JPS59149078A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS59149078A JPS59149078A JP2394783A JP2394783A JPS59149078A JP S59149078 A JPS59149078 A JP S59149078A JP 2394783 A JP2394783 A JP 2394783A JP 2394783 A JP2394783 A JP 2394783A JP S59149078 A JPS59149078 A JP S59149078A
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- JP
- Japan
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- layer
- type
- region
- semiconductor
- semiconductor laser
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反射面劣化を除去した、高出力動作を可能にす
る埋めこみ型半導体レーザに関するものである。
る埋めこみ型半導体レーザに関するものである。
ＡＩ Ｇａ Ａｓ等の多層へテロ構造を設けた半導体レ
ーザは高効率のレーザ発振を行なうことが出来るので、
光フアイバ通信等の用途に用いられているが、その光出
力は３〜５ｍＷ程度でしか動作できないものであった。
ーザは高効率のレーザ発振を行なうことが出来るので、
光フアイバ通信等の用途に用いられているが、その光出
力は３〜５ｍＷ程度でしか動作できないものであった。
この光出力の限界は主に結晶臂開面の反射面が高密度の
光出力によって損傷を受けるためであり、高出力動作を
行う程度射面の劣化速度が大きくなり例えば数１０ｍＷ
の光出力動作を行うと瞬時に劣化してしまうことが避け
られないものであった。
光出力によって損傷を受けるためであり、高出力動作を
行う程度射面の劣化速度が大きくなり例えば数１０ｍＷ
の光出力動作を行うと瞬時に劣化してしまうことが避け
られないものであった。
この様な欠点を除去するためｋ、結晶臂開面の反射面ｋ
８（０１Ａｌ 、０．−８ｉ 、Ｎ４−絶縁性カーボ
ン膜等の誘電体膜を附着させる方法、あるいはＡｌｘＧ
町−ｘ Ａ ｓ （”≧０．２）層の様な、半導体膜を
附着される方法等により反射面近傍の界面準位の低減、
反射面近傍の放熱効果の改善、あるいは反射面と外囲気
を遮断して化学反応の進行を防止すること等によって、
半導体レーザ自身の反射面劣化を防止する方法が採用さ
れて来た。しかしながら、これらの方法は結晶の伸開後
に空気中に露出させた後この臂開面に保護膜を附着させ
るものであり、保護膜と結晶臂開面との界面は結晶学的
には不完全なものであり、数ｍＷの光出力動作に於ては
反射面劣化の初期的防止効果を得たものの数万時間以上
の長時間にわたって劣化を完全には除去できず又、数１
０ｍＷ以上の光出力動作に於てはやはり、反射面劣化を
防止できないものであった。
８（０１Ａｌ 、０．−８ｉ 、Ｎ４−絶縁性カーボ
ン膜等の誘電体膜を附着させる方法、あるいはＡｌｘＧ
町−ｘ Ａ ｓ （”≧０．２）層の様な、半導体膜を
附着される方法等により反射面近傍の界面準位の低減、
反射面近傍の放熱効果の改善、あるいは反射面と外囲気
を遮断して化学反応の進行を防止すること等によって、
半導体レーザ自身の反射面劣化を防止する方法が採用さ
れて来た。しかしながら、これらの方法は結晶の伸開後
に空気中に露出させた後この臂開面に保護膜を附着させ
るものであり、保護膜と結晶臂開面との界面は結晶学的
には不完全なものであり、数ｍＷの光出力動作に於ては
反射面劣化の初期的防止効果を得たものの数万時間以上
の長時間にわたって劣化を完全には除去できず又、数１
０ｍＷ以上の光出力動作に於てはやはり、反射面劣化を
防止できないものであった。
一方、結晶学的に反射面近傍領域を、レーザ発振光に対
し透明領域となる様に形成し、反射面での吸収発熱を低
減する方法が提案されている。この原理にもとづく半導
体レーザは、米津等により７プライド・フィシツク入会
レターズ３４ 巻、６３９頁〜６４１頁、５月号、１９
７９年に報告されており、ｎ型不純物濃度３ Ｘ １０
１８５ｍ＝の活性層となる発光領域の反射面近傍領域以
外を部分的ＶＣＰ型不純物濃度〜Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ
−”とするととによって、発振波長を約５０ｍｅＶ程度
長波長側へ移行させ、従って、反射面近傍領域をこの発
振光に対し透明とすることによって反射面での吸収発熱
損失を低減し、８０ｍＷの大光出力動作を可能にすると
ともに、Ｐ型不細物濃度〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−の領
域を他の領域に比較して屈折率を大きくすることｋよっ
て屈折率差による光導波作用をも取り入れることを狙い
とするものである。この報告にある構造に於ては、反射
面近傍の吸収損失の低減と屈折率差による光導波作用の
両者を満足させるために、ｎおよびｐ型不純物濃度の選
択自由度が少なくなるととに加えて、反射面近傍領域以
外ては、積層されている半導体層の厚み方向には屈折率
差による光導波作用が維持されているが、それと直角方
向（各層に平行方向）忙関しては屈折率導波作用が無い
ため、半導体レーザからの出射ビームに非点収差が発生
することが避けられず、１００ｍＷ近くの大光出力を効
率良く微小ビームに絞り込むことが出来ず、その性能を
充分に生かせない欠点があった。
し透明領域となる様に形成し、反射面での吸収発熱を低
減する方法が提案されている。この原理にもとづく半導
体レーザは、米津等により７プライド・フィシツク入会
レターズ３４ 巻、６３９頁〜６４１頁、５月号、１９
７９年に報告されており、ｎ型不純物濃度３ Ｘ １０
１８５ｍ＝の活性層となる発光領域の反射面近傍領域以
外を部分的ＶＣＰ型不純物濃度〜Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ
−”とするととによって、発振波長を約５０ｍｅＶ程度
長波長側へ移行させ、従って、反射面近傍領域をこの発
振光に対し透明とすることによって反射面での吸収発熱
損失を低減し、８０ｍＷの大光出力動作を可能にすると
ともに、Ｐ型不細物濃度〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−の領
域を他の領域に比較して屈折率を大きくすることｋよっ
て屈折率差による光導波作用をも取り入れることを狙い
とするものである。この報告にある構造に於ては、反射
面近傍の吸収損失の低減と屈折率差による光導波作用の
両者を満足させるために、ｎおよびｐ型不純物濃度の選
択自由度が少なくなるととに加えて、反射面近傍領域以
外ては、積層されている半導体層の厚み方向には屈折率
差による光導波作用が維持されているが、それと直角方
向（各層に平行方向）忙関しては屈折率導波作用が無い
ため、半導体レーザからの出射ビームに非点収差が発生
することが避けられず、１００ｍＷ近くの大光出力を効
率良く微小ビームに絞り込むことが出来ず、その性能を
充分に生かせない欠点があった。
本発明の目的は、上記従来構造の難点を除去し高出力動
作に於ても反射面劣化を除去した信頼性の高い半導体レ
ーザな提供することにあり、反射面近傍領域を結晶学的
にレーザ発振光に対し透明領域とする原理にもとづくと
ともに、横方向、タテ方向に於ても屈折率導波作用をと
り入れて非点収差のない光ビームを得る構造としたもの
である。
作に於ても反射面劣化を除去した信頼性の高い半導体レ
ーザな提供することにあり、反射面近傍領域を結晶学的
にレーザ発振光に対し透明領域とする原理にもとづくと
ともに、横方向、タテ方向に於ても屈折率導波作用をと
り入れて非点収差のない光ビームを得る構造としたもの
である。
本発明の半導体レーザは、中央部に清を有する、凸状ス
トライプを形成した半導体基板上に１発光領域となる第
１の半導体をこれより禁制帯幅の大きい第２及び第３の
半導体で挾む多層構造を備え、該発光領域の不純物の種
類もしくは濃度又はその両者を該発光領域の共振器端面
近傍領域の不純物の種類もしくは濃度又はその両者とは
異なることを特徴とするものである。
トライプを形成した半導体基板上に１発光領域となる第
１の半導体をこれより禁制帯幅の大きい第２及び第３の
半導体で挾む多層構造を備え、該発光領域の不純物の種
類もしくは濃度又はその両者を該発光領域の共振器端面
近傍領域の不純物の種類もしくは濃度又はその両者とは
異なることを特徴とするものである。
以下、本発明に係る実施例について図面を参照して説明
する。第１図より第２図は本発明に係る半導体レーザの
製造工程を示す模式図であり、第３図は本発明に係る半
導体レーザの中央部分のＡ−Ａ′（第２図に示した）断
面図を示すものである。
する。第１図より第２図は本発明に係る半導体レーザの
製造工程を示す模式図であり、第３図は本発明に係る半
導体レーザの中央部分のＡ−Ａ′（第２図に示した）断
面図を示すものである。
まず、第１図に示す様に、（１ｏｏ）面ｎ型ＧａＡｓ基
板１にストライプ状のＳｉｎ、マスク２を＜０１１＞方
向に形成した後、３％Ｂｒ、含有のＣＨ，ＯＨエツチン
グ溶液によってＧａＡｓ基板ｔをエツチングする。
板１にストライプ状のＳｉｎ、マスク２を＜０１１＞方
向に形成した後、３％Ｂｒ、含有のＣＨ，ＯＨエツチン
グ溶液によってＧａＡｓ基板ｔをエツチングする。
このエツチング溶液は面方位依存性を示すエツチング液
であり中央部分にＶ字状溝が再現性良く形成でき、Ｖ字
状の形状が出来た後はこのエラチン（５） グ溶液に浸してもこれ以上エツチングが進まない特徴を
有するものである。ここでは、凸状ストライプの全幅（
第１図Ｗ）を１０μｍ、Ｖ字状溝の横幅３μｍ、Ｖ字状
溝深さ約２μｍとなる様に形成した。
であり中央部分にＶ字状溝が再現性良く形成でき、Ｖ字
状の形状が出来た後はこのエラチン（５） グ溶液に浸してもこれ以上エツチングが進まない特徴を
有するものである。ここでは、凸状ストライプの全幅（
第１図Ｗ）を１０μｍ、Ｖ字状溝の横幅３μｍ、Ｖ字状
溝深さ約２μｍとなる様に形成した。
次１ｃ、 ８１０．マスク２を除去し、結晶表面を清浄
にした後、第２図に示す様に、液相結晶成長工程により
順次ｎ型Ａｌ。４ＧａｒＬ６Ａｓ層３、活性層となるＡ
Ｉ。、Ｇａ、、Ａｓ層４、ｎ型Ａｌ（１４Ｇａｏ、ｓＡ
Ｓ層５、ｐ型Ａ１０゜Ｇａ６４ Ａ ｓ層６、ｎ型Ｇａ
Ａｓ層７を形成する。ここで、Ｖ字状溝内の結晶成長速
度は平担面上の成長速度よりも比較的平いため、Ｖ字状
溝は容易に平担に埋め込むことが出来る。又、凸状スト
ライプ側面の成長速度も同様に早く、ストライプ側面の
成長が支配的となりＶ字状溝を中央に有する凸状ストラ
イプの上面への成長過程が抑制されることによりストラ
イプ上面に形成する半導体層厚は、ストライプ外の半導
体層厚よりも１／２から１７５程薄くなる特徴を有して
おり、凸状ストライプ上面でのＡｉ（Ｌ、 ＧａＩ、ｊ
ＡｓＡｓＯ２さを０．０５μｍ〜０．０７μｍにするこ
とが容易である。
にした後、第２図に示す様に、液相結晶成長工程により
順次ｎ型Ａｌ。４ＧａｒＬ６Ａｓ層３、活性層となるＡ
Ｉ。、Ｇａ、、Ａｓ層４、ｎ型Ａｌ（１４Ｇａｏ、ｓＡ
Ｓ層５、ｐ型Ａ１０゜Ｇａ６４ Ａ ｓ層６、ｎ型Ｇａ
Ａｓ層７を形成する。ここで、Ｖ字状溝内の結晶成長速
度は平担面上の成長速度よりも比較的平いため、Ｖ字状
溝は容易に平担に埋め込むことが出来る。又、凸状スト
ライプ側面の成長速度も同様に早く、ストライプ側面の
成長が支配的となりＶ字状溝を中央に有する凸状ストラ
イプの上面への成長過程が抑制されることによりストラ
イプ上面に形成する半導体層厚は、ストライプ外の半導
体層厚よりも１／２から１７５程薄くなる特徴を有して
おり、凸状ストライプ上面でのＡｉ（Ｌ、 ＧａＩ、ｊ
ＡｓＡｓＯ２さを０．０５μｍ〜０．０７μｍにするこ
とが容易である。
（６）
しかる後に、第２図に示す様ｋ、半導体レーザの反射面
となる襞間部分近傍領域を除いて、ｐ型不純物拡散によ
りストライプ状のｐ型不純物拡散領域８を形成する。さ
らに、ｐ型オーミック電極９、ｎ型オーミック電極１０
を形成して本発明に係る半導体レーザが形成されること
になり、その動作林檎を判りやすく説明するために、第
２図に示す製造工程図のＡ −Ａ’断面位置相当で切断
した本発明に係る半導体レーザ構造を第３図に示す。本
発明による半導体レーザ構造によれば、第３図に示す様
に活性層となるＡｌａ、 Ｇａ０．ＡＳ層４内のｐ型不
純物拡散領域は、酸化物ドーピング法を利用したＺｎの
２段拡散法（昭和４９年特許願第１３７４７７号）等を
用いた２ Ｘ １０ ”ｃｍ”程度の低濃度拡散領域で
あり拡散前のＡＩｏ、 ＧａｃＬ、Ａｓ層４をＳｎ又は
Ｔｅ等によりＩ Ｘ １０ ”ｔＭ−”のｎ型とすると
、この低濃度Ｚｎ拡散により活性層Ａ ＩｃＬ、 Ｇａ
ｏ、 Ａｓ層４の領域８は不純物補償現象のためパント
チイルを生じ、活性層Ａ Ｉａ、 Ｇａ０． Ａｓ層４
の領域８以外の活性層に対し約５０ｍｅＶ禁制帯幅が縮
りし、活性層への注入キャリアを効率良く閉じ込めるだ
けでなく、領域８での発光は活性層Ａ Ｉ Ｏ，Ｉ Ｇ
ａｏｅ Ａｓ層４の領域８以外に於て吸収損失はほとん
ど無く、第３図の左右方向へ効率良く導波され、結晶臂
開面にて反射されて再び活性層に導かれてレーザ発振を
可能とするものである。この構造においては、活性層に
おける発光波長が５０ｍｅＶも低エネルギー側に移行す
るため、結晶臂開面に存在する界面準位等による吸収損
失はほとんど無く、反射面の劣化を除去できるだけでな
く、活性層となるＡ１゜、 Ｇａｏ、 Ａｓ層４の層厚
が０．０５〜０．０７μｍと薄いため導波される光はＡ
ｔ０４Ｇａｏ、ＡＳ層３と５の領域に大きく拡がったも
のとなるため、発光断面積が大きく、従って、光出力密
度を低減でき反射面の劣化を緩和する効果をも有するも
のである。これにより、１５０ｍＷ以上の光出力動作状
態においても良効な寿命特性を有するレーザを歩留りよ
（形成することが可能になった。さらに、本発明による
半導体レーザ構造に於ては、活性層であるＡ Ｉ ６ｓ
Ｇａｏ３ Ａ ｓ層４はその上下においてそれよりも
屈折率の小さなＡｔ０４Ｇａｏ６Ａｓ層３及び５によっ
てはさまれており、発振光は反射面まで効率良く屈折率
導波されるとともに、横方向に於ても、７字状に層厚の
変化したＡ１゜４Ｇａｏ、Ａｓ層３Ｖ：、よる横方向屈
折率差が形成された構造となっているため、前述と同様
に屈折率導波され、結晶臂開面である反射面より放出さ
れる光ビームには非点収差が無く、容易に１μｍ程度に
までしぼり込むことが可能な良質のレーザ発振光を得る
ことができた。
となる襞間部分近傍領域を除いて、ｐ型不純物拡散によ
りストライプ状のｐ型不純物拡散領域８を形成する。さ
らに、ｐ型オーミック電極９、ｎ型オーミック電極１０
を形成して本発明に係る半導体レーザが形成されること
になり、その動作林檎を判りやすく説明するために、第
２図に示す製造工程図のＡ −Ａ’断面位置相当で切断
した本発明に係る半導体レーザ構造を第３図に示す。本
発明による半導体レーザ構造によれば、第３図に示す様
に活性層となるＡｌａ、 Ｇａ０．ＡＳ層４内のｐ型不
純物拡散領域は、酸化物ドーピング法を利用したＺｎの
２段拡散法（昭和４９年特許願第１３７４７７号）等を
用いた２ Ｘ １０ ”ｃｍ”程度の低濃度拡散領域で
あり拡散前のＡＩｏ、 ＧａｃＬ、Ａｓ層４をＳｎ又は
Ｔｅ等によりＩ Ｘ １０ ”ｔＭ−”のｎ型とすると
、この低濃度Ｚｎ拡散により活性層Ａ ＩｃＬ、 Ｇａ
ｏ、 Ａｓ層４の領域８は不純物補償現象のためパント
チイルを生じ、活性層Ａ Ｉａ、 Ｇａ０． Ａｓ層４
の領域８以外の活性層に対し約５０ｍｅＶ禁制帯幅が縮
りし、活性層への注入キャリアを効率良く閉じ込めるだ
けでなく、領域８での発光は活性層Ａ Ｉ Ｏ，Ｉ Ｇ
ａｏｅ Ａｓ層４の領域８以外に於て吸収損失はほとん
ど無く、第３図の左右方向へ効率良く導波され、結晶臂
開面にて反射されて再び活性層に導かれてレーザ発振を
可能とするものである。この構造においては、活性層に
おける発光波長が５０ｍｅＶも低エネルギー側に移行す
るため、結晶臂開面に存在する界面準位等による吸収損
失はほとんど無く、反射面の劣化を除去できるだけでな
く、活性層となるＡ１゜、 Ｇａｏ、 Ａｓ層４の層厚
が０．０５〜０．０７μｍと薄いため導波される光はＡ
ｔ０４Ｇａｏ、ＡＳ層３と５の領域に大きく拡がったも
のとなるため、発光断面積が大きく、従って、光出力密
度を低減でき反射面の劣化を緩和する効果をも有するも
のである。これにより、１５０ｍＷ以上の光出力動作状
態においても良効な寿命特性を有するレーザを歩留りよ
（形成することが可能になった。さらに、本発明による
半導体レーザ構造に於ては、活性層であるＡ Ｉ ６ｓ
Ｇａｏ３ Ａ ｓ層４はその上下においてそれよりも
屈折率の小さなＡｔ０４Ｇａｏ６Ａｓ層３及び５によっ
てはさまれており、発振光は反射面まで効率良く屈折率
導波されるとともに、横方向に於ても、７字状に層厚の
変化したＡ１゜４Ｇａｏ、Ａｓ層３Ｖ：、よる横方向屈
折率差が形成された構造となっているため、前述と同様
に屈折率導波され、結晶臂開面である反射面より放出さ
れる光ビームには非点収差が無く、容易に１μｍ程度に
までしぼり込むことが可能な良質のレーザ発振光を得る
ことができた。
以上述べた様に本発明に係る半導体レーザに於効果によ
る禁制帯幅を縮少するだけで良く、前述した米津等によ
るｐ型不純物拡散領域を高屈折率領域とする必要はなく
、活性層のｎ型不純物濃度、ｐ型不純物補償によるｐ型
濃度の選択の自由度はそれだけ大きくなる特徴を有する
ものである。すなわち、本発明に係る半導体レーザを構
成する条件としては、活性層のｎ型不純物濃度としては
、５Ｘ１０１７〜５Ｘ１０１８の範囲で、ｐ型不純物補
償濃度はｎ型のそれを多少上回るだけで充分な効果が得
（９） られる。
る禁制帯幅を縮少するだけで良く、前述した米津等によ
るｐ型不純物拡散領域を高屈折率領域とする必要はなく
、活性層のｎ型不純物濃度、ｐ型不純物補償によるｐ型
濃度の選択の自由度はそれだけ大きくなる特徴を有する
ものである。すなわち、本発明に係る半導体レーザを構
成する条件としては、活性層のｎ型不純物濃度としては
、５Ｘ１０１７〜５Ｘ１０１８の範囲で、ｐ型不純物補
償濃度はｎ型のそれを多少上回るだけで充分な効果が得
（９） られる。
以上述べた様な本発明に係る半導体レーザの原理を応用
した他の一実施例を第４図に示す。第４としたこと、活
性層となるＡ Ｉ、、 Ｇａｏ、 Ａｓ層４とｎ型Ａ
１６４ Ｇａｏ６Ａ ａ層３との間に、凸状に層厚の変
化したｎ型Ａｌｏ、Ｇａ０．Ａｓ層１１を設けたことで
あり、ｎ型不純物濃度、ｐ型不細物濃度等他の製造条件
は前述した第１の実施例と同じものである。この成長速
度をｖ字状溝の場合よりも遅くして、層厚の制御性を向
上するとともに、活性層となるＡ Ｉ Ｏ，ＩＧｉｏ、
Ａｓ層４の下に凸状のｎ型Ａｌ、２Ｇａｏ８Ａｓ層１
１を設けるととｋよって層厚方向への光波のしみ出し効
果を大きくて発光断百積を増加して光出力密度の低減を
図り反射面劣化をより緩和することができ、１８０ｍＷ
動作状態に於ても単−横モード発振を維持し、反射面劣
化もなく良効な寿命特性が（１０） 得られた。
した他の一実施例を第４図に示す。第４としたこと、活
性層となるＡ Ｉ、、 Ｇａｏ、 Ａｓ層４とｎ型Ａ
１６４ Ｇａｏ６Ａ ａ層３との間に、凸状に層厚の変
化したｎ型Ａｌｏ、Ｇａ０．Ａｓ層１１を設けたことで
あり、ｎ型不純物濃度、ｐ型不細物濃度等他の製造条件
は前述した第１の実施例と同じものである。この成長速
度をｖ字状溝の場合よりも遅くして、層厚の制御性を向
上するとともに、活性層となるＡ Ｉ Ｏ，ＩＧｉｏ、
Ａｓ層４の下に凸状のｎ型Ａｌ、２Ｇａｏ８Ａｓ層１
１を設けるととｋよって層厚方向への光波のしみ出し効
果を大きくて発光断百積を増加して光出力密度の低減を
図り反射面劣化をより緩和することができ、１８０ｍＷ
動作状態に於ても単−横モード発振を維持し、反射面劣
化もなく良効な寿命特性が（１０） 得られた。
以上述べた本発明の例に於てはｐ型不純物拡散源として
Ｚｎを用いたが、Ｚｎの代りに他のｐ型不純物（Ｍｇ、
Ｂ、 Ｃｄ等）を用いても良く、又、ＡＩ ＧａＡｓ
系以外の半導体材料Ｉｎ Ｇａ Ａｓ層系あるいはｐｂ
Ｓｎ Ｔｅ系などの多層ヘテｐ構造にも適用できること
はいうまでもない。
Ｚｎを用いたが、Ｚｎの代りに他のｐ型不純物（Ｍｇ、
Ｂ、 Ｃｄ等）を用いても良く、又、ＡＩ ＧａＡｓ
系以外の半導体材料Ｉｎ Ｇａ Ａｓ層系あるいはｐｂ
Ｓｎ Ｔｅ系などの多層ヘテｐ構造にも適用できること
はいうまでもない。
第１図、第２図は本発明に係る半導体レーザの製造工程
を示す模式図、第３図は本発明に係る半導体レーザの切
断断面図で、第２図に示すＡ−Ａ’部分位置相当を切断
した図、第４図は本発明の他の実施例を示す模式図をそ
れぞれ示す。 図において、 １： ｎ型ＧａＡｓ基板 ２：ＳｉＯ□マスク ３ ： ｎ ｆＪ ＡｌｃＬ、 Ｇａ０． Ａｓ層４
： ＡＳａ、Ｇａｏ、Ａｓ層 ５： ｎ型Ａ ｌ０４Ｇａ０． Ａｓ層６： Ｐ型Ａｌ
、、Ｇａｏ４Ａｓ層 ７： ｎ型ＧａＡｓ層 Ｂ： Ｐ型不純物拡散領域 ９： Ｐ型オーミック電極 １０：ｎ型オーミック電極 １１： ｔｌ！ＡＩ。、Ｇａｏ、Ａｓ層をそれぞれ示
す。 代理人弁理士内原 晋
を示す模式図、第３図は本発明に係る半導体レーザの切
断断面図で、第２図に示すＡ−Ａ’部分位置相当を切断
した図、第４図は本発明の他の実施例を示す模式図をそ
れぞれ示す。 図において、 １： ｎ型ＧａＡｓ基板 ２：ＳｉＯ□マスク ３ ： ｎ ｆＪ ＡｌｃＬ、 Ｇａ０． Ａｓ層４
： ＡＳａ、Ｇａｏ、Ａｓ層 ５： ｎ型Ａ ｌ０４Ｇａ０． Ａｓ層６： Ｐ型Ａｌ
、、Ｇａｏ４Ａｓ層 ７： ｎ型ＧａＡｓ層 Ｂ： Ｐ型不純物拡散領域 ９： Ｐ型オーミック電極 １０：ｎ型オーミック電極 １１： ｔｌ！ＡＩ。、Ｇａｏ、Ａｓ層をそれぞれ示
す。 代理人弁理士内原 晋
Claims (1)
- 中央部に溝を有する凸状ストライプを形成した半導体基
板上ｋ、発光領域となる第１の半導体をこれより禁制帯
幅の大きい第２及び第３の半導体で挟む多層構造を備え
、該発光領域の不純物の種類もしくは濃度又はその両者
が該発光領域の共振器端面近傍領域の不純物の種類もし
くは濃度又はその両者とは異なることを特徴とする半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2394783A JPS59149078A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2394783A JPS59149078A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149078A true JPS59149078A (ja) | 1984-08-25 |
Family
ID=12124736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2394783A Pending JPS59149078A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149078A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647589A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor light emitting element |
| US4946802A (en) * | 1986-05-31 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device fabricating method |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP2394783A patent/JPS59149078A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4946802A (en) * | 1986-05-31 | 1990-08-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device fabricating method |
| JPS647589A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of semiconductor light emitting element |
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