JPH06350193A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH06350193A JPH06350193A JP16395793A JP16395793A JPH06350193A JP H06350193 A JPH06350193 A JP H06350193A JP 16395793 A JP16395793 A JP 16395793A JP 16395793 A JP16395793 A JP 16395793A JP H06350193 A JPH06350193 A JP H06350193A
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- JP
- Japan
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- layer
- semiconductor laser
- optical confinement
- confinement layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定した温度特性と低しきい値電流を有する
半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板３７上にＩｎＧａＰクラッド層
３３、光閉じ込め層３４、量子井戸構造からなる活性層
３１、光閉じ込め層３５、ＩｎＧａＰクラッド層３２を
順次積層した半導体レーザ素子において、光閉じ込め層
３４、３５をＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y （ただし、
０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０）により構成
し、光閉じ込め層３４、３５のエネルギーバンドギャッ
プを、活性層３１側から層厚方向に連続的に拡大するよ
うにする。
半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板３７上にＩｎＧａＰクラッド層
３３、光閉じ込め層３４、量子井戸構造からなる活性層
３１、光閉じ込め層３５、ＩｎＧａＰクラッド層３２を
順次積層した半導体レーザ素子において、光閉じ込め層
３４、３５をＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y （ただし、
０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０）により構成
し、光閉じ込め層３４、３５のエネルギーバンドギャッ
プを、活性層３１側から層厚方向に連続的に拡大するよ
うにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、しきい値電流や発光効
率などの温度特性の安定したＧａＡｓ系量子井戸半導体
レーザ素子に関する。
率などの温度特性の安定したＧａＡｓ系量子井戸半導体
レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】ＩｎＧａＰからなるクラッド層を有するＧ
ａＡｓ系量子井戸半導体レーザ素子は、例えば図４
（ａ）に示すような構造をしており、発振波長は０．９
８μｍ帯である。図中、１は歪量子井戸構造からなる活
性層であり、層厚は１０ｎｍ以下である。２は光を閉じ
込めて導波路を形成する２５ｎｍ厚のＧａＡｓからなる
光閉じ込め層であり、活性層１の上下に形成されてい
る。３はｐ−ＩｎＧａＰクラッド層、４はｎ−ＩｎＧａ
Ｐクラッド層、５はｐ−ＧａＡｓキャップ層、６はｎ−
ＧａＡｓ基板である。
ａＡｓ系量子井戸半導体レーザ素子は、例えば図４
（ａ）に示すような構造をしており、発振波長は０．９
８μｍ帯である。図中、１は歪量子井戸構造からなる活
性層であり、層厚は１０ｎｍ以下である。２は光を閉じ
込めて導波路を形成する２５ｎｍ厚のＧａＡｓからなる
光閉じ込め層であり、活性層１の上下に形成されてい
る。３はｐ−ＩｎＧａＰクラッド層、４はｎ−ＩｎＧａ
Ｐクラッド層、５はｐ−ＧａＡｓキャップ層、６はｎ−
ＧａＡｓ基板である。
【０００３】ところで、半導体レーザ素子のレーザ動作
の温度安定性を高めるためには、素子の直列抵抗成分を
下げ、発熱を抑えるとともに、キャリアの閉じ込め効果
を高めてキャリアのオーバーフローを抑えることが有効
である。図５（ａ）は、このようなことを考慮して温度
安定性を高めた素子を示したもので、上記図４（ａ）に
示したＧａＡｓ系量子井戸半導体レーザ素子において、
光閉じ込め層の構成を替えたものを示したものである。
図５（ａ）において、光閉じ込め層１２はＧａＡｓに格
子整合する３層のＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y 層１２
ａ、１２ｂ、１２ｃから構成されている四元光閉じ込め
層である。各層の組成は、１２ａはＩｎ0.37Ｇａ0.63Ａ
ｓ0.24Ｐ0.76、１２ｂはＩｎ0.28Ｇａ0.72Ａｓ0.42Ｐ
0.58、１２ｃはＩｎ0.15Ｇａ0.85Ａｓ0.70Ｐ0.30であ
る。
の温度安定性を高めるためには、素子の直列抵抗成分を
下げ、発熱を抑えるとともに、キャリアの閉じ込め効果
を高めてキャリアのオーバーフローを抑えることが有効
