JPS6175585A - 埋め込み形半導体レ−ザ - Google Patents
埋め込み形半導体レ−ザInfo
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- JPS6175585A JPS6175585A JP59197409A JP19740984A JPS6175585A JP S6175585 A JPS6175585 A JP S6175585A JP 59197409 A JP59197409 A JP 59197409A JP 19740984 A JP19740984 A JP 19740984A JP S6175585 A JPS6175585 A JP S6175585A
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- Japan
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- type inp
- active layer
- layers
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- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は横モードが制御された埋め込み形半導体レーザ
の構造に関する。
の構造に関する。
（従来技術の説明）
光フアイバ通信用光源として半導体レーザの高性能化が
進められている。ＩｎＰを基板とするＩｎＧａＡｓＰ
系半導体レーザでは、１μｍから２μｍと狭い幅のＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層ストライプを禁制帯幅の大きなＩｎ
Ｐ層で埋め込む形の埋め込み構造を形成することで１０
ｍＡから２０ ｍＡと低い発振闇値、５０剣から６０係
の高い微分量子効率などの良好な特性が実現されている
。しかしながら埋め込み形半導体レーザでは活性層とこ
れを埋め込む半導層との間の屈折率差が大きいため高次
横モードが発振し易い。従って高注入電流域まで安定な
基本横モードで動作させるには、高次横モードがカット
・オフになる幅、即ち発光波長が１，３μｍで活性層膜
厚が０１μｍのとき、約１．５μｍ程度まで活性層幅を
狭くする必要があることが、筆者等により１９８３年１
月１７日の電子通信学会光・量ニレ研究会の資料（番号
ＯＱＥ ８２−９８ ）で報告されている。
進められている。ＩｎＰを基板とするＩｎＧａＡｓＰ
系半導体レーザでは、１μｍから２μｍと狭い幅のＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層ストライプを禁制帯幅の大きなＩｎ
Ｐ層で埋め込む形の埋め込み構造を形成することで１０
ｍＡから２０ ｍＡと低い発振闇値、５０剣から６０係
の高い微分量子効率などの良好な特性が実現されている
。しかしながら埋め込み形半導体レーザでは活性層とこ
れを埋め込む半導層との間の屈折率差が大きいため高次
横モードが発振し易い。従って高注入電流域まで安定な
基本横モードで動作させるには、高次横モードがカット
・オフになる幅、即ち発光波長が１，３μｍで活性層膜
厚が０１μｍのとき、約１．５μｍ程度まで活性層幅を
狭くする必要があることが、筆者等により１９８３年１
月１７日の電子通信学会光・量ニレ研究会の資料（番号
ＯＱＥ ８２−９８ ）で報告されている。
この程度の活性層幅であれば、フォ） ＩＪソグラフィ
の制御性を向上させることで再現性良く活性層ストライ
プを形成することができる。しかし、単一軸モード動作
が可能な半導体レーザとして最近急速に開発が進められ
ている分布帰還形半導体レーザでは、回折格子が形成さ
れた光ガイド層とこれに隣接する活性層の２層が確実に
必要とカりこの２層を合わせた光導波路の膜厚が０．２
μｍ程度と厚くなるため、尚次モードがカット・オフに
なる幅は１μｍ程度と更に狭くなるため、高次モードを
カット・オフにする幅での製作が難しい。そこで北村等
は１９８４年春の第３１回応用物理学関係連合講演会の
講演予稿集１９１頁の１９−Ｍ−２で報告している様に
、第２図に示す構造の分布帰還形埋み込みへテロ構造を
作製した。この構造ではＩｎＣＬａＡｓｐの活性層３、
光ガイド層４を含むメサストライプ５２の側面を埋め込
むのに、従来はＩｎＰ層を用いていたのをＩｎＰよシも
屈折率の大きなＩｎＧａＡｓＰの４元埋め込み層６を用
いることにより活性層３、光ガイド層４０両側で屈折率
差を小さくしている。従って高次モードがカット・オフ
になる活性層３０幅を広げることができる。特性として
は発振横モードが安定したことが報告されている。しか
しこの構造では素子製作上の再現性に問題があった。即
