JPS58158988A - 分布帰還形半導体レ−ザ - Google Patents
分布帰還形半導体レ−ザInfo
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- JPS58158988A JPS58158988A JP57041316A JP4131682A JPS58158988A JP S58158988 A JPS58158988 A JP S58158988A JP 57041316 A JP57041316 A JP 57041316A JP 4131682 A JP4131682 A JP 4131682A JP S58158988 A JPS58158988 A JP S58158988A
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- Japan
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高速変調時にも単−縦モードで発振し得る分
布帰還形半導体レーザに関′するものである。
布帰還形半導体レーザに関′するものである。
光通信用光源として用いられる半導体レーザは、発振波
長９発振モードが高速の変調時にも安定であることが要
求される。そこで、このような要求を満たす半導体レー
ザとして、いわゆる分布帰還形半導体１゛−ザ（以下Ｄ
ＦＢレーザと称す）が提案されている。このＤＦＢレー
ザは、光導波路を形成する半導体層（活性層又は活性層
と接して形成され゛る光ガイド層）の厚さを光の発振す
る方向に治って周期的に変化させて周期構造を形成し、
この周期構造によシ導波路中にＭｉ ｌＪｊ的屈折屈折
率変化入し、この屈折率変化によシ光のフィードバック
（帰還）機能を持たせてレーザ発振を可能としたもので
ある。ところが、上記周期構造の最適周期は０．２〜０
．６μ風と微細であるため、周期構造を高精度に加工す
ることが困難であり、そのため光の帰還効率の高い尚期
構造が得難く、良好な発振特性を肩するＤＦＢレーザを
歩留り良く製造するのが困難であった。
長９発振モードが高速の変調時にも安定であることが要
求される。そこで、このような要求を満たす半導体レー
ザとして、いわゆる分布帰還形半導体１゛−ザ（以下Ｄ
ＦＢレーザと称す）が提案されている。このＤＦＢレー
ザは、光導波路を形成する半導体層（活性層又は活性層
と接して形成され゛る光ガイド層）の厚さを光の発振す
る方向に治って周期的に変化させて周期構造を形成し、
この周期構造によシ導波路中にＭｉ ｌＪｊ的屈折屈折
率変化入し、この屈折率変化によシ光のフィードバック
（帰還）機能を持たせてレーザ発振を可能としたもので
ある。ところが、上記周期構造の最適周期は０．２〜０
．６μ風と微細であるため、周期構造を高精度に加工す
ることが困難であり、そのため光の帰還効率の高い尚期
構造が得難く、良好な発振特性を肩するＤＦＢレーザを
歩留り良く製造するのが困難であった。
本発明はこのような従来の欠点を改善したものであシ、
その目的は、周期構造の加工精度が従来と同一であって
も高い帰還効率が得られるようにしたＤＦＢレーレー提
供することにある。以−下実施例について詳細に脱明す
る。
その目的は、周期構造の加工精度が従来と同一であって
も高い帰還効率が得られるようにしたＤＦＢレーレー提
供することにある。以−下実施例について詳細に脱明す
る。
第１図及び第２図は本発明実施例ＤＦＢレーザの素子断
面図であシ、第１図は光の取シ出し方向に対して垂直な
断面図、第２図は光取９出し方向に洛って素子中央部で
切断した場合の断面図である。
面図であシ、第１図は光の取シ出し方向に対して垂直な
断面図、第２図は光取９出し方向に洛って素子中央部で
切断した場合の断面図である。
なお、各図において、１はｐ形１ｎＰ基板等のｐ形半導
体基板、２はｐ形又は外形のＧα１１％ＡｚＰ ４元混
晶層等から成る活性層、脣１形Ｇａ１ｒＬＡｚＰ ４
元混晶層等から成る光ガイド層、４は電流阻止層、５は
光ガイド層および電流阻止層４によって形成された回折
格子、６，７は％形１ｎＰ層等の外形半導体層、８はｐ
形１ｎＰ層等のｐ形半導体層、９は化学エツチング岬の
手法により活性Ｒ１２及び光ガイド層３に対して傾いて
形成した面、１０はη開や化学エツチング等の手法で形
成した光取り出し面、１１はｐ形オーミック寛極、１２
は外形オーミック電極、１３は放射されるレーザ光であ
る。活性層２及び光ガイド層６が光導波層となシ、ｐ形
半導体基板１及び外形半導体層６が光閉じ込め層となる
。
体基板、２はｐ形又は外形のＧα１１％ＡｚＰ ４元混
晶層等から成る活性層、脣１形Ｇａ１ｒＬＡｚＰ ４
元混晶層等から成る光ガイド層、４は電流阻止層、５は
光ガイド層および電流阻止層４によって形成された回折
格子、６，７は％形１ｎＰ層等の外形半導体層、８はｐ
形１ｎＰ層等のｐ形半導体層、９は化学エツチング岬の
手法により活性Ｒ１２及び光ガイド層３に対して傾いて
形成した面、１０はη開や化学エツチング等の手法で形
成した光取り出し面、１１はｐ形オーミック寛極、１２
は外形オーミック電極、１３は放射されるレーザ光であ
る。活性層２及び光ガイド層６が光導波層となシ、ｐ形
半導体基板１及び外形半導体層６が光閉じ込め層となる
。
本実施例のＤＦＢレーザが従来のＤＦＢレーザと相違す
るところは、従来のＤＦＢレーレー光ガイド層３０表面
を凹凸に加工して第２図の電流阻止層４を含む凹凸相当
領域を形成しその上に外形半導体層６を形成したのに対
し、本実施例では、光ガイド層３０表面を凹凸に加工す
るとともにその凸部に電流阻止層４を設け、この電流阻
止層４と光ガイド層３上にｎ形半導体層を形成した点に
ある。
るところは、従来のＤＦＢレーレー光ガイド層３０表面
を凹凸に加工して第２図の電流阻止層４を含む凹凸相当
領域を形成しその上に外形半導体層６を形成したのに対
し、本実施例では、光ガイド層３０表面を凹凸に加工す
るとともにその凸部に電流阻止層４を設け、この電流阻
止層４と光ガイド層３上にｎ形半導体層を形成した点に
ある。
一般に、ＤＦＢレーザにおいては、回折格子５のＪｉｊ
ｉｌ１期Ａが Δ：ＷＫ／２？Ｓ 四囲
・（１）但し、λはレーザ発振の波長、ｍは回折格子の
次数、舅は活性層２．光ガイド層３ｒ を流阻止層４で
構成される光導波路の実効屈折率である。
ｉｌ１期Ａが Δ：ＷＫ／２？Ｓ 四囲
・（１）但し、λはレーザ発振の波長、ｍは回折格子の
次数、舅は活性層２．光ガイド層３ｒ を流阻止層４で
構成される光導波路の実効屈折率である。
を満足する波長でＤＦＢモードのレーザ発振が引き起こ
されるが、そのレーザ特性は回折格子５による回折効率
が高いほど良くなる。回折効率は、回折格子の形状と、
回折格子を境界として光閉じ込め層６の凸部の屈折率と
光閉じ込め層６の凹部にある電流阻止層４及び光ガイド
層６の等側屈折率との差によって決められるので、回折
格子の形状が同一でおればその屈折率差が大きいｔなど
回折効率は高くなシ、従ってＤＦＢレーレー性が良くな
る。
されるが、そのレーザ特性は回折格子５による回折効率
が高いほど良くなる。回折効率は、回折格子の形状と、
回折格子を境界として光閉じ込め層６の凸部の屈折率と
光閉じ込め層６の凹部にある電流阻止層４及び光ガイド
層６の等側屈折率との差によって決められるので、回折
格子の形状が同一でおればその屈折率差が大きいｔなど
回折効率は高くなシ、従ってＤＦＢレーレー性が良くな
る。
本実施例では、前述したように、光ガイド層３の凸部頂
上（光閉じ込め層凹部底面）に電流阻止層４を形成しで
ある。一般に半導体結晶では注入キャリアが多くなると
屈折率が低下するので、このような構造にすると注入さ
れた電流が光閉じ込め層６の凸部に集中する結果その部
分の屈折率が低下し、上述した屈折率差が従来に比し大
きくなシ、回折効率が高まることになる。また、半導体
結晶の不純物濃度を高くするとその屈折率が低下するの
で、光閉じ込め層６の不純物濃度を従来より高くすれば
、よシ屈折率差が大きくなシ、回折効率が更に高まる。
上（光閉じ込め層凹部底面）に電流阻止層４を形成しで
ある。一般に半導体結晶では注入キャリアが多くなると
屈折率が低下するので、このような構造にすると注入さ
れた電流が光閉じ込め層６の凸部に集中する結果その部
分の屈折率が低下し、上述した屈折率差が従来に比し大
きくなシ、回折効率が高まることになる。また、半導体
結晶の不純物濃度を高くするとその屈折率が低下するの
で、光閉じ込め層６の不純物濃度を従来より高くすれば
、よシ屈折率差が大きくなシ、回折効率が更に高まる。
上記電流阻止層４としては、ＩＩＬｆＬを完全に連断す
るものが好ましいが、ある程度抑制するものでも良く、
比抵抗が光閉じ込め層６の凸部よシ大きい高低□抗詣形
半導体（ＩｎＰ 、Ｇａ１ｎＡｚＰ等）、絶縁層。
るものが好ましいが、ある程度抑制するものでも良く、
比抵抗が光閉じ込め層６の凸部よシ大きい高低□抗詣形
半導体（ＩｎＰ 、Ｇａ１ｎＡｚＰ等）、絶縁層。
或は光閉じ込め層６の導電形と反対導電形のｐ形半導体
層を用いることができる。
層を用いることができる。
〈具体例〉
第１図及び第２図の各層を以下に示すような値としたＤ
ＦＥレーザを製作した。
ＦＥレーザを製作した。
ｐ形半導体基板１
Ｚルドープ（１００） ｐ形ＩルＰ基板、厚さ８０μ薄
、キャリア密度５ ｘ １０１１７ｃ、１、ＥＰＤ （
エッチピット密度） ５ Ｘ １０”／ａｍ” 活性層２ ノンドープＧα。、４２Ｉ昏。、５＠Ａ＃。、１１１１
ＰＯ，１２４元混晶活性層、厚さ０．１５μｍ 光ガイド層６ ＳｎドープＧ６０．２４７”Ｏｊ４ ”ｊＯｊ４ ＰＧ
、４４４元混晶導波路層、厚さ０．２μ屏、キャリア密
度７ Ｘ １０ｍ″／ｃ＋ａ’１流阻止層４ ノンドープＩｎＰ結晶層、厚さ０．１μ寓、キャリア濃
度２Ｘ１０”／ｃＪ 外形半導体層６ Ｓ４ドープｓ Ｙ！／ｚｎｐ結晶層、厚さ２．５μ＋ｍ
、キャリア密度５Ｘ１０”／ｅＪ ｎ形半導体／１ｉ１７ Ｓｎドープｎ形１ｎＰ軸晶噛、厚さ２μ累、キャリア密
度４Ｘ１０”／ｃ♂ ｐ形半導体層８ Ｚ％ドープｐ形１ｎＰ結晶層、厚さ１μ肩、ギヤリア密
度３ Ｘ １０”／ｃＪ これらの結晶層Ｌ、通常の所謂スライドボート法を用い
た欣相エピタキシャル成長法にょシ行ない、各結晶層の
成長温度は９５０Ｃ−６０５℃の間にあった。製作手順
は次の通シである。
、キャリア密度５ ｘ １０１１７ｃ、１、ＥＰＤ （
エッチピット密度） ５ Ｘ １０”／ａｍ” 活性層２ ノンドープＧα。、４２Ｉ昏。、５＠Ａ＃。、１１１１
ＰＯ，１２４元混晶活性層、厚さ０．１５μｍ 光ガイド層６ ＳｎドープＧ６０．２４７”Ｏｊ４ ”ｊＯｊ４ ＰＧ
、４４４元混晶導波路層、厚さ０．２μ屏、キャリア密
度７ Ｘ １０ｍ″／ｃ＋ａ’１流阻止層４ ノンドープＩｎＰ結晶層、厚さ０．１μ寓、キャリア濃
度２Ｘ１０”／ｃＪ 外形半導体層６ Ｓ４ドープｓ Ｙ！／ｚｎｐ結晶層、厚さ２．５μ＋ｍ
、キャリア密度５Ｘ１０”／ｅＪ ｎ形半導体／１ｉ１７ Ｓｎドープｎ形１ｎＰ軸晶噛、厚さ２μ累、キャリア密
度４Ｘ１０”／ｃ♂ ｐ形半導体層８ Ｚ％ドープｐ形１ｎＰ結晶層、厚さ１μ肩、ギヤリア密
度３ Ｘ １０”／ｃＪ これらの結晶層Ｌ、通常の所謂スライドボート法を用い
た欣相エピタキシャル成長法にょシ行ない、各結晶層の
成長温度は９５０Ｃ−６０５℃の間にあった。製作手順
は次の通シである。
（１） 上記ｐ形１ｎＰ 、：！ｉ￥板上に活性層２
．光ガイド層３及び電流阻止層４を連続成長した。
．光ガイド層３及び電流阻止層４を連続成長した。
（２） フォトレジストを基板表面に厚さ５ｏｏｉ４
布し、三光束干渉法を用いて＜ｉｌｏ＞ 方向に滴っ実
子渉縞を嬉光した。現ｇ＃Ｓ後、１ ｎａｊ４ Ｃｆ２
ｏｙ ：ＨＢｒ ： ＣＨ２Ｃ０ＯＨ＝ ５： １
： １を用いて結晶層６，４をエツチングし、深さ０．
２μ票の回折格子５を形成した。
布し、三光束干渉法を用いて＜ｉｌｏ＞ 方向に滴っ実
子渉縞を嬉光した。現ｇ＃Ｓ後、１ ｎａｊ４ Ｃｆ２
ｏｙ ：ＨＢｒ ： ＣＨ２Ｃ０ＯＨ＝ ５： １
： １を用いて結晶層６，４をエツチングし、深さ０．
２μ票の回折格子５を形成した。
（３）ｎ形半導体層６を成長後、ｒｆスパッタ法を用い
てＳｉＯ，Ｍを結晶表面に形成し、フォト技術を用いて
＜１１０＞方向に沿って１鴫９μ罵のＳＫ Ｏｔ膜のス
トライプバタンを形成し、メタノールブロム液を用いて
、６μ罵の深さまでメザエツチングを行った。
てＳｉＯ，Ｍを結晶表面に形成し、フォト技術を用いて
＜１１０＞方向に沿って１鴫９μ罵のＳＫ Ｏｔ膜のス
トライプバタンを形成し、メタノールブロム液を用いて
、６μ罵の深さまでメザエツチングを行った。
（４） ％形体導体層７．ｐ形半導体層８の順に埋め
込み層の結晶成長を行なった後、５ｇ０２膜を除去した
。
込み層の結晶成長を行なった後、５ｇ０２膜を除去した
。
（５） 基板側にｐ形電極１１としてＡｕ Ｚｎ合金
、結晶成長層側に外形電極１２としてＡｕ −Ｇｇ −
Ｎｉ合金を蒸着によυ形成し、その後シンタリングした
。
、結晶成長層側に外形電極１２としてＡｕ −Ｇｇ −
Ｎｉ合金を蒸着によυ形成し、その後シンタリングした
。
（６） フォトレジストをマスクとして＜ｉｌｏ＞
方向に沿って、間隔４００μ肩で幅６０μｍ、深さ１
０μ購の溝をＩ Ｎｏ１Ｋ１Ｃｒ２０−１ ： ＨＢｒ
： ＣＨＢＣＯＯＨ： １ ： １ ： １のエツチ
ング液を用いて形成した。これにより面９を形成し、θ
、＝５４．５°を得た。
方向に沿って、間隔４００μ肩で幅６０μｍ、深さ１
０μ購の溝をＩ Ｎｏ１Ｋ１Ｃｒ２０−１ ： ＨＢｒ
： ＣＨＢＣＯＯＨ： １ ： １ ： １のエツチ
ング液を用いて形成した。これにより面９を形成し、θ
、＝５４．５°を得た。
（７） ストライプの中央部を骨間によ部分離しくθ
。
。
＝９０°）、長さ２００ハのＤＦＢレーザを得た。
このようにして製造したＤＦＢレーザのｐ形を極
′１１を正極、負形寛極１２を負極にして直、５ｆｉ、
電流を流したところ、２５℃において閾値５５ｍ、４で
分布帰還モードのレーザ発振を示した。発振スペクトル
は発振閾値からその６倍以上まで単−縦モードである仁
とが認められた。また、このＤＦＢレーザに６５ｗｈＡ
の直流電流を流しておき、さらに４００ＭＨｚの正弦波
亀Ｒ，Ｃｉ、−、＝ ２［１寓Ａ）を印加したときのス
ペクトルを観察したが、波長１．５１６７Ｊｍ付近でや
はり単−縦モードの分布帰還モードによるレーザ発振を
認めた。第３図はそのときに観察されたスペクトルの一
例を示す線図である。
′１１を正極、負形寛極１２を負極にして直、５ｆｉ、
電流を流したところ、２５℃において閾値５５ｍ、４で
分布帰還モードのレーザ発振を示した。発振スペクトル
は発振閾値からその６倍以上まで単−縦モードである仁
とが認められた。また、このＤＦＢレーザに６５ｗｈＡ
の直流電流を流しておき、さらに４００ＭＨｚの正弦波
亀Ｒ，Ｃｉ、−、＝ ２［１寓Ａ）を印加したときのス
ペクトルを観察したが、波長１．５１６７Ｊｍ付近でや
はり単−縦モードの分布帰還モードによるレーザ発振を
認めた。第３図はそのときに観察されたスペクトルの一
例を示す線図である。
なお、上記工程中で電流阻止層４を除いた工程によ多形
成した従来のＤＦＢレーザの閾値は、上述した工程で製
作した素子の約１．４倍でおつ九。また単−縦モードは
、閾値電流の１．８倍までしか保たれなかった。
成した従来のＤＦＢレーザの閾値は、上述した工程で製
作した素子の約１．４倍でおつ九。また単−縦モードは
、閾値電流の１．８倍までしか保たれなかった。
上述の実施例では、基板１としてｐ形のものを用いたが
、外形のものを用いた場合には他の半導体層の導電形を
上述と反対にすれに良い。また、凹凸の周期構造を基板
側に設ける構成としても良く、閉じ込め層と活性層との
間に光ガイド層を介しない場合には活性層の膜厚を拘期
的に変化させれは良い。更に、使用する半導体材料とし
ては、Ｇａ１ｖｂＡａＰ／Ｉ＊Ｐ系以外にＧａＡ＃／Ｇ
ａＡＪＡｐ系、 ＧＩＩｓｈ／ＧａＡＩＡｚＳｂ系等が
考えられる。
、外形のものを用いた場合には他の半導体層の導電形を
上述と反対にすれに良い。また、凹凸の周期構造を基板
側に設ける構成としても良く、閉じ込め層と活性層との
間に光ガイド層を介しない場合には活性層の膜厚を拘期
的に変化させれは良い。更に、使用する半導体材料とし
ては、Ｇａ１ｖｂＡａＰ／Ｉ＊Ｐ系以外にＧａＡ＃／Ｇ
ａＡＪＡｐ系、 ＧＩＩｓｈ／ＧａＡＩＡｚＳｂ系等が
考えられる。
以上の説明から判るように、本発明は、活性層と対向す
る面に光の取シ出し方向に沿う周期的な凹凸構造を有す
る光閉じ込め層の凹部底面に電流阻止層を設けたもので
あり、注入を流が光閉じ込め層の凸部に集中して流れる
結果その部分の屈折率が低下し、凹凸両者の屈折率差が
大きくなるので、みかけの凹凸の構造が同じでも分布帰
還の効率を大きくすることができ、ＤＦＢモードでのレ
ーザ発振特性を向上することができる。
る面に光の取シ出し方向に沿う周期的な凹凸構造を有す
る光閉じ込め層の凹部底面に電流阻止層を設けたもので
あり、注入を流が光閉じ込め層の凸部に集中して流れる
結果その部分の屈折率が低下し、凹凸両者の屈折率差が
大きくなるので、みかけの凹凸の構造が同じでも分布帰
還の効率を大きくすることができ、ＤＦＢモードでのレ
ーザ発振特性を向上することができる。
第１図及び第２図は本発明実施例の素子断面図、第３図
は発振スペクトラムの一例を示す線図である。 Ｉｔ′ｉｐ形牛導体基板、２は活性層、３Ｆｉ光ガイド
層、４は電流阻止層、５は回折格子、６，７はｎ形半導
体層、８はｐ形半導体層、１１はｐ形オーミック電極、
１２はｎ形オーミック電極である。 第１ 図 宋 ４、。 ５ ♀ 第３図 波 長 （μｍ）
は発振スペクトラムの一例を示す線図である。 Ｉｔ′ｉｐ形牛導体基板、２は活性層、３Ｆｉ光ガイド
層、４は電流阻止層、５は回折格子、６，７はｎ形半導
体層、８はｐ形半導体層、１１はｐ形オーミック電極、
１２はｎ形オーミック電極である。 第１ 図 宋 ４、。 ５ ♀ 第３図 波 長 （μｍ）
Claims (1)
- 光導波層の厚さを光の取シ出し方向に沿って周期的に変
化させて光の分布帰還を可能とした分布帰還形半導体レ
ーザにおいて、活性層と対向する面に光の取シ出し方向
に沿う周期的な凹凸構造を有する光間じ込め層と、該光
間じ込め層の凹部の底面に形成された電流阻止層と、骸
電流阻止層及び前記光間じ込め層により光の取り出し方
向に沿って周期的に層の厚さが変化する光導波層とを具
備したことを特徴とする分布帰還形半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041316A JPS58158988A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 分布帰還形半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041316A JPS58158988A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 分布帰還形半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158988A true JPS58158988A (ja) | 1983-09-21 |
| JPS6317356B2 JPS6317356B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=12605103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041316A Granted JPS58158988A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 分布帰還形半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158988A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182295A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-14 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0390077A2 (en) * | 1989-03-30 | 1990-10-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Laser diode and method for fabricating of the same |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263137A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 車両のトランスミツシヨン制御システム |
| JPH01300028A (ja) * | 1988-05-28 | 1989-12-04 | Hitachi Ltd | 駆動輪スリツプ防止制御装置 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57041316A patent/JPS58158988A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182295A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-14 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0390077A2 (en) * | 1989-03-30 | 1990-10-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Laser diode and method for fabricating of the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6317356B2 (ja) | 1988-04-13 |
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