である。図５（ａ）は、このようなことを考慮して温度
安定性を高めた素子を示したもので、上記図４（ａ）に
示したＧａＡｓ系量子井戸半導体レーザ素子において、
光閉じ込め層の構成を替えたものを示したものである。
図５（ａ）において、光閉じ込め層１２はＧａＡｓに格
子整合する３層のＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y 層１２
ａ、１２ｂ、１２ｃから構成されている四元光閉じ込め
層である。各層の組成は、１２ａはＩｎ0.37Ｇａ0.63Ａ
ｓ0.24Ｐ0.76、１２ｂはＩｎ0.28Ｇａ0.72Ａｓ0.42Ｐ
0.58、１２ｃはＩｎ0.15Ｇａ0.85Ａｓ0.70Ｐ0.30であ
る。
【０００４】図４（ｂ）、図５（ｂ）は、それぞれ図４
（ａ）および図５（ａ）２に示した素子の熱平衡状態の
エネルギーバンドを示したものである。図４（ｂ）から
わかるように、光閉じ込め層２とｐ−ＩｎＧａＰクラッ
ド層３の界面にバンドギャップ差に起因するスパイクが
生じており、キャリアの注入が悪い。また、光閉じ込め
層２がＧａＡｓのみからなり、エネルギーバンドがフラ
ットなので、キャリアはオーバーフローしやすい。一
方、図５（ｂ）からわかるように、光閉じ込め層１２は
活性層１に注入されるキャリアが良好に閉じ込められ、
オーバーフローしにくい構造となっている。また、光閉
じ込め層１２とｐ−ＩｎＧａＰクラッド層３の界面に生
ずるバンドギャップ差に起因するスパイクは、図４
（ｂ）の場合よりも小さくなっており、電気抵抗が減少
している。さらにＩｎ1 -xＧａx ＡｓyＰ1-y 層１２
ａ、１２ｂ、１２ｃの各ヘテロ界面でも、生ずるスパイ
クは小さく、キャリアの障壁は低くなる。これらのこと
から、３層の四元光閉じ込め層１２を用いると、しきい
値電流の温度による変化が、ＧａＡｓのみからなる光閉
じ込め層２を用いた場合よりも小さくなり、温度特性が
向上する（図３（ｂ）、（ｃ）参照）。
（ａ）および図５（ａ）２に示した素子の熱平衡状態の
エネルギーバンドを示したものである。図４（ｂ）から
わかるように、光閉じ込め層２とｐ−ＩｎＧａＰクラッ
ド層３の界面にバンドギャップ差に起因するスパイクが
生じており、キャリアの注入が悪い。また、光閉じ込め
層２がＧａＡｓのみからなり、エネルギーバンドがフラ
ットなので、キャリアはオーバーフローしやすい。一
方、図５（ｂ）からわかるように、光閉じ込め層１２は
活性層１に注入されるキャリアが良好に閉じ込められ、
オーバーフローしにくい構造となっている。また、光閉
じ込め層１２とｐ−ＩｎＧａＰクラッド層３の界面に生
ずるバンドギャップ差に起因するスパイクは、図４
（ｂ）の場合よりも小さくなっており、電気抵抗が減少
している。さらにＩｎ1 -xＧａx ＡｓyＰ1-y 層１２
ａ、１２ｂ、１２ｃの各ヘテロ界面でも、生ずるスパイ
クは小さく、キャリアの障壁は低くなる。これらのこと
から、３層の四元光閉じ込め層１２を用いると、しきい
値電流の温度による変化が、ＧａＡｓのみからなる光閉
じ込め層２を用いた場合よりも小さくなり、温度特性が
向上する（図３（ｂ）、（ｃ）参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように光閉じ込め層を複数の四元層で構成すると、次の
ような問題があった。即ち、 １）障壁数が増加すると、それぞれの障壁で生じる抵抗
成分のトータルを無視できなくなり、この抵抗分が素子
の発熱の原因となって、しきい値電流の温度特性の向上
に限界を生ずる。 ２）障壁数が増加し、ヘテロ界面が多くなると、ヘテロ
界面の結晶性の不完全性などに起因する非発光再結合な
どのリーク電流が大きくなるため、しきい値電流が大き
くなる。
ように光閉じ込め層を複数の四元層で構成すると、次の
ような問題があった。即ち、 １）障壁数が増加すると、それぞれの障壁で生じる抵抗
成分のトータルを無視できなくなり、この抵抗分が素子
の発熱の原因となって、しきい値電流の温度特性の向上
に限界を生ずる。 ２）障壁数が増加し、ヘテロ界面が多くなると、ヘテロ
界面の結晶性の不完全性などに起因する非発光再結合な
どのリーク電流が大きくなるため、しきい値電流が大き
くなる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した半導体レーザ素子を提供するもので、ＧａＡｓ基
板上にＩｎＧａＰクラッド層、光閉じ込め層、量子井戸
構造からなる活性層、光閉じ込め層、ＩｎＧａＰクラッ
ド層を順次積層した半導体レーザ素子において、光閉じ
込め層はＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y （ただし、０．５
２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０）からなり、光閉じ込
め層のエネルギーバンドギャップは、活性層側から層厚
方向に連続的に拡大することを特徴とするものである。
決した半導体レーザ素子を提供するもので、ＧａＡｓ基
板上にＩｎＧａＰクラッド層、光閉じ込め層、量子井戸
構造からなる活性層、光閉じ込め層、ＩｎＧａＰクラッ
ド層を順次積層した半導体レーザ素子において、光閉じ
込め層はＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y （ただし、０．５
