JPS59155978A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS59155978A JPS59155978A JP58030274A JP3027483A JPS59155978A JP S59155978 A JPS59155978 A JP S59155978A JP 58030274 A JP58030274 A JP 58030274A JP 3027483 A JP3027483 A JP 3027483A JP S59155978 A JPS59155978 A JP S59155978A
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- Japan
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は半導体発光装置にかかり、特に活性層のへテロ
接合界面及びその近傍におけるキャリアの非発光再結合
が低減されて、その内部量子効率が増大する構造に関す
る。
接合界面及びその近傍におけるキャリアの非発光再結合
が低減されて、その内部量子効率が増大する構造に関す
る。
１ｂ）技術の背景
光通信をはじめとする情報信号の媒体に光を用いるシス
テムにおいて半導体発光装置は最も重要な構成要素であ
って、これらのシステムの進歩・発展のために半導体発
光装置に関して、要求される波長帯域の実現、安定した
単一の基本零次横モード発振、単一の縦モード発振、閾
値電流の低減、電流−光出力特性の直線性の向上、出力
の増大など諸特性の向上について多くの努力が重ねられ
ているが、特に特性の安定性と長−寿命の実現とが重要
であって、このためには内部量子効率の改善が重要な鍵
となっている。
テムにおいて半導体発光装置は最も重要な構成要素であ
って、これらのシステムの進歩・発展のために半導体発
光装置に関して、要求される波長帯域の実現、安定した
単一の基本零次横モード発振、単一の縦モード発振、閾
値電流の低減、電流−光出力特性の直線性の向上、出力
の増大など諸特性の向上について多くの努力が重ねられ
ているが、特に特性の安定性と長−寿命の実現とが重要
であって、このためには内部量子効率の改善が重要な鍵
となっている。
ｆｃ） 従来技術と問題点
光電変換が行なわれる活性層と、活性層内に光及びキャ
リアを閉じ込めるために活性層をはさむ２層のクラッド
層とが設けられた、ダブルへテロ接合構造の半導体発光
装置において、内部量子効率を低下させる要因として次
の２要因があげられる。
リアを閉じ込めるために活性層をはさむ２層のクラッド
層とが設けられた、ダブルへテロ接合構造の半導体発光
装置において、内部量子効率を低下させる要因として次
の２要因があげられる。
その一つは活性層内部での非発光再結合、すなわち活性
層を構成する薄膜中に存在する例えば空位や不純物等に
起因する結晶欠陥や深い準位を介しての電子と正孔との
再結合であり、他の−っは活性層とクラッド層とのへテ
ロ接合界面及びその近傍における結晶欠陥や深い準位を
介しての非発光再結合である。
層を構成する薄膜中に存在する例えば空位や不純物等に
起因する結晶欠陥や深い準位を介しての電子と正孔との
再結合であり、他の−っは活性層とクラッド層とのへテ
ロ接合界面及びその近傍における結晶欠陥や深い準位を
介しての非発光再結合である。
レーザの発振モード制御のために活性層の厚さが次第に
薄くされて、１〔μｍ〕以下或いは数１０〔ｎｍ〕程度
とされつつあるが、この場合には活性層に注入されたキ
ャリアがクラッド層とのへテロ接合界面に衝突する回数
が大幅に増大して、先に述べた２要因のうちのへテロ接
合界面及びその近傍における非発光再結合によって内部
量子効率が大きく支配される。従来一般に行なわれてい
るダブルへテロ接合構造の半導体発光装置においては、
前記の如く活性層を薄くする場合に内部量子効率が大幅
に低下しておりその改善が重要な問題となっている。
薄くされて、１〔μｍ〕以下或いは数１０〔ｎｍ〕程度
とされつつあるが、この場合には活性層に注入されたキ
ャリアがクラッド層とのへテロ接合界面に衝突する回数
が大幅に増大して、先に述べた２要因のうちのへテロ接
合界面及びその近傍における非発光再結合によって内部
量子効率が大きく支配される。従来一般に行なわれてい
るダブルへテロ接合構造の半導体発光装置においては、
前記の如く活性層を薄くする場合に内部量子効率が大幅
に低下しておりその改善が重要な問題となっている。
（ｄ＋ 発明の目的
本発明の目的は、半導体発光装置について活性層のへテ
ロ接合界面及びその近傍における活性層に注入されたキ
ャリアの非発光再結合を低減して、その内部量子効率が
増大する構造を提供することを目的とする。
ロ接合界面及びその近傍における活性層に注入されたキ
ャリアの非発光再結合を低減して、その内部量子効率が
増大する構造を提供することを目的とする。
ｔｅｌ 発明の構成
本発明の前記目的は、光及びキャリア又は光を閉じ込め
る２つの第１の閉じ込め層と、該２つの第１の閉じ込め
層の間に、禁制帯幅が該第１の閉じ込め層より小であっ
て光電変換を行なう活性層と、禁制帯幅が該活性層より
大、かつ前記第１の閉じ込め層板下であって、該活性層
に接してキャリアを閉じ込める単数又は複数の第２の閉
じ込め層と、禁制帯幅が該第２の閉じ込め層より小であ
って該第２の閉じ込め層と前記第１の閉じ込め層とに接
する中間半導体層とを備えてなる半導体発光装置により
達成される。
る２つの第１の閉じ込め層と、該２つの第１の閉じ込め
層の間に、禁制帯幅が該第１の閉じ込め層より小であっ
て光電変換を行なう活性層と、禁制帯幅が該活性層より
大、かつ前記第１の閉じ込め層板下であって、該活性層
に接してキャリアを閉じ込める単数又は複数の第２の閉
じ込め層と、禁制帯幅が該第２の閉じ込め層より小であ
って該第２の閉じ込め層と前記第１の閉じ込め層とに接
する中間半導体層とを備えてなる半導体発光装置により
達成される。
ｆｆ） 発明の実施例
以下本発明を実施例により図面を参照して具体的に説明
する。
する。
本発明の第１の実施例であるガリウム・砒素−アルミニ
ウム・ガリウム・砒素（ＧａＡｓ−ＡｔＧａＡｓ ）系
ダブルへテロレーザの断面図を第１図（ａ）に、またそ
の各半導体層のアルミニウム（Ａｚ）の組成比を第１図
（１））に示す。なお第２薗は本実施例に対する比較試
料とする従来技術によるレーザの断面図である。
ウム・ガリウム・砒素（ＧａＡｓ−ＡｔＧａＡｓ ）系
ダブルへテロレーザの断面図を第１図（ａ）に、またそ
の各半導体層のアルミニウム（Ａｚ）の組成比を第１図
（１））に示す。なお第２薗は本実施例に対する比較試
料とする従来技術によるレーザの断面図である。
本実施例のレーザは下記の如き半導体層を備えている。
すなわち、不純物濃か２Ｘ１０ （ｏｎ−”：程度の
ｎ＋型ＧｇＡｓ基板１上に、分子線結晶成長方法によっ
て、不純物濃度が基板１と同程度、厚さ例えば３〔μｍ
〕程度のｎ＋型ＧａＡｓバンファ層２、不純物濃度が７
Ｘ １０１７（ｃＩｎ−３）程度、厚さ例えば１５〔
μｍ〕程度のｎ型Ａｔ０．４５Ｑａ ０．５５Ａｓ第１
閉じ込め層３（以下クラッド層と称する）、厚さ例えば
２（ｎｍ）程度のノンドープのＧａＡｓ中間層４、厚さ
例えば３［ｎｒｒ＋）程度のノンドープのＡｔＯ，２Ｇ
ａ Ｏ，８Ａｓ第２閉じ込め層５（以下バリア層と称す
る）、厚さ例えば６０（ｎｒｒ＋）程度のノンドープの
ＧａＡｓ活性層６、厚さ例えば３（ｎｍ）程度のノンド
ープのＡｔ０．２Ｑａ Ｏ，８−Ａｓバリア層７、厚さ
例えば２〔皿〕程度のノント：−プのＧａＡｓ中間層８
、不純物濃度が７−ＸＩＯ１７［ｃｒｎ−’ ）程度、
厚さ例えば１．５〔μｍ〕程度のｐ型Ａｔｏ４ｓＧａ
０．５５Ａ８クラッド層９、不純物濃度がＩ Ｘ １０
１９（ｃｒｎ−８）程度、厚さ例えば１〔μｍ〕程度の
ｐ＋型ＧａＡｓキャップ層１０が順次形成されている。
ｎ＋型ＧｇＡｓ基板１上に、分子線結晶成長方法によっ
て、不純物濃度が基板１と同程度、厚さ例えば３〔μｍ
〕程度のｎ＋型ＧａＡｓバンファ層２、不純物濃度が７
Ｘ １０１７（ｃＩｎ−３）程度、厚さ例えば１５〔
μｍ〕程度のｎ型Ａｔ０．４５Ｑａ ０．５５Ａｓ第１
閉じ込め層３（以下クラッド層と称する）、厚さ例えば
２（ｎｍ）程度のノンドープのＧａＡｓ中間層４、厚さ
例えば３［ｎｒｒ＋）程度のノンドープのＡｔＯ，２Ｇ
ａ Ｏ，８Ａｓ第２閉じ込め層５（以下バリア層と称す
る）、厚さ例えば６０（ｎｒｒ＋）程度のノンドープの
ＧａＡｓ活性層６、厚さ例えば３（ｎｍ）程度のノンド
ープのＡｔ０．２Ｑａ Ｏ，８−Ａｓバリア層７、厚さ
例えば２〔皿〕程度のノント：−プのＧａＡｓ中間層８
、不純物濃度が７−ＸＩＯ１７［ｃｒｎ−’ ）程度、
厚さ例えば１．５〔μｍ〕程度のｐ型Ａｔｏ４ｓＧａ
０．５５Ａ８クラッド層９、不純物濃度がＩ Ｘ １０
１９（ｃｒｎ−８）程度、厚さ例えば１〔μｍ〕程度の
ｐ＋型ＧａＡｓキャップ層１０が順次形成されている。
ｔお、第２図に示した比較試料は、前記本発明の実施例
のノンドープのＡｔＯ，２Ｃａ Ｏ，８Ａｓバリア層５
及び７、並びにノンドープのＧａＡｓ中間層４及び８が
設けられない点のみが異なっている。
のノンドープのＡｔＯ，２Ｃａ Ｏ，８Ａｓバリア層５
及び７、並びにノンドープのＧａＡｓ中間層４及び８が
設けられない点のみが異なっている。
上述の構造を有する半導体基体に、ｐ側電極１１及びｎ
側電極１２を設けてブロー°ドエリア型のレニザを形成
する。このレーザについて閾値電流密度Ｊｔｈを比較し
た結果、従来構造の比較試料に対して本発明の実施例は
閾値電流密度Ｊｔｈが２０〔−〕程度低減されているこ
とが明らかとなった。
側電極１２を設けてブロー°ドエリア型のレニザを形成
する。このレーザについて閾値電流密度Ｊｔｈを比較し
た結果、従来構造の比較試料に対して本発明の実施例は
閾値電流密度Ｊｔｈが２０〔−〕程度低減されているこ
とが明らかとなった。
また両試料のＧａＡｓ活性層６のクリプトン（Ｋｒ）レ
ーザ光（波長７５２．５Ｃｎｍ））によるフォトルミネ
センスを比較すれば、同一強度の励起に゛よって本発明
の実施例は従来例の３倍程度のルミネセンス強度が得ら
れて、励起されたキャリアの非発光再結合が本発明によ
って大幅に減少されることが証明される。
ーザ光（波長７５２．５Ｃｎｍ））によるフォトルミネ
センスを比較すれば、同一強度の励起に゛よって本発明
の実施例は従来例の３倍程度のルミネセンス強度が得ら
れて、励起されたキャリアの非発光再結合が本発明によ
って大幅に減少されることが証明される。
次にＧａＡｓ−Ａ／ｊｃａＡｓ系レーザにかかる第２の
実施例の、各半導体層のアルミニウム（Ａｚ）の組成比
の例を第３図に示す。本第２の実施例においてはＡｔｘ
Ｇａ １−ＸＡＳクラッド層３及び９０Ａｔ組成比従っ
て屈折率が活性層６に接近するに従って次第に・減少す
る構造とされているが、この様なりラッド層を設ける場
合においても、７９７層のバリア高さをクラ、ド層のバ
リア高さの最小値と同等以下とすることによって、この
クラッド層構造の効果と本発明の効果とを併せて閾値電
流密度を大幅に低減することができる。
実施例の、各半導体層のアルミニウム（Ａｚ）の組成比
の例を第３図に示す。本第２の実施例においてはＡｔｘ
Ｇａ １−ＸＡＳクラッド層３及び９０Ａｔ組成比従っ
て屈折率が活性層６に接近するに従って次第に・減少す
る構造とされているが、この様なりラッド層を設ける場
合においても、７９７層のバリア高さをクラ、ド層のバ
リア高さの最小値と同等以下とすることによって、この
クラッド層構造の効果と本発明の効果とを併せて閾値電
流密度を大幅に低減することができる。
更に第４図はインジウム・燐−インジウム・ガリウム・
砒素会燐（ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ ）系レーザにかか
る第３の実施例を示す断面図である。
砒素会燐（ＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ ）系レーザにかか
る第３の実施例を示す断面図である。
本第３の実施例において、２１はｎ＋型１ｎＰ基板、２
２はｎ＋型ＩｎＰバ、ファ層、２３はｎ型ＩｎＰクラッ
ド層、２４はノンドープのＩｎＯ，５３Ｇａ ０．４７
ＡＳ中間層、２５はノンドープのＩｎＧａＡｓＰバリア
層、２６はノンドープのＩｎ０．５３Ｑａ０．４７Ａｓ
活性層、２７はｐ型ＩｎＰクラッド層、２８はｐ＋型の
Ｉ’ｎＰキャップ層、２９はｐ側電極、３０はｎ側電極
である。々お本実施例の各半導体層は有機金属熱分解気
相成長方法によって形成されている。
２はｎ＋型ＩｎＰバ、ファ層、２３はｎ型ＩｎＰクラッ
ド層、２４はノンドープのＩｎＯ，５３Ｇａ ０．４７
ＡＳ中間層、２５はノンドープのＩｎＧａＡｓＰバリア
層、２６はノンドープのＩｎ０．５３Ｑａ０．４７Ａｓ
活性層、２７はｐ型ＩｎＰクラッド層、２８はｐ＋型の
Ｉ’ｎＰキャップ層、２９はｐ側電極、３０はｎ側電極
である。々お本実施例の各半導体層は有機金属熱分解気
相成長方法によって形成されている。
本第３の実施例においては、本発明の特徴とするバリア
層２５を活性層２６の基板側のみに設けている。活性層
の上下２面のへテロ接合界面を比較すれば、一般的に基
板側のへテロ接合界面及びその近傍に非発光再結合を生
ずる欠陥及び準位が抱く、本実施例の如く活性層の基板
側のみにバリア層を設けても内部量子効率の向上が達成
される。
層２５を活性層２６の基板側のみに設けている。活性層
の上下２面のへテロ接合界面を比較すれば、一般的に基
板側のへテロ接合界面及びその近傍に非発光再結合を生
ずる欠陥及び準位が抱く、本実施例の如く活性層の基板
側のみにバリア層を設けても内部量子効率の向上が達成
される。
以上説明した如く活性層のへテロ接合界面をクラッド層
によって形成することなく、クラッド層−中間層−バリ
ア層−活性層として活性層のへテロ接合界面をバリア層
との間に形成することによってペテロ接合界面及びその
近傍におけるキャリアの非発光再結合を大幅に低減する
ことができるが、バリア層及び中間層は活性層へのキャ
リア注入に関しては不利な影響を及すから、本発明の実
施に際しては、これらの層の厚さを例えばキャリアの平
均自由行程以下とし、バリア層のバリア高さをキャリア
の注入効率と活性層側のキャリア閉じ込め確率とから最
適化するなどの選択が行なわれる。
によって形成することなく、クラッド層−中間層−バリ
ア層−活性層として活性層のへテロ接合界面をバリア層
との間に形成することによってペテロ接合界面及びその
近傍におけるキャリアの非発光再結合を大幅に低減する
ことができるが、バリア層及び中間層は活性層へのキャ
リア注入に関しては不利な影響を及すから、本発明の実
施に際しては、これらの層の厚さを例えばキャリアの平
均自由行程以下とし、バリア層のバリア高さをキャリア
の注入効率と活性層側のキャリア閉じ込め確率とから最
適化するなどの選択が行なわれる。
（ｇ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、半導体発光装置の活性
層のへテロ接合界面及びその近傍におけるキャリアの非
発光再結合が犬きく低減されて、半導体発光装置の内部
量子効率が増大し、閾値電流を減少することができる。
層のへテロ接合界面及びその近傍におけるキャリアの非
発光再結合が犬きく低減されて、半導体発光装置の内部
量子効率が増大し、閾値電流を減少することができる。
この効果は例えばレーザの発振モードの単一化などのた
めに活性層を薄く形成する場合に特に妥貞著となる。
めに活性層を薄く形成する場合に特に妥貞著となる。
第１図ｉａ）はＧａＡｓ−Ａ拓ａＡｓ系レーザにかかる
本発明の第１の実施例を示す断面図、第１図（１））は
本実施例の各半導体層のＡＡの組成比Ｘを示す図、第２
図は前記実施例に対する比較試料とした従来技術による
レーザの断面図、第３図はＧａＡｓ −Ａｕ距Ａｓ系レ
ーザにかかる本発明の第２の実施例の各半導体層のＡｔ
の組成比Ｘを示す図、第４図はＩｎＰ −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系レーザにかかる本発明の第３の実施例を示す断面図
である。 図において、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ＋壓Ｇａ
Ａｓバッファ層、３はｎ型ＡＬＯ，４５Ｇａ、 ｏ、５
ｓＡｓクラッド層、４及び８はノンドープのＧａＡｓ中
間層、５及び７はノンドープのＡｔ０．２Ｇａ Ｏ，８
ＡＳバリア層、６はノンドープのＧａＡｓ活性層、′９
はｐ型Ａｔｏ４５ＧａＯ，４５ＡＳクラッド層、１０は
ｐ＋型ＧａＡｓキャップ層、１１はｐ側電極、１２はｎ
側電極、２１はｎ＋型ＩｎＰ基板、２２はｎ＋型ＩｎＰ
バッファ層、２３はｎｍＩｎＰクラッド層、２４１１−
ｊ：ノンドープのＩ ｎ ｏ、５３Ｇａ Ｏ，４７Ａｓ
中間層、２５はノンドープのＩ ｎＧａＡｓＰバリア層
、２６はノンドープのＩ ｎ ｏ、５ａｃａ ０．４７
Ａ８活性層、２７はｐ型クラッド層、２８はｐ＋現型１
ｎＰキヤプ層、２９はｐ側電極、３０はｎ側電極を示す
。 箒１図 ／／ （ｂ） ≠３図 ≠ ４ 図 ９
本発明の第１の実施例を示す断面図、第１図（１））は
本実施例の各半導体層のＡＡの組成比Ｘを示す図、第２
図は前記実施例に対する比較試料とした従来技術による
レーザの断面図、第３図はＧａＡｓ −Ａｕ距Ａｓ系レ
ーザにかかる本発明の第２の実施例の各半導体層のＡｔ
の組成比Ｘを示す図、第４図はＩｎＰ −ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系レーザにかかる本発明の第３の実施例を示す断面図
である。 図において、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ＋壓Ｇａ
Ａｓバッファ層、３はｎ型ＡＬＯ，４５Ｇａ、 ｏ、５
ｓＡｓクラッド層、４及び８はノンドープのＧａＡｓ中
間層、５及び７はノンドープのＡｔ０．２Ｇａ Ｏ，８
ＡＳバリア層、６はノンドープのＧａＡｓ活性層、′９
はｐ型Ａｔｏ４５ＧａＯ，４５ＡＳクラッド層、１０は
ｐ＋型ＧａＡｓキャップ層、１１はｐ側電極、１２はｎ
側電極、２１はｎ＋型ＩｎＰ基板、２２はｎ＋型ＩｎＰ
バッファ層、２３はｎｍＩｎＰクラッド層、２４１１−
ｊ：ノンドープのＩ ｎ ｏ、５３Ｇａ Ｏ，４７Ａｓ
中間層、２５はノンドープのＩ ｎＧａＡｓＰバリア層
、２６はノンドープのＩ ｎ ｏ、５ａｃａ ０．４７
Ａ８活性層、２７はｐ型クラッド層、２８はｐ＋現型１
ｎＰキヤプ層、２９はｐ側電極、３０はｎ側電極を示す
。 箒１図 ／／ （ｂ） ≠３図 ≠ ４ 図 ９
Claims (1)
- 光及びキャリア又は光を閉じ込める２つの第１の閉じ込
め層と、該２つの第１の閉じ込め層の間に、禁制帯幅が
該第１の閉じ込め層より小であって光電変換を行なう活
性層と、禁制帯幅が該活性層より大、かつ前記第１の閉
じ込め層以下であって、該活性層に接してキャリアを閉
じ込める単数又は複数の第２の閉じ込め層と、禁制帯幅
が該Ｒ”ｙ２の閉じ込め層より小であって該第２の閉じ
込め層と前記第１の閉じ込め層とに接する中間半導体”
層とを備えてなることを特徴とする半導体発光装置、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030274A JPS59155978A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58030274A JPS59155978A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155978A true JPS59155978A (ja) | 1984-09-05 |
Family
ID=12299122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58030274A Pending JPS59155978A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377182A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| US4989050A (en) * | 1989-08-28 | 1991-01-29 | Motorola, Inc. | Self aligned, substrate emitting LED |
| US9597698B2 (en) | 2012-11-19 | 2017-03-21 | Colgate-Palmolive Company | Multi-chamber container |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP58030274A patent/JPS59155978A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377182A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| US4989050A (en) * | 1989-08-28 | 1991-01-29 | Motorola, Inc. | Self aligned, substrate emitting LED |
| US9597698B2 (en) | 2012-11-19 | 2017-03-21 | Colgate-Palmolive Company | Multi-chamber container |
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