ち活性層の下側にある層までエツチングして溝を形成し
ているため半円孤上の溝５０もしくは５１へ４元埋め込
み層６を成長させる場合に、メサストライプ５２０両０
１１１の而に成長する４元埋め込み層６の厚さが比較的
薄くまたそのばらつきが大きい。場合によっては活性層
３の下側までしか成長していないこともあった。
の制御性を向上させることで再現性良く活性層ストライ
プを形成することができる。しかし、単一軸モード動作
が可能な半導体レーザとして最近急速に開発が進められ
ている分布帰還形半導体レーザでは、回折格子が形成さ
れた光ガイド層とこれに隣接する活性層の２層が確実に
必要とカりこの２層を合わせた光導波路の膜厚が０．２
μｍ程度と厚くなるため、尚次モードがカット・オフに
なる幅は１μｍ程度と更に狭くなるため、高次モードを
カット・オフにする幅での製作が難しい。そこで北村等
は１９８４年春の第３１回応用物理学関係連合講演会の
講演予稿集１９１頁の１９−Ｍ−２で報告している様に
、第２図に示す構造の分布帰還形埋み込みへテロ構造を
作製した。この構造ではＩｎＣＬａＡｓｐの活性層３、
光ガイド層４を含むメサストライプ５２の側面を埋め込
むのに、従来はＩｎＰ層を用いていたのをＩｎＰよシも
屈折率の大きなＩｎＧａＡｓＰの４元埋め込み層６を用
いることにより活性層３、光ガイド層４０両側で屈折率
差を小さくしている。従って高次モードがカット・オフ
になる活性層３０幅を広げることができる。特性として
は発振横モードが安定したことが報告されている。しか
しこの構造では素子製作上の再現性に問題があった。即
ち活性層の下側にある層までエツチングして溝を形成し
ているため半円孤上の溝５０もしくは５１へ４元埋め込
み層６を成長させる場合に、メサストライプ５２０両０
１１１の而に成長する４元埋め込み層６の厚さが比較的
薄くまたそのばらつきが大きい。場合によっては活性層
３の下側までしか成長していないこともあった。
この理由は、ＩｎＰと異なり、Ｉｎ（］ａＡｓＰは（０
０１）面内での成長速度が大きいことによる。即ち第２
図の構造の素子のｎ形ＴｎＰ基板１の面方位は（ｏｏｉ
）面であるため４元埋め込み層６は溝５０もしくは溝５
１内の底の方での成長が速いためメサストライプ５２の
側面での成長が比較的遅くなってしまう。以上の様に従
来の素子は製作上の再現性を高めるのが雛しい構造であ
った。
０１）面内での成長速度が大きいことによる。即ち第２
図の構造の素子のｎ形ＴｎＰ基板１の面方位は（ｏｏｉ
）面であるため４元埋め込み層６は溝５０もしくは溝５
１内の底の方での成長が速いためメサストライプ５２の
側面での成長が比較的遅くなってしまう。以上の様に従
来の素子は製作上の再現性を高めるのが雛しい構造であ
った。
（発明の目的）
本発明の目的は活性層幅を広くすることができ横モード
制御が容易で素子製作の再現性が良好な埋め込み形半導
体レーザを提供することにある。
制御が容易で素子製作の再現性が良好な埋め込み形半導
体レーザを提供することにある。
（発明の構成）
本発明によればｎ形ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ活性
層を含む複数層が積層された多層膜基板に、前記活性層
までを選択的にエツチングして発光領域となる活性層を
含むメサストライプを間に挾む平行な２本の溝を形成し
たのち、少なくとも前記メサストライプ内の活性層の側
面を覆うＩｎＧａＡｓＰ４元埋め込み層、およびｐ形Ｉ
ｎＰ電流ブロック層、ｎ形ＩｎＰ′ｉ！Ｌ流閉じ込め層
の少なくとも３層を前記メサストライプの上部には積層
させずに形成したのち表面全体を覆ってｐ形ＩｎＰ埋め
込み層、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ電極形成層を積層したこと
を特徴とする埋め込み形半導体レーザが得られる。
層を含む複数層が積層された多層膜基板に、前記活性層
までを選択的にエツチングして発光領域となる活性層を
含むメサストライプを間に挾む平行な２本の溝を形成し
たのち、少なくとも前記メサストライプ内の活性層の側
面を覆うＩｎＧａＡｓＰ４元埋め込み層、およびｐ形Ｉ
ｎＰ電流ブロック層、ｎ形ＩｎＰ′ｉ！Ｌ流閉じ込め層
の少なくとも３層を前記メサストライプの上部には積層
させずに形成したのち表面全体を覆ってｐ形ＩｎＰ埋め
込み層、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ電極形成層を積層したこと
を特徴とする埋め込み形半導体レーザが得られる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す埋め込み形の分布帰還
形半導体レーザの斜視図である。作製のＩｌｌを追って
構造を説明すると（００１）面のｎ形ＩｎＰ基板１にｎ
形ＩｎＰバッファ層２（膜厚２μｍ１８ｎドープ、キャ
リア濃度５ Ｘ １０１７ｃｖｒ−” ）、／ｙドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３（発光波長にして１．５５μｍ
組成、膜厚０１μｍ）、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
４（発光波長にして１．３μｍ組成、膜厚０．１５μｍ
１Ｚｎドープ、キャリア濃度１ ×ｌ Ｑ” ｍ−”
）を第１回目の液相成長で順次積層する。次に発振波長
３２５０ ｉのＨｅ −Ｃｄガスレーザを光源とする２
元束干渉露光、及びＨＢｒ系のエツチング液を用いたケ
ミカルエツチングによυ周期２３５０ Ｘ深さ１０００
ｉの回折格子１００を光ガイド層４０表面に形成する。
形半導体レーザの斜視図である。作製のＩｌｌを追って
構造を説明すると（００１）面のｎ形ＩｎＰ基板１にｎ
形ＩｎＰバッファ層２（膜厚２μｍ１８ｎドープ、キャ
リア濃度５ Ｘ １０１７ｃｖｒ−” ）、／ｙドープ
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３（発光波長にして１．５５μｍ
組成、膜厚０１μｍ）、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
４（発光波長にして１．３μｍ組成、膜厚０．１５μｍ
１Ｚｎドープ、キャリア濃度１ ×ｌ Ｑ” ｍ−”
）を第１回目の液相成長で順次積層する。次に発振波長
３２５０ ｉのＨｅ −Ｃｄガスレーザを光源とする２
元束干渉露光、及びＨＢｒ系のエツチング液を用いたケ
ミカルエツチングによυ周期２３５０ Ｘ深さ１０００
ｉの回折格子１００を光ガイド層４０表面に形成する。
回折格子１００の格子線シ返の方向は＜１１０＞方向で
ある。次に第２回目のＬＰＢ成長で回折格子１００の上
にｐ形ＩｎＰクラッド層４（膜厚２μｍ１Ｚｎドープ、
キャリア濃度１ｘｉｏ”ｍ−”）を積層する。この時成
長前の高温雰囲気中で回折格子１００の変形を防止する
ためにＩｎＰの保護基板を用いた。また成長温度は５５
０℃と比較的低温に設定した。次に＜１１０＞方向に平
行な幅１０μｍの２本の溝５０．５１を、間に活性層３
の幅が２５μｍとなるメサストライプ５２を挾む形状で
形成する。溝５０ν５１の方位は＜１１０＞方向であり
、ｐ −ＩｎＰクラッド層５のエツチングには塩酸とリ
ン酸の混合液、活性層３と光ガイド層４のエツチングに
は硫酸系のエツチング液を用いた。第３回目のＬＰＥ成
長においてもＩｎＰ保護基板を用いた。
ある。次に第２回目のＬＰＢ成長で回折格子１００の上
にｐ形ＩｎＰクラッド層４（膜厚２μｍ１Ｚｎドープ、
キャリア濃度１ｘｉｏ”ｍ−”）を積層する。この時成
長前の高温雰囲気中で回折格子１００の変形を防止する
ためにＩｎＰの保護基板を用いた。また成長温度は５５
０℃と比較的低温に設定した。次に＜１１０＞方向に平
行な幅１０μｍの２本の溝５０．５１を、間に活性層３
の幅が２５μｍとなるメサストライプ５２を挾む形状で
形成する。溝５０ν５１の方位は＜１１０＞方向であり
、ｐ −ＩｎＰクラッド層５のエツチングには塩酸とリ
ン酸の混合液、活性層３と光ガイド層４のエツチングに
は硫酸系のエツチング液を用いた。第３回目のＬＰＥ成
長においてもＩｎＰ保護基板を用いた。
まずｐ形ＴｎＧａＡｓＰ ４元埋め込み層６（発光波長
にして１．１５μｍ５μｍ組成０．５１の中央部の膜厚
０３μｍ、Ｚｎドープ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”ａ
ｍ−” ）をメサストライプ５２内の活性層３、光ガイ
ド層４の側面を覆って積層する。続いてｐ形ＴｎＰ電流
ブロック層７（平坦部での膜厚０．５μｍ、Ｚｎドープ
、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−’ ）、ｎ形Ｉ
ｎＰ電流閉じ込め層８（平坦部での膜厚０，５μｍ、Ｔ
ｅドープ、キャリア濃度３ Ｘ １０” ｃｍ−” ）
、ｐ形ＩｎＰ埋め込み層９（平坦部での膜厚１．５μｍ
、Ｚｎドープ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ａｎ−”
）、ｐ形ＩｎＧａＡ、ｓＰキャップ層１０（発光波長
にして１．２μｍ組成、平坦部での膜厚０．５μｍ１Ｚ
ｎドープ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”ｃｍ””）を連
続して積層する。次に電極プロセスを。
にして１．１５μｍ５μｍ組成０．５１の中央部の膜厚
０３μｍ、Ｚｎドープ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”ａ
ｍ−” ）をメサストライプ５２内の活性層３、光ガイ
ド層４の側面を覆って積層する。続いてｐ形ＴｎＰ電流
ブロック層７（平坦部での膜厚０．５μｍ、Ｚｎドープ
、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−’ ）、ｎ形Ｉ
ｎＰ電流閉じ込め層８（平坦部での膜厚０，５μｍ、Ｔ
ｅドープ、キャリア濃度３ Ｘ １０” ｃｍ−” ）
、ｐ形ＩｎＰ埋め込み層９（平坦部での膜厚１．５μｍ
、Ｚｎドープ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０” ａｎ−”
）、ｐ形ＩｎＧａＡ、ｓＰキャップ層１０（発光波長
にして１．２μｍ組成、平坦部での膜厚０．５μｍ１Ｚ
ｎドープ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １０”ｃｍ””）を連
続して積層する。次に電極プロセスを。
行い、ｓｉｎ、ＢｔＪ３ｏを用い、ストライプ状の電流
注入領域４２を設けた電極構造（ＣｒＡ、ｕ ｐ側４０
、ＡｕＧｅＮｉ ｎ側電極４１）を形成する。共振器長
を２５０μｍとして骨間しｐ側電極４０の方を下側にし
てダイアモンドヒートシンクに融着し素子特性を調べだ
。室温での発振閾値は２５ｍＡであり、微分量子効率は
２０％であった。発振横モードは高出力域まで基本モー
ドで安定であり、従って高出力域まで発振波長１．５５
０μｍの安定な単一軸モードの発振スペクトルを示した
。最大ＣＷ光出力は３５ｍＷであった。また最大ＣＷ動
作温度は１０５℃であり、この様な高温域まで安定な基
本横モードで動作した。４元埋め込み層６は第１図に示
す素子構造からも判るように、成長膜厚を制御すれば必
ず活性層３、及び光ガイド層４の側面を覆って成長する
。従って安定な基本横モードで発振する素子が得られる
歩留りは極めて高く９０チ以上であった。ウェハ内での
均一性とともに成長ウェハ間での再現性も良好であった
。
注入領域４２を設けた電極構造（ＣｒＡ、ｕ ｐ側４０
、ＡｕＧｅＮｉ ｎ側電極４１）を形成する。共振器長
を２５０μｍとして骨間しｐ側電極４０の方を下側にし
てダイアモンドヒートシンクに融着し素子特性を調べだ
。室温での発振閾値は２５ｍＡであり、微分量子効率は
２０％であった。発振横モードは高出力域まで基本モー
ドで安定であり、従って高出力域まで発振波長１．５５
０μｍの安定な単一軸モードの発振スペクトルを示した
。最大ＣＷ光出力は３５ｍＷであった。また最大ＣＷ動
作温度は１０５℃であり、この様な高温域まで安定な基
本横モードで動作した。４元埋め込み層６は第１図に示
す素子構造からも判るように、成長膜厚を制御すれば必
ず活性層３、及び光ガイド層４の側面を覆って成長する
。従って安定な基本横モードで発振する素子が得られる
歩留りは極めて高く９０チ以上であった。ウェハ内での
均一性とともに成長ウェハ間での再現性も良好であった
。
以上の実施例では、活性層３と回折格子１００とが形成
光ガイド層４を含む構造の素子について示したが、これ
に限らず、単層の活性層の場合は勿論のこと、更に複雑
な多層構造を有す埋め込み形半導体レーザ構造の場合で
も活性層の横方向の屈折率差を小さくでき安定な基本横
モードで動作させ易くするために本発明の構造を適用す
ることが可能である。
光ガイド層４を含む構造の素子について示したが、これ
に限らず、単層の活性層の場合は勿論のこと、更に複雑
な多層構造を有す埋め込み形半導体レーザ構造の場合で
も活性層の横方向の屈折率差を小さくでき安定な基本横
モードで動作させ易くするために本発明の構造を適用す
ることが可能である。
（発明の効果）
本発明の埋め込み形半導体レーザでは、活性層の両側に
屈折率の大きな半導体層を再現性良く形成できることか
ら、安定な基本横モード発振を示す素子が歩留り良く作
製することができ、生産性に優れることが特長である。
屈折率の大きな半導体層を再現性良く形成できることか
ら、安定な基本横モード発振を示す素子が歩留り良く作
製することができ、生産性に優れることが特長である。
第１図は本発明の実施例を示す斜視図、第２図は従来例
を示す斜視図である。図中、■はｎ形ＩｎＰ基板、２は
ｎ形ＩｎＰバッファ層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、４
はｐ形ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、５はｐ形ＩｎＰクラ
ッド層、６はｐ形ＩｎＧａＡａＰ ４元埋め込み層、７
はｐ形ＩｎＰ電流ブロック層、８はｎ形ＩｎＰ電流閉じ
込め層、９はｐ形ＴｎＰ埋め込み層、１０はｐ形ＩｎＧ
ａＡｓＰキャップ層、１００は回折格子、５０．５１は
平行な２本の溝、５２はメサストライプ、３０は５ｉｆ
ｔ膜、４０はｐ側電極、４１はｎ側電極、４２は電流注
入領域である。
を示す斜視図である。図中、■はｎ形ＩｎＰ基板、２は
ｎ形ＩｎＰバッファ層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、４
はｐ形ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、５はｐ形ＩｎＰクラ
ッド層、６はｐ形ＩｎＧａＡａＰ ４元埋め込み層、７
はｐ形ＩｎＰ電流ブロック層、８はｎ形ＩｎＰ電流閉じ
込め層、９はｐ形ＴｎＰ埋め込み層、１０はｐ形ＩｎＧ
ａＡｓＰキャップ層、１００は回折格子、５０．５１は
平行な２本の溝、５２はメサストライプ、３０は５ｉｆ
ｔ膜、４０はｐ側電極、４１はｎ側電極、４２は電流注
入領域である。
Claims (1)
- ｎ形ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓＰ活性層を含む複数層
が積層された多層膜基板に、前記活性層までを選択的に
エッチングして発光領域となる活性層を含むメサストラ
イプを間に挾む平行な２本の溝を形成したのち、少なく
とも前記メサストライプ内の活性層の側面を覆うＩｎＧ
ａＡｓＰ４元埋め込み層、およびｐ形ＩｎＰ電流ブロッ
ク層、ｎ形ＩｎＰ電流閉じ込め層の少なくとも３層を前
記メサストライプの上部には積層させずに形成したのち
表面全体を覆ってｐ形ＩｎＰ埋み込み層、ｐ形ＩｎＧａ
ＡｓＰ電極形成層を積層したことを特徴とする埋め込み
形半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197409A JPS6175585A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197409A JPS6175585A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175585A true JPS6175585A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16374032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59197409A Pending JPS6175585A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 埋め込み形半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169085A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-13 | Nec Corp | ２重チヤネル型プレ−ナ埋込み構造半導体レ−ザ |
| US6009112A (en) * | 1994-09-16 | 1999-12-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser and manufacturing method therefor |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP59197409A patent/JPS6175585A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169085A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-13 | Nec Corp | ２重チヤネル型プレ−ナ埋込み構造半導体レ−ザ |
| JPH0545078B2 (ja) * | 1987-01-05 | 1993-07-08 | Nippon Electric Co | |
| US6009112A (en) * | 1994-09-16 | 1999-12-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser and manufacturing method therefor |
| US6130108A (en) * | 1994-09-16 | 2000-10-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser and manufacturing method therefor |
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