JPS62162387A - 半導体レ−ザ素子の結晶成長用基板 - Google Patents
半導体レ−ザ素子の結晶成長用基板Info
- Publication number
- JPS62162387A JPS62162387A JP61314271A JP31427186A JPS62162387A JP S62162387 A JPS62162387 A JP S62162387A JP 61314271 A JP61314271 A JP 61314271A JP 31427186 A JP31427186 A JP 31427186A JP S62162387 A JPS62162387 A JP S62162387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- gaas
- carrier concentration
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は低閾値の駆動電流でレーザ発振する内部ストラ
イプ構造半導体レーザ素子を製作する上で有効となる結
晶成長用下地基板の構造に関するものである。
イプ構造半導体レーザ素子を製作する上で有効となる結
晶成長用下地基板の構造に関するものである。
〈従来技術〉
活性層の近傍に電流狭窄用のストライブ構造を形成した
内部ストライプ構造半導体レーザ素子は電流狭窄の効率
が高く低閾値の駆動電流でレーザ発振を得ることができ
るものと期待されている。
内部ストライプ構造半導体レーザ素子は電流狭窄の効率
が高く低閾値の駆動電流でレーザ発振を得ることができ
るものと期待されている。
第２図は内部ストライプ構造半導体レーザ素子の基本的
構成を示す構成図である。従来より提唱されている内部
ストライプ構造半導体レーザ素子の構成は、ｐ−ＧａＡ
ｓ基板５上にｎ−ＧａＡｓから成る電流阻止層６を形成
した後電流阻止層６よ、！ＩＩ） ＧａＡｓ基板５に達
するストライプ溝７を加工成形し、この上にｐ−ＧａＡ
ｔＡｓから成る第１クラッド１−Ｖ ３’ 層１．ｎ−Ｇａ ＡｔＡｓ（０≦ｘ＜ｙ＜１）から
成１−Ｘ Ｘ る活性層２ 、 ｎ−Ｇａ Ａｔ Ａｓから成る第
２り１−ｙ：Ｙ ラッド層３及びｎ−ＧａＡｓから成るキャップ層４を順
次積層したものである。またＧａＡｓ基板５の下面には
ｐ側電極９．キャップ層４の上面にはｎ側電極８がそれ
ぞれ形成され給電手段が構成されている。ｎ側電極８．
ｐ側電極９を介して通電すると電流阻示層６の介在する
領域はその接合界面が逆バイアスに接合されることとな
り、この部分には電流が流れずストライプ溝７の形成さ
れた領域のみが電流通路となる。従ってこの電流通路に
対応する活性層２の領域近傍でレーザ発振が開始される
。
構成を示す構成図である。従来より提唱されている内部
ストライプ構造半導体レーザ素子の構成は、ｐ−ＧａＡ
ｓ基板５上にｎ−ＧａＡｓから成る電流阻止層６を形成
した後電流阻止層６よ、！ＩＩ） ＧａＡｓ基板５に達
するストライプ溝７を加工成形し、この上にｐ−ＧａＡ
ｔＡｓから成る第１クラッド１−Ｖ ３’ 層１．ｎ−Ｇａ ＡｔＡｓ（０≦ｘ＜ｙ＜１）から
成１−Ｘ Ｘ る活性層２ 、 ｎ−Ｇａ Ａｔ Ａｓから成る第
２り１−ｙ：Ｙ ラッド層３及びｎ−ＧａＡｓから成るキャップ層４を順
次積層したものである。またＧａＡｓ基板５の下面には
ｐ側電極９．キャップ層４の上面にはｎ側電極８がそれ
ぞれ形成され給電手段が構成されている。ｎ側電極８．
ｐ側電極９を介して通電すると電流阻示層６の介在する
領域はその接合界面が逆バイアスに接合されることとな
り、この部分には電流が流れずストライプ溝７の形成さ
れた領域のみが電流通路となる。従ってこの電流通路に
対応する活性層２の領域近傍でレーザ発振が開始される
。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記構造を有する半導体レーザ素子に於
いても実際には活性層２よりストライプ溝７の溝幅内の
みでの微小スポット状レーザ発振を確実に実現すること
は困難である。以下、その理由について第３図（ａ）（
ｂ）を参照しながら説明する。
いても実際には活性層２よりストライプ溝７の溝幅内の
みでの微小スポット状レーザ発振を確実に実現すること
は困難である。以下、その理由について第３図（ａ）（
ｂ）を参照しながら説明する。
第３図（ａ）はストライプ溝７内に於けるエネルギーバ
ンドを示し、第３図（ｂ）はストライプ溝７外に於ける
エネルギーバンドを示す。ストライプ溝７に於ける第１
クラッド層１及びＧａＡｓ基板５はいずれもｐ型層であ
り、電圧はほとんど印加されない。
ンドを示し、第３図（ｂ）はストライプ溝７外に於ける
エネルギーバンドを示す。ストライプ溝７に於ける第１
クラッド層１及びＧａＡｓ基板５はいずれもｐ型層であ
り、電圧はほとんど印加されない。
従って、ストライプ溝７外に於ける第１クラッド層１、
電流阻止層６及びＧａＡｓ基板５にも電圧は印加されず
熱平衡状態のままである。波線矢印で示すような活性層
２で発生したｈν（ｈニブランク定数、シ：振動数）の
エネルギーを有する光はｈνよりも大きなエネルギーギ
ャップＥｇ□を有する第１クラッド層１を透過した後、
ｈνよりも小さなエネルギーギャップＥｇ２を有するス
トライプ溝７近傍の電流阻止層６で吸収され、それによ
って電子−正孔対が発生する０尚、図中白丸は正孔、黒
丸は電子を示す。その結果、電流阻止層６には電子が蓄
積され、また第１クラッド層１には正孔が蓄積されてタ
ーンオンし、元来非導通状態であるべき領域が導通状態
に転換される。ストライプ溝７の近傍が導通状態となり
その直上の活性層２で発光が生じるようになるとその光
で導通状態の領域が次第に拡大していく。即ち、非導通
領域が導通領域からの光の侵入により導通状態へ転換さ
れ、この領域が更に周辺の非導通領域を導通状態へ転換
させることになる。このような過程が繰り返されてつい
には半導体レーザ素子全域が導通状態となり、素子全体
にわたって出力光が生起されるに至り、電流狭窄のため
のストライプ構造はその意義を失する結果となる。
電流阻止層６及びＧａＡｓ基板５にも電圧は印加されず
熱平衡状態のままである。波線矢印で示すような活性層
２で発生したｈν（ｈニブランク定数、シ：振動数）の
エネルギーを有する光はｈνよりも大きなエネルギーギ
ャップＥｇ□を有する第１クラッド層１を透過した後、
ｈνよりも小さなエネルギーギャップＥｇ２を有するス
トライプ溝７近傍の電流阻止層６で吸収され、それによ
って電子−正孔対が発生する０尚、図中白丸は正孔、黒
丸は電子を示す。その結果、電流阻止層６には電子が蓄
積され、また第１クラッド層１には正孔が蓄積されてタ
ーンオンし、元来非導通状態であるべき領域が導通状態
に転換される。ストライプ溝７の近傍が導通状態となり
その直上の活性層２で発光が生じるようになるとその光
で導通状態の領域が次第に拡大していく。即ち、非導通
領域が導通領域からの光の侵入により導通状態へ転換さ
れ、この領域が更に周辺の非導通領域を導通状態へ転換
させることになる。このような過程が繰り返されてつい
には半導体レーザ素子全域が導通状態となり、素子全体
にわたって出力光が生起されるに至り、電流狭窄のため
のストライプ構造はその意義を失する結果となる。
上述の問題点を除去する手段として、電流阻止層６に光
の吸収の少ない（ＧａＡｔ）Ａｓ層を用いるかあるいは
第１クラッド層１の厚さを充分に厚くすることが考えら
れる。しかしながら（ＧａＡｔ）Ａｓ層表面は酸化膜が
形成され易く、その上へのエピタキシャル成長が阻害さ
れ良好な結晶が得られない。また第１クラッド層１の厚
さを厚くするとストライプ溝７から注入された電流は活
性層２へ到達するまでに横方向へ拡がり、このため電流
狭窄の効果が減少してスポット発振が得られず発振開始
の閾値電流が増大する。
の吸収の少ない（ＧａＡｔ）Ａｓ層を用いるかあるいは
第１クラッド層１の厚さを充分に厚くすることが考えら
れる。しかしながら（ＧａＡｔ）Ａｓ層表面は酸化膜が
形成され易く、その上へのエピタキシャル成長が阻害さ
れ良好な結晶が得られない。また第１クラッド層１の厚
さを厚くするとストライプ溝７から注入された電流は活
性層２へ到達するまでに横方向へ拡がり、このため電流
狭窄の効果が減少してスポット発振が得られず発振開始
の閾値電流が増大する。
〈発明の概要〉
本発明は上記現状に鑑み、技術的手段を駆使することに
よって電流狭窄効果の実を上げ低閾値でスポット状のレ
ーザ発振を得ることのできる新規有用な内部ストライプ
構造を有する半導体レーザ素子を提供することを目的と
するものである。
よって電流狭窄効果の実を上げ低閾値でスポット状のレ
ーザ発振を得ることのできる新規有用な内部ストライプ
構造を有する半導体レーザ素子を提供することを目的と
するものである。
本発明はｎ−ＧａＡｓのキャリア濃度が高くなる程Ｇａ
Ａｓのバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する
光即ち０．８９μｍより短波長の光に対しては吸収係数
αが小さくなる性質及びキャリア濃度が高い程少数キャ
リアである正孔の拡散長り。
Ａｓのバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する
光即ち０．８９μｍより短波長の光に対しては吸収係数
αが小さくなる性質及びキャリア濃度が高い程少数キャ
リアである正孔の拡散長り。
が短かくなる性質を有するｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ層を利
用して電流狭窄の信頼性を向上させることのできるスト
ライプ構造を製作する半導体レーザ素子製作用結晶成長
下地基板を提供するものである。
用して電流狭窄の信頼性を向上させることのできるスト
ライプ構造を製作する半導体レーザ素子製作用結晶成長
下地基板を提供するものである。
〈実施例〉
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第１図（Ａ）は本発明の半導体レーザ素子結晶成長用基
板に電流阻止層として用いられるｎ−ＧａＡｓ層の吸収
係数の波長依存性がそのキャリア濃度によって大きく変
化する様子を示す説明図である。
板に電流阻止層として用いられるｎ−ＧａＡｓ層の吸収
係数の波長依存性がそのキャリア濃度によって大きく変
化する様子を示す説明図である。
図中曲線ｔ！はキャリア濃度３Ｘ１０” 、ｔ２
はキャリア濃度７×１０′８０ の場合の特性曲線であ
る。第１図（Ｂ）は同じく正孔の拡散長Ｌｐがキャリア
濃度の増大によって短くなる様子を示す。
はキャリア濃度７×１０′８０ の場合の特性曲線であ
る。第１図（Ｂ）は同じく正孔の拡散長Ｌｐがキャリア
濃度の増大によって短くなる様子を示す。
また同時に第１図（Ｂ）中にｐ−ＧａＡｓに於ける少数
キャリアである電子の拡散長Ｌｎを示す。ｐ−ＧａＡｓ
の場合はキャリア濃度１×１０１８ｃｒｎ 以上で
は常に少数キャリアは発光再結合をし、その光の再吸収
に起因して電子の拡散長Ｌｎは長い。一方、ｎ Ｇａ
Ａｓの場合はキャリア濃度３ Ｘ １０ ”ｔｙｎ−３
以下では発光再結合が中心であるが、キャリア４度３Ｘ
１０１８ｍ 以上で、＠、激に非発光再結合が支配的
となり正孔の拡散長し、は短かくなる（Ｊ。
キャリアである電子の拡散長Ｌｎを示す。ｐ−ＧａＡｓ
の場合はキャリア濃度１×１０１８ｃｒｎ 以上で
は常に少数キャリアは発光再結合をし、その光の再吸収
に起因して電子の拡散長Ｌｎは長い。一方、ｎ Ｇａ
Ａｓの場合はキャリア濃度３ Ｘ １０ ”ｔｙｎ−３
以下では発光再結合が中心であるが、キャリア４度３Ｘ
１０１８ｍ 以上で、＠、激に非発光再結合が支配的
となり正孔の拡散長し、は短かくなる（Ｊ。
ＡＰＰＬ、ＰＨＹＳ 、Ｖｏ１４４ 、Ｎｏ−３１９７
３゜Ｐ１２８１）。
３゜Ｐ１２８１）。
電子の拡散長Ｌ はキャリア濃度を５×１０１８ｃｒｎ
−３以上としても２μｍ以下にすることはできないので
ｎ−ＧａＡｓ基板上にｐ−ＧａＡｓ層を形成してこれを
電流阻止層として用いることは電流狭宇上不都合である
。一方、ｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ−ＧａＡｓ層を形成し
てこれを電流阻止層とする場合でも従来の如くキャリア
濃度がｌＸｌ０１８ｏｙ＋ 程度であると正孔の拡散
長は２μｍ以上と長く光の吸収係数も大きいので電流阻
止層を２μｍ以下の厚さにすることはできない。このこ
とはストライプ溝の幅Ｗを６μｍ以下にエツチング加工
することが困難であることを意味する。第１図（Ｂ）よ
りｎ −ＧａＡｓのキャリア濃度を３Ｘ１０”α 以上
とすると正孔の拡散長Ｌｐは急激に減少し、１μｍ以下
となる。従って、第２図に示すｐ−ＧａＡｓ基板５上に
形成される電流阻止層６としてｎ−ＧａＡｓ層を用い、
そのキャリア濃度を３Ｘ１０１８ｍ 以上として、そ
の厚さを１μｍ以下に設定し、ストライプ溝７の幅Ｗを
５μｍ以下に加工成形することによりストライプ幅の小
さい電流狭窄機構が得られる。
−３以上としても２μｍ以下にすることはできないので
ｎ−ＧａＡｓ基板上にｐ−ＧａＡｓ層を形成してこれを
電流阻止層として用いることは電流狭宇上不都合である
。一方、ｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ−ＧａＡｓ層を形成し
てこれを電流阻止層とする場合でも従来の如くキャリア
濃度がｌＸｌ０１８ｏｙ＋ 程度であると正孔の拡散
長は２μｍ以上と長く光の吸収係数も大きいので電流阻
止層を２μｍ以下の厚さにすることはできない。このこ
とはストライプ溝の幅Ｗを６μｍ以下にエツチング加工
することが困難であることを意味する。第１図（Ｂ）よ
りｎ −ＧａＡｓのキャリア濃度を３Ｘ１０”α 以上
とすると正孔の拡散長Ｌｐは急激に減少し、１μｍ以下
となる。従って、第２図に示すｐ−ＧａＡｓ基板５上に
形成される電流阻止層６としてｎ−ＧａＡｓ層を用い、
そのキャリア濃度を３Ｘ１０１８ｍ 以上として、そ
の厚さを１μｍ以下に設定し、ストライプ溝７の幅Ｗを
５μｍ以下に加工成形することによりストライプ幅の小
さい電流狭窄機構が得られる。
第１図（Ａ）（Ｂ）より電流阻止層６であるｎ−ＧａＡ
ｓ層のキャリア濃度をより高くする程その厚さを薄くで
きることがわかる。例えばｎ−ＧａＡｓ層のキャリア濃
度を７×１０１８ｃｒｎ とすれば、この上にエピタ
キシャル成長された多層結晶から成るレーザ発振波長０
．８３μｍの半導体レーザ素子に於は正孔の拡散長り、
を０．２μｍにすることができ、ｎ−ＧａＡｓ層の厚さ
を０．３μｍ程度に薄くしても溝加工後の電流狭窄が可
能であり、その電流狭窄効果は高く低閾値の駆動電流で
半導体レーザ素子のレーザ動作を得ることができる。
ｓ層のキャリア濃度をより高くする程その厚さを薄くで
きることがわかる。例えばｎ−ＧａＡｓ層のキャリア濃
度を７×１０１８ｃｒｎ とすれば、この上にエピタ
キシャル成長された多層結晶から成るレーザ発振波長０
．８３μｍの半導体レーザ素子に於は正孔の拡散長り、
を０．２μｍにすることができ、ｎ−ＧａＡｓ層の厚さ
を０．３μｍ程度に薄くしても溝加工後の電流狭窄が可
能であり、その電流狭窄効果は高く低閾値の駆動電流で
半導体レーザ素子のレーザ動作を得ることができる。
以下、本発明を半導体レーザ素子の成長用基板として適
用した各種実施例について説明する。
用した各種実施例について説明する。
〔実施例 １〕
Ｉ Ｘ １０”ｃｍ のキャリア濃度を有する２ ド
−プｐ−ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル成長法に
よシキャリア濃度５ Ｘ １０１８ｔ：ｍ を有する
Ｔ ドープｎ−ＧａＡｓ層を０．６μｍの厚さに成長さ
せこれを半導体レーザ素子の結晶成長用下地基板として
用いる。ｎ−ＧａＡｓ層よりＧａＡｓ基板に至る迄スト
ライプ状の溝をエツチング加工する。
−プｐ−ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル成長法に
よシキャリア濃度５ Ｘ １０１８ｔ：ｍ を有する
Ｔ ドープｎ−ＧａＡｓ層を０．６μｍの厚さに成長さ
せこれを半導体レーザ素子の結晶成長用下地基板として
用いる。ｎ−ＧａＡｓ層よりＧａＡｓ基板に至る迄スト
ライプ状の溝をエツチング加工する。
ストライプ溝の幅Ｗは３μｍとする。このストライプ溝
を３００μｍのピッチで形成した後、再度液相エピタキ
シャル成長法でＺｎドープｐ −Ｇ ａ （Ｌ ７Ａｔ
ｏ、３ＡＳから成る第１クラッド層を層厚０．５μｍで
Ｓｉドープ”’−Ｇａｏ、９５Ａｔ（１０５Ａｓから成
る活性層を層厚０．１μｍで、Ｔ ドープｎ −Ｇ ａ
ｏ、 ７ＡｔＱ ３ＡＳから成る第２クラッド層を層
厚１μｍで、Ｔ ドープｎ−ＧａＡｓから成るキャップ
層を層厚３μｍで、それぞれ順次堆積させる。次にｐ側
電極及びｎ側電極を蒸着形成し、ストライプ溝を中心と
する３００μｍ幅にウェハーを分割し、弁開法で共振器
端面を形成して半導体レーザ素子とする。
を３００μｍのピッチで形成した後、再度液相エピタキ
シャル成長法でＺｎドープｐ −Ｇ ａ （Ｌ ７Ａｔ
ｏ、３ＡＳから成る第１クラッド層を層厚０．５μｍで
Ｓｉドープ”’−Ｇａｏ、９５Ａｔ（１０５Ａｓから成
る活性層を層厚０．１μｍで、Ｔ ドープｎ −Ｇ ａ
ｏ、 ７ＡｔＱ ３ＡＳから成る第２クラッド層を層
厚１μｍで、Ｔ ドープｎ−ＧａＡｓから成るキャップ
層を層厚３μｍで、それぞれ順次堆積させる。次にｐ側
電極及びｎ側電極を蒸着形成し、ストライプ溝を中心と
する３００μｍ幅にウェハーを分割し、弁開法で共振器
端面を形成して半導体レーザ素子とする。
この内部ストライプ構造半導体レーザ素子はｐ−ＧａＡ
ｓ基板上のｎ−ＧａＡｓ層が定流阻止層として働き、発
振波長が０．８３μｍであり、その発掘閾値は共振器長
を２５０μｍとした場合平均して２５ｍＡであった。
ｓ基板上のｎ−ＧａＡｓ層が定流阻止層として働き、発
振波長が０．８３μｍであり、その発掘閾値は共振器長
を２５０μｍとした場合平均して２５ｍＡであった。
〔実施例 ２〕
ｌＸｌ０′９ｍ のキャリア濃度を有するＺｎ ド
ープｐ−ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル成長法に
よシキャリア濃度７ Ｘ １０１９ｃｍ を有するＴ
ドープｎ−ＧａＡｓ層を０．８μｍの厚さに成長させ
これを半導体レーザ素子の結晶成長用下地基板として用
いる。ｎ−ＧａＡｓ層よりＧａＡｓ基板に至る迄ストラ
イプ状の溝をエツチング加工する。
ープｐ−ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル成長法に
よシキャリア濃度７ Ｘ １０１９ｃｍ を有するＴ
ドープｎ−ＧａＡｓ層を０．８μｍの厚さに成長させ
これを半導体レーザ素子の結晶成長用下地基板として用
いる。ｎ−ＧａＡｓ層よりＧａＡｓ基板に至る迄ストラ
イプ状の溝をエツチング加工する。
ストライプ溝の幅Ｗは３．５μｍとする。このストライ
プ溝を３００μｍピッチで形成した後、再度液相エピタ
キシャル成長法でＺｎドープｐ −Ｇａ ｏ、５Ａｔ□
、５ＡＳから成る第１クラッド層を層厚０．５μｍで、
Ｓｉドープｎ ’−Ｇ ａ Ｏ，ｇ６ Ａ ｔｏ、 １
４ Ａ Ｓから成る活性層を層厚０．１μｍで、Ｔｅド
ープｎ −Ｇ ａ （Ｌ５ Ａｌ−（３，５Ａｓから成
る第２クラッド層を層厚１μｍで、Ｔ８ドープｎ−Ｇａ
Ａｓから成るキャップ層を層厚３μｍで、順次堆積する
。次にｐ側電極及びｎ側電極を蒸着形成し、ストライプ
溝を中心とする３００μｍ幅にウェハーを分割し、共振
器を弁開法で形成する。この内部ストライプ構造半導体
レーザ素子は発振波長０，７８μｍでありその発振閾値
は共振器長を２５０μｍとした場合、平均して３０ｍＡ
であった。
プ溝を３００μｍピッチで形成した後、再度液相エピタ
キシャル成長法でＺｎドープｐ −Ｇａ ｏ、５Ａｔ□
、５ＡＳから成る第１クラッド層を層厚０．５μｍで、
Ｓｉドープｎ ’−Ｇ ａ Ｏ，ｇ６ Ａ ｔｏ、 １
４ Ａ Ｓから成る活性層を層厚０．１μｍで、Ｔｅド
ープｎ −Ｇ ａ （Ｌ５ Ａｌ−（３，５Ａｓから成
る第２クラッド層を層厚１μｍで、Ｔ８ドープｎ−Ｇａ
Ａｓから成るキャップ層を層厚３μｍで、順次堆積する
。次にｐ側電極及びｎ側電極を蒸着形成し、ストライプ
溝を中心とする３００μｍ幅にウェハーを分割し、共振
器を弁開法で形成する。この内部ストライプ構造半導体
レーザ素子は発振波長０，７８μｍでありその発振閾値
は共振器長を２５０μｍとした場合、平均して３０ｍＡ
であった。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、本発明は半導体レーザ素子における
電流阻止層として作用するｎ−ＧａＡｓのキャリア濃度
を３Ｘ１０１８ＬＭ 以上とし、ｐ −ＧａＡｓ基板
上にエピタキシャル成長させて結晶成長用下地基板を構
成し光の吸収及び正孔の拡散長の両面より有利な条件を
提供する基板構造を確立することにより電流狭窄効果が
高く低閾値の駆動電流特性を有する内部ストライプ構造
半導体レーザ素子の実現を可能とすることができる。
電流阻止層として作用するｎ−ＧａＡｓのキャリア濃度
を３Ｘ１０１８ＬＭ 以上とし、ｐ −ＧａＡｓ基板
上にエピタキシャル成長させて結晶成長用下地基板を構
成し光の吸収及び正孔の拡散長の両面より有利な条件を
提供する基板構造を確立することにより電流狭窄効果が
高く低閾値の駆動電流特性を有する内部ストライプ構造
半導体レーザ素子の実現を可能とすることができる。
尚、本発明は光の吸収係数及び少数キャリアの拡散長の
キャリア濃度依存性がｎ型ＧａＡｓと同様な性質を有す
る材料であれば、いかなるものにでも適用できる。また
ダブルへテロ接合型の半導体レーザ素子以外にンングル
ヘテロ接合型あるいはマルチへテロ接合型にも適用可能
である。更に半導体レーザ以外の発光素子にも応用し得
るものである。
キャリア濃度依存性がｎ型ＧａＡｓと同様な性質を有す
る材料であれば、いかなるものにでも適用できる。また
ダブルへテロ接合型の半導体レーザ素子以外にンングル
ヘテロ接合型あるいはマルチへテロ接合型にも適用可能
である。更に半導体レーザ以外の発光素子にも応用し得
るものである。
第１図（Ａ）（Ｂ）本発明の説明に供するｎ−ＧａＡｓ
層の特性を示す説明図である。 第２図は内部ストライプ構造半導体レーザ素子の基本的
構成を示す構成図である。 第３図（ａ）（ｂ）はストライプ溝内外のエネルギーバ
ンドを示す説明図である。 １・・・第１クラッド層 ２・・活性層３・・・第２
クラッド層 ４・・・キャップ層５・・・ＧａＡｓ基
板 ６・・・電流阻止層代理人 弁理士 杉 山
毅 至（他１名）４表（４ｍ） （Ａ） （Ｂ＞ 第１団 第２図 第３図
層の特性を示す説明図である。 第２図は内部ストライプ構造半導体レーザ素子の基本的
構成を示す構成図である。 第３図（ａ）（ｂ）はストライプ溝内外のエネルギーバ
ンドを示す説明図である。 １・・・第１クラッド層 ２・・活性層３・・・第２
クラッド層 ４・・・キャップ層５・・・ＧａＡｓ基
板 ６・・・電流阻止層代理人 弁理士 杉 山
毅 至（他１名）４表（４ｍ） （Ａ） （Ｂ＞ 第１団 第２図 第３図
Claims (1)
- １、ｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ型不純物がキャリア濃度３
×１０＾１＾８ｃｍ＾−＾３以上ドープされたＧａＡｓ
層がエピタキシャル成長され、ＧａＡｓ層の表面が半導
体レーザ素子の結晶成長用下地面に設定されていること
を特徴とする半導体レーザ素子の結晶成長用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314271A JPS62162387A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体レ−ザ素子の結晶成長用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314271A JPS62162387A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体レ−ザ素子の結晶成長用基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4477681A Division JPS57159084A (en) | 1981-03-25 | 1981-03-25 | Semiconductor laser element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62162387A true JPS62162387A (ja) | 1987-07-18 |
| JPH048957B2 JPH048957B2 (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=18051348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61314271A Granted JPS62162387A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体レ−ザ素子の結晶成長用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62162387A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114214A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57159084A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-01 | Sharp Corp | Semiconductor laser element |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61314271A patent/JPS62162387A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57159084A (en) * | 1981-03-25 | 1982-10-01 | Sharp Corp | Semiconductor laser element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114214A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH048957B2 (ja) | 1992-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3801928A (en) | Singler heterostructure junction lasers | |
| JP2002353568A (ja) | 半導体レーザとそれを用いた光モジュール及び光通信システム | |
| JPH05102595A (ja) | レーザダイオードアレー及びその製造方法 | |
| JP5023419B2 (ja) | 半導体量子ドット・デバイス | |
| US5776792A (en) | Method for forming semiconductor laser device | |
| JP2000058981A (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 | |
| US20020121643A1 (en) | Surface-light-emitting device including AlGaInP and AlGaAs multi-film reflecting layers | |
| JPH05283796A (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JPS6258557B2 (ja) | ||
| JPH10284800A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPS60101989A (ja) | 半導体レ−ザ及びその製造方法 | |
| JPS62162387A (ja) | 半導体レ−ザ素子の結晶成長用基板 | |
| JPH0521902A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5022037A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH07321409A (ja) | 半導体レーザー素子 | |
| JPS614291A (ja) | 面発光レ−ザ | |
| Connolly et al. | High‐power GaAs/AlGaAs diode lasers grown on a Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition | |
| JP2758597B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR100363240B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR100493145B1 (ko) | GaN계레이저다이오드 | |
| JPS61253882A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2002043691A (ja) | 窒化物半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JPH06104522A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS6244715B2 (ja) | ||
| JPH11168256A (ja) | 発光素子及びその製造方法 |