JPH06188508A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH06188508A JPH06188508A JP33819392A JP33819392A JPH06188508A JP H06188508 A JPH06188508 A JP H06188508A JP 33819392 A JP33819392 A JP 33819392A JP 33819392 A JP33819392 A JP 33819392A JP H06188508 A JPH06188508 A JP H06188508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- doped
- diffusion
- current blocking
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不純物の拡散を抑制する層を設けることによ
り、発光効率を低下させる事なく、良好な電流阻止機能
を得ること。 【構成】 電流阻止層に隣接する部分に、ノンドープ、
又はＳｅ又はＴｅをドープした、層厚０．０５≦ｄ≦
０．３μｍ、組成がＡｌxＧａ1-xＡｌ（ｘ≦０．０５）
又は（ＡｌXＧａ1-X）1-yＩｎyＰ（ｘ≦０．０５）の層
を設ける。
り、発光効率を低下させる事なく、良好な電流阻止機能
を得ること。 【構成】 電流阻止層に隣接する部分に、ノンドープ、
又はＳｅ又はＴｅをドープした、層厚０．０５≦ｄ≦
０．３μｍ、組成がＡｌxＧａ1-xＡｌ（ｘ≦０．０５）
又は（ＡｌXＧａ1-X）1-yＩｎyＰ（ｘ≦０．０５）の層
を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ素子の電流
阻止機能の改善に関するものである。
阻止機能の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の一般的なＡｌＧａＡｓ系半
導体レーザの模式的断面図の一例である。同図において
５０１はＺｎドープｐ−ＧａＡｓ基板、５０２はＺｎド
ープｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、５０３はノン
ドープＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層、５０４、５０６は
Ｓｅドープｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、５０５
はＺｎドープｐ−ＧａＡｓ電流阻止層、５０７はＳｅド
ープｎ−ＧａＡｓコンタクト層、５０８、５０９はｎ
側、ｐ側電極である。この素子において電流阻止の機能
は５０５のｐ−ＧａＡｓ単層で行われている。
導体レーザの模式的断面図の一例である。同図において
５０１はＺｎドープｐ−ＧａＡｓ基板、５０２はＺｎド
ープｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、５０３はノン
ドープＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層、５０４、５０６は
Ｓｅドープｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、５０５
はＺｎドープｐ−ＧａＡｓ電流阻止層、５０７はＳｅド
ープｎ−ＧａＡｓコンタクト層、５０８、５０９はｎ
側、ｐ側電極である。この素子において電流阻止の機能
は５０５のｐ−ＧａＡｓ単層で行われている。
【０００３】上記の素子のように、一般に、電流阻止層
にはレーザ光の吸収係数が大きいＧａＡｓ材料が用いら
れ、電流阻止機能に加え、光のモード制御を行うことが
多い。すなわち、電流阻止層によって吸収を受けにく
い、基本横モードがレーザ発振するように設計が行われ
る。しかし、電流阻止層における光の吸収が大きい場
合、素子の発光効率が低くなり、閾値の上昇という問題
が起こる。そこで、この問題を解決するため、改良され
たのが以下の図４に示す構造である。
にはレーザ光の吸収係数が大きいＧａＡｓ材料が用いら
れ、電流阻止機能に加え、光のモード制御を行うことが
多い。すなわち、電流阻止層によって吸収を受けにく
い、基本横モードがレーザ発振するように設計が行われ
る。しかし、電流阻止層における光の吸収が大きい場
合、素子の発光効率が低くなり、閾値の上昇という問題
が起こる。そこで、この問題を解決するため、改良され
たのが以下の図４に示す構造である。
【０００４】すなわち、図４は低閾値電流化を実現した
ＡｌＧａＡｓ半導体レーザの模式的断面図の一例で、電
流阻止機能と光閉じ込め機能を三層で行うようにし、低
閾値化を行っている。同図において符号４０１はＳｉド
ープｎ−ＧａＡｓ基板、４０２はＳｅドープｎ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、４０３はノンドープＡｌ
0.13xＧａ0.77Ａｓ活性層、４０４はＺｎドープｐ−Ａ
ｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド層、４０５、４０７はＳｅ
ドープｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ電流阻止層、４０６はＳ
ｅドープｎ−ＧａＡｓモード閉じ込め層、４０８はＺｎ
ドープｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層、４０９はＺｎドープ
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、４１０、４１１はｐ側、ｎ
側の電極である。
ＡｌＧａＡｓ半導体レーザの模式的断面図の一例で、電
流阻止機能と光閉じ込め機能を三層で行うようにし、低
閾値化を行っている。同図において符号４０１はＳｉド
ープｎ−ＧａＡｓ基板、４０２はＳｅドープｎ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、４０３はノンドープＡｌ
