JPS6258557B2 - - Google Patents
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- JPS6258557B2 JPS6258557B2 JP56044776A JP4477681A JPS6258557B2 JP S6258557 B2 JPS6258557 B2 JP S6258557B2 JP 56044776 A JP56044776 A JP 56044776A JP 4477681 A JP4477681 A JP 4477681A JP S6258557 B2 JPS6258557 B2 JP S6258557B2
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- gaas
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- type gaas
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低閾値の駆動電流でレーザ発振する内
部ストライプ構造半導体レーザ素子の構造に関す
るものである。
部ストライプ構造半導体レーザ素子の構造に関す
るものである。
活性層の近傍に電流狭窄用のストライプ構造を
形成した内部ストライプ構造半導体レーザ素子は
電流狭窄の効率が高く低閾値の駆動電流でレーザ
発振を得ることができるものと期待されている。
第１図は内部ストライプ構造半導体レーザ素子の
基本的構成を示す構成図である。従来より提唱さ
れている内部ストライプ構造半導体レーザ素子の
構成は、ｐ−GaAs基板５上にｎ−GaAsから成る
電流阻止層６を形成した後電流阻止層６より
GaAs基板５に達するストライプ溝７を加工成形
し、この上にｐ−Ga1−yAyAsから成る第１ク
ラツド層１．ｎ−Ga1−xAxAs（０≦ｘ＜ｙ＜
１）から成る活性層２．ｎ−Ga1−yAyAsから
成る第２クラツド層３及びｎ−GaAsから成るキ
ヤツプ層４を順次積層したものである。また
GaAs基板５の下面にはｐ側電極９．キヤツプ層
４の上面にはｎ側電極８がそれぞれ形成され給電
手段が構成されている。ｎ側電極８．ｐ側電極９
を介して通電すると電流阻止層６の介在する領域
はその接合界面が逆バイアスに接合されることと
なり、この部分には電流が流れずストライプ溝７
の形成された領域のみが電流通路となる。従つて
この電流通路に対応する活性層２の領域近傍でレ
ーザ発振が開始される。
形成した内部ストライプ構造半導体レーザ素子は
電流狭窄の効率が高く低閾値の駆動電流でレーザ
発振を得ることができるものと期待されている。
第１図は内部ストライプ構造半導体レーザ素子の
基本的構成を示す構成図である。従来より提唱さ
れている内部ストライプ構造半導体レーザ素子の
構成は、ｐ−GaAs基板５上にｎ−GaAsから成る
電流阻止層６を形成した後電流阻止層６より
GaAs基板５に達するストライプ溝７を加工成形
し、この上にｐ−Ga1−yAyAsから成る第１ク
ラツド層１．ｎ−Ga1−xAxAs（０≦ｘ＜ｙ＜
１）から成る活性層２．ｎ−Ga1−yAyAsから
成る第２クラツド層３及びｎ−GaAsから成るキ
ヤツプ層４を順次積層したものである。また
GaAs基板５の下面にはｐ側電極９．キヤツプ層
４の上面にはｎ側電極８がそれぞれ形成され給電
手段が構成されている。ｎ側電極８．ｐ側電極９
を介して通電すると電流阻止層６の介在する領域
はその接合界面が逆バイアスに接合されることと
なり、この部分には電流が流れずストライプ溝７
の形成された領域のみが電流通路となる。従つて
この電流通路に対応する活性層２の領域近傍でレ
ーザ発振が開始される。
しかしながら、上記構造を有する半導体レーザ
素子に於いても実際には活性層２よりストライプ
溝７の溝幅内のみで微小スポツト状レーザ発振を
確実に実現することは困難である。以下、その理
由について第２図ａ，ｂを参照しながら説明す
る。第２図ａはストライプ溝７内に於けるエネル
ギーバンドを示し、第２図ｂはストライプ溝７外
に於けるエネルギーバンドを示す。ストライプ溝
７に於ける第１クラツド層１及びGaAs基板５は
いずれもｐ型層であり、電圧はほとんど印加され
ない。従つて、ストライプ溝７外に於ける第１ク
ラツド層１、電流阻止層６及びGaAs基板５にも
電圧は印加されず熱平衡状態のままである。波線
矢印で示すような活性層２で発生したｈν（ｈ：
プランク定数、ν；振動数）のエネルギーを有す
る光はｈνよりも大きなエネルギーギヤツプEg1
を有する第１クラツド層１を透過した後、ｈνよ
りも小さなエネルギーギヤツプEg2を有するスト
ライプ溝７近傍の電流阻止層６で吸収され、それ
によつて電子−正孔対が発生する。尚、図中白丸
は正孔、黒丸は電子を示す。その結果、電流阻止
層６には電子が蓄積され、また第１クラツド層１
には正孔が蓄積されてターンオンし、元来非導通
状態であるべき領域が導通状態に転換される。ス
トライプ溝７の近傍が導通状態となりその直上の
活性層２で発光が生じるようになるとその光で導
通状態の領域が次第に拡大していく。即ち、非導
通領域が導通領域からの光の侵入により導通状態
へ転換され、この領域が更に周辺の非導通領域を
導通状態へ転換させることになる。このような過
程が繰り返されてついには半導体レーザ素子全域
が導通状態となり、素子全体にわたつて出力光が
生起されるに至り、電流狭窄のためのストライプ
構造はその意義を失する結果となる。
素子に於いても実際には活性層２よりストライプ
溝７の溝幅内のみで微小スポツト状レーザ発振を
確実に実現することは困難である。以下、その理
由について第２図ａ，ｂを参照しながら説明す
る。第２図ａはストライプ溝７内に於けるエネル
ギーバンドを示し、第２図ｂはストライプ溝７外
に於けるエネルギーバンドを示す。ストライプ溝
７に於ける第１クラツド層１及びGaAs基板５は
いずれもｐ型層であり、電圧はほとんど印加され
ない。従つて、ストライプ溝７外に於ける第１ク
ラツド層１、電流阻止層６及びGaAs基板５にも
電圧は印加されず熱平衡状態のままである。波線
矢印で示すような活性層２で発生したｈν（ｈ：
プランク定数、ν；振動数）のエネルギーを有す
る光はｈνよりも大きなエネルギーギヤツプEg1
を有する第１クラツド層１を透過した後、ｈνよ
りも小さなエネルギーギヤツプEg2を有するスト
ライプ溝７近傍の電流阻止層６で吸収され、それ
によつて電子−正孔対が発生する。尚、図中白丸
は正孔、黒丸は電子を示す。その結果、電流阻止
層６には電子が蓄積され、また第１クラツド層１
には正孔が蓄積されてターンオンし、元来非導通
状態であるべき領域が導通状態に転換される。ス
トライプ溝７の近傍が導通状態となりその直上の
活性層２で発光が生じるようになるとその光で導
通状態の領域が次第に拡大していく。即ち、非導
通領域が導通領域からの光の侵入により導通状態
へ転換され、この領域が更に周辺の非導通領域を
導通状態へ転換させることになる。このような過
程が繰り返されてついには半導体レーザ素子全域
が導通状態となり、素子全体にわたつて出力光が
生起されるに至り、電流狭窄のためのストライプ
構造はその意義を失する結果となる。
上述の問題点を除去する手段として、電流阻止
層６に光の吸収の少ない（GaA）As層を用い
るかあるいは第１クラツド層１の厚さを充分に厚
くすることが考えられる。しかしながら（GaA
）As層表面は酸化膜が形成され易く、その上
へのエピタキシヤル成長が阻害され良好な結晶が
得られない。また第１クラツド層１の厚さを厚く
するとストライプ溝７から注入された電流は活性
層２へ到達するまでに横方向へ拡がり、このため
電流狭窄の効果が減少してスポツト発振が得られ
ず発振開始の閾値電流が増大する。
層６に光の吸収の少ない（GaA）As層を用い
るかあるいは第１クラツド層１の厚さを充分に厚
くすることが考えられる。しかしながら（GaA
）As層表面は酸化膜が形成され易く、その上
へのエピタキシヤル成長が阻害され良好な結晶が
得られない。また第１クラツド層１の厚さを厚く
するとストライプ溝７から注入された電流は活性
層２へ到達するまでに横方向へ拡がり、このため
電流狭窄の効果が減少してスポツト発振が得られ
ず発振開始の閾値電流が増大する。
本発明は上記現状に鑑み、技術的手段を駆使す
ることによつて電流狭窄効果の実を上げ低閾値で
スポツト状のレーザ発振を得ることのできる新規
有用な内部ストライプ構造を有する半導体レーザ
素子を提供することを目的とするものである。
ることによつて電流狭窄効果の実を上げ低閾値で
スポツト状のレーザ発振を得ることのできる新規
有用な内部ストライプ構造を有する半導体レーザ
素子を提供することを目的とするものである。
本発明はｎ−GaAsのキヤリア濃度が高くなる
程GaAsのバンドキヤツプよりも大きなエネルギ
ーを有する光即ち0.89μｍより短波長の光に対し
ては吸収係数αが小さくなる性質及びキヤリア濃
度が高い程少数キヤリアである正孔の拡散長Lp
が短かくなる性質を有するｎ−GaAs層を利用し
て電流狭窄のストライプ構造を構成したものであ
る。
程GaAsのバンドキヤツプよりも大きなエネルギ
ーを有する光即ち0.89μｍより短波長の光に対し
ては吸収係数αが小さくなる性質及びキヤリア濃
度が高い程少数キヤリアである正孔の拡散長Lp
が短かくなる性質を有するｎ−GaAs層を利用し
て電流狭窄のストライプ構造を構成したものであ
る。
以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第３図は本発明の半導体レーザ素子に用いられ
るｎ−GaAs層の吸収係数の波長依存性がそのキ
ヤリア濃度によつて大きく変化する様子を示す説
明図である。図中曲線１はキヤリア濃度３×
1018cm-3、２はキヤリア濃度７×1018cm-3の場
合の特性曲線である。第４図は同じく正孔の拡散
長Lpがキヤリア濃度の増大によつて短くなる様
子を示す。また同時に第４図中にｐ−GaAsに於
ける少数キヤリアである電子の拡散長Lnを示
す。ｐ−GaAsの場合はキヤリア濃度１×1018cm
-3以上では常に少数キヤリアは発光再結合をし、
その光の再吸収に起因して電子の拡散長Lnは長
い。一方、ｎ−GaAsの場合はキヤリア濃度３×
1018cm-3以下では発光再結合が中心であるが、キ
ヤリア濃度３×1018cm-3以上で急激に非発光再結
合が支配的となり正孔の拡散長Lpは短かくなる
（Ｊ，APPL，PHYS，Vo144，No.３ 1973，
P1281）。
るｎ−GaAs層の吸収係数の波長依存性がそのキ
ヤリア濃度によつて大きく変化する様子を示す説
明図である。図中曲線１はキヤリア濃度３×
1018cm-3、２はキヤリア濃度７×1018cm-3の場
合の特性曲線である。第４図は同じく正孔の拡散
長Lpがキヤリア濃度の増大によつて短くなる様
子を示す。また同時に第４図中にｐ−GaAsに於
ける少数キヤリアである電子の拡散長Lnを示
す。ｐ−GaAsの場合はキヤリア濃度１×1018cm
-3以上では常に少数キヤリアは発光再結合をし、
その光の再吸収に起因して電子の拡散長Lnは長
い。一方、ｎ−GaAsの場合はキヤリア濃度３×
1018cm-3以下では発光再結合が中心であるが、キ
ヤリア濃度３×1018cm-3以上で急激に非発光再結
合が支配的となり正孔の拡散長Lpは短かくなる
（Ｊ，APPL，PHYS，Vo144，No.３ 1973，
P1281）。
電子の拡散長Lnはキヤリア濃度を５×1018cm-3
以上としても２μｍ以下にすることはできないの
でｎ−GaAs基板上にｐ−GaAs層を形成してこれ
を電流阻止層として用いると電流阻止層の厚さは
２μｍ以上必要となり、このように厚い電流阻止
層をストライプ状にエツチングして電流通路とな
る溝を貫通形成する過程で横方向のエツチングも
相当に進行する結果となり、電流通路が開通され
た際のストライプ幅は大きく拡がり、このため狭
小幅での電流狭窄ができなくなる。これは低閾値
電流でのレーザ発振を得ることを企図したキヤリ
ア注入方式である電流狭窄上不都合である。一
方、ｐ型GaAs基板５上にｎ−GaAs層を形成して
これを電流阻止層６とする場合でも従来の如くキ
ヤリア濃度が１×1018cm-3程度であると正孔の拡
散長は２μｍ以上と長く光の吸収係数も大きいの
で電流阻止層６を２μｍ以下の厚さにすることは
できない。このことはストライプ溝の幅Ｗを６μ
ｍ以下にエツチング加工することが困難であるこ
とを意味する。第４図よりｎ−GaAsのキヤリア
濃度を３×1018cm-3以上とすると正孔の拡散長Lp
は急激に減少し、１μｍ以下となる。従つて、第
１図に示すｐ−GaAs基板５上に形成される電流
阻止層６としてｎ−GaAs層を用い、そのキヤリ
ア濃度を３×1018cm-3以上として、その厚さを１
μｍ以下に設定し、ストライプ溝７の幅Ｗを５μ
ｍ以下に加工成形することによりストライプ幅の
小さに電流狭窄機構が得られる。第３図及び第４
図より電流阻止層６であるｎ−GaAs層のキヤリ
ア濃度をより高くする程その厚さを薄くできるこ
とがわかる。例えばｎ−GaAs層のキヤリア濃度
を７×1018cm-3とすれば、レーザ発振波長0.83μ
ｍの半導体レーザ素子に於けるｎ−GaAs層内で
の吸収係数を1000cm-1、正孔の拡散長Lpを0.2μ
ｍにすることができ、ｎ−GaAs層の厚さを0.3μ
ｍ程度に薄くしても電流狭窄が可能であり、その
電流狭窄効果は高く低閾値の駆動電流でレーザ動
作を確立することができる。
以上としても２μｍ以下にすることはできないの
でｎ−GaAs基板上にｐ−GaAs層を形成してこれ
を電流阻止層として用いると電流阻止層の厚さは
２μｍ以上必要となり、このように厚い電流阻止
層をストライプ状にエツチングして電流通路とな
る溝を貫通形成する過程で横方向のエツチングも
相当に進行する結果となり、電流通路が開通され
た際のストライプ幅は大きく拡がり、このため狭
小幅での電流狭窄ができなくなる。これは低閾値
電流でのレーザ発振を得ることを企図したキヤリ
ア注入方式である電流狭窄上不都合である。一
方、ｐ型GaAs基板５上にｎ−GaAs層を形成して
これを電流阻止層６とする場合でも従来の如くキ
ヤリア濃度が１×1018cm-3程度であると正孔の拡
散長は２μｍ以上と長く光の吸収係数も大きいの
で電流阻止層６を２μｍ以下の厚さにすることは
できない。このことはストライプ溝の幅Ｗを６μ
ｍ以下にエツチング加工することが困難であるこ
とを意味する。第４図よりｎ−GaAsのキヤリア
濃度を３×1018cm-3以上とすると正孔の拡散長Lp
は急激に減少し、１μｍ以下となる。従つて、第
１図に示すｐ−GaAs基板５上に形成される電流
阻止層６としてｎ−GaAs層を用い、そのキヤリ
ア濃度を３×1018cm-3以上として、その厚さを１
μｍ以下に設定し、ストライプ溝７の幅Ｗを５μ
ｍ以下に加工成形することによりストライプ幅の
小さに電流狭窄機構が得られる。第３図及び第４
図より電流阻止層６であるｎ−GaAs層のキヤリ
ア濃度をより高くする程その厚さを薄くできるこ
とがわかる。例えばｎ−GaAs層のキヤリア濃度
を７×1018cm-3とすれば、レーザ発振波長0.83μ
ｍの半導体レーザ素子に於けるｎ−GaAs層内で
の吸収係数を1000cm-1、正孔の拡散長Lpを0.2μ
ｍにすることができ、ｎ−GaAs層の厚さを0.3μ
ｍ程度に薄くしても電流狭窄が可能であり、その
電流狭窄効果は高く低閾値の駆動電流でレーザ動
作を確立することができる。
以下、実施例に従つて本発明を説明する。
実施例 １
１×1018cm-3のキヤリア濃度を有するZnドープ
ｐ−GaAs基板５上に液相エピタキシヤル成長法
によりキヤリア濃度５×1018cm-3を有するTeドー
プｎ−GaAsから成る電流阻止層６を0.6μｍの厚
さに成長させる。その後、電流阻止層６より
GaAs基板５に至る迄ストライプ状の溝７をエツ
チング加工する。ストライプ溝７の幅Ｗは３μｍ
とする。このストライプ溝７を300μｍのピツチ
で形成した後、再度液相エピタキシヤル成長法で
Znドープｐ−Ga0.7A0.3Asから成る第１クラツ
ド層を層厚0.5μｍで、Siドープｎ−Ga0.95A0.
05Asから成る活性層２を層厚0.1μｍで、Teドー
プｎ−Ga0.7A0.3Asから成る第２クラツド層３
を層厚１μｍで、Teドープｎ−GaAsから成るキ
ヤツプ層４を層厚３μｍで、それぞれ順次堆積さ
せる。次にｐ側電極９及びｎ側電極８を蒸着形成
し、ストライプ溝７を中心とする300μｍ幅にウ
エハーを分割し、劈開法で共振器端面を形成して
半導体レーザ素子とする。
ｐ−GaAs基板５上に液相エピタキシヤル成長法
によりキヤリア濃度５×1018cm-3を有するTeドー
プｎ−GaAsから成る電流阻止層６を0.6μｍの厚
さに成長させる。その後、電流阻止層６より
GaAs基板５に至る迄ストライプ状の溝７をエツ
チング加工する。ストライプ溝７の幅Ｗは３μｍ
とする。このストライプ溝７を300μｍのピツチ
で形成した後、再度液相エピタキシヤル成長法で
Znドープｐ−Ga0.7A0.3Asから成る第１クラツ
ド層を層厚0.5μｍで、Siドープｎ−Ga0.95A0.
05Asから成る活性層２を層厚0.1μｍで、Teドー
プｎ−Ga0.7A0.3Asから成る第２クラツド層３
を層厚１μｍで、Teドープｎ−GaAsから成るキ
ヤツプ層４を層厚３μｍで、それぞれ順次堆積さ
せる。次にｐ側電極９及びｎ側電極８を蒸着形成
し、ストライプ溝７を中心とする300μｍ幅にウ
エハーを分割し、劈開法で共振器端面を形成して
半導体レーザ素子とする。
この内部ストライプ構造半導体レーザ素子は発
振波長が0.83μｍであり、その発振閾値は共振器
長を250μｍとした場合平均して25mAであつ
た。
振波長が0.83μｍであり、その発振閾値は共振器
長を250μｍとした場合平均して25mAであつ
た。
実施例 ２
１×1019cm-3のキヤリア濃度を有するZnドープ
ｐ−GaAs基板５上に液相エピタキシヤル成長法
によりキヤリア濃度７×1019cm-3を有するTeドー
プｎ−GaAsから成る電流阻止層６を0.8μｍの厚
さに成長させる。その後、電流阻止層６より
GaAs基板５に至る迄ストライプ状の溝７をエツ
チング加工する。ストライプ溝７の幅Ｗは3.5μ
ｍとする。このストライプ溝７を300μｍピツチ
で形成した後、再度液相エピタキシヤル成長法で
Znドープｐ−Ga0.5A0.5Asから成る第１クラツ
ド層１を層厚0.5μｍで、Siドープｎ−Ga0.86A
0.14Asから成る活性層２を層厚0.1μｍで、Teド
ープｎ−Ga0.5A0.5Asから成る第２クラツド層
３を層厚１μｍで、Teドープｎ−GaAsから成る
キヤツプ層４を層厚３μｍで、順次堆積する。次
にｐ側電極９及びｎ側電極８を蒸着形成し、スト
ライプ溝７を中心とする300μｍ幅にウエハーを
分割し、共振器を劈開法で形成する。この内部ス
トライプ構造半導体レーザ素子は発振波長が0.78
μｍでありその発振閾値は共振器長を250μｍと
した場合、平均して30mAであつた。
ｐ−GaAs基板５上に液相エピタキシヤル成長法
によりキヤリア濃度７×1019cm-3を有するTeドー
プｎ−GaAsから成る電流阻止層６を0.8μｍの厚
さに成長させる。その後、電流阻止層６より
GaAs基板５に至る迄ストライプ状の溝７をエツ
チング加工する。ストライプ溝７の幅Ｗは3.5μ
ｍとする。このストライプ溝７を300μｍピツチ
で形成した後、再度液相エピタキシヤル成長法で
Znドープｐ−Ga0.5A0.5Asから成る第１クラツ
ド層１を層厚0.5μｍで、Siドープｎ−Ga0.86A
0.14Asから成る活性層２を層厚0.1μｍで、Teド
ープｎ−Ga0.5A0.5Asから成る第２クラツド層
３を層厚１μｍで、Teドープｎ−GaAsから成る
キヤツプ層４を層厚３μｍで、順次堆積する。次
にｐ側電極９及びｎ側電極８を蒸着形成し、スト
ライプ溝７を中心とする300μｍ幅にウエハーを
分割し、共振器を劈開法で形成する。この内部ス
トライプ構造半導体レーザ素子は発振波長が0.78
μｍでありその発振閾値は共振器長を250μｍと
した場合、平均して30mAであつた。
以上詳説した如く、本発明は電流阻止層となる
ｎ−GaAsのキヤリア濃度を３×1018cm-3以上と
し、光の吸収及び正孔の拡散長の両面より有利な
条件を確立することにより低閾値の駆動電流特性
を有する内部ストライプ構造半導体レーザ素子を
確立することができる。
ｎ−GaAsのキヤリア濃度を３×1018cm-3以上と
し、光の吸収及び正孔の拡散長の両面より有利な
条件を確立することにより低閾値の駆動電流特性
を有する内部ストライプ構造半導体レーザ素子を
確立することができる。
尚、本発明は光の吸収係数及び少数キヤリアの
拡散長のキヤリア濃度依存性がｎ型GaAsと同様
な性質を有する材料であれば、いかなるものにで
も適用できる。またダブルヘテロ接合型の半導体
レーザ素子以外にシングルヘテロ接合型あるいは
マルチヘテロ接合型にも適用可能である。更に半
導体レーザ以外の発光素子にも応用し得るもので
ある。
拡散長のキヤリア濃度依存性がｎ型GaAsと同様
な性質を有する材料であれば、いかなるものにで
も適用できる。またダブルヘテロ接合型の半導体
レーザ素子以外にシングルヘテロ接合型あるいは
マルチヘテロ接合型にも適用可能である。更に半
導体レーザ以外の発光素子にも応用し得るもので
ある。
第１図は内部ストライプ構造半導体レーザ素子
の基本的構成を示す構成図である。第２図ａ，ｂ
はストライプ溝内外のエネルギーバンドを示す説
明図である。第３図はｎ−GaAs層の吸収係数の
波長及びキヤリア依存性を示す説明図である。第
４図はｎ−GaAs層に於ける電子の拡散長Lnと正
孔の拡散長Lpのキヤリア濃度依存性を示す説明
図である。 １……第１クラツド層、２……活性層、３……
第２クラツド層、４……キヤツプ層、５……
GaAs基板、６……電流阻止層。
の基本的構成を示す構成図である。第２図ａ，ｂ
はストライプ溝内外のエネルギーバンドを示す説
明図である。第３図はｎ−GaAs層の吸収係数の
波長及びキヤリア依存性を示す説明図である。第
４図はｎ−GaAs層に於ける電子の拡散長Lnと正
孔の拡散長Lpのキヤリア濃度依存性を示す説明
図である。 １……第１クラツド層、２……活性層、３……
第２クラツド層、４……キヤツプ層、５……
GaAs基板、６……電流阻止層。
Claims (1)
- １ ｐ型GaAs基板上にｎ型GaAs層がエピタキシ
ヤル成長されかつ該ｎ型GaAs層をストライプ状
に貫通して前記ｐ型GaAs基板に達する深さの溝
が加工形成され、この上にクラツド層で挾設され
た活性層を内包するレーザ動作用多層結晶が堆積
されて成る半導体レーザ素子において、前記溝
は、前記レーザ動作用多層結晶に対してキヤリア
注入する電流通路となり、前記ｎ型GaAs層は、
前記レーザ動作用多層結晶に対して逆極性のキヤ
リア濃度３×1018cm-3以上を有する導電型に設定
されかつその層厚が非発光再結合によつて定まる
正孔の拡散長より若干厚く設定され、前記活性層
は、光が前記ｎ型GaAs層に吸収される範囲に前
記ｎ型GaAs層と近接して配置されていることを
特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4477681A JPS57159084A (en) | 1981-03-25 | 1981-03-25 | Semiconductor laser element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4477681A JPS57159084A (en) | 1981-03-25 | 1981-03-25 | Semiconductor laser element |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61314271A Division JPS62162387A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体レ−ザ素子の結晶成長用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57159084A JPS57159084A (en) | 1982-10-01 |
| JPS6258557B2 true JPS6258557B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=12700813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4477681A Granted JPS57159084A (en) | 1981-03-25 | 1981-03-25 | Semiconductor laser element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57159084A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11565429B2 (en) | 2018-01-19 | 2023-01-31 | Ocado Innovation Limited | Grasping affordance for use in a robot system |
| US11745337B2 (en) | 2019-08-29 | 2023-09-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Handling device, control device, and computer program product |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990979A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| DE3483733D1 (de) * | 1983-04-27 | 1991-01-24 | Toshiba Kawasaki Kk | Halbleiterlaser. |
| JPH085575Y2 (ja) * | 1986-05-09 | 1996-02-14 | 三洋電機株式会社 | 半導体レ−ザ |
| JPS62162387A (ja) * | 1986-12-26 | 1987-07-18 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子の結晶成長用基板 |
| JP2914847B2 (ja) * | 1993-07-09 | 1999-07-05 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5156188A (ja) * | 1974-11-13 | 1976-05-17 | Hitachi Ltd | Handotaireezasochi |
-
1981
- 1981-03-25 JP JP4477681A patent/JPS57159084A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5156188A (ja) * | 1974-11-13 | 1976-05-17 | Hitachi Ltd | Handotaireezasochi |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11565429B2 (en) | 2018-01-19 | 2023-01-31 | Ocado Innovation Limited | Grasping affordance for use in a robot system |
| US11745337B2 (en) | 2019-08-29 | 2023-09-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Handling device, control device, and computer program product |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57159084A (en) | 1982-10-01 |
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