JPH0480984A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0480984A JPH0480984A JP19556490A JP19556490A JPH0480984A JP H0480984 A JPH0480984 A JP H0480984A JP 19556490 A JP19556490 A JP 19556490A JP 19556490 A JP19556490 A JP 19556490A JP H0480984 A JPH0480984 A JP H0480984A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は長寿命な半導体レーザに関するものである。
（従来の技術）
従来例として次の構造が挙げられる。すなわち、量子井
戸活性層上のクラッド部に形成されたメサストライプと
、該ストライプ側面に電宛ブロック層を有する自己整合
型量子井戸半導体レーザが報告されている。例えば、１
９８９年石月・らにより春季応用物理学会予稿集４ａ−
ＺＣ−６で報告された［高出力高信頼セルファライン型
量子井戸レーザ］の概略構造を第６図に示す。このレー
ザ構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板上１に、ＭＯＶＰＥ技術に
より、ｎ型ＧａＡｓキャップ層５を順次形成した後、活
性層より上の領域をメサストライプ部を残してエツチン
グし、選択成長により電流ブロック層６で埋め込み、さ
らに上面と低面に電極７，８を形成してなる。この構造
によりメサ部直下の量子井戸活性層に電流が注入され、
レーザ発振が得られる。
戸活性層上のクラッド部に形成されたメサストライプと
、該ストライプ側面に電宛ブロック層を有する自己整合
型量子井戸半導体レーザが報告されている。例えば、１
９８９年石月・らにより春季応用物理学会予稿集４ａ−
ＺＣ−６で報告された［高出力高信頼セルファライン型
量子井戸レーザ］の概略構造を第６図に示す。このレー
ザ構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板上１に、ＭＯＶＰＥ技術に
より、ｎ型ＧａＡｓキャップ層５を順次形成した後、活
性層より上の領域をメサストライプ部を残してエツチン
グし、選択成長により電流ブロック層６で埋め込み、さ
らに上面と低面に電極７，８を形成してなる。この構造
によりメサ部直下の量子井戸活性層に電流が注入され、
レーザ発振が得られる。
（発明が解決しようとする課題）
半導体レーザの長寿命動作を歩留まり良く可能にするた
めには、結晶成長時にすでに導入された発光領域近傍の
結晶欠陥を起点とする転位網が運動し、それが発光領域
に到達することによって発生する劣化を抑制することが
重要である。
めには、結晶成長時にすでに導入された発光領域近傍の
結晶欠陥を起点とする転位網が運動し、それが発光領域
に到達することによって発生する劣化を抑制することが
重要である。
ところが、実際、従来例で示した構造のレーザにおいて
は、基板から延びた貫通転位がメサ状の電流狭窄部の近
傍の活性層を通過している場合、電流注入によって貫通
転位から転位網が成長し発光領域に達することにより、
見かけ上安定動作が続いた後に突発的に故障するものが
少なくない。
は、基板から延びた貫通転位がメサ状の電流狭窄部の近
傍の活性層を通過している場合、電流注入によって貫通
転位から転位網が成長し発光領域に達することにより、
見かけ上安定動作が続いた後に突発的に故障するものが
少なくない。
また活性層上のクラッド層と電流ブロック層の間の埋め
込み界面は、結晶欠陥の密度が高く、動作中に埋め込み
界面の欠陥から発生した転位がクラッド層内を徐々に運
動し、活性層に到達することにより発生する故障で寿命
が制限されるという不都合が生じるため、長寿命化は困
難である。
込み界面は、結晶欠陥の密度が高く、動作中に埋め込み
界面の欠陥から発生した転位がクラッド層内を徐々に運
動し、活性層に到達することにより発生する故障で寿命
が制限されるという不都合が生じるため、長寿命化は困
難である。
本発明の目的は、転位の発生源である貫通転位や埋め込
み界面の結晶欠陥から発生する転位の運動が抑制された
、動作寿命の長いレーザを得ることにある。
み界面の結晶欠陥から発生する転位の運動が抑制された
、動作寿命の長いレーザを得ることにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザは、基板に第１導電型クラッド層
、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順次形成さ
れてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層構造をも
つＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系量子井戸半導体レーザにお
いて、前記量子井戸活性層が、単一または多重の量子井
戸層と、アルミニウム組成が量子井戸層のアルミニウム
組成よりも大きい光ガイド層からなり、その量子井戸層
と光ガイド層がＩｎを含有していることを特徴としてい
る。
、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順次形成さ
れてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層構造をも
つＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系量子井戸半導体レーザにお
いて、前記量子井戸活性層が、単一または多重の量子井
戸層と、アルミニウム組成が量子井戸層のアルミニウム
組成よりも大きい光ガイド層からなり、その量子井戸層
と光ガイド層がＩｎを含有していることを特徴としてい
る。
また、本発明の半導体レーザは、基板に第１導電型クラ
ッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順次
形成されてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層構
造をもつＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系量子井戸半導体レー
ザにおいて、前記量子井戸活性層が、単一または多重の
量子井戸層と、量子井戸層のアルミニウム組成よりも大
きいアルミニウム組成をもつ光ガイド層からなり、その
光ガイド層のみがＩｎを含有していることを特徴として
いる。
ッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順次
形成されてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層構
造をもつＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系量子井戸半導体レー
ザにおいて、前記量子井戸活性層が、単一または多重の
量子井戸層と、量子井戸層のアルミニウム組成よりも大
きいアルミニウム組成をもつ光ガイド層からなり、その
光ガイド層のみがＩｎを含有していることを特徴として
いる。
また、基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活性層、
第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテ
ロ構造を内包する多層積層構造をもつＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電
型クラッド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除
去されており、前記除去された部分が第１導電型電流ブ
ロック層で埋め込まれ、前記活性層と電流ブロック層の
間の第２導電型クラッド層にＩｎを含有した層が挿入さ
れてなることを特徴としている。
第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテ
ロ構造を内包する多層積層構造をもつＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電
型クラッド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除
去されており、前記除去された部分が第１導電型電流ブ
ロック層で埋め込まれ、前記活性層と電流ブロック層の
間の第２導電型クラッド層にＩｎを含有した層が挿入さ
れてなることを特徴としている。
また、基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活性層、
第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテ
ロ構造を内包する多層積層構造をもつＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電
型クラッド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除
去され、前記除去された部分がＩｎを含有する層と第１
導電型電流ブロック層で順次埋め込まれてなることを特
徴としている。
第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテ
ロ構造を内包する多層積層構造をもつＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電
型クラッド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除
去され、前記除去された部分がＩｎを含有する層と第１
導電型電流ブロック層で順次埋め込まれてなることを特
徴としている。
（作用）
半導体レーザ内部に導入されている欠陥を起点とする転
位は、通電により成長する。第５図は、ＧａＡｓ層をウ
ェルとする２重量子井戸活性層を有するレーザとＩｎＧ
ａＡｓ層（Ｉｎ組成１８％）をウェルとする２重量子井
戸活性層を有するレーザについて、活性層内での転位の
成長速度（□ｍ／ｍ１ｎ）の電流密度Ｊ（ｋＡ／ｃｍ２
）依存性を示したものである。ＩｎＧａＡｓ量子井戸で
の転位成長速度は、ＧａＡｓ量子井戸でのそれの３０分
の１以下に低下する。この効果に従って、以下に本発明
の詳細な説明する。
位は、通電により成長する。第５図は、ＧａＡｓ層をウ
ェルとする２重量子井戸活性層を有するレーザとＩｎＧ
ａＡｓ層（Ｉｎ組成１８％）をウェルとする２重量子井
戸活性層を有するレーザについて、活性層内での転位の
成長速度（□ｍ／ｍ１ｎ）の電流密度Ｊ（ｋＡ／ｃｍ２
）依存性を示したものである。ＩｎＧａＡｓ量子井戸で
の転位成長速度は、ＧａＡｓ量子井戸でのそれの３０分
の１以下に低下する。この効果に従って、以下に本発明
の詳細な説明する。
本発明によれば、Ｉｎを含有する層内で転位の成長速度
が低くなる効果により、発光領域外の活性層を通過する
貫通転位から延びる転位が発光領域まで到達するのにか
かる時間を大幅に長くシ、て長寿命化することができる
。
が低くなる効果により、発光領域外の活性層を通過する
貫通転位から延びる転位が発光領域まで到達するのにか
かる時間を大幅に長くシ、て長寿命化することができる
。
また、このことを利用した本発明によれば、量子井戸層
はＩｎを含まず、量子井戸層を挾む光ガイド層のみがＩ
ｎを含んでいることにより、発振波長を変化させること
なく、活性層面内での転位の成長速度が低くなる効果に
より長寿命化することができる。
はＩｎを含まず、量子井戸層を挾む光ガイド層のみがＩ
ｎを含んでいることにより、発振波長を変化させること
なく、活性層面内での転位の成長速度が低くなる効果に
より長寿命化することができる。
また、本発明によれば、第２導電型クラッド層と第１導
電型電流狭搾層の間の埋め込み界面に分布する結晶欠陥
から発生した転位が前記第２導電型クラッド層内を成長
する際、前記クラッド層内に挿入されたＩｎを含有した
層で成長速度が低下する効果により、転位が活性層に到
達するのにかかる時間を長くして長寿命化することがで
きる。
電型電流狭搾層の間の埋め込み界面に分布する結晶欠陥
から発生した転位が前記第２導電型クラッド層内を成長
する際、前記クラッド層内に挿入されたＩｎを含有した
層で成長速度が低下する効果により、転位が活性層に到
達するのにかかる時間を長くして長寿命化することがで
きる。
また、本発明によれば、第２導電型クラッド層と埋め込
み層の間の結晶欠陥が埋め込み層側のＩｎを含有された
層と接触していることによって前記結晶欠陥から発生す
る転位が活性層側に成長するのを抑制する効果により、
長寿命化することができる。
み層の間の結晶欠陥が埋め込み層側のＩｎを含有された
層と接触していることによって前記結晶欠陥から発生す
る転位が活性層側に成長するのを抑制する効果により、
長寿命化することができる。
（実施例）
以下に第１図、第２図（ａ）を参照して、本発明の第１
の実施例を説明する。本実施例の半導体レーザの構造は
、第１図に示すようにｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型Ａ１
ｏ、、ａｓＧａｏ、５５Ａｓクラッド層２を１．ｕｍ、
量子井戸活性層３を有し、さらにｐ型Ａ１ｏ、４５Ｇａ
ｏ、５ｓＡＳクラッド層↓を１．５．４重ｍ、 ｐ＋Ｇ
ａＡｓキャップ層５を０．５ｐｍを有し、メサストライ
プ部以外は活性層の上部にｐ型クラッド層４を０．２〜
０．３．ｕｍをのこしてｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層６
で埋め込まれており、これらの層構造の両側に電極７，
８を設けた構造を持ち、かつ量子井戸活性層３が第２図
（ａ）に示すように、（Ａ１ｏ２Ｇａｏ８Ａｓ５ｏＡＩ
Ｉｎｏ１Ａ１ｏ、３Ｇａｏ６Ａｓ５０Ａ）６周期の光ガ
イド層１１（厚さ６００Ａ）、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ量
子井戸層１２ （ｘ＝０．０３〜０．３）（７０人）、
Ａｌｏ２Ｇａｏ８Ａｓバリア層１３ （５０人）、Ｉｎ
ｘＧａ１−ｘＡｓ量子井戸層１４ （ｘ＝０．０３〜０
．３） （７０Ａ）、（ＡＩｏ２Ｇａｏ８Ａｓ５０Ａ／
Ｉｎｏ １Ａ１ｏ ３Ｇａｏ ６Ａｓ ５０Ａ） ６周
期の光ガイド層１５（６００Ａ）からなる構造を持つ。
の実施例を説明する。本実施例の半導体レーザの構造は
、第１図に示すようにｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型Ａ１
ｏ、、ａｓＧａｏ、５５Ａｓクラッド層２を１．ｕｍ、
量子井戸活性層３を有し、さらにｐ型Ａ１ｏ、４５Ｇａ
ｏ、５ｓＡＳクラッド層↓を１．５．４重ｍ、 ｐ＋Ｇ
ａＡｓキャップ層５を０．５ｐｍを有し、メサストライ
プ部以外は活性層の上部にｐ型クラッド層４を０．２〜
０．３．ｕｍをのこしてｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層６
で埋め込まれており、これらの層構造の両側に電極７，
８を設けた構造を持ち、かつ量子井戸活性層３が第２図
（ａ）に示すように、（Ａ１ｏ２Ｇａｏ８Ａｓ５ｏＡＩ
Ｉｎｏ１Ａ１ｏ、３Ｇａｏ６Ａｓ５０Ａ）６周期の光ガ
イド層１１（厚さ６００Ａ）、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ量
子井戸層１２ （ｘ＝０．０３〜０．３）（７０人）、
Ａｌｏ２Ｇａｏ８Ａｓバリア層１３ （５０人）、Ｉｎ
ｘＧａ１−ｘＡｓ量子井戸層１４ （ｘ＝０．０３〜０
．３） （７０Ａ）、（ＡＩｏ２Ｇａｏ８Ａｓ５０Ａ／
Ｉｎｏ １Ａ１ｏ ３Ｇａｏ ６Ａｓ ５０Ａ） ６周
期の光ガイド層１５（６００Ａ）からなる構造を持つ。
本実施例によれば、Ｉｎを含有する層内で転位の成長速
度が低下し、長寿命の半導体レーザが得られる。
度が低下し、長寿命の半導体レーザが得られる。
また、第１図と第２図（ｂ）を参照して本発明の第２の
実施例を説明する。本実施例の半導体レーザは、第１図
の構造を持ち、かつ量子井戸活性層３が第２図（ｂ）に
示すように、（Ａｌｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓ ５０Ａ／
Ａｌｏ、ａｓＩｎｏ、ｘＧａｏ、５５Ａｓ ５０人）３
周期の光ガイド層２１、Ａｌｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓ光ガ
イド層２２（３００人）、ＧａＡｓ量子井戸層２３（７
０人）、Ａｌｏ３Ｇａｏ７Ａｓバリア層２４（５０人）
、ＧａＡｓ量子井戸層２５（７０人）、Ａ１ｏ３Ｇａｏ
７Ａｓ光ガイ ド層２６（３００人）、（Ａｌｏ、３．
ＩｎｏｌＧａｏ、５．Ａｓ５０人１Ａｌｏ３Ｇａｏ７Ａ
ｓ５０人）層３周期の光ガイド層２７からなる構造を持
つ。本実施例によれば、量子井戸層はＩｎを含まず、量
子井戸層を挟む光ガイド層のみがＩｎを含んでいること
により、発振波長を変化させることなく、活性層面内で
の転位の成長速度が低くなる効果が得られる。
実施例を説明する。本実施例の半導体レーザは、第１図
の構造を持ち、かつ量子井戸活性層３が第２図（ｂ）に
示すように、（Ａｌｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓ ５０Ａ／
Ａｌｏ、ａｓＩｎｏ、ｘＧａｏ、５５Ａｓ ５０人）３
周期の光ガイド層２１、Ａｌｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓ光ガ
イド層２２（３００人）、ＧａＡｓ量子井戸層２３（７
０人）、Ａｌｏ３Ｇａｏ７Ａｓバリア層２４（５０人）
、ＧａＡｓ量子井戸層２５（７０人）、Ａ１ｏ３Ｇａｏ
７Ａｓ光ガイ ド層２６（３００人）、（Ａｌｏ、３．
ＩｎｏｌＧａｏ、５．Ａｓ５０人１Ａｌｏ３Ｇａｏ７Ａ
ｓ５０人）層３周期の光ガイド層２７からなる構造を持
つ。本実施例によれば、量子井戸層はＩｎを含まず、量
子井戸層を挟む光ガイド層のみがＩｎを含んでいること
により、発振波長を変化させることなく、活性層面内で
の転位の成長速度が低くなる効果が得られる。
また、第３図を参照して、本発明の第３の実施例を説明
する。本実施例の半導体レーザは、第３図に示すように
、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａ１ｏ、４５Ｇａｏ、
ｓ、Ａｓクラッド層２を１．ｚｍ、量子井戸活性層３を
有し、さらにｐ型Ａｌｏ４５Ｇａｏ５．Ａｓクラッド層
４を０．２ｐｍ 、ｐ型（Ａ１ｏ５■ｎｏ１Ｇａｏ４Ａ
ｓ５ｏ人／ Ａｌｏ４．Ｇａｏ５．ＡＳ５０人）層３周