0.13xＧａ0.77Ａｓ活性層、４０４はＺｎドープｐ−Ａ
ｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓクラッド層、４０５、４０７はＳｅ
ドープｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ電流阻止層、４０６はＳ
ｅドープｎ−ＧａＡｓモード閉じ込め層、４０８はＺｎ
ドープｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層、４０９はＺｎドープ
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、４１０、４１１はｐ側、ｎ
側の電極である。
【０００５】つまり、ＧａＡｓ層を混晶比の高いＡｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ層がはさみこむようにし、光を強く吸収
する４０６層をモード閉じ込め層として薄くすると同時
に、光吸収係数の小さな４０５、４０６層を電流阻止層
として用いている。
0.2Ｇａ0.8Ａｓ層がはさみこむようにし、光を強く吸収
する４０６層をモード閉じ込め層として薄くすると同時
に、光吸収係数の小さな４０５、４０６層を電流阻止層
として用いている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＯＣ
ＶＤ、ＭＢＥ、ＬＰＥなどの結晶成長法を用いて素子を
作製する場合、成長工程における温度が高いため、素子
は高温に加熱（例えば、ＭＯＣＶＤ成長では７５０℃）
されることになる。そのため、結晶成長中に不純物の拡
散が起こり、キャリア濃度の減少や、ｐｎ反転により電
流阻止機能が失われることがあった。
ＶＤ、ＭＢＥ、ＬＰＥなどの結晶成長法を用いて素子を
作製する場合、成長工程における温度が高いため、素子
は高温に加熱（例えば、ＭＯＣＶＤ成長では７５０℃）
されることになる。そのため、結晶成長中に不純物の拡
散が起こり、キャリア濃度の減少や、ｐｎ反転により電
流阻止機能が失われることがあった。
【０００７】そこで、本発明は不純物の拡散を抑制する
層を設け、発光機能を損なうことなく、良好な電流阻止
機能を得ることを目的とする。
層を設け、発光機能を損なうことなく、良好な電流阻止
機能を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、電流阻止層に隣接する部分に、ノンドープ、又は
Ｓｅ又はＴｅをドープした、厚さ０．０５≦ｄ≦０．３
μｍ、組成がＡｌxＧａ1-XＡｓ（Ｘ≦０．０５）又は
（ＡｌxＧａ1-X）1-YＩｎYＰ（Ｘ≦０．０５）の層を設
け、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｇの拡散を抑制することを特徴とす
る。
子は、電流阻止層に隣接する部分に、ノンドープ、又は
Ｓｅ又はＴｅをドープした、厚さ０．０５≦ｄ≦０．３
μｍ、組成がＡｌxＧａ1-XＡｓ（Ｘ≦０．０５）又は
（ＡｌxＧａ1-X）1-YＩｎYＰ（Ｘ≦０．０５）の層を設
け、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｇの拡散を抑制することを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】ＡｌxＧａ1-xＡｓにおいては、Ａｌ液晶比が増
加するに従い、Ｚｎの拡散係数は増加する傾向にある。
例えばＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓの場合、Ｚｎの拡散速度はＧ
ａＡｓに比べ、約７倍であることが知られている（特願
平３−８４９８２）。発明者らはＭｇ、Ｂｅの拡散係数
も同様の傾向を示すことと、（ＡｌxＧａ1-X）YＩｎ1-Y
Ｐにおいても同様の現象がＡｌ液晶比に関して生じるこ
とを見いだした。
加するに従い、Ｚｎの拡散係数は増加する傾向にある。
例えばＡｌ0.7Ｇａ0.3Ａｓの場合、Ｚｎの拡散速度はＧ
ａＡｓに比べ、約７倍であることが知られている（特願
平３−８４９８２）。発明者らはＭｇ、Ｂｅの拡散係数
も同様の傾向を示すことと、（ＡｌxＧａ1-X）YＩｎ1-Y
Ｐにおいても同様の現象がＡｌ液晶比に関して生じるこ
とを見いだした。
【００１０】また、Ｓｅ又はＴｅを１０17〜１０18ｃｍ
-3ドープした低Ａｌ混晶のＡｌＧａＡｓ（Ｘ≦０．０
５）又は（ＡｌXＧａx-1）YＩｎY-1Ｐ（Ｘ≦０．０５）
ではＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅの拡散が極端に抑えられることも
見いだした。
-3ドープした低Ａｌ混晶のＡｌＧａＡｓ（Ｘ≦０．０
５）又は（ＡｌXＧａx-1）YＩｎY-1Ｐ（Ｘ≦０．０５）
ではＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅの拡散が極端に抑えられることも
見いだした。
【００１１】例えば、ノンドープ、又はＳｅまたはＴｅ
をドープしたＡｌＧａＡｓ層又はＡｌＧａＩｎＰ層への
Ｚｎ拡散のプロファイルを図６、図７に示す。なおこの
試料は、ＭＯＣＶＤ法により成長温度７５０℃、成長速
度約１μｍ／ｈで作製したものである。図６と図７のい
ずれの場合も、Ｚｎをドープした表面の層からＡｌ混晶
比０．７の層にＺｎが多く拡散しているが、Ａｌ混晶比
０．０５の層ではＺｎの拡散が抑制されている。そし
て、ノンドープの試料に比べＳｅ、Ｔｅのドープの場
合、一層拡散が抑えられていることがわかる。また、Ｘ
＝０．０５の層への不純物の拡散距離はおおよそ０．０
５〜０．３μｍであることがわかる。Ｍｇ、Ｂｅの拡散
に関しても、同様の結果が得られている。
をドープしたＡｌＧａＡｓ層又はＡｌＧａＩｎＰ層への
Ｚｎ拡散のプロファイルを図６、図７に示す。なおこの
試料は、ＭＯＣＶＤ法により成長温度７５０℃、成長速
度約１μｍ／ｈで作製したものである。図６と図７のい
ずれの場合も、Ｚｎをドープした表面の層からＡｌ混晶
比０．７の層にＺｎが多く拡散しているが、Ａｌ混晶比
０．０５の層ではＺｎの拡散が抑制されている。そし
て、ノンドープの試料に比べＳｅ、Ｔｅのドープの場
合、一層拡散が抑えられていることがわかる。また、Ｘ
＝０．０５の層への不純物の拡散距離はおおよそ０．０
５〜０．３μｍであることがわかる。Ｍｇ、Ｂｅの拡散
に関しても、同様の結果が得られている。
【００１２】これらの事実に基づき、本発明は、電流阻
止層と、ガイド層またはクラッド層との界面付近にＡｌ
混晶比Ｘ≦０．０５、層厚０．０５≦ｄ≦０．３μｍの
拡散防止層を形成することにより、不純物の拡散を十分
に押え、光吸収を大幅に増大させることなく、十分な電
流阻止特性を得ようとするものである。
止層と、ガイド層またはクラッド層との界面付近にＡｌ
混晶比Ｘ≦０．０５、層厚０．０５≦ｄ≦０．３μｍの
拡散防止層を形成することにより、不純物の拡散を十分
に押え、光吸収を大幅に増大させることなく、十分な電
流阻止特性を得ようとするものである。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１４】＜実施例１＞図１に、本発明をＳＡＳ（Ｓ
ｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造に
適用した第１の実施例の半導体レーザ断面図を示す。図
１において１０１はＳｉドープｎ−ＧａＡｓ基板、１０
２はｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、１０３はノン
ドープＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層、１０４、１１０は
ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、１０５、１０９は
ノンドープＧａＡｓ拡散防止層（厚さ０．１μｍ）、１
０６、１０８はｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ電流阻止層、１
０７はｎ−ＧａＡｓモード閉じ込め層、１１１はｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層、１１２、１１３はｐ側及びｎ側電
極である。結晶成長には、ＭＢＥ法を用いており、ｐ型
不純物としてＢｅ、ｎ型不純物としてＳｉを用いてい
る。
ｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造に
適用した第１の実施例の半導体レーザ断面図を示す。図
１において１０１はＳｉドープｎ−ＧａＡｓ基板、１０
２はｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、１０３はノン
ドープＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性層、１０４、１１０は
ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、１０５、１０９は
ノンドープＧａＡｓ拡散防止層（厚さ０．１μｍ）、１
０６、１０８はｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ電流阻止層、１
０７はｎ−ＧａＡｓモード閉じ込め層、１１１はｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層、１１２、１１３はｐ側及びｎ側電
極である。結晶成長には、ＭＢＥ法を用いており、ｐ型
不純物としてＢｅ、ｎ型不純物としてＳｉを用いてい
る。
【００１５】図１において１０５、１０９のノンドープ
ＧａＡｓ拡散防止層が、１０６〜１０８のＳｉドープの
電流阻止及びモード閉じ込めの層群への１０４、１１０
ｐ−クラッド層からのＢｅ拡散を有効に防止することが
できた。このため、ｐ−クラッド層から１０６〜１０８
各層へのＢｅ拡散によるｐ反転が起こらず、リーク電流
の発生を防止することができた。この素子では、閾値電
流が３０ｍＡと小さな値となり、ストライプ外での電流
リークは全く観測されなかった。
ＧａＡｓ拡散防止層が、１０６〜１０８のＳｉドープの
電流阻止及びモード閉じ込めの層群への１０４、１１０
ｐ−クラッド層からのＢｅ拡散を有効に防止することが
できた。このため、ｐ−クラッド層から１０６〜１０８
各層へのＢｅ拡散によるｐ反転が起こらず、リーク電流
の発生を防止することができた。この素子では、閾値電
流が３０ｍＡと小さな値となり、ストライプ外での電流
リークは全く観測されなかった。
【００１６】＜実施例２＞図２に、本発明をＶＳＩＳ
（Ｖ−Ｃｈａｎｎｅｌｅｄ ＳｕｂｓｔｒａｔｅＩｎｎ
ｅｒ Ｓｔｒｉｐｅ）構造に適用した第２の実施例の半
導体レーザ断面図を示す。図２において２０１はＺｎド
ープｐ−ＧａＡｓ基板、２０２、２０６はＴｅドープｎ
−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓ拡散防止層（厚さ０．０５μ
ｍ）、２０３、２０５はＴｅドープｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8
Ａｓ電流阻止層、２０４はＴｅドープｎ−ＧａＡｓモー
ド閉じ込め層、２０７はＭｇドープｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5
Ａｓクラッド層、２０８はノンドープＡｌ0.13Ｇａ0.87
Ａｓ活性層、２０９はＴｅドープｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層、２１０はＳｎドープｎ−ＧａＡｓコンタ
クト層、２１１、２１２はｎ側およびｐ側の電極であ
る。この素子は、結晶成長方法としてＬＰＥ法を用いて
いる。
（Ｖ−Ｃｈａｎｎｅｌｅｄ ＳｕｂｓｔｒａｔｅＩｎｎ
ｅｒ Ｓｔｒｉｐｅ）構造に適用した第２の実施例の半
導体レーザ断面図を示す。図２において２０１はＺｎド
ープｐ−ＧａＡｓ基板、２０２、２０６はＴｅドープｎ
−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓ拡散防止層（厚さ０．０５μ
ｍ）、２０３、２０５はＴｅドープｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8
Ａｓ電流阻止層、２０４はＴｅドープｎ−ＧａＡｓモー
ド閉じ込め層、２０７はＭｇドープｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5
Ａｓクラッド層、２０８はノンドープＡｌ0.13Ｇａ0.87
Ａｓ活性層、２０９はＴｅドープｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓクラッド層、２１０はＳｎドープｎ−ＧａＡｓコンタ
クト層、２１１、２１２はｎ側およびｐ側の電極であ
る。この素子は、結晶成長方法としてＬＰＥ法を用いて
いる。
【００１７】図２において、２０２、２０６のＴｅドー
プ拡散防止層により、ＧａＡｓ基板２０１のＺｎ及びｐ
−クラッド２０７のＭｇが電流ブロック層へ拡散するこ
とが抑制され、ストライプ外における電流リークは全く
観測されず、閾値電流は３５ｍＡと低い値となった。
プ拡散防止層により、ＧａＡｓ基板２０１のＺｎ及びｐ
−クラッド２０７のＭｇが電流ブロック層へ拡散するこ
とが抑制され、ストライプ外における電流リークは全く
観測されず、閾値電流は３５ｍＡと低い値となった。
【００１８】＜実施例３＞図３に本発明をＧａＡｓ系Ｓ
ＡＳ構造に適用した第３の実施例の半導体レーザ断面図
を示す。図３において３０１はＺｎドープｐ−ＧａＡｓ
基板、３０２はＺｎドープｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラ
ッド層、３０３はノンドープＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性
層、３０４はＳｅドープｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッ
ド層、３０５はＳｅドープｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓ拡
散防止層（厚さ０．３μｍ）、３０６はＺｎドープｐ−
ＧａＡｓ電流阻止層、３０７はＳｅドープｎ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、３０８はＳｅドープｎ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層、３０９、３１０はｎ側およびｐ側電
極である。なお、結晶成長方法として、ＭＯＣＶＤ法を
用いた。
ＡＳ構造に適用した第３の実施例の半導体レーザ断面図
を示す。図３において３０１はＺｎドープｐ−ＧａＡｓ
基板、３０２はＺｎドープｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラ
ッド層、３０３はノンドープＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ活性
層、３０４はＳｅドープｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッ
ド層、３０５はＳｅドープｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓ拡
散防止層（厚さ０．３μｍ）、３０６はＺｎドープｐ−
ＧａＡｓ電流阻止層、３０７はＳｅドープｎ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、３０８はＳｅドープｎ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層、３０９、３１０はｎ側およびｐ側電
極である。なお、結晶成長方法として、ＭＯＣＶＤ法を
用いた。
【００１９】図３において、電流阻止層３０６にドープ
されたＺｎの拡散が拡散防止層３０５により抑えられ、
ｐ−電流ブロック層３０６とｎ−クラッド層３０４のキ
ャリア濃度が十分保持され、その結果ストライプ外での
電流リークの発生を防止し、閾値電流は４０ｍＡと低い
値となった。
されたＺｎの拡散が拡散防止層３０５により抑えられ、
ｐ−電流ブロック層３０６とｎ−クラッド層３０４のキ
ャリア濃度が十分保持され、その結果ストライプ外での
電流リークの発生を防止し、閾値電流は４０ｍＡと低い
値となった。
【００２０】＜実施例４＞本発明をＡｌＧａＩｎＰ系Ｓ
ＡＳ構造に適用した第４の実施例を示す。構造は図１と
同様で、１０１はＳｉドープｎ−ＧａＡｓ基板、１０２
はｎ−（Ａｌ0.7Ga0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、１０
３はＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層、１０４、１１０はｐ−
（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、１０５、
１０９はｎ−（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ拡散防
止層、１０６、１０８はｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ電流阻
止層、１０７はｎ−ＧａＡｓモード閉じ込め層、１１１
はｐ−ＧａＡｓキャップ層、１１２、１１３はｐ側及び
ｎ側電極である。結晶成長は、ＭＯＣＶＤ法を用いてお
り、ｐ型不純物としてＺｎ、ｎ型不純物としてＳｅを用
いている。
ＡＳ構造に適用した第４の実施例を示す。構造は図１と
同様で、１０１はＳｉドープｎ−ＧａＡｓ基板、１０２
はｎ−（Ａｌ0.7Ga0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、１０
３はＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ活性層、１０４、１１０はｐ−
（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、１０５、
１０９はｎ−（Ａｌ0.05Ｇａ0.95）0.5Ｉｎ0.5Ｐ拡散防
止層、１０６、１０８はｎ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ電流阻
止層、１０７はｎ−ＧａＡｓモード閉じ込め層、１１１
はｐ−ＧａＡｓキャップ層、１１２、１１３はｐ側及び
ｎ側電極である。結晶成長は、ＭＯＣＶＤ法を用いてお
り、ｐ型不純物としてＺｎ、ｎ型不純物としてＳｅを用
いている。
【００２１】この素子では、Ｚｎの拡散を、Ｓｅをドー
プした拡散防止層１０５、１０９が抑制し、電流阻止層
１０６、１０８のｐ反転が防止され、発振閾値が５０ｍ
Ａと小さな値となり、ストライプ外での電流リークは全
く観測されなかった。
プした拡散防止層１０５、１０９が抑制し、電流阻止層
１０６、１０８のｐ反転が防止され、発振閾値が５０ｍ
Ａと小さな値となり、ストライプ外での電流リークは全
く観測されなかった。
【００２２】なお、上記実施例に示すように拡散防止層
は１層でも２層でもよい。また、素子作製に用いる結晶
成長方法はＭＯＣＶＤ法、ＬＰＥ法、ＭＢＥ法など、適
宜選択して用いる。なお、上述全ての例において、全て
の層の導電型が逆転した場合でも、同様の効果が得られ
る。
は１層でも２層でもよい。また、素子作製に用いる結晶
成長方法はＭＯＣＶＤ法、ＬＰＥ法、ＭＢＥ法など、適
宜選択して用いる。なお、上述全ての例において、全て
の層の導電型が逆転した場合でも、同様の効果が得られ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、Ａｌ
ＧａＡｓ系又はＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子にお
いて、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｇの拡散を小さく抑えることが可
能となり、良好な電流阻止特性を得ることができる。
ＧａＡｓ系又はＩｎＧａＡｌＰ系半導体レーザ素子にお
いて、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｇの拡散を小さく抑えることが可
能となり、良好な電流阻止特性を得ることができる。
【図１】本発明の第１、第４の実施例を示すＳＡＳ半導
体レーザの断面図である。
体レーザの断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示すＶＳＩＳ半導体レ
ーザの断面図である。
ーザの断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示すＳＡＳ半導体レー
ザの断面図である。
ザの断面図である。
【図４】従来の低閾値化ＳＡＳ半導体レーザの断面図で
ある。
ある。
【図５】従来のＳＡＳ半導体レーザの断面図である。
【図６】ノンドープ、またはＳｅまたはＴｅをドープし
たＡｌＧａＡｓ層へのＺｎ拡散のプロファイルである。
たＡｌＧａＡｓ層へのＺｎ拡散のプロファイルである。
【図７】ノンドープ、またはＳｅまたはＴｅをドープし
たＡｌＧａＩｎＰ層へのＺｎ拡散のプロファイルであ
る。
たＡｌＧａＩｎＰ層へのＺｎ拡散のプロファイルであ
る。
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１ 基板 １０２、２０７、３０２、４０２、５０２ 下部クラッ
ド層 １０３、２０８、３０３、４０３、５０３ 活性層 １０４、１１０、２０９、３０４、３０７、４０４、４
０８、５０４、５０６上部クラッド層 １０５、１０９、２０２、２０６、３０５ 拡散防止層 １０６、１０８、２０３、２０５、３０６、４０５、４
０７、５０５ 電流阻止層 １０７、２０４、４０６ モード閉じ込め層 １１１、２１０、３０８、４０９、５０７ コンタクト
層 １１２、２１２、３１０、４１０、５０９ ｐ側電極 １１３、２１１、３０９、４１１、５０８ ｎ側電極
ド層 １０３、２０８、３０３、４０３、５０３ 活性層 １０４、１１０、２０９、３０４、３０７、４０４、４
０８、５０４、５０６上部クラッド層 １０５、１０９、２０２、２０６、３０５ 拡散防止層 １０６、１０８、２０３、２０５、３０６、４０５、４
０７、５０５ 電流阻止層 １０７、２０４、４０６ モード閉じ込め層 １１１、２１０、３０８、４０９、５０７ コンタクト
層 １１２、２１２、３１０、４１０、５０９ ｐ側電極 １１３、２１１、３０９、４１１、５０８ ｎ側電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ＡｌxＧａ1-xＡｓ系又は（ＡｌxＧ
ａ1-x）1-YＩｎYＰ系半導体材料の積層構造からなり、
ｐ型不純物としてＺｎ又はＭｇ又はＢｅを用いる半導体
レーザ素子において、 電流阻止層に隣接して、Ａｌ液晶比Ｘ≦０．０５、厚さ
０．０５≦ｄ≦０．３μｍ、ノンドープ、又はＳｅ又は
Ｔｅをドープした拡散防止層を配置した半導体レーザ素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338193A JP3027664B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338193A JP3027664B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188508A true JPH06188508A (ja) | 1994-07-08 |
| JP3027664B2 JP3027664B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=18315806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4338193A Expired - Fee Related JP3027664B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3027664B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033553A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| DE102020120703A1 (de) | 2020-08-05 | 2022-02-10 | Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz- Institut für Höchstfrequenztechnik | Diodenlaser mit Stromblende |
| WO2023067890A1 (ja) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6052482B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-12-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 養殖装置および養殖方法 |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP4338193A patent/JP3027664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033553A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| DE102020120703A1 (de) | 2020-08-05 | 2022-02-10 | Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz- Institut für Höchstfrequenztechnik | Diodenlaser mit Stromblende |
| WO2023067890A1 (ja) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3027664B2 (ja) | 2000-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100271674B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 | |
| JP2003017812A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US4426703A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3429446B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2997573B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US6856631B1 (en) | Semiconductor device with saturable absorbing layer | |
| JP3027664B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US4792960A (en) | Semiconductor laser | |
| JP2000164986A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JP3876023B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0945986A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| EP0614257B1 (en) | Gain-guided type laser diode | |
| JP2002033553A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH09129969A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH10135567A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US20010006527A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2003031901A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP4517437B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| US6023483A (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| JPS6237557B2 (ja) | ||
| JP3467435B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2909133B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2565210B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2962881B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JP3564918B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |