JP2687694B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JP2687694B2 JP2687694B2 JP2195564A JP19556490A JP2687694B2 JP 2687694 B2 JP2687694 B2 JP 2687694B2 JP 2195564 A JP2195564 A JP 2195564A JP 19556490 A JP19556490 A JP 19556490A JP 2687694 B2 JP2687694 B2 JP 2687694B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は長寿命な半導体レーザに関するものであ
る。
る。
（従来の技術） 従来例として次の構造が挙げられる。すなわち、量子
井戸活性層上のクラッド部に形成されたメサストライプ
と、該ストライプ側面に電流ブロック層を有する自己整
合型量子井戸半導体レーザが報告されている。例えば、
1989年石川らにより春季応用物理学会予稿集4a-ZC-6で
報告された「高出力高信頼セルフアライン型量子井戸レ
ーザ」の概略構造を第６図に示す。このレーザ構造は、
ｎ型GaAs基板上１に、MOVPE技術により、ｎ型Al0.45Ga
0.55Asクラッド層２、GaAs/AlGaAs量子井戸活性層３、
ｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層４、p+型GaAsキャップ層
５を順次形成した後、活性層より上の領域をメサストラ
イプ部を残してエッチングし、選択成長により電流ブロ
ック層６で埋め込み、さらに上面と低面に電極7,8を形
成してなる。この構造によりメサ部直下の量子井戸活性
層に電流が注入され、レーザ発振が得られる。
井戸活性層上のクラッド部に形成されたメサストライプ
と、該ストライプ側面に電流ブロック層を有する自己整
合型量子井戸半導体レーザが報告されている。例えば、
1989年石川らにより春季応用物理学会予稿集4a-ZC-6で
報告された「高出力高信頼セルフアライン型量子井戸レ
ーザ」の概略構造を第６図に示す。このレーザ構造は、
ｎ型GaAs基板上１に、MOVPE技術により、ｎ型Al0.45Ga
0.55Asクラッド層２、GaAs/AlGaAs量子井戸活性層３、
ｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層４、p+型GaAsキャップ層
５を順次形成した後、活性層より上の領域をメサストラ
イプ部を残してエッチングし、選択成長により電流ブロ
ック層６で埋め込み、さらに上面と低面に電極7,8を形
成してなる。この構造によりメサ部直下の量子井戸活性
層に電流が注入され、レーザ発振が得られる。
（発明が解決しようとする課題） 半導体レーザの長寿命動作を歩留まり良く可能にする
ためには、結晶成長時にすでに導入された発光領域近傍
の結晶欠陥を起点とする転位網が運動し、それが発光領
域に到達することによって発生する劣化を抑制すること
が重要である。
ためには、結晶成長時にすでに導入された発光領域近傍
の結晶欠陥を起点とする転位網が運動し、それが発光領
域に到達することによって発生する劣化を抑制すること
が重要である。
ところが、実際、従来例で示した構造のレーザにおい
ては、基板から延びた貫通転位がメサ状の電流狭窄部の
近傍の活性層を通過している場合、電流注入によって貫
通転位から転位網が成長し発光領域に達することによ
り、見かけ上安定動作が続いた後に突発的に故障するも
のが少なくない。また活性層上のクラッド層と電流ブロ
ック層の間の埋め込み界面は、結晶欠陥の密度が高く、
動作中に埋め込み界面の欠陥から発生した転位がクラッ
ド層内を徐々に運動し、活性層に到達することにより発
生する故障で寿命が制限されるという不都合が生じるた
め、長寿命化は困難である。
ては、基板から延びた貫通転位がメサ状の電流狭窄部の
近傍の活性層を通過している場合、電流注入によって貫
通転位から転位網が成長し発光領域に達することによ
り、見かけ上安定動作が続いた後に突発的に故障するも
のが少なくない。また活性層上のクラッド層と電流ブロ
ック層の間の埋め込み界面は、結晶欠陥の密度が高く、
動作中に埋め込み界面の欠陥から発生した転位がクラッ
ド層内を徐々に運動し、活性層に到達することにより発
生する故障で寿命が制限されるという不都合が生じるた
め、長寿命化は困難である。
本発明の目的は、転位の発生源である貫通転位や埋め
込み界面の結晶欠陥から発生する転位の運動が抑制され
た、動作寿命の長いレーザを得ることにある。
込み界面の結晶欠陥から発生する転位の運動が抑制され
た、動作寿命の長いレーザを得ることにある。
（課題を解決するための手段） 本発明の半導体レーザは、基板に第１導電型クラッド
層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順次形成
されてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層構造を
もつGaAs/AlGaAs系量子井戸半導体レーザにおいて、前
記量子井戸活性層が、単一または多重の量子井戸層と、
アルミニウム組成が量子井戸層のアルミニウム組成より
も大きい光ガイド層からなり、その量子井戸層と光ガイ
ド層がInを含有していることを特徴としている。
層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順次形成
されてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層構造を
もつGaAs/AlGaAs系量子井戸半導体レーザにおいて、前
記量子井戸活性層が、単一または多重の量子井戸層と、
アルミニウム組成が量子井戸層のアルミニウム組成より
も大きい光ガイド層からなり、その量子井戸層と光ガイ
ド層がInを含有していることを特徴としている。
また、本発明の半導体レーザは、基板に第１導電型ク
ラッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順
次形成されてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層
構造をもつGaAs/AlGaAs系量子井戸半導体レーザにおい
て、前記量子井戸活性層が、単一または多重の量子井戸
層と、量子井戸層のアルミニウム組成よりも大きいアル
ミニウム組成をもつ光ガイド層からなり、その光ガイド
層のみがInを含有していることを特徴としている。
ラッド層、量子井戸活性層、第２導電型クラッド層が順
次形成されてなるダブルヘテロ構造を内包する多層積層
構造をもつGaAs/AlGaAs系量子井戸半導体レーザにおい
て、前記量子井戸活性層が、単一または多重の量子井戸
層と、量子井戸層のアルミニウム組成よりも大きいアル
ミニウム組成をもつ光ガイド層からなり、その光ガイド
層のみがInを含有していることを特徴としている。
また、基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活性
層、第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブル
ヘテロ構造を内包する多層積層構造をもつGaAs/AlGaAs
系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電型クラ
ッド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除去され
ており、前記除去された部分が第１導電型電流ブロック
層で埋め込まれ、前記活性層と電流ブロック層の間の第
２導電型クラッド層にInを含有した層が挿入されてなる
ことを特徴としている。
層、第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブル
ヘテロ構造を内包する多層積層構造をもつGaAs/AlGaAs
系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電型クラ
ッド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除去され
ており、前記除去された部分が第１導電型電流ブロック
層で埋め込まれ、前記活性層と電流ブロック層の間の第
２導電型クラッド層にInを含有した層が挿入されてなる
ことを特徴としている。
また、基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活性
層、第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブル
ヘテロ構造を内包する多層積層構造をもつGaAs/AlGaAs
系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電型クラ
ッド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除去さ
れ、前記除去された部分がInを含有する層と第１導電型
電流ブロック層で順次埋め込まれてなることを特徴とし
ている。
層、第２導電型クラッド層が順次形成されてなるダブル
ヘテロ構造を内包する多層積層構造をもつGaAs/AlGaAs
系量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電型クラ
ッド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除去さ
れ、前記除去された部分がInを含有する層と第１導電型
電流ブロック層で順次埋め込まれてなることを特徴とし
ている。
（作用） 半導体レーザ内部に導入されている欠陥を起点とする
転位は、通電により成長する。第５図は、GaAs層をウェ
ルとする２重量子井戸活性層を有するレーザとInGaAs層
（In組成18％）をウェルとする２重量子井戸活性層を有
するレーザについて、活性層内での転位の成長速度（μ
m/min）の電流密度Ｊ（kA/cm2）依存性を示したもので
ある。InGaAs量子井戸での転位成長速度は、GaAs量子井
戸でのそれの30分の１以下に低下する。この効果に従っ
て、以下に本発明の作用を説明する。
転位は、通電により成長する。第５図は、GaAs層をウェ
ルとする２重量子井戸活性層を有するレーザとInGaAs層
（In組成18％）をウェルとする２重量子井戸活性層を有
するレーザについて、活性層内での転位の成長速度（μ
m/min）の電流密度Ｊ（kA/cm2）依存性を示したもので
ある。InGaAs量子井戸での転位成長速度は、GaAs量子井
戸でのそれの30分の１以下に低下する。この効果に従っ
て、以下に本発明の作用を説明する。
本発明によれば、Inを含有する層内で転位の成長速度
が低くなる効果により、発光領域外の活性層を通過する
貫通転位から延びる転位が発光領域まで到達するのにか
かる時間を大幅に長くして長寿命化することができる。
が低くなる効果により、発光領域外の活性層を通過する
貫通転位から延びる転位が発光領域まで到達するのにか
かる時間を大幅に長くして長寿命化することができる。
また、このことを利用した本発明によれば、量子井戸
層はInを含まず、量子井戸層を挟む光ガイド層のみがIn
を含んでいることにより、発振波長を変化させることな
く、活性層面内での転位の成長速度が低くなる効果によ
り長寿命化することができる。
層はInを含まず、量子井戸層を挟む光ガイド層のみがIn
を含んでいることにより、発振波長を変化させることな
く、活性層面内での転位の成長速度が低くなる効果によ
り長寿命化することができる。
また、本発明によれば、第２導電型クラッド層と第１
層導電型電流狭窄層の間の埋め込み界面に分布する結晶
欠陥から発生した転位が前記第２導電型クラッド層内を
成長する際、前記クラッド層内に挿入されたInを含有し
た層で成長速度が低下する効果により、転位が活性層に
到達するのにかかる時間を長くして長寿命化することが
できる。
層導電型電流狭窄層の間の埋め込み界面に分布する結晶
欠陥から発生した転位が前記第２導電型クラッド層内を
成長する際、前記クラッド層内に挿入されたInを含有し
た層で成長速度が低下する効果により、転位が活性層に
到達するのにかかる時間を長くして長寿命化することが
できる。
また、本発明によれば、第２導電型クラッド層と埋め
込み層の間の結晶欠陥が埋め込み層側のInを含有された
層と接触していることによって前記結晶欠陥から発生す
る転位が活性層側に成長するのを抑制する効果により、
長寿命化することができる。
込み層の間の結晶欠陥が埋め込み層側のInを含有された
層と接触していることによって前記結晶欠陥から発生す
る転位が活性層側に成長するのを抑制する効果により、
長寿命化することができる。
（実施例） 以下に第１図、第２図（ａ）を参照して、本発明の第
１の実施例を説明する。本実施例の半導体レーザの構造
は、第１図に示すようにｎ型GaAs基板上に、ｎ型Al0.45
Ga0.55Asクラッド層２を１μｍ、量子井戸活性層３を有
し、さらにｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層４を1.5μ
ｍ、p+GaAsキャップ層５を0.5μｍを有し、メサストラ
イプ部以外は活性層の上部にｐ型クラッド層４を0.2〜
0.3μｍをのこしてｎ型GaAs電流ブロック層６で埋め込
まれており、これらの層構造の両側に電極7,8を設けた
構造を持ち、かつ量子井戸活性層３が第２図（ａ）に示
すように、（Al0.2Ga0.8As50Å／In0.1Al0.3Ga0.6As50
Å）６周期の光ガイド層11（厚さ600Å）、InxGa1-xAs
量子井戸層12（ｘ＝0.03〜0.3）（70Å）、Al0.2Ga0.8A
sバリア層13（50Å）、InxGa1-xAs量子井戸層14（ｘ＝
0.03〜0.3）（70Å）、（Al0.2Ga0.8As50Å／In0.1Al
0.3Ga0.6As50Å）６周期の光ガイド層15（600Å）から
なる構造を持つ。本実施例によれば、Inを含有する層内
で転位の成長速度が低下し、長寿命の半導体レーザが得
られる。
１の実施例を説明する。本実施例の半導体レーザの構造
は、第１図に示すようにｎ型GaAs基板上に、ｎ型Al0.45
Ga0.55Asクラッド層２を１μｍ、量子井戸活性層３を有
し、さらにｐ型Al0.45Ga0.55Asクラッド層４を1.5μ
ｍ、p+GaAsキャップ層５を0.5μｍを有し、メサストラ
イプ部以外は活性層の上部にｐ型クラッド層４を0.2〜
0.3μｍをのこしてｎ型GaAs電流ブロック層６で埋め込
まれており、これらの層構造の両側に電極7,8を設けた
構造を持ち、かつ量子井戸活性層３が第２図（ａ）に示
すように、（Al0.2Ga0.8As50Å／In0.1Al0.3Ga0.6As50
Å）６周期の光ガイド層11（厚さ600Å）、InxGa1-xAs
量子井戸層12（ｘ＝0.03〜0.3）（70Å）、Al0.2Ga0.8A
sバリア層13（50Å）、InxGa1-xAs量子井戸層14（ｘ＝
0.03〜0.3）（70Å）、（Al0.2Ga0.8As50Å／In0.1Al
0.3Ga0.6As50Å）６周期の光ガイド層15（600Å）から
なる構造を持つ。本実施例によれば、Inを含有する層内
で転位の成長速度が低下し、長寿命の半導体レーザが得
られる。
また、第１図と第２図（ｂ）を参照して本発明の第２
の実施例を説明する。本実施例の半導体レーザは、第１
図の構造を持ち、かつ量子井戸活性層３が第２図（ｂ）
に示すように、（Al0.3Ga0.7As50Å／Al0.35In0.1Ga
0.55As50Å）３周期の光ガイド層21、Al0.3Ga0.7As光ガ
イド層22（300Å）、GaAs量子井戸層23（70Å）、Al0.3
Ga0.7Asバリア層24（50Å）、GaAs量子井戸層25（70
Å）、Al0.3Ga0.7As光ガイド層26（300Å）、（Al0.35I
n0.1Ga0.55As50Å／Al0.3Ga0.7As50Å）層３周期の光ガ
イド層27からなる構造を持つ。本実施例によれば、量子
井戸層はInを含まず、量子井戸層を挟む光ガイド層のみ
がInを含んでいることにより、発振波長を変化させるこ
となく、活性層面内での転位の成長速度が低くなる効果
が得られる。
の実施例を説明する。本実施例の半導体レーザは、第１
図の構造を持ち、かつ量子井戸活性層３が第２図（ｂ）
に示すように、（Al0.3Ga0.7As50Å／Al0.35In0.1Ga
0.55As50Å）３周期の光ガイド層21、Al0.3Ga0.7As光ガ
イド層22（300Å）、GaAs量子井戸層23（70Å）、Al0.3
Ga0.7Asバリア層24（50Å）、GaAs量子井戸層25（70
Å）、Al0.3Ga0.7As光ガイド層26（300Å）、（Al0.35I
n0.1Ga0.55As50Å／Al0.3Ga0.7As50Å）層３周期の光ガ
イド層27からなる構造を持つ。本実施例によれば、量子
井戸層はInを含まず、量子井戸層を挟む光ガイド層のみ
がInを含んでいることにより、発振波長を変化させるこ
となく、活性層面内での転位の成長速度が低くなる効果
が得られる。
また、第３図を参照して、本発明の第３の実施例を説
明する。本実施例の半導体レーザは、第３図に示すよう
に、ｎ型GaAs基板１上に、ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッド
層２を１μｍ、量子井戸活性層３を有し、さらにｐ型Al
0.45Ga0.55Asクラッド層４を0.2μｍ、ｐ型（Al0.5In
0.1Ga0.4As50Å／Al0.45Ga0.55As50Å）層３周期の転位
ストップ層９、ｐ型（Al0.45Ga0.55Asクラッド層４を1.
2μｍ、p+GaAsキャップ層５を0.5μｍを有し、メサスト
ライプ以外は、転位ストップ層９上のｐ型クラッド層４
を0.1μｍをのこして、ｎ型GaAs電流ブロック層６で埋
め込まれており、これらの層構造の両側に電極7,8を設
けた構造を持つ。ここで量子井戸活性層は従来例のよう
なGaAs/AlGaAs量子井戸でも良いし第1,第２の実施例の
ものでもよい。本実施例によれば、ｐ型クラッド層とｎ
型電流ブロック層の間の埋め込み界面に分布する結晶欠
陥から発生した転位が前記ｐ型クラッド層内を成長する
際、前記ｐクラッド層内に挿入されたInを含有した層で
成長速度が低下する効果が得られる。
明する。本実施例の半導体レーザは、第３図に示すよう
に、ｎ型GaAs基板１上に、ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッド
層２を１μｍ、量子井戸活性層３を有し、さらにｐ型Al
0.45Ga0.55Asクラッド層４を0.2μｍ、ｐ型（Al0.5In
0.1Ga0.4As50Å／Al0.45Ga0.55As50Å）層３周期の転位
ストップ層９、ｐ型（Al0.45Ga0.55Asクラッド層４を1.
2μｍ、p+GaAsキャップ層５を0.5μｍを有し、メサスト
ライプ以外は、転位ストップ層９上のｐ型クラッド層４
を0.1μｍをのこして、ｎ型GaAs電流ブロック層６で埋
め込まれており、これらの層構造の両側に電極7,8を設
けた構造を持つ。ここで量子井戸活性層は従来例のよう
なGaAs/AlGaAs量子井戸でも良いし第1,第２の実施例の
ものでもよい。本実施例によれば、ｐ型クラッド層とｎ
型電流ブロック層の間の埋め込み界面に分布する結晶欠
陥から発生した転位が前記ｐ型クラッド層内を成長する
際、前記ｐクラッド層内に挿入されたInを含有した層で
成長速度が低下する効果が得られる。
また、第４図を参照して本発明の第４の実施例を説明
する。本実施例の半導体レーザは、第４図に示すよう
に、ｎ型GaAs基板１上に、ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッド
層２を１μｍ、量子井戸活性層３を有し、さらにｐ型Al
0.45Ga0.55Asクラッド層４を1.5μｍ、p+GaAsキャップ
層５を0.5μｍを有し、メサストライプ部以外は活性層
の上部にｐ型クラッド層４を0.2〜0.3μｍ残してｎ型
（In0.1Ga0.9As50Å/GaAs50Å）層３周期の転位閉じ込
め層10、ｎ型GaAs電流ブロック層６で順次埋め込まれて
おり、これらの層構造の両側に電極7,8を設けた構造を
持つ。量子井戸活性層３は従来例のような構造でも、本
発明の構造でもよい。本実施例によれば、ｐ型クラッド
層と埋め込み層の間の結晶欠陥が埋め込み層側のInを含
有された層と接触していることによって前記結晶欠陥か
ら発生する転位が活性層側に成長するのを抑制する効果
が得られる。
する。本実施例の半導体レーザは、第４図に示すよう
に、ｎ型GaAs基板１上に、ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッド
層２を１μｍ、量子井戸活性層３を有し、さらにｐ型Al
0.45Ga0.55Asクラッド層４を1.5μｍ、p+GaAsキャップ
層５を0.5μｍを有し、メサストライプ部以外は活性層
の上部にｐ型クラッド層４を0.2〜0.3μｍ残してｎ型
（In0.1Ga0.9As50Å/GaAs50Å）層３周期の転位閉じ込
め層10、ｎ型GaAs電流ブロック層６で順次埋め込まれて
おり、これらの層構造の両側に電極7,8を設けた構造を
持つ。量子井戸活性層３は従来例のような構造でも、本
発明の構造でもよい。本実施例によれば、ｐ型クラッド
層と埋め込み層の間の結晶欠陥が埋め込み層側のInを含
有された層と接触していることによって前記結晶欠陥か
ら発生する転位が活性層側に成長するのを抑制する効果
が得られる。
（発明の効果） 本発明によれば転位の運動を抑制し長寿命の半導体レ
ーザが得られる。特に高出力高信頼な半導体レーザを得
ることができる。
ーザが得られる。特に高出力高信頼な半導体レーザを得
ることができる。
第１図は、本発明の第１および第２の実施例の構造概略
図であり、第２図（ａ）は本発明の第１の実施例の構造
説明図、第２図（ｂ）は第２の実施例の構造説明図、第
３図は、第３の実施例の構造概略図、第４図は第４の実
施例の構造概略図、第５図は本発明の作用を説明する図
である。第６図は、従来例の半導体レーザの構造概略図
である。 １……ｎ型GaAs基板、２……ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッ
ド層、３……量子井戸活性層、４……ｐ型Al0.45Ga0.55
Asクラッド層、５……p+型GaAsキャップ層、６……ｎ型
Al0.3Ga0.7As電流ブロック層、７……ｐ電極、８……ｎ
電極、９……ｐ型（Al0.5In0.1Ga0.4As50Å／Al0.45Ga
0.55As50Å）３周期の転位ストップ層、10……ｎ型（In
0.1Ga0.9As50Å/GaAs50Å）３周期の転位閉じ込め層、1
1,15……（Al0.2Ga0.8As50Å／In0.1Al0.3Ga0.6As50
Å）６周期光ガイド層、12,14……InxGa1-xAs量子井戸
層（ｘ＝0.03〜0.3）、13……Al0.2Ga0.8Asバリア層、2
1……（Al0.3Ga0.7As50Å／Al0.35In0.1Ga0.55As50Å）
３周期の光ガイド層、22,26……Al0.3Ga0.7As光ガイド
層、23,25……GaAs量子井戸量、24……Al0.3Ga0.7Asバ
リア層、27……（Al0.35In0.1Ga0.55As50Å／Al0.3Ga
0.7As50Å）３周期の光ガイド層、33……GaAs/AlGaAs量
子井戸活性層
図であり、第２図（ａ）は本発明の第１の実施例の構造
説明図、第２図（ｂ）は第２の実施例の構造説明図、第
３図は、第３の実施例の構造概略図、第４図は第４の実
施例の構造概略図、第５図は本発明の作用を説明する図
である。第６図は、従来例の半導体レーザの構造概略図
である。 １……ｎ型GaAs基板、２……ｎ型Al0.45Ga0.55Asクラッ
ド層、３……量子井戸活性層、４……ｐ型Al0.45Ga0.55
Asクラッド層、５……p+型GaAsキャップ層、６……ｎ型
Al0.3Ga0.7As電流ブロック層、７……ｐ電極、８……ｎ
電極、９……ｐ型（Al0.5In0.1Ga0.4As50Å／Al0.45Ga
0.55As50Å）３周期の転位ストップ層、10……ｎ型（In
0.1Ga0.9As50Å/GaAs50Å）３周期の転位閉じ込め層、1
1,15……（Al0.2Ga0.8As50Å／In0.1Al0.3Ga0.6As50
Å）６周期光ガイド層、12,14……InxGa1-xAs量子井戸
層（ｘ＝0.03〜0.3）、13……Al0.2Ga0.8Asバリア層、2
1……（Al0.3Ga0.7As50Å／Al0.35In0.1Ga0.55As50Å）
３周期の光ガイド層、22,26……Al0.3Ga0.7As光ガイド
層、23,25……GaAs量子井戸量、24……Al0.3Ga0.7Asバ
リア層、27……（Al0.35In0.1Ga0.55As50Å／Al0.3Ga
0.7As50Å）３周期の光ガイド層、33……GaAs/AlGaAs量
子井戸活性層
Claims (4)
- 【請求項１】基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活
性層、第２導電型クラッド層が順次形成されたダブルヘ
テロ構造を内包する多層積層構造をもつGaAs/AlGaAs系
量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電型クラッ
ド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除去され、
前記除去された部分が第１導電型電流ブロック層で埋め
込まれ、前記活性層と電流ブロック層の間の第２導電型
クラッド層にInを含有した層が挿入されていることを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】基板に第１導電型クラッド層、量子井戸活
性層、第２導電型クラッド層が順次形成されたダブルヘ
テロ構造を内包する多層積層構造をもつGaAs/AlGaAs系
量子井戸半導体レーザにおいて、前記第２導電型クラッ
ド層の一部が前記活性層まで達しない深さに除去され、
前記除去された部分がInを含有する層と第１導電型電流
ブロック層で順次埋め込まれていることを特徴とする半
導体レーザ。 - 【請求項３】前記量子井戸活性層が、単一または多重の
量子井戸層と、量子井戸層のアルミニウム組成よりも大
きいアルミニウム組成をもつ光ガイド層からなり、 前記光ガイド層のみまたは前記光ガイド層と量子井戸層
の両方が、Inを含有していることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】前記量子井戸活性層が、単一または多重の
量子井戸層と、量子井戸層のアルミニウム組成よりも大
きいアルミニウム組成をもつ光ガイド層からなり、 前記光ガイド層のみまたは前記光ガイド層と量子井戸層
の両方が、Inを含有していることを特徴とする請求項２
記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195564A JP2687694B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195564A JP2687694B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480984A JPH0480984A (ja) | 1992-03-13 |
| JP2687694B2 true JP2687694B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=16343220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2195564A Expired - Fee Related JP2687694B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687694B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2755141B2 (ja) * | 1993-12-22 | 1998-05-20 | 日本電気株式会社 | 量子井戸構造半導体素子 |
| JP3857417B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2006-12-13 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62209884A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS63155388A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | 情報入力装置 |
| JP2748570B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1998-05-06 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JPH03257887A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP2195564A patent/JP2687694B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480984A (ja) | 1992-03-13 |
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