期の転位ストップ層９、ｐ型Ａ１ｏ、、ｉ、Ｇａｏ５ｓ
Ａｓクラッド層４を１．２μｍ、 ｐ＋ＧａＡｓキャッ
プ層５を０．５□ｍを有し、メサストライプ以外は、転
位ストップ層９上のｐ型クラッド層４を０．１１１ｍを
のこして、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層６で埋め込まれ
ており、これらの層構造の両側に電極７，８を設けた構
造を持つ。ここで量子井戸活性層は従来例のような ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸でも良いし第１．第２
の実施例のものでもよい。本実施例によれば、ｐ型クラ
ッド層とｎ型電流ブロック層の間の埋め込み界面に分布
する結晶欠陥から発生した転位が前記ｎ型クラッド層内
を成長する際、前記ｐクラッド層内に挿入されたＩｎを
含有した層で成長速度が低下する効果が得られる。
する。本実施例の半導体レーザは、第３図に示すように
、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａ１ｏ、４５Ｇａｏ、
ｓ、Ａｓクラッド層２を１．ｚｍ、量子井戸活性層３を
有し、さらにｐ型Ａｌｏ４５Ｇａｏ５．Ａｓクラッド層
４を０．２ｐｍ 、ｐ型（Ａ１ｏ５■ｎｏ１Ｇａｏ４Ａ
ｓ５ｏ人／ Ａｌｏ４．Ｇａｏ５．ＡＳ５０人）層３周
期の転位ストップ層９、ｐ型Ａ１ｏ、、ｉ、Ｇａｏ５ｓ
Ａｓクラッド層４を１．２μｍ、 ｐ＋ＧａＡｓキャッ
プ層５を０．５□ｍを有し、メサストライプ以外は、転
位ストップ層９上のｐ型クラッド層４を０．１１１ｍを
のこして、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層６で埋め込まれ
ており、これらの層構造の両側に電極７，８を設けた構
造を持つ。ここで量子井戸活性層は従来例のような ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸でも良いし第１．第２
の実施例のものでもよい。本実施例によれば、ｐ型クラ
ッド層とｎ型電流ブロック層の間の埋め込み界面に分布
する結晶欠陥から発生した転位が前記ｎ型クラッド層内
を成長する際、前記ｐクラッド層内に挿入されたＩｎを
含有した層で成長速度が低下する効果が得られる。
また、第４図を参照して本発明の第４の実施例を説明す
る。本実施例の半導体レーザは、第４図に示すように、
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａ１ｏ、４５Ｇａｏ５５
ＡＳクラッド層２を１．ｚｍ、量子井戸活性層３を有し
、さらにｐ型Ａ１ｏ、４５Ｇａｏ ５．ＡＳＳフラノド
層４を１．５．ａｍ 。
る。本実施例の半導体レーザは、第４図に示すように、
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａ１ｏ、４５Ｇａｏ５５
ＡＳクラッド層２を１．ｚｍ、量子井戸活性層３を有し
、さらにｐ型Ａ１ｏ、４５Ｇａｏ ５．ＡＳＳフラノド
層４を１．５．ａｍ 。
ｐ ” ＧａＡｓキャップ層５を０．５μｍを有し、メ
サストライプ部以外は活性層の上部にｐ型クラッド層４
を０．２〜０．３μｍ残してｎ型（Ｉｎｏ１Ｇａｏ９Ａ
ｓ５０人／ＧａＡｓ５０人）層３周期の転位閉じ込め層
１０、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層６で順次埋め込まれ
ており、これらの層構造の両側に電極７，８を設けた構
造を持つ。量子井戸活性層３は従来例のような構造でも
、本発明の構造でもよい。本実施例によれば、ｐ型クラ
ッド層と埋め込み層の間の結晶欠陥が埋め込み層側のＩ
ｎを含有された層と接触していることによって前記結晶
欠陥から発生する転位が活性層側に成長するのを抑制す
る効果が得られる。
サストライプ部以外は活性層の上部にｐ型クラッド層４
を０．２〜０．３μｍ残してｎ型（Ｉｎｏ１Ｇａｏ９Ａ
ｓ５０人／ＧａＡｓ５０人）層３周期の転位閉じ込め層
１０、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層６で順次埋め込まれ
ており、これらの層構造の両側に電極７，８を設けた構
造を持つ。量子井戸活性層３は従来例のような構造でも
、本発明の構造でもよい。本実施例によれば、ｐ型クラ
ッド層と埋め込み層の間の結晶欠陥が埋め込み層側のＩ
ｎを含有された層と接触していることによって前記結晶
欠陥から発生する転位が活性層側に成長するのを抑制す
る効果が得られる。
（発明の効果）
本発明によれば転位の運動を抑制し長寿命の半導体レー
ザが得られる。特に高出力高信頼な半導体レーザを得る
ことができる。
ザが得られる。特に高出力高信頼な半導体レーザを得る
ことができる。
第１図は、本発明の第１および第２の実施例の構造概略
図であり、第２図（ａ）は本発明の第１の実施例の構造
説明図、第２図（ｂ）は第２の実施例の構造説明図、第
３図は、第３の実施例の構造概略図、第４図は第４の実
施例の構造概略図、第５図は本発明の詳細な説明する図
である。第６図は、従来例の半導体レーザの構造概略図
である。 １−ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２−ｎ型Ａｌｏ４．Ｇａｏ、５５Ａｓクラッド層、３・
・・量子井戸活性層、 ４・ｐ型Ａ１ｏ、４５Ｇａｏ、５ｓＡＳクラッド層、５
・・・ｐ＋型ＧａＡｓキャップ層、 ６−ｎ型Ａｌｏ、５Ｇａｏ ７Ａｓ電流ブロック層、７
・・・ｐ電極、８・・・ｎ電極、 ９−ｐ型（ＡＩ。、５Ｉｎ、□Ｇａｏ４Ａｓ５０Ａ／Ａ
Ｉｏ４．Ｇａｏ５．Ａｓ５０人）３周期の転位ストップ
層、 １０−ｎ型（ＩｎｏｌＧａｏ、、Ａｓ５０人／ＧａＡｓ
５０人）３周期の転位閉じ込め層、 １１、１５−（ＡＩ、２Ｇａ、８Ａｓ５０人／Ｉｎ。、
１Ａｌｏ３Ｇａｏ６Ａｓ５０人）６周期光ガイド層、 １２、１４−ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ量子井戸層（ｘ＝０
．０３〜０．３）、１３・・・Ａ１ｏ２Ｇａｏ８Ａｓバ
リア層、２１・・・（Ａ１ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ５０ＡＩＡ
Ｉ。、３．ＩｎｏｌＧａｏ５．Ａｓ５０，０３周期の光
ガイド層、 ２２＋ ２６・・・Ａ１ｏ３Ｇａｏ ７Ａｓ光ガイド層
、２３、２５・ＧａＡｓ量子井戸層、 ２４−Ａｌｏ３Ｇａｏ、７Ａｓバリア層、２７・・・（
ＡＩｏ３．Ｉｎ。、１Ｇａｏ５．Ａｓ５０Ａ／Ａ１ｏ３
Ｇａｏ７Ａｓ５０．入〕３周期の光ガイド層、
図であり、第２図（ａ）は本発明の第１の実施例の構造
説明図、第２図（ｂ）は第２の実施例の構造説明図、第
３図は、第３の実施例の構造概略図、第４図は第４の実
施例の構造概略図、第５図は本発明の詳細な説明する図
である。第６図は、従来例の半導体レーザの構造概略図
である。 １−ｎ型ＧａＡｓ基板、 ２−ｎ型Ａｌｏ４．Ｇａｏ、５５Ａｓクラッド層、３・
・・量子井戸活性層、 ４・ｐ型Ａ１ｏ、４５Ｇａｏ、５ｓＡＳクラッド層、５
・・・ｐ＋型ＧａＡｓキャップ層、 ６−ｎ型Ａｌｏ、５Ｇａｏ ７Ａｓ電流ブロック層、７
・・・ｐ電極、８・・・ｎ電極、 ９−ｐ型（ＡＩ。、５Ｉｎ、□Ｇａｏ４Ａｓ５０Ａ／Ａ
Ｉｏ４．Ｇａｏ５．Ａｓ５０人）３周期の転位ストップ
層、 １０−ｎ型（ＩｎｏｌＧａｏ、、Ａｓ５０人／ＧａＡｓ
５０人）３周期の転位閉じ込め層、 １１、１５−（ＡＩ、２Ｇａ、８Ａｓ５０人／Ｉｎ。、
１Ａｌｏ３Ｇａｏ６Ａｓ５０人）６周期光ガイド層、 １２、１４−ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ量子井戸層（ｘ＝０
．０３〜０．３）、１３・・・Ａ１ｏ２Ｇａｏ８Ａｓバ
リア層、２１・・・（Ａ１ｏ３Ｇａｏ７Ａｓ５０ＡＩＡ
Ｉ。、３．ＩｎｏｌＧａｏ５．Ａｓ５０，０３周期の光
ガイド層、 ２２＋ ２６・・・Ａ１ｏ３Ｇａｏ ７Ａｓ光ガイド層
、２３、２５・ＧａＡｓ量子井戸層、 ２４−Ａｌｏ３Ｇａｏ、７Ａｓバリア層、２７・・・（
ＡＩｏ３．Ｉｎ。、１Ｇａｏ５．Ａｓ５０Ａ／Ａ１ｏ３
Ｇａｏ７Ａｓ５０．入〕３周期の光ガイド層、
Claims (4)
- （１）基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活性層、
第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテ
ロ構造を内包する多層積層構造をもつ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系量子井戸半導体レーザにおい
て、前記量子井戸活性層が、単一または多重の量子井戸
層と、アルミニウム組成が量子井戸層のアルミニウム組
成よりも大きい光ガイド層からなり、前記量子井戸層と
光ガイド層がＩｎを含有していることを特徴とする半導
体レーザ。 - （２）基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活性層、
第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテ
ロ構造を内包する多層積層構造をもつ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系量子井戸半導体レーザにおい
て、前記量子井戸活性層が、単一または多重の量子井戸
層と、量子井戸層のアルミニウム組成よりも大きいアル
ミニウム組成をもつ光ガイド層からなり、該光ガイド層
のみがＩｎを含有していることを特徴とする半導体レー
ザ。 - （３）基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活性層、
第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテ
ロ構造を内包する多層積層構造をもつ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系量子井戸半導体レーザにおい
て、前記第２導電型クラッド層の一部が前記活性層まで
達しない深さに除去されており、前記除去された部分が
第１導電型電流ブロック層で埋め込まれ、前記活性層と
電流ブロック層の間の第２導電型クラッド層にＩｎを含
有した層が挿入されてなることを特徴とする半導体レー
ザ。 - （４）基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活性層、
第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブルヘテ
ロ構造を内包する多層積層構造をもつ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系量子井戸半導体レーザにおい
て、前記第２導電型クラッド層の一部が前記活性層まで
達しない深さに除去され、前記除去された部分がＩｎを
含有する層と第１導電型電流ブロック層で順次埋め込ま
れてなることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195564A JP2687694B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195564A JP2687694B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480984A true JPH0480984A (ja) | 1992-03-13 |
| JP2687694B2 JP2687694B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=16343220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2195564A Expired - Fee Related JP2687694B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687694B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183617A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 量子井戸構造半導体素子 |
| JPH11330614A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62209884A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS63155388A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | 情報入力装置 |
| JPH0334488A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nec Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH03257887A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP2195564A patent/JP2687694B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62209884A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183617A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 量子井戸構造半導体素子 |
| JPH11330614A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2687694B2 (ja) | 1997-12-08 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |