JPS63271992A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents

半導体レ−ザ素子

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JPS63271992A
JPS63271992A JP62105612A JP10561287A JPS63271992A JP S63271992 A JPS63271992 A JP S63271992A JP 62105612 A JP62105612 A JP 62105612A JP 10561287 A JP10561287 A JP 10561287A JP S63271992 A JPS63271992 A JP S63271992A
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JP62105612A
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Naohiro Suyama
尚宏 須山
Kousei Takahashi
向星 高橋
Masafumi Kondo
雅文 近藤
Toshiro Hayakawa
利郎 早川
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    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体レーザ素子に関し、特例活性層とクラッ
ド層の間に屈折率が漸次変化する光ガイド層を挿設した
超格子構造のＧＲＩＮ−５ＣＨ（ＧｒａｄｅｄＩｎｄｅ
ｘ　−５ＣＨ）型半導体レーザ素子に関するものである
。
〈従来の技術とその問題点〉 近年結晶成長技術の発達にともなって極めて薄い結晶を
成長形成することが可能となり、これに基いて超格子構
造を有する量子井戸半導体レーザと称されるレーザ素子
が開発されている０この量子井戸半導体レーザはそれ以
前の一般的なダブルへテロ（ＤＩ）接合型半導体レーザ
に比べて大幅な低閾値電流化が可能であるという利点を
有するが、その反面、活性層として１００久以下の極め
て薄い層を用いなければならず、従来の液相成長法では
その作製は困難であり、主に分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）法や有機金属熱分解（ＭＯＣＶＤ）法といった薄層
成長の制御性に優れた方法によって開発が進められてい
る。しかし、このＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法では良質の結
晶層を得るためには成長速度をむやみに速くすることは
好ましくない。
たとえばＭＢＥ法では典型的には！μｍ／時間（ｈ）程
度の成長速度が用いられる。通常半導体レーザ特にＧａ
Ａｓを基板とするＡｔＧａＡｓ系の材料で作製された半
導体レーザでは、発振する光に対して基板やキャップ層
はその光を吸収する損失領域となり得るため、一般的に
は活性層からクラッド層へしみ出した光がＧａＡｓ基板
あるいはキャップ層のところで充分に弱い即ちこれらの
領域での吸収損失が充分に小さくなるようにクラッド層
の厚さを充分に厚く設定しなければならない。このため
、従来のクラッド層厚はｐ側、ｎ側とも１．５μｍ程度
少なくとも１μｍ以上の厚さに層設されていたＯＤＨ型
の半導体レーザではこのクラッド層以外に活性層（〜Ｏ
，ＯＩ　ｐｍ　）、ＧａＡｓキャップ層（０，５〜１μ
ｍ）が必要であり、さらにＭＢＥ法などを用いた場合に
は結晶品質の向上を図るために０．５μｍ乃至それ以上
の厚さのＧａＡｓバッファ一層を挿入することが多い０
従って、これをＭＢＥ法などで成長する場合、例えばク
ラッド層のＡｔＡｓ組成を０．４５．活性層ＡｔＡｓ組
成をＯ，＋　５　、　ＧａＡｓの成長レートをＯ−７μ
ｍ／ｈ　ｌ　Ａｔｏ、４ｓＧ　ａｏ、ｓｓＡ　ｓの成長
レートを１．５６μｍ／ｈとすると少なくとも３．５時
間程度の成長時間を必要とし、生産性が非常に悪い。ま
た、ＭＢＥ法においては、成長層厚の増加は表面欠陥密
度を増大させ、特性の劣化や歩留りの低下につながる。
〈発明の概要〉 本発明は上述の問題点に鑑み、半導体レーザの活性層近
傍の構造を活性層からクラッド層への光のしみ出しが非
常に小さい構造とすることによりレーザの特性の劣化を
招くことなくクラッド層の厚さを薄＜（＜Ｏ，Ｓμｍ）
し、生産性の向上と歩留りの向上を図ったことを特徴と
している。即ち、本発明は活性層とクラッド層の間に屈
折率が連続的に変化する光ガイド層を設けている。従来
のＤＨ構造の場合には、低い閾値電流と良好な光学的特
性を確保するためには活性層の厚さはＯ，Ｉμｍ程度（
最適値は〜０．０７μｍ）に薄くしなければならない。
このようなりＨ構造では、屈折率変化は活性層とクラッ
ド層との界面のみに存在する上に活性層が薄いため、光
は活性層内ではほとんど減衰せず大部分はクラッド層内
で減衰することとなる。従って特性の劣化を招くことの
ないようにするためには前述した如くクラッド層は約１
．５μｍの厚さとなるように設けなければならない。ま
た、光ガイド層を設けた場合でも、この光ガイド層の屈
折率分布が平坦化（屈折率が光ガイド層内で一定）され
ている場合には、屈折率の変化は活性層と光ガイド層と
の界面、光ガイド層とクラッド層との界面にあるのみで
あり、クラッド層への光のしみ出しは光のＤＨ構造に較
べれば多少弱くなるもののまだ相当の光がクラッド層内
に分布しておりクラッド層を薄くすることは特性の劣化
につながることとなる。特に、低閾値電流特性を目指し
て活性層を極めて薄くした量子井戸レーザ素子では光分
布に対する量子井戸層の影響は非常に小さく、光分布は
（光ガイド層）＋（活性層）＋（光ガイド）の厚さに相
当する活性層厚を有するＤＨレーザの光分布とほとんど
同じであり、活性層の光のしみ出しは相当に大きい。一
方、本発明で採用している屈折率が層厚方向に沿って連
続的に変化する（傾斜屈折率分布）光ガイド層を有する
構造では、この屈折率が連続的に変化していることより
、共振器内を進行する光は光ガイド層内で屈折率の大き
い方から小さい方へ進む光が屈折の法則に従い屈折し徐
々に共振器の方向と平行に近くなり最後には全反射を生
じるため光の大部分が光ガイド層内へ閉じ込められクラ
ッド層への光のしみ出しは非常に小さくなる。またこの
効果は光ガイド層内での屈折率変化が大きいほど大きく
なるので、クラッド層の屈折率は極力小さく、即ちクラ
ッド層にＡ　ｔＸ　Ｇ　ａ　Ｉ　−Ｘ　Ａ　ｓを用いる
場合にはそのＡｔＡｓ組成を可及的に大きくすることが
望ましい。
特にＡｔＡｓ組成をｘ＝０．４５以上とすることにより
良好な光閉じ込め効果が得られる。
傾斜屈折率分布型の光ガイド層によりクラッド層への光
のしみ出しは非常に小さくなるのでクラッド層厚を薄く
しても基板やキャップ層による吸収損失は非常に小さく
、その厚さを０．５μｍ乃至それ以下とした場合でも特
性の劣化は生じない。
〈実施例〉 第１図は本発明の１実施例を示す傾斜屈折率分布を有す
るクラッド層で活性層を挟設した半導体レーザ素子の模
式断面図である。第２図は活性層近傍の光強度分布を示
す説明図であり、第２図（Ａ）は第１図に示す半導体レ
ーザ、第２図（Ｂ）は第１図の半導体レーザにおける光
ガイド層を除いた場合の各光強度分布特性を表わす。
第１図の半導体レーザ素子はＭＢＥ法を利用して成長さ
せておりＧａＡｓで０．４５　μｍ／ｈ、Ａ／４７Ｇａ
ｑ３Ｌｓで１．５１ｔｍ／ｈの成長レートに設定してい
る。ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２
を０．４５／Ｚ　ｍ　、　ｎ−Ａｔ００７Ｇａ□、３Ａ
ｓ＠　＋クラッド層３を０．４５ｐ　ｍ　、　ｎ−Ａち
Ｇａ１−ｙＡｓ　（ｙは０．７から０へ向かって漸次低
減）傾斜屈折率（組成）光ガイド層４を０２μｍ、活性
層（量子井戸層）５としてＧａＡｓを漸 ０、０１　ｐ　ｍ　、　ｐ−Ａｔ２Ｇａｌ−２Ａｓ　（
ｚは上記ｙと逆に禁火変化）傾斜屈折率光ガイド層６を
０．２μｍ、ｐ−Ａｔｏ、７　Ｇ　ａ　Ｏ，３Ａ　ｓ第
２クラッド層７を０．４５μｍ。
ｐ−ＧａＡｓキｆｆツブ層８を０．４５μｍ、順次成長
している。この場合、合計の成長時間として約３時間を
要するが、成長時間は第１．第２クラッド層を通常の１
．５１ｔｍの厚さにした場合の２／３に短縮される。ま
た、成長層厚が大幅に小さくなるので欠陥密度も低減さ
れ寿命特性や歩留りの向上にもなお、本実施例では傾斜
型の屈折率分布を放物線分布で示しているが、その分布
形状に関してはこれに限定されるものではない。また屈
折率変化は完全に連続的でなくても、階段状に変化して
いてもよい。クラッド層のＡｔＡｓ組成は０．７と大き
く設定しているため、成長レートは若干抑制されている
が、ＡｔＡｓ組成を小さくして成長レートを通常のＤＨ
構造と同様の値迄上げた場合には、成長時間は約２．５
時間程度に短縮される。但し特性的にはＡｔＡｓ組成を
０．７とした方が良い。
上記工程を介して得られた半導体レーザ素子の活性層５
．光ガイド層４，６及びクラッド層３゜７付近の光強度
分布を示すと第２図（Ａ）の如くとなる。即ち、活性層
５内をピークとして光ガイド層４．６の活性層５側界面
からクラッド層３，７側界面へ移行するに従って光強度
は急激に低下し、クラッド層３，７では相当に小さくな
っている。
尚、光ガイド層４，６を除いて通常の活性層５をクラッ
ド層３，７で直接挟設したＤＨ構造とした場合、その光
強度分布は第２図（Ｂ）の如くとなり、クラッド層３，
７へ大量の光がしみ出す裾拡がりの分布形状を呈する。
〈発明の効果〉 本発明によれば、半導体レーザ素子の特性の劣化を招く
ことなく生産性の向上が得られ、同時に欠陥密度の低減
にともなう特性の向上も期待される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の模
式断面図である。第２図（Ａ）（Ｂ）は第１図に示す半
導体レーザ素子と一般的なりＨ構造半導体レーザ素子の
活性層近傍の光分右図である。 １・・・ＧａＡｓ層　２・・・バッファ層　３．７・・
・クラッド層　４，６・・・光ガイド層　５・・・活性
層代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他１名）１１１図 第２図　　　　ＣＢ） 手続補正書 昭和６８年５　月１３鷹へ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、活性層とクラッド層の間に混晶比が前記活性層とク
    ラッド層の間の範囲で漸次変化しながら双方と接合する
    光ガイド層を介挿し前記クラッド層の厚さを０．５μｍ
    以下に設定したことを特徴とする半導体レーザ素子。 ２、活性層が０．１μｍ以下の厚さで量子井戸構造を有
    する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ素子。 ３、クラッド層がＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓから成
    り、混晶比ｘが０．４５以上である特許請求の範囲第１
    項記載の半導体レーザ素子。
JP62105612A 1987-04-28 1987-04-28 半導体レ−ザ素子 Pending JPS63271992A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107363827A (zh) * 2017-08-04 2017-11-21 芜湖挺优机电技术有限公司 一种零件运送用电控夹取机械手

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5075743A (en) * 1989-06-06 1991-12-24 Cornell Research Foundation, Inc. Quantum well optical device on silicon
US4989213A (en) * 1989-10-30 1991-01-29 Polaroid Corporation Narrow divergence, single quantum well, separate confinement, algaas laser
WO1992004753A1 (en) * 1990-09-12 1992-03-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. Quantum-well-type semiconductor laser element
JPH05275798A (ja) * 1992-03-25 1993-10-22 Eastman Kodak Japan Kk レーザダイオード
US5218613A (en) * 1992-05-01 1993-06-08 Mcdonnell Douglas Corporation Visible diode laser
JP4387472B2 (ja) * 1998-02-18 2009-12-16 三菱電機株式会社 半導体レーザ

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1378128A (en) * 1973-06-26 1974-12-18 Alferov Z I Semiconductor laser
NL7906868A (nl) * 1979-09-14 1981-03-17 Gould Godart Bv Gasanalysator.
JPS5826834B2 (ja) * 1979-09-28 1983-06-06 株式会社日立製作所 半導体レ−ザ−装置
JPS5726487A (en) * 1980-07-23 1982-02-12 Hitachi Ltd Semiconductor laser device
US4481631A (en) * 1981-06-12 1984-11-06 At&T Bell Laboratories Loss stabilized buried heterostructure laser
GB2105099B (en) * 1981-07-02 1985-06-12 Standard Telephones Cables Ltd Injection laser
US4416012A (en) * 1981-11-19 1983-11-15 Rca Corporation W-Guide buried heterostructure laser
JPS59104189A (ja) * 1982-12-07 1984-06-15 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 半導体レ−ザ
US4512022A (en) * 1982-07-13 1985-04-16 At&T Bell Laboratories Semiconductor laser having graded index waveguide
JPS5948976A (ja) * 1982-09-14 1984-03-21 Nec Corp 半導体レ−ザ
NL8301745A (nl) * 1983-05-17 1984-12-17 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
JPS6014482A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 Toshiba Corp 半導体レ−ザ装置
JPS60145686A (ja) * 1984-01-09 1985-08-01 Nec Corp 半導体レ−ザ
JPS61207090A (ja) * 1985-03-12 1986-09-13 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
US4706255A (en) * 1985-05-20 1987-11-10 Xerox Corporation Phased array semiconductor laser with preferred emission in the fundamental supermode
JPS6218082A (ja) * 1985-07-16 1987-01-27 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
CA1279394C (en) * 1985-07-26 1991-01-22 Naoki Chinone Multiple quantum well type semiconductor laser
JPS6267890A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ
JPS6273687A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS62193192A (ja) * 1986-02-19 1987-08-25 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS=1981 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107363827A (zh) * 2017-08-04 2017-11-21 芜湖挺优机电技术有限公司 一种零件运送用电控夹取机械手

Also Published As

Publication number Publication date
EP0289308A3 (en) 1989-04-05
EP0289308A2 (en) 1988-11-02
US4862470A (en) 1989-08-29
EP0289308B1 (en) 1993-01-13

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