが分った。
〈発明の目的〉
そこで、この発明の目的は駆動電流の増大に伴う温度上
昇が生じても、発振軸モードの変化を抑制することによ
り、高出力まで位相同期し得るレーザアレイ装置を得る
ことにある。
昇が生じても、発振軸モードの変化を抑制することによ
り、高出力まで位相同期し得るレーザアレイ装置を得る
ことにある。
〈発明の構成〉
上記目的を達成するため、この発明は、半導体レーザア
レイ装置に用いるレーザ構造として、発振軸モードの駆
動電流依存性が小さい構造を採用した点に特徴を有する
。
レイ装置に用いるレーザ構造として、発振軸モードの駆
動電流依存性が小さい構造を採用した点に特徴を有する
。
〈実施例〉
以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
発振軸モードの駆動電流依存性の小さい構造として、分
布帰還型レーザな用いた場合を第１図に示す。まず、Ｐ
“型−Ｇ ａ Ａ ｓ基板（１）上にＮ型−ＧａＡｓ電
流閉ヒ込め層（２）を厚さ１μｍ成長させる。次にこの
基板（１）に７オトリソグラフイ技術とエツチングを用
いてＶ型の溝（２ｏ）を平行に複数本形成し、その後第
２回目の結晶成長を行なう。
布帰還型レーザな用いた場合を第１図に示す。まず、Ｐ
“型−Ｇ ａ Ａ ｓ基板（１）上にＮ型−ＧａＡｓ電
流閉ヒ込め層（２）を厚さ１μｍ成長させる。次にこの
基板（１）に７オトリソグラフイ技術とエツチングを用
いてＶ型の溝（２ｏ）を平行に複数本形成し、その後第
２回目の結晶成長を行なう。
■溝は深さ １．１μｍ、幅は約４゜０μｍ、周期は５
．０μｍとした。第２回目の成長はＰ型−ＡｊｌｊｘＧ
ａｌ−ｘＡｓクラッド層（３）、Ｐ型−Ａｐ−ｙＧａ、
−ｙＡｓ光ガイド層（４）、Ｎ型又はＰ型−Ａ、＆−ｚ
Ｇａ、−ｚＡｓ活性層（５）、Ｎ型−Ａｊ！ｙＧａ＋−
ｙＡｓ光ガイド層（６）を連続的に成長させる。ただし
、ｘ＞ｙ＞ｚ≧０の関係を満足するようにした。なお第
１回目。
．０μｍとした。第２回目の成長はＰ型−ＡｊｌｊｘＧ
ａｌ−ｘＡｓクラッド層（３）、Ｐ型−Ａｐ−ｙＧａ、
−ｙＡｓ光ガイド層（４）、Ｎ型又はＰ型−Ａ、＆−ｚ
Ｇａ、−ｚＡｓ活性層（５）、Ｎ型−Ａｊ！ｙＧａ＋−
ｙＡｓ光ガイド層（６）を連続的に成長させる。ただし
、ｘ＞ｙ＞ｚ≧０の関係を満足するようにした。なお第
１回目。
第２回目の成長方法としては、液相エピタキシアル法、
気相エピタキシフル法、有機金属化学析出法、分子線エ
ピタキシアル法などを利用することができる。ここで、
Ｎ型−光ガイド層（６）表面にＶ型溝（２０）方向と直
角方向に、周期的３２５ｎｍ、深さ ０．１μｍのグレ
ーティング（３０）を全面に形成する。このグレーティ
ング（３０）の形成にはＨｅ−Ｃｄレーザを光源とした
干渉光学系を用いたホログラフィック露光のフォトリン
グラフィ技術とエツチングを用いた。そして第３回目の
成長でグレーティング付き基板上にＮ型−Ａ 、Ｑ−ｘ
Ｇａ、−ｘＡｓクラッド層（７）、Ｎ４型−Ｇ ａ Ａ
ｓキャ、プ層（８）を形成する。この場合の結晶成長
法としては有機金属化学析出法や分子線エピタキシアル
法が望ましい。このようにして得られたウェハーに基板
側、成長層側とも抵抗性電極（９）、（１０）を形成し
た後、片面はエツチングにより垂直でない荒れた面（４
０）、他面は垂直なへき開面（４１）を出したものを素
子とした。ただしへき開面（４１）は■型溝（２０）方
向と垂直な面とした。ここで片面（４０）をへ軽開面と
しないのは分布帰還型モードに７アブリ・ベロー共振器
モードが影響を与えにくくするためである。また同−理
由によりへき開面（４１）に高周波スパッタリングなど
により誘電体膜を形成し、端面反射率を小さくする手法
も並用した。
気相エピタキシフル法、有機金属化学析出法、分子線エ
ピタキシアル法などを利用することができる。ここで、
Ｎ型−光ガイド層（６）表面にＶ型溝（２０）方向と直
角方向に、周期的３２５ｎｍ、深さ ０．１μｍのグレ
ーティング（３０）を全面に形成する。このグレーティ
ング（３０）の形成にはＨｅ−Ｃｄレーザを光源とした
干渉光学系を用いたホログラフィック露光のフォトリン
グラフィ技術とエツチングを用いた。そして第３回目の
成長でグレーティング付き基板上にＮ型−Ａ 、Ｑ−ｘ
Ｇａ、−ｘＡｓクラッド層（７）、Ｎ４型−Ｇ ａ Ａ
ｓキャ、プ層（８）を形成する。この場合の結晶成長
法としては有機金属化学析出法や分子線エピタキシアル
法が望ましい。このようにして得られたウェハーに基板
側、成長層側とも抵抗性電極（９）、（１０）を形成し
た後、片面はエツチングにより垂直でない荒れた面（４
０）、他面は垂直なへき開面（４１）を出したものを素
子とした。ただしへき開面（４１）は■型溝（２０）方
向と垂直な面とした。ここで片面（４０）をへ軽開面と
しないのは分布帰還型モードに７アブリ・ベロー共振器
モードが影響を与えにくくするためである。また同−理
由によりへき開面（４１）に高周波スパッタリングなど
により誘電体膜を形成し、端面反射率を小さくする手法
も並用した。
一般に、単一スドライブ溝造のレーザで知られているよ
うに分布帰還型レーザは７アブリ・ベロー型レーザに比
べて発光波長の温度（又は電流）依存性が小さい。本実
施例においてら同様に、従来例で述べた７アブリ・ベロ
ー型レーザアレイ装置に比して分布帰還型レーザアレイ
装置は発振波長の温度（又は電流）依存性が小さい。す
なわち中央のストライプと両端のストライプの開にある
温度差が生じた場合、分布帰還型レーザアレイ装置の方
が各ストライプでの発振波長かはなれにくく、位相同期
しやすい。そのため電流を増加させたとき、従来例に比
べてより高電流領域までレーザ光の位相同期状態を維持
できる。
うに分布帰還型レーザは７アブリ・ベロー型レーザに比
べて発光波長の温度（又は電流）依存性が小さい。本実
施例においてら同様に、従来例で述べた７アブリ・ベロ
ー型レーザアレイ装置に比して分布帰還型レーザアレイ
装置は発振波長の温度（又は電流）依存性が小さい。す
なわち中央のストライプと両端のストライプの開にある
温度差が生じた場合、分布帰還型レーザアレイ装置の方
が各ストライプでの発振波長かはなれにくく、位相同期
しやすい。そのため電流を増加させたとき、従来例に比
べてより高電流領域までレーザ光の位相同期状態を維持
できる。
３本のストライプの実施例素子を作製した場合、出力的
８０ｍＷまで位相同期した状態を保持することがわかっ
た。
８０ｍＷまで位相同期した状態を保持することがわかっ
た。
池の実施例としては分布帰還型レーザの替わりに、分布
プラグ反射レーザや内部反射界面レーザ（スリーミラー
レーザ）なども同様の効果を期待できる。
プラグ反射レーザや内部反射界面レーザ（スリーミラー
レーザ）なども同様の効果を期待できる。
以下、内部反射界面レーザを応用した場合の実施例を説
明する。第２図（ａ）、 （ｂ）にその構造を示す。Ｐ
゛型−Ｇ ａ Ａ ｓ基板（１０１）上に液相エピタキ
シフル法や有機金属化学析出法などを用いてＮ型−Ｇａ
Ａｓ電流閉じ込め層（１０２）を約 １．０μｍ成長さ
せる。この上に第２図（ａ）に示したような中央に幅の
増大した部分（１２０ａ）をもつＶ型溝（１２０）を平
行に複数本、７オトリソグラフイ技術とエツチング技術
を用いて形成する。Ｖ型溝（１２０）の深さは約 １．
１μｍ、幅は ３．５μｍ、周期は５．０μＭとし幅の
広がった部分（１２０ａ）は長さ１０μｍ、幅４．５μ
ｍとした。次にこの溝付き基板を用いて第２回目の成長
を行なう。第２回目の成長としては液相エピタキシアル
法を用いて、第２図（ｂ）に示すように、Ｐ型−ＡＪｌ
ｕ Ｇ ａ １− ｕ Ａ ｓクラッド層（１０３）
、Ｐ型又はＮ型Ａ ｉ ｖ Ｇ ａ 、 −ｖ Ａ ｓ
活性層（１０４）、Ｎ型−Ａ乏ｕＧａ、−ｕＡｓクラッ
ド層（１０５）、Ｎ゛型−Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層（
１０６）を連続的に成長させる。このとき、Ｐ型−クラ
ツ一層（１０３）の成長時間を適当に選ぶことにより、
活性／１（１０４）が平坦になるようにした。そして基
板側、成長層側それぞれに抵抗性電極（１０７）、（１
０８）を形成し、■型溝（１２０）方向と直角なへき開
面（１４１）をレーザ共振器面とした。このとき素子の
へき開面（１４１）付近には■型溝（１２０）の幅の広
くなった部分（１２０ａ）がかからないようにへき開場
所を選んでいる。このようにして得られた素子は、１本
のＶ型溝（１２０’）が１本のレーザストライプの役割
をするわけであるが、内部にストライプ幅の変化する部
分をもっているため、そこでの等何月折率が変化し、内
部反射の原因となる。このため、個々のストライプは内
部反射界面レーザを有したレーザとなり、温度（又は電
流）の変化に対して発振波長の変化の割合の小さい状態
となる。このことは前実施例と同じでレーザアレイ装置
に適応した場合には高電流（すなわち高出力）領域まで
光位相同期を保持しやすい構造となっている。
明する。第２図（ａ）、 （ｂ）にその構造を示す。Ｐ
゛型−Ｇ ａ Ａ ｓ基板（１０１）上に液相エピタキ
シフル法や有機金属化学析出法などを用いてＮ型−Ｇａ
Ａｓ電流閉じ込め層（１０２）を約 １．０μｍ成長さ
せる。この上に第２図（ａ）に示したような中央に幅の
増大した部分（１２０ａ）をもつＶ型溝（１２０）を平
行に複数本、７オトリソグラフイ技術とエツチング技術
を用いて形成する。Ｖ型溝（１２０）の深さは約 １．
１μｍ、幅は ３．５μｍ、周期は５．０μＭとし幅の
広がった部分（１２０ａ）は長さ１０μｍ、幅４．５μ
ｍとした。次にこの溝付き基板を用いて第２回目の成長
を行なう。第２回目の成長としては液相エピタキシアル
法を用いて、第２図（ｂ）に示すように、Ｐ型−ＡＪｌ
ｕ Ｇ ａ １− ｕ Ａ ｓクラッド層（１０３）
、Ｐ型又はＮ型Ａ ｉ ｖ Ｇ ａ 、 −ｖ Ａ ｓ
活性層（１０４）、Ｎ型−Ａ乏ｕＧａ、−ｕＡｓクラッ
ド層（１０５）、Ｎ゛型−Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層（
１０６）を連続的に成長させる。このとき、Ｐ型−クラ
ツ一層（１０３）の成長時間を適当に選ぶことにより、
活性／１（１０４）が平坦になるようにした。そして基
板側、成長層側それぞれに抵抗性電極（１０７）、（１
０８）を形成し、■型溝（１２０）方向と直角なへき開
面（１４１）をレーザ共振器面とした。このとき素子の
へき開面（１４１）付近には■型溝（１２０）の幅の広
くなった部分（１２０ａ）がかからないようにへき開場
所を選んでいる。このようにして得られた素子は、１本
のＶ型溝（１２０’）が１本のレーザストライプの役割
をするわけであるが、内部にストライプ幅の変化する部
分をもっているため、そこでの等何月折率が変化し、内
部反射の原因となる。このため、個々のストライプは内
部反射界面レーザを有したレーザとなり、温度（又は電
流）の変化に対して発振波長の変化の割合の小さい状態
となる。このことは前実施例と同じでレーザアレイ装置
に適応した場合には高電流（すなわち高出力）領域まで
光位相同期を保持しやすい構造となっている。
以上、説明した実施例に限らず
ｉ）導伝型の全て逆の素子
１１）レーザ発振の可能な他材料を用いた素子１ｉｉ）
レーザアレイに応用する個々のストライプの構造に池の
半導体レーザ構造を採用した素子ｉｖ）発振軸モードの
波長変化の温度依存性を小さくする他の構造を導入した
素子 などについても同様の効果を期待できることは言うまで
もない。
レーザアレイに応用する個々のストライプの構造に池の
半導体レーザ構造を採用した素子ｉｖ）発振軸モードの
波長変化の温度依存性を小さくする他の構造を導入した
素子 などについても同様の効果を期待できることは言うまで
もない。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明によれば、複数のス
トライプを有する半導体レーザアレイ装置に発振軸モー
ドの駆動電流依存性を小さくする構造（分布帰還構造、
分布プラグ反射構造、内部反射界面構造など）を用いて
いるので、高出力まで位相同期したレーザ光を得ること
ができる。
トライプを有する半導体レーザアレイ装置に発振軸モー
ドの駆動電流依存性を小さくする構造（分布帰還構造、
分布プラグ反射構造、内部反射界面構造など）を用いて
いるので、高出力まで位相同期したレーザ光を得ること
ができる。
第１図はこの発明の一実施例の半導体レーザアレイ装置
の構造図、第２図（、）はこの発明の他の実施例の半導
体レーザアレイ装置のＶ型溝形成後の基板の斜視図、第
２図（ｂ）は上記池の実施例の構造図、第３図は位相同
期したレーザアレイ装置の遠視野像を示す図、第４図は
非同期状態の軸モードスペクトル図である。 １ 、１．０１ 、、、ｌ”型−Ｇ ａ Ａ ｓ基板、
２，１０２・・・Ｎ型−Ｇ ａ Ａ ｓ電流閉じ込め
層、 ３，１０３・・−Ｐ型−Ａ乏ｘＧａ、ｘＡｓク
ランド層、 ４・・・Ｐ型−ＡｆｆｉｙＧａｌ−ｙＡ
ｓ光ガイド層、 ５−Ａ 、ＪｚＧａＩ−ＺＡｓ活性
層、 ６ ・Ｎ型−Ａ１１ ｙ Ｇ ａ ｌ−ｙ Ａ
ｓ光ガイド層、 ？ ・Ｎ型−Ａ／−ｘＧａ、−ｘ
Ａｓクランド層、８−Ｎ ”型−Ｇ ａ Ａ ｓキャッ
プ層、 ９．１０８−・・成長層側抵抗性電極、
１０，１０７・・・基板側抵抗性電極、 ２０・・・
■型溝、 ３０・・・グレーティング、 ４０・・・
エツチングによる垂直でない面、４１・・・へき開面、
１０４・・・ＡえｖＧａ、−νＡｓ活性層、 １
０５・Ｎ型−Ａ乏ｕＧａ、−ｕＡｓクランド層、１０６
・・・Ｎ−型−ＧａＡｓキャップ層、 １２０・・・
中央に幅の広い部分を有するＶ型溝。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青白 葆 外２名区 へ 城
の構造図、第２図（、）はこの発明の他の実施例の半導
体レーザアレイ装置のＶ型溝形成後の基板の斜視図、第
２図（ｂ）は上記池の実施例の構造図、第３図は位相同
期したレーザアレイ装置の遠視野像を示す図、第４図は
非同期状態の軸モードスペクトル図である。 １ 、１．０１ 、、、ｌ”型−Ｇ ａ Ａ ｓ基板、
２，１０２・・・Ｎ型−Ｇ ａ Ａ ｓ電流閉じ込め
層、 ３，１０３・・−Ｐ型−Ａ乏ｘＧａ、ｘＡｓク
ランド層、 ４・・・Ｐ型−ＡｆｆｉｙＧａｌ−ｙＡ
ｓ光ガイド層、 ５−Ａ 、ＪｚＧａＩ−ＺＡｓ活性
層、 ６ ・Ｎ型−Ａ１１ ｙ Ｇ ａ ｌ−ｙ Ａ
ｓ光ガイド層、 ？ ・Ｎ型−Ａ／−ｘＧａ、−ｘ
Ａｓクランド層、８−Ｎ ”型−Ｇ ａ Ａ ｓキャッ
プ層、 ９．１０８−・・成長層側抵抗性電極、
１０，１０７・・・基板側抵抗性電極、 ２０・・・
■型溝、 ３０・・・グレーティング、 ４０・・・
エツチングによる垂直でない面、４１・・・へき開面、
１０４・・・ＡえｖＧａ、−νＡｓ活性層、 １
０５・Ｎ型−Ａ乏ｕＧａ、−ｕＡｓクランド層、１０６
・・・Ｎ−型−ＧａＡｓキャップ層、 １２０・・・
中央に幅の広い部分を有するＶ型溝。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青白 葆 外２名区 へ 城
Claims (1)
- （１）発振軸モードの駆動電流依存性を小さくする構造
を有して、高出力まで位相同期可能な半導体レーザアレ
イ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235619A JPS61113293A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| US06/795,525 US4817104A (en) | 1984-11-07 | 1985-11-06 | Semiconductor laser array device |
| DE19853539355 DE3539355A1 (de) | 1984-11-07 | 1985-11-06 | Halbleiterlaseranordnung |
| GB8527448A GB2167898B (en) | 1984-11-07 | 1985-11-07 | A semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235619A JPS61113293A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113293A true JPS61113293A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=16988688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235619A Pending JPS61113293A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4817104A (ja) |
| JP (1) | JPS61113293A (ja) |
| DE (1) | DE3539355A1 (ja) |
| GB (1) | GB2167898B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06103775B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1994-12-14 | シャープ株式会社 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPH0232582A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 集積型半導体レーザとその製造方法 |
| US5986163A (en) * | 1992-06-19 | 1999-11-16 | Augustine Medical, Inc. | Normothermic heater wound covering |
| DE69406049T2 (de) * | 1993-06-04 | 1998-04-16 | Sharp Kk | Lichtmittierende Halbleitervorrichtung mit einer dritten Begrenzungsschicht |
| EP1120872B1 (en) | 1998-10-07 | 2006-12-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US7623560B2 (en) | 2007-09-27 | 2009-11-24 | Ostendo Technologies, Inc. | Quantum photonic imagers and methods of fabrication thereof |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329479B2 (ja) * | 1973-10-05 | 1978-08-21 | ||
| US4045749A (en) * | 1975-11-24 | 1977-08-30 | Xerox Corporation | Corrugation coupled twin guide laser |
| DE2861465D1 (en) * | 1977-08-01 | 1982-02-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| FR2417866A1 (fr) * | 1978-02-17 | 1979-09-14 | Thomson Csf | Laser multiple a resonateur distribue |
| US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
| NL7900668A (nl) * | 1978-11-08 | 1980-05-12 | Philips Nv | Inrichting voor het opwekken of versterken van coheren- te electromagnetische straling, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting. |
| US4318058A (en) * | 1979-04-24 | 1982-03-02 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor diode laser array |
| US4369513A (en) * | 1979-11-09 | 1983-01-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
| US4385389A (en) * | 1980-07-14 | 1983-05-24 | Rca Corporation | Phase-locked CDH-LOC injection laser array |
| GB2111743B (en) * | 1981-08-25 | 1985-11-27 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Semiconductor laser |
| US4464762A (en) * | 1982-02-22 | 1984-08-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Monolithically integrated distributed Bragg reflector laser |
| US4594718A (en) * | 1983-02-01 | 1986-06-10 | Xerox Corporation | Combination index/gain guided semiconductor lasers |
| JPS59205787A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Nec Corp | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
| JPS60501634A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-09-26 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 平担な活性層を有するレーザ・アレーの製造方法 |
| US4594719A (en) * | 1984-01-19 | 1986-06-10 | Rca Corporation | Phase-locked laser array having a non-uniform spacing between lasing regions |
| JPS60182181A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-17 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ |
| JPS60236274A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-25 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| US4768201A (en) * | 1984-08-06 | 1988-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array |
| JPS6167286A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-07 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ素子 |
| US4624000A (en) * | 1984-11-01 | 1986-11-18 | Xerox Corporation | Phased array semiconductor lasers with preferred emission in a single lobe |
