JPS61164286A - 量子井戸構造半導体レ−ザ - Google Patents
量子井戸構造半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61164286A JPS61164286A JP543685A JP543685A JPS61164286A JP S61164286 A JPS61164286 A JP S61164286A JP 543685 A JP543685 A JP 543685A JP 543685 A JP543685 A JP 543685A JP S61164286 A JPS61164286 A JP S61164286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum well
- layer
- graded
- well layer
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信ないしは情報処理装置等に利用される半
導体レーザの改良に関する。
導体レーザの改良に関する。
（従来技術とその問題点）
量子井戸構造半導体レーザに、低閾値高効率等の優れた
特性を有するため盛んに研究が進められティる。この量
子井戸構造半導体レーザにおいて、量子井戸層の厚さは
２００Å以下と非常に薄く、これにエリ電子の運動が膜
厚方向で制限ばれ、量子効果が発揮される。この量子井
戸の厚さを２００人から徐々に薄くした場合に、発振閾
値も徐々に小ζくなる。しかし、ある限度以上量子井戸
層を薄くした場合に、電子の注入効率の悪化のために発
振閾値が増大することが知られている。例えば、１９８
３年秋季第４４回応用物理学会学術講演会講演予稿集２
６Ｐ−Ｐ−１１記載のＧ１１Ｎ−８ＣＨ栴造の量子井戸
構造半導体レーザでｉｌ、を量子井戸の厚みが６０Ａ以
下になると発振閾値が増大している。
特性を有するため盛んに研究が進められティる。この量
子井戸構造半導体レーザにおいて、量子井戸層の厚さは
２００Å以下と非常に薄く、これにエリ電子の運動が膜
厚方向で制限ばれ、量子効果が発揮される。この量子井
戸の厚さを２００人から徐々に薄くした場合に、発振閾
値も徐々に小ζくなる。しかし、ある限度以上量子井戸
層を薄くした場合に、電子の注入効率の悪化のために発
振閾値が増大することが知られている。例えば、１９８
３年秋季第４４回応用物理学会学術講演会講演予稿集２
６Ｐ−Ｐ−１１記載のＧ１１Ｎ−８ＣＨ栴造の量子井戸
構造半導体レーザでｉｌ、を量子井戸の厚みが６０Ａ以
下になると発振閾値が増大している。
注入効率の悪化は、量子井戸に注入された電子が量子井
戸の中のエネルギー準位に緩和しないうちに通過してし
まうために起こると考えられる。
戸の中のエネルギー準位に緩和しないうちに通過してし
まうために起こると考えられる。
以上説明した様に従来の量子井戸構造半導体レーザにお
いては、量子井戸層全非常に薄くした場合に（〈６０人
）発振閾値の増大するという欠点があった。このため量
子井戸層の厚さ全非常に薄くすることによって、基底エ
ネルギー準位と量子井戸の価電子帯下端のエネルギーの
差を太きくし、発光波長の短波長化をねらう場合にも、
発振閾値の増大を招くため実用上不都合でおった。
いては、量子井戸層全非常に薄くした場合に（〈６０人
）発振閾値の増大するという欠点があった。このため量
子井戸層の厚さ全非常に薄くすることによって、基底エ
ネルギー準位と量子井戸の価電子帯下端のエネルギーの
差を太きくし、発光波長の短波長化をねらう場合にも、
発振閾値の増大を招くため実用上不都合でおった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上述の欠点を除去し、量子井戸層を非
常に薄くした場合にも短波長でかつ低閾値で発振する量
子井戸構造半導体レーザ全提供することにある。
常に薄くした場合にも短波長でかつ低閾値で発振する量
子井戸構造半導体レーザ全提供することにある。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザは、主発光領域に少なくとも１つ
以上の量子井戸層を有する量子井戸構造半導体レーザに
おいて、量子井戸層の両側にグレイデッド層を備え、こ
のグレイデッド層の膜厚方向において、量子井戸層に近
づくにつれて禁制帯幅が徐々に小さくなっており、グレ
イデッド層の厚みが約５Å以上３００Å以下とする構成
になっている。
以上の量子井戸層を有する量子井戸構造半導体レーザに
おいて、量子井戸層の両側にグレイデッド層を備え、こ
のグレイデッド層の膜厚方向において、量子井戸層に近
づくにつれて禁制帯幅が徐々に小さくなっており、グレ
イデッド層の厚みが約５Å以上３００Å以下とする構成
になっている。
（構成の詳細な説明）
本発明の量子井戸構造半導体レーザでｎ量子井戸層の両
側にグレイデッド層を備えている。このグレイデッド層
においては、キャリアが量子井戸に向かって加速される
様な内部電界が発生する様に膜厚方向で徐々に禁制帯幅
が変化している。本発明の量子井戸構造でに量子井戸の
両側にグレイデッド層があるために等何曲な量子井戸の
厚さが太きくなっている。そのためたとえ量子井戸を通
過したキャリアが生じてもこれらのグレイデッド層に捕
えられてグレイデッド層中の内部電界のためにすみやか
に引きもどされる。従って本発明のけ子井戸構造半導体
レーザでは量子井戸層の厚さが非常に薄くなった場合に
もこれらのグレイデッド層がキャリアを捕獲するので注
入効率は悪化しない。
側にグレイデッド層を備えている。このグレイデッド層
においては、キャリアが量子井戸に向かって加速される
様な内部電界が発生する様に膜厚方向で徐々に禁制帯幅
が変化している。本発明の量子井戸構造でに量子井戸の
両側にグレイデッド層があるために等何曲な量子井戸の
厚さが太きくなっている。そのためたとえ量子井戸を通
過したキャリアが生じてもこれらのグレイデッド層に捕
えられてグレイデッド層中の内部電界のためにすみやか
に引きもどされる。従って本発明のけ子井戸構造半導体
レーザでは量子井戸層の厚さが非常に薄くなった場合に
もこれらのグレイデッド層がキャリアを捕獲するので注
入効率は悪化しない。
本発明の量子井戸構造半導体レーザと類似の構造として
（ｄｔＩＮ−８ＣＩ（構造の半導体レーザがある。この
、量子井戸構造半導体レーザに：１．−いては、量子井
戸層の両側にやぼりグレイデッド層を備えている。これ
らのグレイデッド層は５元ガイドとしての役目を持ち、
量子井戸が非常に薄い場合においても良好な光の閉じ込
めを得るためのものであった。Ｃれらのグレイデッド層
の厚みは０１〜０．２Ｍ７Ｌであり、量子井戸層の厚み
に比べ１桁以上厚かった。このため量子井戸層を通過し
たキャリアがこれらのグレイデッド層中で再結合し、無
効にキャリアが失なわれることが多いと考えられる。
（ｄｔＩＮ−８ＣＩ（構造の半導体レーザがある。この
、量子井戸構造半導体レーザに：１．−いては、量子井
戸層の両側にやぼりグレイデッド層を備えている。これ
らのグレイデッド層は５元ガイドとしての役目を持ち、
量子井戸が非常に薄い場合においても良好な光の閉じ込
めを得るためのものであった。Ｃれらのグレイデッド層
の厚みは０１〜０．２Ｍ７Ｌであり、量子井戸層の厚み
に比べ１桁以上厚かった。このため量子井戸層を通過し
たキャリアがこれらのグレイデッド層中で再結合し、無
効にキャリアが失なわれることが多いと考えられる。
従って量子井戸にキャリアを効率良く注入するためにこ
れらのグレイデッド層では不適当であった。
れらのグレイデッド層では不適当であった。
しかし５本発明の量子井戸構造半導体レーザでにＧＲＩ
Ｎ＝ＳＣＨ構造と異なりグレイデッド層の厚さが量子井
戸層の厚さとほぼ同じ程度の厚さである。すなわちグレ
イデッド層の厚さに約５〜３００Ａの範囲に選ばれる。
Ｎ＝ＳＣＨ構造と異なりグレイデッド層の厚さが量子井
戸層の厚さとほぼ同じ程度の厚さである。すなわちグレ
イデッド層の厚さに約５〜３００Ａの範囲に選ばれる。
量子井戸層を通過したキャリアがグレイデッド層に捕え
られ、このグレイデッド層の内部電界で量子井戸層に引
きもどされる場合ＶＣ，このグレイデッド層は量子井戸
層と同程度の厚さであるのでグレイデッド層でキャリア
が再結合する確率は低く、はとんど全てのキャリアは量
子井戸層に注入される。グレイデッド層が５Å以下にな
るとグレイデッド層を設けた意味がなくなり、又３００
Ａ以上になるとグレイデッド層内の内部電界が弱くなり
キャリアの引き戻し作用が小さくなる。
られ、このグレイデッド層の内部電界で量子井戸層に引
きもどされる場合ＶＣ，このグレイデッド層は量子井戸
層と同程度の厚さであるのでグレイデッド層でキャリア
が再結合する確率は低く、はとんど全てのキャリアは量
子井戸層に注入される。グレイデッド層が５Å以下にな
るとグレイデッド層を設けた意味がなくなり、又３００
Ａ以上になるとグレイデッド層内の内部電界が弱くなり
キャリアの引き戻し作用が小さくなる。
この様に本発明Ｖこおけるグレイデッド層ｉＧＲ，ｌＮ
−８ＣＨ構造等におけるグレイデッド層の厚さよりも１
桁程度薄いため、全く異なる効果が得られるものである
。
−８ＣＨ構造等におけるグレイデッド層の厚さよりも１
桁程度薄いため、全く異なる効果が得られるものである
。
（Ｗ施例）
次に図面全参照して本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明にがかる一実施例の量子井戸構造半導体
レーザの主要部のエネルギーバンド図である。図中、ｌ
ｉｎ型クラッド層（”−ＡＩＸＣＩ Ｇａ１ＸＣＩＡＳ
、 ０．２≦ＸＣＩＩ好ましくｕｏ、４≦ＸＣ１≦０７
）。
レーザの主要部のエネルギーバンド図である。図中、ｌ
ｉｎ型クラッド層（”−ＡＩＸＣＩ Ｇａ１ＸＣＩＡＳ
、 ０．２≦ＸＣＩＩ好ましくｕｏ、４≦ＸＣ１≦０７
）。
２は第１ガイド層（Ａ／：ＸｇＩＧａｘ ｘｇｘＡｓ
Ｘｇｌ＜Ｘｃｔ＋厚さく０５μ情、好ましくに０２≦Ｘ
ｇ１≦０．３厚さ０１〜０２μｍ）、３は第１グレイデ
ッド層（ｋｌ ）（ｇｔ Ｇ ａｌ−ｘｇｌＡｓ ′Ａ
４ ｘｇｔ’ Ｇａｔ ｘｇ’ Ａｓ ｘｇｔ ＞ｘｇ
ｔ’ 、典型的にば０１≦Ｘｇ１′≦０，３．厚さく３
００人、典型的には厚さ１００人）、４は量子井戸層（
ＧａＡ３．厚さく２００人典型的には厚さく１００Ａ）
、５は第２グレイブラド層（ｋｌ Ｘｇ２ ’ Ｇａ１
−Ｘｇ２ ’ Ａ３１ｋｌ ）（ｇ２ Ｇａ１−ｘｇ２
Ｇａ１−ｘｇｚＡｓ Ｘｇ２ｔ （Ｘｇ２、典型的ＩＣ
は０１≦Ｘｇ２′≦０３、厚さく３００人、典型的ＶＣ
ｉ−ｊ厚さく１００人）、６は第２ガイド層（ｋｌ ｘ
ｇｚ Ｇａｘ −ｘｇｚ Ａｓ、 Ｘｇｓ＋Ａｓ ＋
Ｘｇ。＜Ｘｃ２厚さく０．５ｔｔｍ典型的にＵｏ、２≦
Ｘｇ２≦０３．厚さ＝０．１〜０．２μｍ＞７ｕＰ型ク
ラツドｆｔｉ （Ｐ −ｋｌ ＸＣ２Ｇａｘ−ＸＣ２Ａ
Ｓ 、 ０．２≦Ｘｃ２．好ましくｉｄｏ、４≦Ｘｃ２
≦０．７）である。
Ｘｇｌ＜Ｘｃｔ＋厚さく０５μ情、好ましくに０２≦Ｘ
ｇ１≦０．３厚さ０１〜０２μｍ）、３は第１グレイデ
ッド層（ｋｌ ）（ｇｔ Ｇ ａｌ−ｘｇｌＡｓ ′Ａ
４ ｘｇｔ’ Ｇａｔ ｘｇ’ Ａｓ ｘｇｔ ＞ｘｇ
ｔ’ 、典型的にば０１≦Ｘｇ１′≦０，３．厚さく３
００人、典型的には厚さ１００人）、４は量子井戸層（
ＧａＡ３．厚さく２００人典型的には厚さく１００Ａ）
、５は第２グレイブラド層（ｋｌ Ｘｇ２ ’ Ｇａ１
−Ｘｇ２ ’ Ａ３１ｋｌ ）（ｇ２ Ｇａ１−ｘｇ２
Ｇａ１−ｘｇｚＡｓ Ｘｇ２ｔ （Ｘｇ２、典型的ＩＣ
は０１≦Ｘｇ２′≦０３、厚さく３００人、典型的ＶＣ
ｉ−ｊ厚さく１００人）、６は第２ガイド層（ｋｌ ｘ
ｇｚ Ｇａｘ −ｘｇｚ Ａｓ、 Ｘｇｓ＋Ａｓ ＋
Ｘｇ。＜Ｘｃ２厚さく０．５ｔｔｍ典型的にＵｏ、２≦
Ｘｇ２≦０３．厚さ＝０．１〜０．２μｍ＞７ｕＰ型ク
ラツドｆｔｉ （Ｐ −ｋｌ ＸＣ２Ｇａｘ−ＸＣ２Ａ
Ｓ 、 ０．２≦Ｘｃ２．好ましくｉｄｏ、４≦Ｘｃ２
≦０．７）である。
本実施例においては、量子井戸層４の両側に第１グ１／
イデツド層３及び第２グレイデッド層５があるために、
量子井戸層４に注入される電子にとって等測的な量子井
戸層４の厚みが大きくなる。
イデツド層３及び第２グレイデッド層５があるために、
量子井戸層４に注入される電子にとって等測的な量子井
戸層４の厚みが大きくなる。
このため注入された電子は、量子井戸Ｎ４を通過する前
にエネルギー緩和を生じて量子井戸層４に捕えられるこ
とになる。従って量子井戸層４が非常に薄い場合におい
ても第１及び第２グレイデツド層３．５を含めた厚さが
厚いために、本実施例においては、電子の注入効率の悪
化という問題に生じずに、低い発振閾値でレーザ発振を
行なうことが出来た。
にエネルギー緩和を生じて量子井戸層４に捕えられるこ
とになる。従って量子井戸層４が非常に薄い場合におい
ても第１及び第２グレイデツド層３．５を含めた厚さが
厚いために、本実施例においては、電子の注入効率の悪
化という問題に生じずに、低い発振閾値でレーザ発振を
行なうことが出来た。
次に本実施例の１ノ−ザの製作方法について説明する。
第２図は本実施例の量子井戸構造半導体レーザの断面図
である。図中、８に半導体基板（ｎ−ＧａＡｓ）、９は
キャップ層（Ｐ−ＧａＡｓ）、１０ｉｄｓｉ０２膜、１
１ばＰＯ１ｌＩ電極、１２ｆｉｎ（ｊｌ１１電極、１３
は電流通路である。製作のまず最初に半導体基板８上に
ｎ型クラッド層１．第１ガイド層２゜第１グレイデツド
層３．量子井戸層４．第２グレイデツド層５．第２ガイ
ド層６． Ｐ型クラッド層７、キャップ層９を順次結
晶成長する。このとき、第１ガイド層２及び第２ガイド
層６をダレイブラド領域としｆｃＧＲＩＮ−８ＣＨ構造
をとっても良い。
である。図中、８に半導体基板（ｎ−ＧａＡｓ）、９は
キャップ層（Ｐ−ＧａＡｓ）、１０ｉｄｓｉ０２膜、１
１ばＰＯ１ｌＩ電極、１２ｆｉｎ（ｊｌ１１電極、１３
は電流通路である。製作のまず最初に半導体基板８上に
ｎ型クラッド層１．第１ガイド層２゜第１グレイデツド
層３．量子井戸層４．第２グレイデツド層５．第２ガイ
ド層６． Ｐ型クラッド層７、キャップ層９を順次結
晶成長する。このとき、第１ガイド層２及び第２ガイド
層６をダレイブラド領域としｆｃＧＲＩＮ−８ＣＨ構造
をとっても良い。
この場合を主要部のエネルギーバンド図を第３図に示す
。結晶成長方法はＭＢＥ法を用いたが、他の例えばＭＯ
−ＣＶＤ法等の方法によっても良い。
。結晶成長方法はＭＢＥ法を用いたが、他の例えばＭＯ
−ＣＶＤ法等の方法によっても良い。
次［５ｉ０２膜１０を形成しホトエツチング法によって
ストライブ状に電流通路１３を形成する。次にＰ側電極
１１．ｎ側電極１２を形成する。最後［ＪＪ開を用いて
ウェハーからベレットに切り出してヒートシンクにマウ
ントし電極ワイヤをボンディングする。
ストライブ状に電流通路１３を形成する。次にＰ側電極
１１．ｎ側電極１２を形成する。最後［ＪＪ開を用いて
ウェハーからベレットに切り出してヒートシンクにマウ
ントし電極ワイヤをボンディングする。
以上の実施例においては、ストライブ構造が酸化膜スト
ライブ構造のものについて説明したがこれに限らず他の
構造例えばプレーナストライブ構造、リッジウニイブガ
イド構造、埋め込み構造等あらゆるストライブ構造の量
子井戸構造半導体レーザに本発明が適用出来ることは明
らかである。
ライブ構造のものについて説明したがこれに限らず他の
構造例えばプレーナストライブ構造、リッジウニイブガ
イド構造、埋め込み構造等あらゆるストライブ構造の量
子井戸構造半導体レーザに本発明が適用出来ることは明
らかである。
又、本実施例においては量子井戸層が単一のものについ
て説明したが、多重量子井戸構造半導体レーザについて
も本発明が適用出来る。
て説明したが、多重量子井戸構造半導体レーザについて
も本発明が適用出来る。
また、本実施例においては材料としてＡｌＧａＡｓ／
Ｇ ａ Ａ ｓ糸材料を用ｒたがこれに限らずＩｎＧａ
ＡｓＰ／ ＩｎＰ、 ＩｎＧａＡＪｌＡｓ／ＩｎＰ系材
料等の他の材料を用いても本発明が適用出来ることは言
うまでもない。
Ｇ ａ Ａ ｓ糸材料を用ｒたがこれに限らずＩｎＧａ
ＡｓＰ／ ＩｎＰ、 ＩｎＧａＡＪｌＡｓ／ＩｎＰ系材
料等の他の材料を用いても本発明が適用出来ることは言
うまでもない。
（発明の効果）
最後に本発明の有する利点及び効果を要約すれ、ば、量
子井戸層の両側にグレイデッド層を有しているので量子
井戸層の厚さが非常に薄くなってもキャリア注入が効率
良く行なわれるために短波長で発振しかつ低閾値の量子
井戸構造半導体レーザが得られる。
子井戸層の両側にグレイデッド層を有しているので量子
井戸層の厚さが非常に薄くなってもキャリア注入が効率
良く行なわれるために短波長で発振しかつ低閾値の量子
井戸構造半導体レーザが得られる。
第１図に本発明の一実施例の量子井戸構造半導体レーザ
の主要部のエネルギーバンド図、第２図は本発明の一実
施例の量子井戸構造半導体レーザの断面図、第３図は、
本発明の一実施例において、ガイド層全グレイデッド領
域とした場合の主要部のエネルギーバンド図である。 図中、１はｎ型クラッド層、２は第１ガイド層。 ３は第１グレイデッド層、４は量子井戸層、５は第２グ
レイデッド層、６は第２ガイド層、７ＵＰ型クツクラッ
ド８は半導体基板、９はキャップ層、１０ｉｄＳｉ０２
膜、１１はＰ側電極、１２ｆｆｎ側電極、１３は電流通
路である。
の主要部のエネルギーバンド図、第２図は本発明の一実
施例の量子井戸構造半導体レーザの断面図、第３図は、
本発明の一実施例において、ガイド層全グレイデッド領
域とした場合の主要部のエネルギーバンド図である。 図中、１はｎ型クラッド層、２は第１ガイド層。 ３は第１グレイデッド層、４は量子井戸層、５は第２グ
レイデッド層、６は第２ガイド層、７ＵＰ型クツクラッ
ド８は半導体基板、９はキャップ層、１０ｉｄＳｉ０２
膜、１１はＰ側電極、１２ｆｆｎ側電極、１３は電流通
路である。
Claims (1)
- 主発光領域に少なくとも１つ以上の量子井戸層を有する
量子井戸構造半導体レーザにおいて、前記量子井戸層の
両側に厚さが約５〜３００Åのグレイデット層を備え、
このグレイデッド層は膜厚方向において前記量子井戸層
に近づくにつれて禁制帯幅が徐々に小さくなっているこ
とを特徴とする量子井戸構造半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP543685A JPS61164286A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 量子井戸構造半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP543685A JPS61164286A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 量子井戸構造半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61164286A true JPS61164286A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11611144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP543685A Pending JPS61164286A (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 量子井戸構造半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61164286A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916708A (en) * | 1989-06-26 | 1990-04-10 | Eastman Kodak Company | Semiconductor light-emitting devices |
| JPH05729U (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | 三絹株式会社 | 粘着テープ |
| US8114722B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1985
- 1985-01-16 JP JP543685A patent/JPS61164286A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4916708A (en) * | 1989-06-26 | 1990-04-10 | Eastman Kodak Company | Semiconductor light-emitting devices |
| JPH05729U (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | 三絹株式会社 | 粘着テープ |
| US8114722B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3725582B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法，及び半導体レーザ装置 | |
| JPH0143472B2 (ja) | ||
| US6654397B2 (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
| US6567444B2 (en) | High-power semiconductor laser device in which near-edge portions of active layer are removed | |
| EP0293000B1 (en) | Light emitting device | |
| JPH02211686A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS61164286A (ja) | 量子井戸構造半導体レ−ザ | |
| JP3373975B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3801410B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPS6286782A (ja) | 量子井戸レ−ザ | |
| JPS61239689A (ja) | 量子井戸レ−ザ | |
| JPH0278290A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0632343B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH07249827A (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 | |
| JP2702964B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3144821B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3648357B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2794743B2 (ja) | 量子井戸型半導体レーザ素子 | |
| JPH10163561A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH06237041A (ja) | 高出力半導体レーザ | |
| JPS63136590A (ja) | 半導体超格子 | |
| JPS6355878B2 (ja) | ||
| JPH054833B2 (ja) | ||
| JPS60134489A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH11168256A (ja) | 発光素子及びその製造方法 |