２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０）からなり、光閉じ込
め層のエネルギーバンドギャップは、活性層側から層厚
方向に連続的に拡大することを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】上述のように、Ｉｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ
1-y （ただし、０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．
０）からなる光閉じ込め層のエネルギーバンドギャップ
を、組成を変えることにより、活性層側から層厚方向に
連続的に拡大すると、活性層とクラッド層の間で、バン
ドギャップの不連続により生ずるスパイクを小さくする
ことができ、障壁で生じる抵抗を小さくすることができ
る。また、ヘテロ界面をなくすることができるので、非
発光再結合にともなう問題も生じない。なお、ここで
０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０としたのは、Ｇ
ａＡｓに格子整合させるためである。
1-y （ただし、０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．
０）からなる光閉じ込め層のエネルギーバンドギャップ
を、組成を変えることにより、活性層側から層厚方向に
連続的に拡大すると、活性層とクラッド層の間で、バン
ドギャップの不連続により生ずるスパイクを小さくする
ことができ、障壁で生じる抵抗を小さくすることができ
る。また、ヘテロ界面をなくすることができるので、非
発光再結合にともなう問題も生じない。なお、ここで
０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０としたのは、Ｇ
ａＡｓに格子整合させるためである。
【０００８】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本
発明にかかる０．９８μｍ帯歪量子井戸半導体レーザ素
子の一実施例の横断面図および熱平衡状態のエネルギー
バンド図である。図中、３１は９ｎｍのＩｎＧａＡｓ量
子井戸層３１ａと上下各２０ｎｍのＧａＡｓバリア層３
１ｂからなる歪量子井戸活性層である。３２、３３は、
それぞれ各２μｍのｐ−ＩｎＧａＰクラッド層およびｎ
−ＩｎＧａＰクラッド層である。３４、３５は、バンド
ギャップが活性層３１側において１．４２ｅＶ、クラッ
ド層３２、３３側において１．９１ｅＶであり、活性層
３１側からクラッド層３２、３３側に連続的に拡大する
５０ｎｍ厚のＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y 四元層からな
る光閉じ込め層である。３６はＧａＡｓキャップ層、３
７はｎ−ＧａＡｓ基板である。光閉じ込め層３４、３５
の活性層３１側からの厚さとバンドギャップおよび組成
の変化を表１に示す。
を詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本
発明にかかる０．９８μｍ帯歪量子井戸半導体レーザ素
子の一実施例の横断面図および熱平衡状態のエネルギー
バンド図である。図中、３１は９ｎｍのＩｎＧａＡｓ量
子井戸層３１ａと上下各２０ｎｍのＧａＡｓバリア層３
１ｂからなる歪量子井戸活性層である。３２、３３は、
それぞれ各２μｍのｐ−ＩｎＧａＰクラッド層およびｎ
−ＩｎＧａＰクラッド層である。３４、３５は、バンド
ギャップが活性層３１側において１．４２ｅＶ、クラッ
ド層３２、３３側において１．９１ｅＶであり、活性層
３１側からクラッド層３２、３３側に連続的に拡大する
５０ｎｍ厚のＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y 四元層からな
る光閉じ込め層である。３６はＧａＡｓキャップ層、３
７はｎ−ＧａＡｓ基板である。光閉じ込め層３４、３５
の活性層３１側からの厚さとバンドギャップおよび組成
の変化を表１に示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】上記素子は以下のようにして製作する。即
ち、 １）先ず、図２に示すように、減圧ＭＯＣＶＤ法により
基板３７上にｎ−ＩｎＧａＰクラッド層３３からＧａＡ
ｓキャップ層３６までを順次積層して、エピタキシャル
ウェハを形成する。 ２）次いで、リッジ導波路３８を形成する。リッジ導波
路３８は幅が約３μｍ、高さが約３μｍ、共振器長は１
２００μｍである。 ３）次いで、リッジ導波路３８の両側を、ＧａＡｓキャ
ップ層３６のみを露出させて、ポリイミド埋め込み層３
９により埋め込む。 ４）次いで、ＧａＡｓキャップ層３６上にｐ電極４１
を、基板３７の厚さを１００μｍに調整した後に裏側に
ｎ電極４２を形成する。
ち、 １）先ず、図２に示すように、減圧ＭＯＣＶＤ法により
基板３７上にｎ−ＩｎＧａＰクラッド層３３からＧａＡ
ｓキャップ層３６までを順次積層して、エピタキシャル
ウェハを形成する。 ２）次いで、リッジ導波路３８を形成する。リッジ導波
路３８は幅が約３μｍ、高さが約３μｍ、共振器長は１
２００μｍである。 ３）次いで、リッジ導波路３８の両側を、ＧａＡｓキャ
ップ層３６のみを露出させて、ポリイミド埋め込み層３
９により埋め込む。 ４）次いで、ＧａＡｓキャップ層３６上にｐ電極４１
を、基板３７の厚さを１００μｍに調整した後に裏側に
ｎ電極４２を形成する。
【００１１】上記素子について、発振しきい値電流、発
光効率の温度依存性を調べるために、パルス電流駆動に
よる電流−光出力特性を、素子温度を１０℃、２５℃、
４０℃、５５℃、７０℃と変えて測定した。その結果を
図３（ａ）に示す。なお、比較例１として、光閉じ込め
層をＧａＡｓで構成した素子（図４）の測定結果を図３
（ｂ）に、比較例２として、光閉じ込め層をＩｎＧａＡ
ｓＰを用いた３層の段階的な四元層で構成した素子（図
５）の測定結果を図３（ｃ）に示す。これらの結果から
以下のことがわかる。即ち、比較例１の光閉じ込め層を
ＧａＡｓで構成した素子は、図３（ｂ）に示すように、
温度が高くなるとしきい値電流が益々高くなり、発光効
率もそれにしたがって低下する。また、比較例２の光閉
じ込め層をＩｎＧａＡｓＰを用いた３層の段階的な四元
層で構成した素子は、図３（ｃ）に示すように、しきい
値電流と発光効率の温度変化はともに図３（ｂ）に示し
た素子よりも小さくなっている。ところが、本実施例で
は、図３（ａ）に示すように、しきい値電流の温度変化
は図３（ｃ）に示した比較例２の素子よりもさらに小さ
くなっており、発光効率も温度によりほとんど変化しな
い。
光効率の温度依存性を調べるために、パルス電流駆動に
よる電流−光出力特性を、素子温度を１０℃、２５℃、
４０℃、５５℃、７０℃と変えて測定した。その結果を
図３（ａ）に示す。なお、比較例１として、光閉じ込め
層をＧａＡｓで構成した素子（図４）の測定結果を図３
（ｂ）に、比較例２として、光閉じ込め層をＩｎＧａＡ
ｓＰを用いた３層の段階的な四元層で構成した素子（図
５）の測定結果を図３（ｃ）に示す。これらの結果から
以下のことがわかる。即ち、比較例１の光閉じ込め層を
ＧａＡｓで構成した素子は、図３（ｂ）に示すように、
温度が高くなるとしきい値電流が益々高くなり、発光効
率もそれにしたがって低下する。また、比較例２の光閉
じ込め層をＩｎＧａＡｓＰを用いた３層の段階的な四元
層で構成した素子は、図３（ｃ）に示すように、しきい
値電流と発光効率の温度変化はともに図３（ｂ）に示し
た素子よりも小さくなっている。ところが、本実施例で
は、図３（ａ）に示すように、しきい値電流の温度変化
は図３（ｃ）に示した比較例２の素子よりもさらに小さ
くなっており、発光効率も温度によりほとんど変化しな
い。
【００１２】ところで、半導体レーザ素子の発振しきい
値の温度変化は、一般に特性温度（Ｔ0 ）という特性値
で比較される。特性温度は以下の式で表現される。 Ｔ0 （Ｋ）＝（Ｔ1 −Ｔ2 ）／ｌｎ（Ｉth1 ／Ｉth2 ） Ｉth1 ：素子温度Ｔ1 のときのしきい値電流 Ｉth2 ：素子温度Ｔ2 のときのしきい値電流 Ｔ1 ＝１０℃、Ｔ2 ＝７０℃としたときのＩth1 および
Ｉth2 は、図３より表２に示すような値となる。
値の温度変化は、一般に特性温度（Ｔ0 ）という特性値
で比較される。特性温度は以下の式で表現される。 Ｔ0 （Ｋ）＝（Ｔ1 −Ｔ2 ）／ｌｎ（Ｉth1 ／Ｉth2 ） Ｉth1 ：素子温度Ｔ1 のときのしきい値電流 Ｉth2 ：素子温度Ｔ2 のときのしきい値電流 Ｔ1 ＝１０℃、Ｔ2 ＝７０℃としたときのＩth1 および
Ｉth2 は、図３より表２に示すような値となる。
【００１２】
【表２】
【００１３】上記式により算出した特性温度は、本実施
例では３１０Ｋ、比較例１では９０Ｋ、比較例２では２
９０Ｋである。このように、光閉じ込め層を連続的にバ
ンドギャップ幅を変化させた四元層で構成すると、従来
の素子に比較して優れた温度特性と低しきい値電流を有
する半導体レーザ素子を実現することができる。
例では３１０Ｋ、比較例１では９０Ｋ、比較例２では２
９０Ｋである。このように、光閉じ込め層を連続的にバ
ンドギャップ幅を変化させた四元層で構成すると、従来
の素子に比較して優れた温度特性と低しきい値電流を有
する半導体レーザ素子を実現することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｇ
ａＡｓ基板上にＩｎＧａＰクラッド層、光閉じ込め層、
量子井戸構造からなる活性層、光閉じ込め層、ＩｎＧａ
Ｐクラッド層を順次積層した半導体レーザ素子におい
て、光閉じ込め層はＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y （ただ
し、０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０）からな
り、光閉じ込め層のエネルギーバンドギャップは、活性
層側から層厚方向に連続的に拡大するため、安定した温
度特性と低しきい値電流を有する半導体レーザ素子を得
ることができるという優れた効果がある。
ａＡｓ基板上にＩｎＧａＰクラッド層、光閉じ込め層、
量子井戸構造からなる活性層、光閉じ込め層、ＩｎＧａ
Ｐクラッド層を順次積層した半導体レーザ素子におい
て、光閉じ込め層はＩｎ1 -xＧａx Ａｓy Ｐ1-y （ただ
し、０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０）からな
り、光閉じ込め層のエネルギーバンドギャップは、活性
層側から層厚方向に連続的に拡大するため、安定した温
度特性と低しきい値電流を有する半導体レーザ素子を得
ることができるという優れた効果がある。
【図１】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明に係る半導
体レーザ素子の一実施例の横断面図および熱平衡状態の
エネルギーバンド図である。
体レーザ素子の一実施例の横断面図および熱平衡状態の
エネルギーバンド図である。
【図２】上記実施例の斜視図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ上記実施
例、比較例１、２の電流−光出力特性の温度変化を示す
図である。
例、比較例１、２の電流−光出力特性の温度変化を示す
図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来の半導体レー
ザ素子の横断面図および熱平衡状態のエネルギーバンド
図である。
ザ素子の横断面図および熱平衡状態のエネルギーバンド
図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ従来の他の半導体
レーザ素子の横断面図および熱平衡状態のエネルギーバ
ンド図である。
レーザ素子の横断面図および熱平衡状態のエネルギーバ
ンド図である。
３１ 活性層 ３１ａ 量子井戸層 ３１ｂ バリア層 ３２ ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層 ３３ ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層 ３４、３５ 光閉じ込め層 ３６ キャップ層 ３７ 基板 ３８ リッジ導波路 ３９ ポリイミド埋め込み層 ４１ ｐ電極 ４２ ｎ電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＰクラッド
層、光閉じ込め層、量子井戸構造からなる活性層、光閉
じ込め層、ＩｎＧａＰクラッド層を順次積層した半導体
レーザ素子において、光閉じ込め層はＩｎ1 -xＧａx Ａ
ｓy Ｐ1-y （ただし、０．５２≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦
１．０）からなり、光閉じ込め層のエネルギーバンドギ
ャップは、活性層側から層厚方向に連続的に拡大するこ
とを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16395793A JPH06350193A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16395793A JPH06350193A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350193A true JPH06350193A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15784037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16395793A Pending JPH06350193A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06350193A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078602A (en) * | 1996-02-12 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Separate confinement heterostructured semiconductor laser device having high speed characteristics |
| JP2008124123A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009081249A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP16395793A patent/JPH06350193A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078602A (en) * | 1996-02-12 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Separate confinement heterostructured semiconductor laser device having high speed characteristics |
| JP2008124123A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2009081249A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
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