| US4706255A (en) * | 1985-05-20 | 1987-11-10 | Xerox Corporation | Phased array semiconductor laser with preferred emission in the fundamental supermode |
| JPH0642887A (ja) * | 1992-02-20 | 1994-02-18 | Ishigaki Mech Ind Co | 蓄熱装置 |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59235619A patent/JPS61113293A/ja active Pending
-
1985
- 1985-11-06 US US06/795,525 patent/US4817104A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-11-06 DE DE19853539355 patent/DE3539355A1/de active Granted
- 1985-11-07 GB GB8527448A patent/GB2167898B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2167898A (en) | 1986-06-04 |
| GB2167898B (en) | 1989-06-28 |
| DE3539355C2 (ja) | 1993-06-03 |
| GB8527448D0 (en) | 1985-12-11 |
| DE3539355A1 (de) | 1986-05-07 |
| US4817104A (en) | 1989-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5940592A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS61113293A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS61190994A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP2003234540A (ja) | 分布帰還型レーザ装置、半導体光装置および分布帰還型レーザ装置の製造方法 | |
| JPS61137388A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP3189881B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2007165599A (ja) | 半導体発光素子および該半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH03227086A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS61202487A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS59171187A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS6242592A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 | |
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS59184585A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ | |
| JP2947702B2 (ja) | 波長可変レーザ装置およびその作製方法 | |
| JPH0661581A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS5871677A (ja) | ２波長埋め込みへテロ構造半導体レ−ザ | |
| KR100261249B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH02119285A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS5972787A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH07312462A (ja) | 面発光レーザダイオードの製造方法，及び面発光レーザダイオード | |
| JPH0114716B2 (ja) | ||
| JPH0656907B2 (ja) | 半導体発光素子の製造法 | |
| JPH0621573A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS6175585A (ja) | 埋め込み形半導体レ−ザ |