JPS6262578A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6262578A JPS6262578A JP20154385A JP20154385A JPS6262578A JP S6262578 A JPS6262578 A JP S6262578A JP 20154385 A JP20154385 A JP 20154385A JP 20154385 A JP20154385 A JP 20154385A JP S6262578 A JPS6262578 A JP S6262578A
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- Japan
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- quantum well
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体レーザに係り、特に高速変調、あるいは
低しきい電流の特徴を有する半導体レーザの構造に関す
る。
低しきい電流の特徴を有する半導体レーザの構造に関す
る。
従来の半導体レーザにおいて、そのｐ形活性層の不純物
濃度を大きくすると半導体レーザの変調可能周波数が増
大することが、シー・ビー・スー等によって第９回レー
ザコンファレンス予稿第１６２〜３頁に開示されている
。これは、不純物ドーピングにより、注入キャリアの増
加に対する利得係数の増分が大きくなることに起因して
いる。
濃度を大きくすると半導体レーザの変調可能周波数が増
大することが、シー・ビー・スー等によって第９回レー
ザコンファレンス予稿第１６２〜３頁に開示されている
。これは、不純物ドーピングにより、注入キャリアの増
加に対する利得係数の増分が大きくなることに起因して
いる。
しかし、この方法では、活性層のキャリアのライフタイ
ムが短くなり、しきい電流が上昇する、さらには、発光
効率が低下するという問題点があった。
ムが短くなり、しきい電流が上昇する、さらには、発光
効率が低下するという問題点があった。
本発明の目的は従来の欠点を除く目的でなされたもので
あり、低しきい電流、高発光効率でかつ高速変調の可能
な半導体レーザを提供することにある。
あり、低しきい電流、高発光効率でかつ高速変調の可能
な半導体レーザを提供することにある。
半導体レーザのしきい電流を低減する方法の一つとして
その活性層を多重量子井戸構造にする方法がある。これ
は、キャリアの二次元性に起因した階段状の状態密度に
より、利得に寄与するキャリアの割合が増すことによる
。さらに多重量子井戸構造では、注入キャリアの増加に
対する利得の増分が従来のダブルへテロ構造に比べて大
きくなることが一般的に知られている。この多重量子井
戸半導体レーザの多重量子井戸活性層をｐ形あるいはｎ
形にドーピングすることにより、高速変調特性が大幅に
改善されることが期待できる。しがし、そのドーピング
を多重量子井戸構造てに行うと、キャリアが局在してい
るウェル層にバンド、ティリングが生じ、キャリアの２
次元性が失われることが懸念される。そこで、本発明者
は、キャリアの存在するウェル層には、ドーピングを行
わず、バリヤ層のみに選択的にドーピングを行えばキャ
リアの二次元性も失われず、高速変調特性を改善できる
ことを見出した（第１図）。しかし、多重量子井戸構造
においては、電子、正孔の波動関数は、バリヤ層までし
みだしているので、バリヤ層のうちウェル層に接する数
原子層はアンドープにし、バリヤ層の中央領域は、ｐ形
あるいはｎ形である構造を発明した（第２図）。さらに
は。
その活性層を多重量子井戸構造にする方法がある。これ
は、キャリアの二次元性に起因した階段状の状態密度に
より、利得に寄与するキャリアの割合が増すことによる
。さらに多重量子井戸構造では、注入キャリアの増加に
対する利得の増分が従来のダブルへテロ構造に比べて大
きくなることが一般的に知られている。この多重量子井
戸半導体レーザの多重量子井戸活性層をｐ形あるいはｎ
形にドーピングすることにより、高速変調特性が大幅に
改善されることが期待できる。しがし、そのドーピング
を多重量子井戸構造てに行うと、キャリアが局在してい
るウェル層にバンド、ティリングが生じ、キャリアの２
次元性が失われることが懸念される。そこで、本発明者
は、キャリアの存在するウェル層には、ドーピングを行
わず、バリヤ層のみに選択的にドーピングを行えばキャ
リアの二次元性も失われず、高速変調特性を改善できる
ことを見出した（第１図）。しかし、多重量子井戸構造
においては、電子、正孔の波動関数は、バリヤ層までし
みだしているので、バリヤ層のうちウェル層に接する数
原子層はアンドープにし、バリヤ層の中央領域は、ｐ形
あるいはｎ形である構造を発明した（第２図）。さらに
は。
バリヤ層の中央領域に選択ドーピングを行うとき、第３
図に示すようにｐ形クラッド層側をｎ形に、ｎ形クラッ
ド層側をｐ形にすることを見出した。
図に示すようにｐ形クラッド層側をｎ形に、ｎ形クラッ
ド層側をｐ形にすることを見出した。
これにより、活性層は、Ｐａｎ両方にドーピングされた
わけで、注入キャリアに対する利得の増分が大幅に上昇
し、高速変調の大きな改善が期待できる。
わけで、注入キャリアに対する利得の増分が大幅に上昇
し、高速変調の大きな改善が期待できる。
以下、本発明の実施例について第４図、第５図。
第６図および第７図を用いて詳細に説明する。
ｎ型ＧａＡｓ基板結晶８の上にｎ型Ｇ ａ Ａ ｓバラ
フッ層９．ｎ型Ｇ ａ １−ＸＡ Ｑ ＸＡ Ｓクラッ
ド層３（ｘ＝０．４５）、厚さ７０人はアンドープＧａ
Ａｓウェル層１を５層、１０人のアンドープＧ ａ ０
．７Ａ １２ ｏ、ａＡ ｓ層５ではさんだ厚さ２０人
の２ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’） （７） Ｍ ｇド
ープを行ッｐ、 Ｐ −Ｇ ａ Ｏ，７Ａ Ｑ ｏ、ｓ
−Ａ ｓ層６で形成したバリヤ層４層を交至に形成した
多重量子井戸活性層１０．ｐ型Ｇ ａ ｔ−ｘＡ Ｑｘ
Ａ ｓクラッド層４．ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層１１
をＭＯＣＶＤ法により順次形成する。
フッ層９．ｎ型Ｇ ａ １−ＸＡ Ｑ ＸＡ Ｓクラッ
ド層３（ｘ＝０．４５）、厚さ７０人はアンドープＧａ
Ａｓウェル層１を５層、１０人のアンドープＧ ａ ０
．７Ａ １２ ｏ、ａＡ ｓ層５ではさんだ厚さ２０人
の２ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’） （７） Ｍ ｇド
ープを行ッｐ、 Ｐ −Ｇ ａ Ｏ，７Ａ Ｑ ｏ、ｓ
−Ａ ｓ層６で形成したバリヤ層４層を交至に形成した
多重量子井戸活性層１０．ｐ型Ｇ ａ ｔ−ｘＡ Ｑｘ
Ａ ｓクラッド層４．ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層１１
をＭＯＣＶＤ法により順次形成する。
ホトエッチ工程によりｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ層１１を完全
に除去し、ｐ形Ｇａｚ−ＡΩｘＡｓクラッド層４の表面
を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライプを形成する。
に除去し、ｐ形Ｇａｚ−ＡΩｘＡｓクラッド層４の表面
を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライプを形成する。
次にＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｇａｔ−ｘＡＱｘＡｓクラ
ッド［１２（ｘ＝０．４５）、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャ
ップＪＰｊ１３を形成する。この後、ｐ側電極１４、ｎ
（ＩＬＩＪ電極１５を形成した後、へき開法により、
共振器長約３００μｍのレーザ索子を得た。この時、ｐ
形Ｇ ａ Ｏ，５５Ａ Ｑ Ｏ，４１ＩＡ ３層４の厚
さは、０．１〜０．５μｍのとき、導波構造は屈折率導
波型となり高速変調時の横モードを安定にできる。
ッド［１２（ｘ＝０．４５）、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャ
ップＪＰｊ１３を形成する。この後、ｐ側電極１４、ｎ
（ＩＬＩＪ電極１５を形成した後、へき開法により、
共振器長約３００μｍのレーザ索子を得た。この時、ｐ
形Ｇ ａ Ｏ，５５Ａ Ｑ Ｏ，４１ＩＡ ３層４の厚
さは、０．１〜０．５μｍのとき、導波構造は屈折率導
波型となり高速変調時の横モードを安定にできる。
試作した素子は波長８３０ｎｍにおいてしきい電流１ｏ
〜２５ ｍ Ａで室温連続発振し、発振スペクトルは縦
単一モードを示し、光出力は７０ｍＷまでキングがない
安定した横モード発振が得られた。光出力６０ｍＷにバ
イアスして小信号直接変調を行ったところ、その変調周
波数は１５ＧＨｚ（３ｄＢダウン）まで達する良好な特
性が得られた。また７０℃において光出力６０ｍＷ定光
出力動作時の寿命も２０００時間経過後も顕著な劣化も
見られず、信頼性も高いことが明らかになった。さらに
多重量子井戸構造としては、上記以外にＧ ａ １−ｗ
Ａ Ｑ ｗ Ａ ｓウェル層のＡＱのモル比はＷは０
−０．２、厚さは３０〜１５０人、数は２〜１０、Ｇ
ａ ｚ−ａＡ Ｑ ａＡ ｓバリヤ層のＡＱのモル比Ｂ
は０．２−０．５ （ただしＢ＞Ｗ）、両けしのアンド
ープバリヤ層の厚さは２．８〜３０人、中央部のＰ形バ
リヤ層の厚さは５〜５０人の全ての組み合わせにおいて
ほぼ同様の変速変調特性が得られた。
〜２５ ｍ Ａで室温連続発振し、発振スペクトルは縦
単一モードを示し、光出力は７０ｍＷまでキングがない
安定した横モード発振が得られた。光出力６０ｍＷにバ
イアスして小信号直接変調を行ったところ、その変調周
波数は１５ＧＨｚ（３ｄＢダウン）まで達する良好な特
性が得られた。また７０℃において光出力６０ｍＷ定光
出力動作時の寿命も２０００時間経過後も顕著な劣化も
見られず、信頼性も高いことが明らかになった。さらに
多重量子井戸構造としては、上記以外にＧ ａ １−ｗ
Ａ Ｑ ｗ Ａ ｓウェル層のＡＱのモル比はＷは０
−０．２、厚さは３０〜１５０人、数は２〜１０、Ｇ
ａ ｚ−ａＡ Ｑ ａＡ ｓバリヤ層のＡＱのモル比Ｂ
は０．２−０．５ （ただしＢ＞Ｗ）、両けしのアンド
ープバリヤ層の厚さは２．８〜３０人、中央部のＰ形バ
リヤ層の厚さは５〜５０人の全ての組み合わせにおいて
ほぼ同様の変速変調特性が得られた。
本発明の別の実施例を第５図を用いて説明する。
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板８上にｎ型Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ
ｓクララド層３．ｎ型Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓ光がイ
ド層１２．ｎ形図の実施例と同じ多重量子井戸活性ＲＩ
ＩＩＯ，ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓクララド層１４、
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層１３を順次ＭＯＣＶＤ法
により形成する。
ｓクララド層３．ｎ型Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓ光がイ
ド層１２．ｎ形図の実施例と同じ多重量子井戸活性ＲＩ
ＩＩＯ，ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓクララド層１４、
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層１３を順次ＭＯＣＶＤ法
により形成する。
ホトエツチング工程により幅１〜１５μｍのストライプ
を残すようにｐ型ＧａＡｓキャップ層を除去し、そのス
トライプ状のＰ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層１３以外の
領域に活性層１０をつきぬけるまでＳｉをイオン注入す
る。その後ストライプ状のＰ型ＧａＡｓキャップ層以外
にＳ ｊ Ｏｚｉ ８ を被着し、その後、ｐ側電極
１４、ｎ側電極１５を形成した後、へきかい法により、
共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。本実施例に
おいても、第４図の実施例と同様の特性が得られ、さら
に活性層構造に関しても第４図の実施例で示した範囲は
すべで適用可能で同様の特性が得られた。
を残すようにｐ型ＧａＡｓキャップ層を除去し、そのス
トライプ状のＰ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層１３以外の
領域に活性層１０をつきぬけるまでＳｉをイオン注入す
る。その後ストライプ状のＰ型ＧａＡｓキャップ層以外
にＳ ｊ Ｏｚｉ ８ を被着し、その後、ｐ側電極
１４、ｎ側電極１５を形成した後、へきかい法により、
共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。本実施例に
おいても、第４図の実施例と同様の特性が得られ、さら
に活性層構造に関しても第４図の実施例で示した範囲は
すべで適用可能で同様の特性が得られた。
本発明の別の実施例を第６図を用いて説明する。
ｎ型ＧａＡｓ基板８上にｎ Ｋ２Ｏａ Ａ Ｑ Ａ ｓ
クララド層３、第４図の実施例と同じ多重量子井戸活性
層１０．ｐ形Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓクララト層４を成
長後、ホトエツチングにより、幅１〜５μｍのストライ
プ状に残るようにｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板８まで達する
エツチングを行い、その後ｐ形Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓ
層１２、ｎ形ＧａＡＱＡｓ層１９を成長し、Ｚｎ拡散領
域２０を設ける。この後ｐ（ｌＩＩＩ電極１４、ｎ側電
極１５を形成した後、へき開法により、共振器長約３０
０μｍのレーザ素子を得た。本実施例においても良好な
高速変調特性を示し、活性層の周囲が全てＧ ａ Ａ
Ｑ Ａ ｓで囲まれているのでキャリアの横方向拡散が
なく一層の高速特性に秀れ、２０ Ｇ Ｈｚまでの変調
ができた。さらに活性層構造に関しても第４図の実施例
で示した範囲は、すべて適用可能で同様の特性が得られ
た。
クララド層３、第４図の実施例と同じ多重量子井戸活性
層１０．ｐ形Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓクララト層４を成
長後、ホトエツチングにより、幅１〜５μｍのストライ
プ状に残るようにｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ基板８まで達する
エツチングを行い、その後ｐ形Ｇ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓ
層１２、ｎ形ＧａＡＱＡｓ層１９を成長し、Ｚｎ拡散領
域２０を設ける。この後ｐ（ｌＩＩＩ電極１４、ｎ側電
極１５を形成した後、へき開法により、共振器長約３０
０μｍのレーザ素子を得た。本実施例においても良好な
高速変調特性を示し、活性層の周囲が全てＧ ａ Ａ
Ｑ Ａ ｓで囲まれているのでキャリアの横方向拡散が
なく一層の高速特性に秀れ、２０ Ｇ Ｈｚまでの変調
ができた。さらに活性層構造に関しても第４図の実施例
で示した範囲は、すべて適用可能で同様の特性が得られ
た。
本発明の別の実施例を第７図を用いて説明する。
絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板２１上にアンドープＧａＡＱ
Ａｓ層２２、厚さ７０人のアンドープＣ）ａ Ａ ｓウ
ェル層１を３層、厚さ１０人のアンド−’Ｇａｏ、７Ａ
Ｑ ｏ、ａＡ ｓ層５ではさんだ厚さ２０人２ Ｘ
１０１ｇ（＝ｘａ −” ）のＳｓドープを行ったｎ
Ｇａｏ、・ｒへ〇０．３Ａｓ層７で形成したバリヤ層
２層を交互にｊｐ成、さらに厚さ７０人のアンドープＧ
ａ Ａ ｓウェル層を２層、厚さ１０人のアンドープ
Ｇ ａ ０．７Ａ Ｑ ｏ、ａＡｓ層５ではさんだ厚さ
２０人の２ Ｘ １０ｆδ（ロー３）のＭｇドープを行
ったｐ Ｇａｏ、７ＡＩ２ｏ、ｓＡｓ層５で形成した
バリヤ層２層を交互に形成した多重量子井戸活性層１ｏ
、アンドープＧ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓ層２２を形成する
。その後、幅１〜５μｍのストライプ状に成長層を残し
、Ｐ形ＧａＡＱＡｓ埋めこみ層１２．ｎ形Ｇ ａ Ａ
Ｑ Ａ ｓ埋めこみ層１９を形成後、ｐ側電極１４、ｎ
（Ｉｔｌｌ電極１５を形成後、へき開法により共振器
長約３００μｍのレーザ素子を得た。このレーザ素子は
活性層に対し、キャリアを横注入する構造となっている
。さらに多重量子井戸活性層は、そのバリヤ層にρｎ両
方の不純物を導入してぃので、注入キャリアに対する利
得の増分はさらに大きくなり、２０ Ｇ Ｈｚまでの直
接変調を可能ならしめた。このｐ、ｒ１両方の不純物を
バリヤ層に有する多重量子井戸活性層を第４図、第５図
、第６図に示した実施例に適用したところ同様の高速変
調特性が↑：）られた。また、上記各実施例においてｐ
形不純物としてＩｌｅ、ｎ形不純物としてＳｉを適用し
ても同様の効果が得られた。
Ａｓ層２２、厚さ７０人のアンドープＣ）ａ Ａ ｓウ
ェル層１を３層、厚さ１０人のアンド−’Ｇａｏ、７Ａ
Ｑ ｏ、ａＡ ｓ層５ではさんだ厚さ２０人２ Ｘ
１０１ｇ（＝ｘａ −” ）のＳｓドープを行ったｎ
Ｇａｏ、・ｒへ〇０．３Ａｓ層７で形成したバリヤ層
２層を交互にｊｐ成、さらに厚さ７０人のアンドープＧ
ａ Ａ ｓウェル層を２層、厚さ１０人のアンドープ
Ｇ ａ ０．７Ａ Ｑ ｏ、ａＡｓ層５ではさんだ厚さ
２０人の２ Ｘ １０ｆδ（ロー３）のＭｇドープを行
ったｐ Ｇａｏ、７ＡＩ２ｏ、ｓＡｓ層５で形成した
バリヤ層２層を交互に形成した多重量子井戸活性層１ｏ
、アンドープＧ ａ Ａ Ｑ Ａ ｓ層２２を形成する
。その後、幅１〜５μｍのストライプ状に成長層を残し
、Ｐ形ＧａＡＱＡｓ埋めこみ層１２．ｎ形Ｇ ａ Ａ
Ｑ Ａ ｓ埋めこみ層１９を形成後、ｐ側電極１４、ｎ
（Ｉｔｌｌ電極１５を形成後、へき開法により共振器
長約３００μｍのレーザ素子を得た。このレーザ素子は
活性層に対し、キャリアを横注入する構造となっている
。さらに多重量子井戸活性層は、そのバリヤ層にρｎ両
方の不純物を導入してぃので、注入キャリアに対する利
得の増分はさらに大きくなり、２０ Ｇ Ｈｚまでの直
接変調を可能ならしめた。このｐ、ｒ１両方の不純物を
バリヤ層に有する多重量子井戸活性層を第４図、第５図
、第６図に示した実施例に適用したところ同様の高速変
調特性が↑：）られた。また、上記各実施例においてｐ
形不純物としてＩｌｅ、ｎ形不純物としてＳｉを適用し
ても同様の効果が得られた。
本発明によれば、２０ Ｇ Ｈｚ以上の高速変調ができ
半導体レーザを製作できるので、光演算回路、超高速光
通信用の光源としての効果がある。
半導体レーザを製作できるので、光演算回路、超高速光
通信用の光源としての効果がある。
第１図〜第３図は、本発明を示す多１１ｆ、量子井戸構
造の断面図、第４〜第７図は本発明の実施例を示す半導
体レーザの断面図である。 １・・・アンドープＧ ａ Ａ ｓウェル層、２・・・
ｐ −Ｇ ｈ ０．７Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓバリヤ層、
３− ｎ −Ｇ ａ Ｏ，！ＩＦＩＡ Ｑ Ｏ，１５Ａ
ｓクラッド層、４− ｐ −Ｇ ａ Ｏ，３３ΔＱｏ
、４ｓＡｓクラッド層、５・・・アンドープＧ ａ Ｏ
，７ＡＱｏ、ａＡｓバリヤ層、６− ｐ −Ｇ ａ ０
．７Ａ Ｑ ｏ、８Ａｓバリヤ層、 ７− ｎ Ｇ
ａｏ、ｖＡ Ｑｏ、３Ａ ｓバリヤ層、８− ｎ −Ｇ
ａ Ａ ｓ基板、９− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓバラフ
ッ層、１０・・・多重量子井戸活性層、１１・・・ｎ−
Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層、１ ：１ｌ−ｐ−Ｇ ａｏ、
ａ５Ａ Ｑ Ｏ，４！ＩＡ Ｓ埋めこみクラッド層、１
３ ・−Ｐ −ＧａＡｓキャップ層、１４・・・ｐ−電
極、１５・・・ｎ−電極、１６ ・・・ｎ −Ｇ ａ
ｏ、ＢＩ！Ａ Ｑ ０．３５Ａ Ｓ光ガイド層、１７・
・・量子井戸を無秩序化した層、１８・・・５ｉＯ１ｚ
膜、１９− ｎ −Ｇ ａ Ｏ，［）＋ｌＡ Ｑ ｏ、
４ＩＩＡ ｓ埋めこみクラッド層、２０・・・Ｚｎ拡散
領域、２１・・・絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２２−・
・アンドープＧａｏ、ａｇｔ １ 図 冨 ２ 図 γ ３ 図 冨 ４ 図 罫 ５ 図 Ｔ 乙 図 ｄ−ｚθ
造の断面図、第４〜第７図は本発明の実施例を示す半導
体レーザの断面図である。 １・・・アンドープＧ ａ Ａ ｓウェル層、２・・・
ｐ −Ｇ ｈ ０．７Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓバリヤ層、
３− ｎ −Ｇ ａ Ｏ，！ＩＦＩＡ Ｑ Ｏ，１５Ａ
ｓクラッド層、４− ｐ −Ｇ ａ Ｏ，３３ΔＱｏ
、４ｓＡｓクラッド層、５・・・アンドープＧ ａ Ｏ
，７ＡＱｏ、ａＡｓバリヤ層、６− ｐ −Ｇ ａ ０
．７Ａ Ｑ ｏ、８Ａｓバリヤ層、 ７− ｎ Ｇ
ａｏ、ｖＡ Ｑｏ、３Ａ ｓバリヤ層、８− ｎ −Ｇ
ａ Ａ ｓ基板、９− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓバラフ
ッ層、１０・・・多重量子井戸活性層、１１・・・ｎ−
Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層、１ ：１ｌ−ｐ−Ｇ ａｏ、
ａ５Ａ Ｑ Ｏ，４！ＩＡ Ｓ埋めこみクラッド層、１
３ ・−Ｐ −ＧａＡｓキャップ層、１４・・・ｐ−電
極、１５・・・ｎ−電極、１６ ・・・ｎ −Ｇ ａ
ｏ、ＢＩ！Ａ Ｑ ０．３５Ａ Ｓ光ガイド層、１７・
・・量子井戸を無秩序化した層、１８・・・５ｉＯ１ｚ
膜、１９− ｎ −Ｇ ａ Ｏ，［）＋ｌＡ Ｑ ｏ、
４ＩＩＡ ｓ埋めこみクラッド層、２０・・・Ｚｎ拡散
領域、２１・・・絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２２−・
・アンドープＧａｏ、ａｇｔ １ 図 冨 ２ 図 γ ３ 図 冨 ４ 図 罫 ５ 図 Ｔ 乙 図 ｄ−ｚθ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子のドウ・ブローイ波長以下の厚さを有するウェ
ル層と、該ウェル層よりも禁制帯幅の大きいバリヤ層を
交互に重ね合わせた多重量子井戸活性層と該多重量子井
戸活性層をはさむように形成された上記ウェル層よりも
禁制帯幅の大きいＰ形およびｎ形クラッド層を有する半
導体レーザにおいて、その多重量子井戸活性層の積層方
向に関して多重量子井戸活性層の半導形が空間的に異な
ることを特徴とする半導体レーザ装置。 ２、上記多重量子井戸活性層のうち、上記ｐ形クラッド
層から隣接して連続する少なくとも１組のウェル層とバ
リヤ層の導電形がｎ形であり、該領域以外の多重量子井
戸活性層の導電形がｐ形であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 ３、上記多重量子井戸活性層のうち上記ｐ形クラッド層
から隣接して連続する少なくとも１層のバリヤ層の導電
形がｎ形であり、該領域以外の多重量子井戸活性層のバ
リヤ層の導電形がｐ形であり全ウェル層はアンドープで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体レーザ装置。 ４、上記多重量子井戸活性層のうち上記ｐ形クラッド層
から隣接して連続する少なくとも一層のバリヤ層の導電
形がｎ形であるがウェル層と接する界面から少なくとも
１原子層がアンドープであり、該領域以外の多重量子井
戸活性層のバリヤ層の導電形がｐ形であるがウェル層と
接する界面から少なくとも１原子層がアンドープであり
、全ウェル層はアンドープであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 ５、上記のバリヤ層の導電形がウェル層と接する界面か
ら少なくとも１原子層がアンドープであり、該領域以外
のバリヤ層がｐ形であり、ウェル層はアンドープである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レ
ーザ装置。 ６、上記ｐ形不純物がＢｅ、Ｍｇ、ｎ形不純物がＢｅ、
Ｓｉであり、その不純物濃度が５× １０＾１＾７（ｃｍ＾−＾３）以上であることを特徴と
する特許請求の範囲第１〜５項のいずれかに記載の半導
体レーザ装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20154385A JPS6262578A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体レ−ザ装置 |
| CA000514074A CA1279394C (en) | 1985-07-26 | 1986-07-17 | Multiple quantum well type semiconductor laser |
| US06/888,073 US4881238A (en) | 1985-07-26 | 1986-07-22 | Semiconductor laser having quantum well active region doped with impurities |
| EP86110329A EP0210616B1 (en) | 1985-07-26 | 1986-07-24 | Semiconductor laser |
| DE8686110329T DE3674959D1 (de) | 1985-07-26 | 1986-07-24 | Halbleiterlaser. |
| CN86105580A CN1006835B (zh) | 1985-07-26 | 1986-07-25 | 半导体激光器 |
| US07/041,410 US4881235A (en) | 1985-07-26 | 1987-04-23 | Semiconductor laser having a multiple quantum well structure doped with impurities |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20154385A JPS6262578A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262578A true JPS6262578A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16442789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20154385A Pending JPS6262578A (ja) | 1985-07-26 | 1985-09-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262578A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179281A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-22 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS61224482A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20154385A patent/JPS6262578A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179281A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-22 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS61224482A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
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