JPS61224482A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS61224482A JPS61224482A JP6563685A JP6563685A JPS61224482A JP S61224482 A JPS61224482 A JP S61224482A JP 6563685 A JP6563685 A JP 6563685A JP 6563685 A JP6563685 A JP 6563685A JP S61224482 A JPS61224482 A JP S61224482A
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- quantum well
- light emitting
- gaas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１゛概要〕
この発明は量子井戸レーザにおいて、
量子井戸層に不純物のアトミックプレーンドーピングに
よる高濃度のキャリア散乱中心を形成することにより、 キャリアの注入効率を向上するようにしたものである。
よる高濃度のキャリア散乱中心を形成することにより、 キャリアの注入効率を向上するようにしたものである。
本発明は半導体発光装置、特に量子井戸半導体レーザの
闇値電流を低減し、効率を向上する構造の改善に関する
。
闇値電流を低減し、効率を向上する構造の改善に関する
。
光を情報信号の媒体とする光通信その他のシステムの高
度化、多様化が推進されており、その光源として重要な
役割を果たしている半導体発光装置特にレーザについて
、その効率などの特性の一層の向上が強く要望されてい
る。
度化、多様化が推進されており、その光源として重要な
役割を果たしている半導体発光装置特にレーザについて
、その効率などの特性の一層の向上が強く要望されてい
る。
従来行われている半導体レーザの多くは、目的とする光
の波長に対応するエネルギーバンドギヤ １
ンプを有する活性層をストライプ状とし、これをエネル
ギーバンドギャップが大きく、屈折率が小さい半導体層
で挟んでキャリア及び光を閉じ込め共振器を構成して、
活性層に注入されたキャリアを励起しレーザ発振を行わ
せている。
の波長に対応するエネルギーバンドギヤ １
ンプを有する活性層をストライプ状とし、これをエネル
ギーバンドギャップが大きく、屈折率が小さい半導体層
で挟んでキャリア及び光を閉じ込め共振器を構成して、
活性層に注入されたキャリアを励起しレーザ発振を行わ
せている。
半導体レーザの活性層の厚さをキャリアのドウ・ブロー
イー波長程度以下とし量子井戸形ボテンシャルを形成す
れば、その厚さ方向のキャリアの運動が量子化されて２
次元状態となり、そのエネルギー準位が階段状となって
発振に関与するエネルギー準位のキャリアの状態密度が
著しく増加し、発振閾値電流密度が大幅に低減する。
イー波長程度以下とし量子井戸形ボテンシャルを形成す
れば、その厚さ方向のキャリアの運動が量子化されて２
次元状態となり、そのエネルギー準位が階段状となって
発振に関与するエネルギー準位のキャリアの状態密度が
著しく増加し、発振閾値電流密度が大幅に低減する。
このキャリアのドウ・ブローイー波長は例えば砒化ガリ
ウム（ＧａＡｓ）では３０腫程度であり、キャリア特に
電子のエネルギー準位を十分に離散するために、量子井
戸層の厚さはしばしば１０ｎｍ程度以下とされる。
ウム（ＧａＡｓ）では３０腫程度であり、キャリア特に
電子のエネルギー準位を十分に離散するために、量子井
戸層の厚さはしばしば１０ｎｍ程度以下とされる。
第２図（ａ）は量子井戸半導体レーザの従来例を示す模
式側断面図、同図（ｂ）はそのエネルギーバンドダイア
ダラムであり、その対応を同一符号によって示す。
式側断面図、同図（ｂ）はそのエネルギーバンドダイア
ダラムであり、その対応を同一符号によって示す。
本従来例において、２１はｎ型ＧａＡｓ半導体基板、２
２はｎ型ＧａＡｓバッファ層、２３は砒化アルミニウム
ガリウム（ＡＩＧａＡｓ）閉じ込め層、２４はＧａＡｓ
よりなる量子井戸層、２５はｐ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め
層、２６はｐ型ＧａＡｓコンタクト層であり、これらの
各半導体層をエピタキシャル成長した後に、ストライプ
領域の両扉の半導体層に例えば亜鉛（Ｚｎ）等の不純物
を拡散させることによって、ｐ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め
層２５に含まれるアルミニウム（ＡＩ）原子のＧａＡｓ
量子井戸層２４への拡散などの半導体層相互間の拡散を
行わせて量子井戸構造を破壊し、閉じ込め領域２７を形
成している。なお、３０は絶縁膜、３１はｐ側電極、３
２はｎ側電極である。
２はｎ型ＧａＡｓバッファ層、２３は砒化アルミニウム
ガリウム（ＡＩＧａＡｓ）閉じ込め層、２４はＧａＡｓ
よりなる量子井戸層、２５はｐ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め
層、２６はｐ型ＧａＡｓコンタクト層であり、これらの
各半導体層をエピタキシャル成長した後に、ストライプ
領域の両扉の半導体層に例えば亜鉛（Ｚｎ）等の不純物
を拡散させることによって、ｐ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め
層２５に含まれるアルミニウム（ＡＩ）原子のＧａＡｓ
量子井戸層２４への拡散などの半導体層相互間の拡散を
行わせて量子井戸構造を破壊し、閉じ込め領域２７を形
成している。なお、３０は絶縁膜、３１はｐ側電極、３
２はｎ側電極である。
本従来例のＧａＡｓ量子井戸層２４へのキャリア注入は
、活性層が量子化されていない通常のダブルへテロ半導
体レーザと同様に、正孔はｐ側電極３１からｐ型コンタ
クト層２６、ｐ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層２５を経て、
また電子はｎ側電極３２からｎ型半導体基板２１、ｎ型
バッファ層２２、ｎ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層２３を経
て行われている。
、活性層が量子化されていない通常のダブルへテロ半導
体レーザと同様に、正孔はｐ側電極３１からｐ型コンタ
クト層２６、ｐ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層２５を経て、
また電子はｎ側電極３２からｎ型半導体基板２１、ｎ型
バッファ層２２、ｎ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層２３を経
て行われている。
この様な積層された閉じ込め層から活性層へのキャリア
注入では、活性層が薄くなるに伴ってその通過確率が増
加し注入効率が低下する。
注入では、活性層が薄くなるに伴ってその通過確率が増
加し注入効率が低下する。
特に活性層が量子論的厚さの量子井戸レーザでは注入効
率の低下が極めて大きく、例えばＧＲＩＮ−ＳＣＨ（Ｇ
Ｒａｄｅｄ ＩＮｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ５ｅｐ
ａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅ−ｗｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造など、量子井戸層との界面近
傍で閉じ込め層のバリア高さに勾配を与える構造が提案
されているが、満足できる注入効率に達せずその改善が
強く要望されている。
率の低下が極めて大きく、例えばＧＲＩＮ−ＳＣＨ（Ｇ
Ｒａｄｅｄ ＩＮｄｅｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ５ｅｐ
ａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅ−ｗｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）構造など、量子井戸層との界面近
傍で閉じ込め層のバリア高さに勾配を与える構造が提案
されているが、満足できる注入効率に達せずその改善が
強く要望されている。
前記問題点は、不純物がアトミックプレーンドーピング
された量子井戸層を活性領域に備えてなる本発明による
半導体発光装置により解°決される。
された量子井戸層を活性領域に備えてなる本発明による
半導体発光装置により解°決される。
本発明においては、不純物イオンによるクーロン散乱に
よりキャリアの量子井戸層通過確率を減少させ、注入効
率を向上する。
よりキャリアの量子井戸層通過確率を減少させ、注入効
率を向上する。
しかしながら、従来普通に行われている半導体に不純物
を３次元的に混在させるドーピング方法では、例えばＧ
ａＡｓ半導体にシリコン（Ｓｉ）をドープする場合の最
高濃度が５ＸＩＱ”ｃａ＋−’程度に止まり、しかも量
子井戸層の閉じ込め層とのへテロ接合界面までドープさ
れるならば、閉じ込め層において自由キャリアによる光
の吸収が増加して効果が減殺される。
を３次元的に混在させるドーピング方法では、例えばＧ
ａＡｓ半導体にシリコン（Ｓｉ）をドープする場合の最
高濃度が５ＸＩＱ”ｃａ＋−’程度に止まり、しかも量
子井戸層の閉じ込め層とのへテロ接合界面までドープさ
れるならば、閉じ込め層において自由キャリアによる光
の吸収が増加して効果が減殺される。
これに対して、半導体層に２次元的に不純物を導入する
アトミックブレーンドーピングによればｌ ＸＩＱ”ａ
ｍ−’程度以上の高濃度が得られ、しかも不純物イオン
を量子井戸層のへテロ接合界面から離隔し閉じ込め層に
おける光の吸収損失を抑制することが可能となる。
アトミックブレーンドーピングによればｌ ＸＩＱ”ａ
ｍ−’程度以上の高濃度が得られ、しかも不純物イオン
を量子井戸層のへテロ接合界面から離隔し閉じ込め層に
おける光の吸収損失を抑制することが可能となる。
この様に量子井戸層へのキャリアの注入効率が増大して
発光再結合が十分に行われ、光の吸収損失は抑制されて
、閾値電流の低減、発光効率の向上が達成される。
発光再結合が十分に行われ、光の吸収損失は抑制されて
、閾値電流の低減、発光効率の向上が達成される。
なお量子井戸層が単一でなく、複数の量子井戸層がバリ
ア層を介して設けられている多重量子井戸レーザにおい
ては、本発明による不純物の導入を選択した量子井戸層
に限って実施することも可能である。
ア層を介して設けられている多重量子井戸レーザにおい
ては、本発明による不純物の導入を選択した量子井戸層
に限って実施することも可能である。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図（ａ）は本発明をＧａＡｓ ／ ＡｌＧａＡｓ系
半導体材料からなるＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造の量子井戸レ
ーザに適用した実施例を示す模式側断面図、同図（ｂ）
はその活性領域近傍のエネルギーバンドダイアグラムで
あり、その対応を同一符号によって示す。
半導体材料からなるＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造の量子井戸レ
ーザに適用した実施例を示す模式側断面図、同図（ｂ）
はその活性領域近傍のエネルギーバンドダイアグラムで
あり、その対応を同一符号によって示す。
本実施例では不純物濃度が例えば２ ＸＩＯ”ａｍ−”
程度のｎ型ＧａＡｓ半導体基板１上に、分子線エピタキ
シャル成長方法により下記の半導体層を順次成長してお
り、活性層４以外の各半導体層の不純物ドーピングは通
常の３次元的なドーピングで、ドナー不純物にＳｉ、ア
クセプタ不純物にベリリウム（Ｂｅ）等を用いている。
程度のｎ型ＧａＡｓ半導体基板１上に、分子線エピタキ
シャル成長方法により下記の半導体層を順次成長してお
り、活性層４以外の各半導体層の不純物ドーピングは通
常の３次元的なドーピングで、ドナー不純物にＳｉ、ア
クセプタ不純物にベリリウム（Ｂｅ）等を用いている。
なお、基板１側のｎ型閉じ込め層３にはＡＩの組成比Ｘ
・０．７の領域３ａ上に活性層４との界面に向かってＸ
＝０．７からＸ＝０．１８までグレーディングされた領
域３ｂが設けられ、活性層４上のｐ型閉じ込め層５には
同様のグレーディング領域５ｂが設けられてＧＲＩＮ−
３ＣＨ構造が形成されている。
・０．７の領域３ａ上に活性層４との界面に向かってＸ
＝０．７からＸ＝０．１８までグレーディングされた領
域３ｂが設けられ、活性層４上のｐ型閉じ込め層５には
同様のグレーディング領域５ｂが設けられてＧＲＩＮ−
３ＣＨ構造が形成されている。
６コンタクト層 ＧａＡｓ ｐ−ｌＸｌ０１９
５００５閉じ込め層 ５ｂ Ａ１６．ｒＧａｏ、３ＡＳ ｐ−１ｘ
ｌＯ” １３００４活性層 ４ｃ ＧａＡｓ ノンドープ
３４ｂ Ｓｉ−プレーンドーピング ６Ｘ１０”ａｍ
−” −４ａ ＧａＡｓ ノンド
ープ ３３閉じ込め層 ３ａ Ａｌｏ、ｔＧａｏ、３ＡＳ ｎ−ｌＸ
ｌ０” １３００２バッファ層 ＧａＡｓ
ｎ−２Ｘ１０” ３０００活性層４の成長は、ｎ
型閉じ込め層３のグレーディング領域３ｂ上にＡＳ％
Ｇａビームによす厚す３層１ｍのＧａＡｓ層４ａを成長
した後に、Ｇａビームを止めＳｉビームを入射して面濃
度約６ ＸＩＯ”ａｍ−”のＳｉのアトミックプレーン
ドーピング４ｂを行ってＳｉビームを止め、再びＧａＡ
ｓ層４ｃを厚さ３ａｍｇ成長している。
５００５閉じ込め層 ５ｂ Ａ１６．ｒＧａｏ、３ＡＳ ｐ−１ｘ
ｌＯ” １３００４活性層 ４ｃ ＧａＡｓ ノンドープ
３４ｂ Ｓｉ−プレーンドーピング ６Ｘ１０”ａｍ
−” −４ａ ＧａＡｓ ノンド
ープ ３３閉じ込め層 ３ａ Ａｌｏ、ｔＧａｏ、３ＡＳ ｎ−ｌＸ
ｌ０” １３００２バッファ層 ＧａＡｓ
ｎ−２Ｘ１０” ３０００活性層４の成長は、ｎ
型閉じ込め層３のグレーディング領域３ｂ上にＡＳ％
Ｇａビームによす厚す３層１ｍのＧａＡｓ層４ａを成長
した後に、Ｇａビームを止めＳｉビームを入射して面濃
度約６ ＸＩＯ”ａｍ−”のＳｉのアトミックプレーン
ドーピング４ｂを行ってＳｉビームを止め、再びＧａＡ
ｓ層４ｃを厚さ３ａｍｇ成長している。
この様にして第１図中）に見られる如く、活性層４は閉
じ込め層３．５間に挟まれて幅（厚さ）６ａｍの量子井
戸構造を構成し、その不純物濃度は１×１０”ｃｍ−”
ニ達シテイル。
じ込め層３．５間に挟まれて幅（厚さ）６ａｍの量子井
戸構造を構成し、その不純物濃度は１×１０”ｃｍ−”
ニ達シテイル。
この半導体基体にＺｎ拡散により半導体層間でＡ１原子
等の相互拡散を行わせて閉じ込め領域７を形成し、絶縁
膜１０、ｐ側電極１１、ｎ側電極１２を配設し、襞間等
の工程を経て本実施例のレーザ素子が完成する。
等の相互拡散を行わせて閉じ込め領域７を形成し、絶縁
膜１０、ｐ側電極１１、ｎ側電極１２を配設し、襞間等
の工程を経て本実施例のレーザ素子が完成する。
以上説明した実施例と、これと同等の構造で活性層にド
ーピングを行わない比較試料とについて闇値電流を比較
測定し、本実施例では比較試料に対して約１０〜２０％
の電流密度の低減が確認された。
ーピングを行わない比較試料とについて闇値電流を比較
測定し、本実施例では比較試料に対して約１０〜２０％
の電流密度の低減が確認された。
本実施例ではアトミックプレーンドーピングを１層とし
ているが、例えば１〜２ｎｍ程度の間隔で複数回のアト
ミックプレーンドーピングを行うことにより不純物濃度
を更に高めることも可能である。
ているが、例えば１〜２ｎｍ程度の間隔で複数回のアト
ミックプレーンドーピングを行うことにより不純物濃度
を更に高めることも可能である。
以上の説明では活性領域が単一の量子井戸層で構成され
ているが、バリア層を挟んで複数の量子井戸層を設けた
多重量子井戸レーザについても本発明を適用して、同様
の効果を得ることができる。
ているが、バリア層を挟んで複数の量子井戸層を設けた
多重量子井戸レーザについても本発明を適用して、同様
の効果を得ることができる。
この場合に必ずしも総ての量子井戸層にアトミックプレ
ーンドーピングを行わず、光吸収効果を考慮して一部の
量子井戸層のみにアトミックプレーンドーピングを行っ
てもよい。
ーンドーピングを行わず、光吸収効果を考慮して一部の
量子井戸層のみにアトミックプレーンドーピングを行っ
てもよい。
また以上の説明ではにａＡ５／ＡｌＧａＡｓ系半導体を
用いているが、インジウム燐／インジウムガリウム砒素
（＃） （ＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ（Ｐ））系など他の
半導体材料を用いた量子井戸半導体レーザに本発明を適
用して同様の効果を収めることができる。
用いているが、インジウム燐／インジウムガリウム砒素
（＃） （ＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ（Ｐ））系など他の
半導体材料を用いた量子井戸半導体レーザに本発明を適
用して同様の効果を収めることができる。
以上説明した如く本発明によれば、量子井戸活性層への
キャリアの注入効率が増大し、発光再結合が十分に行わ
れて、閾値電流の低減、発光効率の向上が達成される。
キャリアの注入効率が増大し、発光再結合が十分に行わ
れて、閾値電流の低減、発光効率の向上が達成される。
第１図（ａｌは本発明による量子井戸レーザの実施例を
示す模式側断面図、 第１図（ｂ）はその活性領域近傍のエネルギーバンドダ
イアダラム、 第２図（ａ）は従来例を示す模式側断面図、第２図（ｂ
）はその活性領域近傍のエネルギーバンドダイアダラム
である。 図において、 １はｎ型ＧａＡｓ基板、 ２はｎ型ＧａＡｓバッファ層、 ３はｎ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層、 ４はＧａＡｓ量子井戸活性層、 ４ａ及び４ＣはノンドープのＧａＡｓ層、４ｂはＳｔア
トミックプレーンドーピング層、５はｐ型ＡｌＧａＡｓ
閉じ込め層、 ６はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 ７は閉じ込め領域、 １０は絶縁膜、 １１はｐ側電極、 １２はｎ側電極を示す。
示す模式側断面図、 第１図（ｂ）はその活性領域近傍のエネルギーバンドダ
イアダラム、 第２図（ａ）は従来例を示す模式側断面図、第２図（ｂ
）はその活性領域近傍のエネルギーバンドダイアダラム
である。 図において、 １はｎ型ＧａＡｓ基板、 ２はｎ型ＧａＡｓバッファ層、 ３はｎ型ＡｌＧａＡｓ閉じ込め層、 ４はＧａＡｓ量子井戸活性層、 ４ａ及び４ＣはノンドープのＧａＡｓ層、４ｂはＳｔア
トミックプレーンドーピング層、５はｐ型ＡｌＧａＡｓ
閉じ込め層、 ６はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 ７は閉じ込め領域、 １０は絶縁膜、 １１はｐ側電極、 １２はｎ側電極を示す。
Claims (1)
- 不純物がアトミックプレーンドーピング（４ｂ）され
た量子井戸層（４）を活性領域に備えてなることを特徴
とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065636A JPH0712101B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065636A JPH0712101B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224482A true JPS61224482A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0712101B2 JPH0712101B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=13292707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065636A Expired - Lifetime JPH0712101B2 (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712101B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262578A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62249496A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5395571A (en) * | 1977-02-02 | 1978-08-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5735069U (ja) * | 1981-07-16 | 1982-02-24 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60065636A patent/JPH0712101B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5395571A (en) * | 1977-02-02 | 1978-08-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5735069U (ja) * | 1981-07-16 | 1982-02-24 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262578A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62249496A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712101B2 (ja) | 1995-02-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |