JPH0685379A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子およびその製造方法Info
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- JPH0685379A JPH0685379A JP23055792A JP23055792A JPH0685379A JP H0685379 A JPH0685379 A JP H0685379A JP 23055792 A JP23055792 A JP 23055792A JP 23055792 A JP23055792 A JP 23055792A JP H0685379 A JPH0685379 A JP H0685379A
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- semiconductor laser
- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層内部での電流の拡がりが少なく、低い
発振閾値電流で動作し、高効率で発振できる半導体レー
ザ素子およびその製造方法を提供する。 【構成】 活性層３の上方に応力導入層６が形成されて
いる。応力導入層の下方に位置する活性層のエネルギー
バンドギャップは狭くなるが、一方、その上方に応力導
入層が形成されていない活性層のエネルギーバンドギャ
ップは変化しないため、横方向にキャリアの閉じ込めが
可能になる。その結果、活性層内部での電流の拡がりが
低減され得、さらに活性層内への電流注入効率が向上す
る。
発振閾値電流で動作し、高効率で発振できる半導体レー
ザ素子およびその製造方法を提供する。 【構成】 活性層３の上方に応力導入層６が形成されて
いる。応力導入層の下方に位置する活性層のエネルギー
バンドギャップは狭くなるが、一方、その上方に応力導
入層が形成されていない活性層のエネルギーバンドギャ
ップは変化しないため、横方向にキャリアの閉じ込めが
可能になる。その結果、活性層内部での電流の拡がりが
低減され得、さらに活性層内への電流注入効率が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、活性層内部に電流狭窄
を有する半導体レーザ素子およびその製造方法に関し、
より詳細には、活性層内部での電流の拡がりが少なく、
低い発振閾値電流で動作し、高効率で発振できる半導体
レーザ素子およびその製造方法に関する。
を有する半導体レーザ素子およびその製造方法に関し、
より詳細には、活性層内部での電流の拡がりが少なく、
低い発振閾値電流で動作し、高効率で発振できる半導体
レーザ素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子は多くの分野で利用さ
れており、その利用に際しては、より良好な光学特性が
要求されている。優れた光学特性を得るために、屈折率
導波構造を有する埋め込みヘテロ（Buried Heterostruc
ture、ＢＨ）型構造が用いられる。
れており、その利用に際しては、より良好な光学特性が
要求されている。優れた光学特性を得るために、屈折率
導波構造を有する埋め込みヘテロ（Buried Heterostruc
ture、ＢＨ）型構造が用いられる。
【０００３】上記ＢＨ構造の半導体レーザ素子の１例を
図５に示す。この半導体レーザ素子は、ＬＰＥ成長によ
って形成される。すなわち、第一の結晶成長工程におい
て、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ下
部クラッド層２、ｐ型またはｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層１
３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層４、およびｐ+型
ＧａＡｓキャップ層８からなるダブルヘテロ接合構造を
形成する。その後、フォトリソグラフィ法を用いて、メ
サエッチングにより、上記ｎ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッ
ド層２、ｐ型またはｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層１３、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層４、ｐ+型ＧａＡｓキャッ
プ層８、およびｎ型ＧａＡｓ基板１の上部が部分的に除
去され、その結果、幅の狭いストライプ状のダブルヘテ
ロ接合を有するメサストライプが形成される。第二の結
晶成長工程において、電流狭窄層および横モード制御を
行うために、このメサストライプの両側にそれぞれ、ｐ
型ＡｌＧａＡｓ埋め込み層１４、ｎ型ＡｌＧａＡｓ埋め
込み層１５を形成することによって、ＢＨ型の半導体レ
ーザ素子が得られる。
図５に示す。この半導体レーザ素子は、ＬＰＥ成長によ
って形成される。すなわち、第一の結晶成長工程におい
て、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＡｓ下
部クラッド層２、ｐ型またはｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層１
３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層４、およびｐ+型
ＧａＡｓキャップ層８からなるダブルヘテロ接合構造を
形成する。その後、フォトリソグラフィ法を用いて、メ
サエッチングにより、上記ｎ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッ
ド層２、ｐ型またはｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層１３、ｐ型
ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層４、ｐ+型ＧａＡｓキャッ
プ層８、およびｎ型ＧａＡｓ基板１の上部が部分的に除
去され、その結果、幅の狭いストライプ状のダブルヘテ
ロ接合を有するメサストライプが形成される。第二の結
晶成長工程において、電流狭窄層および横モード制御を
行うために、このメサストライプの両側にそれぞれ、ｐ
型ＡｌＧａＡｓ埋め込み層１４、ｎ型ＡｌＧａＡｓ埋め
込み層１５を形成することによって、ＢＨ型の半導体レ
ーザ素子が得られる。
【０００４】上記ＢＨ構造では、上記活性層１３の両側
が活性層１３の屈折率より小さい屈折率を有する埋め込
み層１４、１５で埋め込まれているので、この部分が屈
折率導波路となり、電流および光の両方に対して強い閉
じ込め作用を有する。そのため、この半導体レーザ素子
では発振する光の損失が少なく、閾値電流が低い。さら
に、活性層１３の側面に光吸収作用をもつ層がないの
で、微分効率が高くなり、高効率で発振することができ
る。
が活性層１３の屈折率より小さい屈折率を有する埋め込
み層１４、１５で埋め込まれているので、この部分が屈
折率導波路となり、電流および光の両方に対して強い閉
じ込め作用を有する。そのため、この半導体レーザ素子
では発振する光の損失が少なく、閾値電流が低い。さら
に、活性層１３の側面に光吸収作用をもつ層がないの
で、微分効率が高くなり、高効率で発振することができ
る。
【０００５】しかしながら、上記ＢＨ型半導体レーザ素
子は、メサエッチングにより幅の狭いメサストライプを
形成するため、製造に手間がかかる。さらに、ＬＰＥ法
により半導体レーザ素子を形成するため、第二の結晶成
長工程時にメサストライプがメルトバックされて削られ
る恐れがある。その他には、再成長時にｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ埋め込み層１４の層厚を調整するのが困難であるとい
う欠点がある。
子は、メサエッチングにより幅の狭いメサストライプを
形成するため、製造に手間がかかる。さらに、ＬＰＥ法
により半導体レーザ素子を形成するため、第二の結晶成
長工程時にメサストライプがメルトバックされて削られ
る恐れがある。その他には、再成長時にｐ型ＡｌＧａＡ
ｓ埋め込み層１４の層厚を調整するのが困難であるとい
う欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
欠点を解決しようとするものであり、その目的は、活性
層内部での電流の拡がりが少なく、低い発振閾値電流で
動作し、かつ、高効率で発振できる半導体レーザ素子お
よびその製造方法を提供することにある。
欠点を解決しようとするものであり、その目的は、活性
層内部での電流の拡がりが少なく、低い発振閾値電流で
動作し、かつ、高効率で発振できる半導体レーザ素子お
よびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】本発明の半導
体レーザ素子は、半導体基板上に、下部クラッド層、活
性層、および第１の上部クラッド層がこの順に積層形成
され、該第１の上部クラッド層上に、リッジ状のストラ
イプが形成されている。該ストライプは、層状態で順次
積層された応力導入層、第２の上部クラッド層、および
キャップ層を含む半導体レーザ素子であり、そのことに
より上記目的が達成される。
体レーザ素子は、半導体基板上に、下部クラッド層、活
性層、および第１の上部クラッド層がこの順に積層形成
され、該第１の上部クラッド層上に、リッジ状のストラ
イプが形成されている。該ストライプは、層状態で順次
積層された応力導入層、第２の上部クラッド層、および
キャップ層を含む半導体レーザ素子であり、そのことに
より上記目的が達成される。
【０００８】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、
半導体基板上に、下部クラッド層、活性層、第１の上部
クラッド層、応力導入層、第２の上部クラッド層、およ
びキャップ層をこの順に積層形成する工程と、該キャッ
プ層、該第２の上部クラッド層、および該応力導入層の
一部を除去して、リッジ状のストライプを形成する工程
と、を包含し、そのことにより上記目的が達成される。
半導体基板上に、下部クラッド層、活性層、第１の上部
クラッド層、応力導入層、第２の上部クラッド層、およ
びキャップ層をこの順に積層形成する工程と、該キャッ
プ層、該第２の上部クラッド層、および該応力導入層の
一部を除去して、リッジ状のストライプを形成する工程
と、を包含し、そのことにより上記目的が達成される。
【０００９】上記半導体レーザ素子およびその製造方法
において、好ましくは、上記活性層は、単一量子井戸活
性層である。
において、好ましくは、上記活性層は、単一量子井戸活
性層である。
【００１０】本発明の半導体レーザ素子は、活性層の上
方に応力導入層を設けることを特徴としている。このよ
うな構造を有する半導体素子は、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．５９（１５），１８７５〜，１９９１に報告
されている。この半導体素子では、図１に示すように、
ＧａＡｓ単一量子井戸層３の上方に、単一量子井戸層よ
りも幅が狭いＩｎＧａＡｓ応力導入層６が形成されてお
り、単一量子井戸層と応力導入層との間、および単一量
子井戸層の下部に、縦方向にキャリアを閉じ込めるため
の埋め込み層が形成されている。このような場合、応力
導入層の下方に位置する単一量子井戸層のエネルギーバ
ンドギャップ（Ｅｇ）は狭くなっており、その結果、領
域１１のＥｇも狭くなり、一方、その上方に応力導入層
が形成されていない単一量子井戸層のＥｇは変化しない
ため、領域１２のＥｇも変化せず、そのため、キャリア
の閉じ込めが可能になることが報告されている。
方に応力導入層を設けることを特徴としている。このよ
うな構造を有する半導体素子は、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．５９（１５），１８７５〜，１９９１に報告
されている。この半導体素子では、図１に示すように、
ＧａＡｓ単一量子井戸層３の上方に、単一量子井戸層よ
りも幅が狭いＩｎＧａＡｓ応力導入層６が形成されてお
り、単一量子井戸層と応力導入層との間、および単一量
子井戸層の下部に、縦方向にキャリアを閉じ込めるため
の埋め込み層が形成されている。このような場合、応力
導入層の下方に位置する単一量子井戸層のエネルギーバ
ンドギャップ（Ｅｇ）は狭くなっており、その結果、領
域１１のＥｇも狭くなり、一方、その上方に応力導入層
が形成されていない単一量子井戸層のＥｇは変化しない
ため、領域１２のＥｇも変化せず、そのため、キャリア
の閉じ込めが可能になることが報告されている。
【００１１】本発明の半導体レーザ素子では、上記応力
導入層が半導体レーザ素子に応用されているため、半導
体レーザ素子の活性層内に注入された電流が横方向に閉
じ込められる構造が形成され、活性層内での電流の拡が
りが低減され得、さらに活性層内への電流注入効率が向
上する。従って、高効率で発振でき、極低閾値電流で動
作する半導体レーザ素子が提供される。
導入層が半導体レーザ素子に応用されているため、半導
体レーザ素子の活性層内に注入された電流が横方向に閉
じ込められる構造が形成され、活性層内での電流の拡が
りが低減され得、さらに活性層内への電流注入効率が向
上する。従って、高効率で発振でき、極低閾値電流で動
作する半導体レーザ素子が提供される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明するが、これらに限定されるものではない。以下の
実施例では、本発明の半導体レーザ素子の結晶積層形成
において、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法を用いた
が、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いてもよ
い。
説明するが、これらに限定されるものではない。以下の
実施例では、本発明の半導体レーザ素子の結晶積層形成
において、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法を用いた
が、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いてもよ
い。
【００１３】（実施例１）図２は、本発明の実施例１の
半導体レーザ素子の縦断面図である。この半導体レーザ
素子は、例えば、次のような工程で製造される。まず、
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ下部ク
ラッド層２（０＜ｘ＜１）、ノンドープ−ＡｌyＧａ1-y
Ａｓ単一量子井戸活性層３（０＜ｙ＜１）、ｐ型Ａｌx
Ｇａ1-xＡｓ上部クラッド層４（０＜ｘ＜１）、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層５、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層６（０＜
ｚ＜１）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２の上部クラッド層
７（０＜ｘ＜１）、およびｐ+型ＧａＡｓキャップ層８
がこの順に積層形成される。上記ｐ+ＧａＡｓキャップ
層８、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２の上部クラッド層７、
ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ層６、ｐ型ＧａＡｓ層５の一部が
除去されることによって、リッジ状のストライプが形成
される。
半導体レーザ素子の縦断面図である。この半導体レーザ
素子は、例えば、次のような工程で製造される。まず、
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ下部ク
ラッド層２（０＜ｘ＜１）、ノンドープ−ＡｌyＧａ1-y
Ａｓ単一量子井戸活性層３（０＜ｙ＜１）、ｐ型Ａｌx
Ｇａ1-xＡｓ上部クラッド層４（０＜ｘ＜１）、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層５、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層６（０＜
ｚ＜１）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２の上部クラッド層
７（０＜ｘ＜１）、およびｐ+型ＧａＡｓキャップ層８
がこの順に積層形成される。上記ｐ+ＧａＡｓキャップ
層８、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２の上部クラッド層７、
ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ層６、ｐ型ＧａＡｓ層５の一部が
除去されることによって、リッジ状のストライプが形成
される。
【００１４】このようにして得られたリッジ状のストラ
イプの両側面部および上部の一部を覆うようにして、さ
らに、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ上部クラッド層４上に、絶
縁体層１６が形成される。
イプの両側面部および上部の一部を覆うようにして、さ
らに、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ上部クラッド層４上に、絶
縁体層１６が形成される。
【００１５】ｐ+ＧａＡｓキャップ層８側、およびｎ型
ＧａＡｓ基板１側に、ｐ型電極、およびｎ型電極がそれ
ぞれ形成される。
ＧａＡｓ基板１側に、ｐ型電極、およびｎ型電極がそれ
ぞれ形成される。
【００１６】次に、この半導体レーザ素子の製造方法
を、図２を参照しながら詳細に説明する。
を、図２を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】III族元素としてＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｖ族
元素としてＡｓ、ドーパントとしてＳｉ、Ｂｅが充填さ
れたＭＢＥ装置内（図示せず）において、ｎ型ＧａＡｓ
基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（図示せず）、ｎ
型ＡｌxＧａ1-xＡｓ下部クラッド層２、ノンドープ−Ａ
ｌyＧａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌxＧａ1
-xＡｓ上部クラッド層４、ｐ型ＧａＡｓ層５、ｐ型Ｉｎ
zＧａ1-zＡｓ応力導入層６、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２
の上部クラッド層７、ｐ+型ＧａＡｓキャップ層８をこ
の順に積層形成する。
元素としてＡｓ、ドーパントとしてＳｉ、Ｂｅが充填さ
れたＭＢＥ装置内（図示せず）において、ｎ型ＧａＡｓ
基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（図示せず）、ｎ
型ＡｌxＧａ1-xＡｓ下部クラッド層２、ノンドープ−Ａ
ｌyＧａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌxＧａ1
-xＡｓ上部クラッド層４、ｐ型ＧａＡｓ層５、ｐ型Ｉｎ
zＧａ1-zＡｓ応力導入層６、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２
の上部クラッド層７、ｐ+型ＧａＡｓキャップ層８をこ
の順に積層形成する。
【００１８】このウェハーをＭＢＥ装置から取り出し、
通常のフォトリソグラフィ法を用いて、上記ｐ+ＧａＡ
ｓキャップ層８、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２の上部クラ
ッド層７、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ層６、ｐ型ＧａＡｓ層
５の一部を除去し、リッジ状のストライプを形成する。
通常のフォトリソグラフィ法を用いて、上記ｐ+ＧａＡ
ｓキャップ層８、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２の上部クラ
ッド層７、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ層６、ｐ型ＧａＡｓ層
５の一部を除去し、リッジ状のストライプを形成する。
【００１９】このようにして得られたリッジ状のストラ
イプの両側面部および上部の一部を覆うようにして、さ
らに、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ上部クラッド層４上に、絶
縁体層１６を形成し、通常のフォトリソグラフィ法を用
いて絶縁体層１６に電流通路（図示せず）を形成する。
イプの両側面部および上部の一部を覆うようにして、さ
らに、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ上部クラッド層４上に、絶
縁体層１６を形成し、通常のフォトリソグラフィ法を用
いて絶縁体層１６に電流通路（図示せず）を形成する。
【００２０】次に、通常の方法によって、ｐ+ＧａＡｓ
キャップ層８側、およびｎ型ＧａＡｓ基板１側に、ｐ型
電極９、およびｎ型電極１０をそれぞれ形成する。得ら
れた積層体を劈開によりチップ分割することによって、
本発明の半導体レーザ素子が得られる。
キャップ層８側、およびｎ型ＧａＡｓ基板１側に、ｐ型
電極９、およびｎ型電極１０をそれぞれ形成する。得ら
れた積層体を劈開によりチップ分割することによって、
本発明の半導体レーザ素子が得られる。
【００２１】上記ｐ型ＧａＡｓ層５は、必要に応じて形
成され得る。ｐ型ＧａＡｓ層５はノンドープ−ＡｌyＧ
ａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層３の近傍に存在している
が、この活性層から発生する光に対して吸収作用はない
ため、本発明の半導体レーザ素子が優れた光学特性を得
るうえで、特に問題はない。
成され得る。ｐ型ＧａＡｓ層５はノンドープ−ＡｌyＧ
ａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層３の近傍に存在している
が、この活性層から発生する光に対して吸収作用はない
ため、本発明の半導体レーザ素子が優れた光学特性を得
るうえで、特に問題はない。
【００２２】上記の方法によって形成されたリッジ状の
ストライプは、任意の幅を有し得るが、通常、５００オ
ングストローム〜３μｍである。図４は、活性層におい
て、エネルギーバンドギャップＥｇが狭くなっている領
域１１と、Ｅｇが変化しない領域１２（図１参照）のＥ
ｇの差（ΔＥｇ）と、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層
６の幅Ｗとの関係を示している。図より、ｐ型ＩｎzＧ
ａ1-zＡｓ応力導入層６の幅Ｗが狭いほど、ΔＥｇが大
きいことがわかる。
ストライプは、任意の幅を有し得るが、通常、５００オ
ングストローム〜３μｍである。図４は、活性層におい
て、エネルギーバンドギャップＥｇが狭くなっている領
域１１と、Ｅｇが変化しない領域１２（図１参照）のＥ
ｇの差（ΔＥｇ）と、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層
６の幅Ｗとの関係を示している。図より、ｐ型ＩｎzＧ
ａ1-zＡｓ応力導入層６の幅Ｗが狭いほど、ΔＥｇが大
きいことがわかる。
【００２３】この半導体レーザ素子においては、ノンド
ープ−ＡｌyＧａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層３の上方
に、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層６が形成されてお
り、応力導入層の下に位置するノンドープ−ＡｌyＧａ
1-yＡｓ単一量子井戸活性層３のエネルギーバンドギャ
ップが狭くなっている。その結果、領域１１に注入され
た電流は効率よくノンドープ−ＡｌyＧａ1-yＡｓ活性層
内部に閉じ込められ、活性層内部での電流の拡がりが低
減され得る。さらに、レーザ光も領域１１内に効率よく
閉じ込められる。
ープ−ＡｌyＧａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層３の上方
に、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層６が形成されてお
り、応力導入層の下に位置するノンドープ−ＡｌyＧａ
1-yＡｓ単一量子井戸活性層３のエネルギーバンドギャ
ップが狭くなっている。その結果、領域１１に注入され
た電流は効率よくノンドープ−ＡｌyＧａ1-yＡｓ活性層
内部に閉じ込められ、活性層内部での電流の拡がりが低
減され得る。さらに、レーザ光も領域１１内に効率よく
閉じ込められる。
【００２４】ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層６は、ノ
ンドープ−ＡｌyＧａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層３の近
傍に存在しているが、活性層から発生する光に対して吸
収作用はなく、本発明の半導体レーザ素子が優れた光学
特性を得るうえで、特に影響はない。
ンドープ−ＡｌyＧａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層３の近
傍に存在しているが、活性層から発生する光に対して吸
収作用はなく、本発明の半導体レーザ素子が優れた光学
特性を得るうえで、特に影響はない。
【００２５】（実施例２）図３は、本発明の他の実施例
を示す。
を示す。
【００２６】ｐ型ＧａＡｓ層５を形成しなかったこと以
外は、実施例１と同様にして、本発明の半導体レーザ素
子を作成した。
外は、実施例１と同様にして、本発明の半導体レーザ素
子を作成した。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ素子によれば、活
性層内部での電流の拡がりが少なく、発振閾値電流が低
く、高効率で発振できる半導体レーザ素子を提供するこ
とができる。
性層内部での電流の拡がりが少なく、発振閾値電流が低
く、高効率で発振できる半導体レーザ素子を提供するこ
とができる。
【図１】活性層における横方向のエネルギーバンドギャ
ップを表す半導体の模式図である。
ップを表す半導体の模式図である。
【図２】本発明の実施例１の半導体レーザ素子の模式縦
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の実施例２の半導体レーザ素子の模式縦
断面図である。
断面図である。
【図４】領域１１および領域１２におけるエネルギーバ
ンドギャップの差と、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層
６の幅Ｗとの関係を示すグラフである。
ンドギャップの差と、ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層
６の幅Ｗとの関係を示すグラフである。
【図５】従来のＢＨ構造の半導体レーザ素子の横式縦断
面図である。
面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ下部クラッド層 ３ ノンドープ−ＡｌyＧａ1-yＡｓ単一量子井戸活性層 ４ ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ上部クラッド層 ５ ｐ型ＧａＡｓ層 ６ ｐ型ＩｎzＧａ1-zＡｓ応力導入層 ７ ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２の上部クラッド層 ８ ｐ+ＧａＡｓキャップ層 ９ ｐ型電極 １０ ｎ型電極 １１ エネルギーバンドギャップが狭くなっている領域 １２ エネルギーバンドギャップが変化しない領域 １３ ｐまたはｎ型ＡｌＧａＡｓ活性層 １４ ｐ型ＡｌＧａＡｓ埋め込み層 １５ ｎ型ＡｌＧａＡｓ埋め込み層 １６ 絶縁体層
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上に、下部クラッド層、活性
層、および第１の上部クラッド層がこの順に積層形成さ
れ、 該第１の上部クラッド層上に、リッジ状のストライプが
形成され、 該ストライプが、層状態で順次積層された応力導入層、
第２の上部クラッド層、およびキャップ層を含む、 半導体レーザ素子。 - 【請求項２】前記活性層が単一量子井戸活性層である、
請求項１に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】半導体基板上に、下部クラッド層、活性
層、第１の上部クラッド層、応力導入層、第２の上部ク
ラッド層、およびキャップ層を順次積層形成する工程
と、 該キャップ層、該第２の上部クラッド層、および該応力
導入層の一部を除去して、リッジ状のストライプを形成
する工程と、を包含する、 半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項４】前記活性層が単一量子井戸活性層である、
請求項３に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23055792A JPH0685379A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23055792A JPH0685379A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685379A true JPH0685379A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16909626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23055792A Pending JPH0685379A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685379A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7289688B2 (en) * | 2004-09-28 | 2007-10-30 | Versawave Technologies Inc. | Passive method and apparatus for inducing mode conversion |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP23055792A patent/JPH0685379A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7289688B2 (en) * | 2004-09-28 | 2007-10-30 | Versawave Technologies Inc. | Passive method and apparatus for inducing mode conversion |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |