JPH057049A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH057049A JPH057049A JP15659091A JP15659091A JPH057049A JP H057049 A JPH057049 A JP H057049A JP 15659091 A JP15659091 A JP 15659091A JP 15659091 A JP15659091 A JP 15659091A JP H057049 A JPH057049 A JP H057049A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｐ型のドーパントとしてＢｅを用いたＡｌＧ
ａＩｎＰ系材料からなる半導体発光装置に対してｐ型Ｇ
ａＡｓ層を介してオーミック接触を得る場合、その構造
について動作電圧を低減するための最適な条件を提供す
る。 【構成】 ｐ型ＧａＡｓ半導体層とｐ型（ＡｌxＧ
ａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体
層との間に、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層を有し前記ｐ型Ｇａ
ＩｎＰ中間層のキャリア濃度が、１×１０19cm-3以上で
あること及び、前記ｐ型ＧａＡｓ半導体層と前記ｐ型
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦
１）半導体層と前記ＧａＩｎＰ中間層のｐ型ドーパント
としてＢｅを用いることを特徴とする半導体発光装置。
ａＩｎＰ系材料からなる半導体発光装置に対してｐ型Ｇ
ａＡｓ層を介してオーミック接触を得る場合、その構造
について動作電圧を低減するための最適な条件を提供す
る。 【構成】 ｐ型ＧａＡｓ半導体層とｐ型（ＡｌxＧ
ａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体
層との間に、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層を有し前記ｐ型Ｇａ
ＩｎＰ中間層のキャリア濃度が、１×１０19cm-3以上で
あること及び、前記ｐ型ＧａＡｓ半導体層と前記ｐ型
（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦
１）半導体層と前記ＧａＩｎＰ中間層のｐ型ドーパント
としてＢｅを用いることを特徴とする半導体発光装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ
系材料とｐ型ＧａＡｓ半導体層を有する半導体発光装置
に関する。
系材料とｐ型ＧａＡｓ半導体層を有する半導体発光装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌＧａＩｎＰ系材料は、ＡｌＧａＡｓ
系材料に比べて広バンドギャップをもち、可視光（６０
０nm〜６７０nm）の発光材料として注目されている。し
かしｐ型のＡｌＧａＩｎＰ系材料は、ＡｌＧａＡｓ系材
料に比べて比抵抗が大きく、またｐ型ＧａＡｓ半導体層
を用いる場合には、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層、ｐ型（Ａｌ
xＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導
体層の間のバンド構造の不連続等によって、半導体レー
ザなどの動作電圧が高くなり、信頼性に問題があるとさ
れていたが、有機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法）
などによる、Ｚｎ，Ｍｇをｐ型のドーパントとして用い
たものについては、例えば、IEEE.J.ofQuantum Elector
onics,Vol.25,No.6,p.1477(1989)に報告されているよう
な可視光半導体レーザが実用化されている。しかしなが
らＭＯＣＶＤ法では、成長時の基板温度が高く、Ｚｎ，
Ｍｇ等のドーパントの拡散等の問題点がある。そこで、
ＭＯＣＶＤ法に代わる結晶成長法として、分子線エピタ
キシー法（以下ＭＢＥ法）が注目されている。ＭＢＥ法
の利点としては、ｐ型ドーパントに安定な１×１０18cm
-3以上の高濃度ドーピングが可能なＢｅを使用し、しか
も、６００℃以下の低い成長温度で良質の結晶が得られ
るためドーパント拡散の影響が極めて少ないことがあげ
られる。
系材料に比べて広バンドギャップをもち、可視光（６０
０nm〜６７０nm）の発光材料として注目されている。し
かしｐ型のＡｌＧａＩｎＰ系材料は、ＡｌＧａＡｓ系材
料に比べて比抵抗が大きく、またｐ型ＧａＡｓ半導体層
を用いる場合には、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層、ｐ型（Ａｌ
xＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導
体層の間のバンド構造の不連続等によって、半導体レー
ザなどの動作電圧が高くなり、信頼性に問題があるとさ
れていたが、有機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法）
などによる、Ｚｎ，Ｍｇをｐ型のドーパントとして用い
たものについては、例えば、IEEE.J.ofQuantum Elector
onics,Vol.25,No.6,p.1477(1989)に報告されているよう
な可視光半導体レーザが実用化されている。しかしなが
らＭＯＣＶＤ法では、成長時の基板温度が高く、Ｚｎ，
Ｍｇ等のドーパントの拡散等の問題点がある。そこで、
ＭＯＣＶＤ法に代わる結晶成長法として、分子線エピタ
キシー法（以下ＭＢＥ法）が注目されている。ＭＢＥ法
の利点としては、ｐ型ドーパントに安定な１×１０18cm
-3以上の高濃度ドーピングが可能なＢｅを使用し、しか
も、６００℃以下の低い成長温度で良質の結晶が得られ
るためドーパント拡散の影響が極めて少ないことがあげ
られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ｐ型のドーパントとし
てＢｅを用いたＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる半導体発
光装置に対してｐ型ＧａＡｓ層を介してオーミック接触
を得る場合、その構造について動作電圧を低減するため
の最適な条件が明らかではなかった。
てＢｅを用いたＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる半導体発
光装置に対してｐ型ＧａＡｓ層を介してオーミック接触
を得る場合、その構造について動作電圧を低減するため
の最適な条件が明らかではなかった。
【０００４】ｐ型のドーパントとしてＢｅを用いたＡｌ
ＧａＩｎＰ系材料からなる半導体発光装置に対してｐ型
ＧａＡｓ層を介してオーミック接触を得る場合、その構
造について動作電圧を低減するための最適な条件を提供
する。
ＧａＩｎＰ系材料からなる半導体発光装置に対してｐ型
ＧａＡｓ層を介してオーミック接触を得る場合、その構
造について動作電圧を低減するための最適な条件を提供
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】ＧａＡｓ半導体基板に格
子整合するＡｌＧａＩｎＰ系半導体層によるダブルヘテ
ロ構造をもち、ｐ型ＧａＡｓ半導体層とＧａＡｓ半導体
基板に格子整合するｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層を有し、前記ｐ型
ＧａＡｓ半導体層とｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層との間に、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層を有する半導体発光装置において、ｐ型
のドーパントとしてＢｅを用い、前記ｐ型ＧａＩｎＰ中
間層のキャリア濃度を１×１０19cm-3以上とする。
子整合するＡｌＧａＩｎＰ系半導体層によるダブルヘテ
ロ構造をもち、ｐ型ＧａＡｓ半導体層とＧａＡｓ半導体
基板に格子整合するｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層を有し、前記ｐ型
ＧａＡｓ半導体層とｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層との間に、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層を有する半導体発光装置において、ｐ型
のドーパントとしてＢｅを用い、前記ｐ型ＧａＩｎＰ中
間層のキャリア濃度を１×１０19cm-3以上とする。
【０００６】
【作用】前記のような半導体発光装置において、ｐ型の
ドーパントとしてＢｅを用いたｐ型（ＡｌxＧａ1-x）y
Ｉｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層、ｐ型
ＧａＩｎＰ中間層、ｐ型ＧａＡｓ半導体層間には、ヘテ
ロ障壁が存在することが判っている。そこで、ｐ型Ｇａ
ＩｎＰ中間層にＢｅを１×１０19cm-3以上ドーピングす
ることによって電流の妨げとなる前記ヘテロ障壁を緩和
し、動作電圧の低減を図ることが出来る。
ドーパントとしてＢｅを用いたｐ型（ＡｌxＧａ1-x）y
Ｉｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層、ｐ型
ＧａＩｎＰ中間層、ｐ型ＧａＡｓ半導体層間には、ヘテ
ロ障壁が存在することが判っている。そこで、ｐ型Ｇａ
ＩｎＰ中間層にＢｅを１×１０19cm-3以上ドーピングす
ることによって電流の妨げとなる前記ヘテロ障壁を緩和
し、動作電圧の低減を図ることが出来る。
【０００７】
【実施例】以下本発明の詳細を図示の実施例によって説
明する。
明する。
【０００８】図１（ａ）〜（ｄ）、及び図２（ｅ）〜
（ｇ）に本発明第１の実施例である半導体レーザの製造
プロセスを示す要部断面図を示す。
（ｇ）に本発明第１の実施例である半導体レーザの製造
プロセスを示す要部断面図を示す。
【０００９】まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰ中間層３、ｎ型ＡｌＩ
ｎＰクラッド層４、ＧａＩｎＰ活性層５、ｐ型ＡｌＩｎ
Ｐクラッド層６（Ｂｅドープ；４×１０17cm-3）、Ｇａ
ＩｎＰエッチストップ層７、ｐ型ＡｌＩｎＰ第二クラッ
ド層８（Ｂｅドープ；４×１０17cm-3）、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層９（Ｂｅドープ；１×１０19cm-3）、ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１０（Ｂｅドープ；５×１０18cm-3）
をＭＢＥ法により成長し（図１（ａ））、ホトリソグラ
フィー等によりストライプ状のマスク１１を形成し（図
１（ｂ））、マスク外領域をＧａＩｎＰエッチストップ
層７の表面までエッチングして、リッジを形成し（図１
（ｃ））、次にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１２（Ｓｉ
ドープ）を形成し（図１（ｄ））リッジ外領域にホトリ
ソグラフィー等によりストライプ状のマスク１３を形成
し（図２（ｅ））、硫酸系エッチャントによってリッジ
上部のｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１２のみを除去する
（図２（ｆ））。その後、ｎ側及びｐ側に電極１４、１
５を蒸着し、半導体レーザを作成した（図２（ｇ））。
ｓバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰ中間層３、ｎ型ＡｌＩ
ｎＰクラッド層４、ＧａＩｎＰ活性層５、ｐ型ＡｌＩｎ
Ｐクラッド層６（Ｂｅドープ；４×１０17cm-3）、Ｇａ
ＩｎＰエッチストップ層７、ｐ型ＡｌＩｎＰ第二クラッ
ド層８（Ｂｅドープ；４×１０17cm-3）、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層９（Ｂｅドープ；１×１０19cm-3）、ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１０（Ｂｅドープ；５×１０18cm-3）
をＭＢＥ法により成長し（図１（ａ））、ホトリソグラ
フィー等によりストライプ状のマスク１１を形成し（図
１（ｂ））、マスク外領域をＧａＩｎＰエッチストップ
層７の表面までエッチングして、リッジを形成し（図１
（ｃ））、次にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１２（Ｓｉ
ドープ）を形成し（図１（ｄ））リッジ外領域にホトリ
ソグラフィー等によりストライプ状のマスク１３を形成
し（図２（ｅ））、硫酸系エッチャントによってリッジ
上部のｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１２のみを除去する
（図２（ｆ））。その後、ｎ側及びｐ側に電極１４、１
５を蒸着し、半導体レーザを作成した（図２（ｇ））。
【００１０】この時ＧａＩｎＰ中間層９のドーピング濃
度を変えた多数の半導体レーザ素子の動作電圧を図５に
示す。このようにｐ型ＧａＩｎＰ中間層９のキャリア濃
度を設定してやるとｐ型ＧａＩｎＰ中間層のキャリア濃
度が１×１０18cm-3のものと比べて、約１．０Ｖ以上前
記半導体レーザの動作電圧を低減することができた。こ
の実験結果よりｐ型ＧａＩｎＰ中間層のキャリア濃度を
１×１０19cm-3以上にすることによって動作電圧上昇の
原因であるｐ型ＧａＡｓ半導体層とｐ型ＧａＩｎＰ中間
層とｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０
≦ｙ≦１）半導体層間のバンド不連続の緩和が図れ、
又、半導体レーザ動作電圧が２．５Ｖ以下になることに
より発熱など信頼性や素子特性に重大な問題を引き起こ
す原因を除去することができた。また、本実施例では、
クラッド層にＡｌＩｎＰ層を用いたが（Ａｌ0・7Ｇ
ａ0・3）0・5Ｉｎ0・5Ｐ層または（Ａｌ0・6Ｇａ0・4）0・5Ｉ
ｎ0・5Ｐ層でも同様の効果が確認されている。
度を変えた多数の半導体レーザ素子の動作電圧を図５に
示す。このようにｐ型ＧａＩｎＰ中間層９のキャリア濃
度を設定してやるとｐ型ＧａＩｎＰ中間層のキャリア濃
度が１×１０18cm-3のものと比べて、約１．０Ｖ以上前
記半導体レーザの動作電圧を低減することができた。こ
の実験結果よりｐ型ＧａＩｎＰ中間層のキャリア濃度を
１×１０19cm-3以上にすることによって動作電圧上昇の
原因であるｐ型ＧａＡｓ半導体層とｐ型ＧａＩｎＰ中間
層とｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０
≦ｙ≦１）半導体層間のバンド不連続の緩和が図れ、
又、半導体レーザ動作電圧が２．５Ｖ以下になることに
より発熱など信頼性や素子特性に重大な問題を引き起こ
す原因を除去することができた。また、本実施例では、
クラッド層にＡｌＩｎＰ層を用いたが（Ａｌ0・7Ｇ
ａ0・3）0・5Ｉｎ0・5Ｐ層または（Ａｌ0・6Ｇａ0・4）0・5Ｉ
ｎ0・5Ｐ層でも同様の効果が確認されている。
【００１１】次に第２の実施例について説明する。図３
（ａ）〜（ｄ）及び図４（ｅ）〜（ｇ）は第２の実施例
の半導体レーザの製造プロセスを示す要部断面図であ
る。
（ａ）〜（ｄ）及び図４（ｅ）〜（ｇ）は第２の実施例
の半導体レーザの製造プロセスを示す要部断面図であ
る。
【００１２】まず、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上にｎ型Ｇａ
Ａｓバッファ層２２、ｎ型ＧａＩｎＰ中間層２３、ｎ型
ＡｌＩｎＰクラッド層２４、（Ａｌ0・3Ｇａ0・7）0・5Ｉ
ｎ0・5Ｐ活性層２５、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層２６
（Ｂｅドープ；１×１０18cm-3）、ｐ型ＧａＩｎＰ中間
層２７（Ｂｅドープ；１×１０19cm-3）、ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層２８（Ｂｅドープ；５×１０18cm-3）をＭ
ＢＥ法により成長し（図３（ａ））、ホトリソグラフィ
ー等によりストライプ状のマスク２９を形成し（図３
（ｂ））、マスク外領域をｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層２
６の途中までエッチングしてリッジを形成し（図３
（ｃ））、次にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層３０（Ｓｉ
ドープ）を形成し（図３（ｄ））リッジ外領域にホトリ
ソグラフィー等によりストライプ状のマスク３１を形成
し（図４（ｅ））、硫酸系エッチャントによってリッジ
上部のｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層３０のみを除去する
（図４（ｆ））。その後、ｎ側及びｐ側に電極３２、３
３を蒸着し、半導体レーザを作成した（図４（ｇ））。
この構造に於いても前記のような動作電圧の低減の効果
が得られる事が確認された。また、ＢｅドープＡｌＩｎ
Ｐ層では１×１０18cm-3を越える高ドーピングを行った
場合、ドーパントの深い準位の形成や表面モホロジーの
劣化など結晶性悪化による素子特性の低下がみられる
が、本実施例ではｐ型ＧａＩｎＰ中間層からのＢｅ拡散
によるこのような悪影響は全く見られなかった。さら
に、本実施例では、活性層にｘ＝０．３を用いたが、活
性層を、（Ａｌ0・6Ｇａ0・4）0・5Ｉｎ0・5Ｐ層及びＧａＩ
ｎＰ層等から成る量子井戸層や、分離閉じ込めヘテロ構
造（Separate Confinement Heterostructure)としても
前記と同様の効果が得られる事が確認されている。ま
た、他にも利得導波型構造や、ｐ型基板等の他の構造の
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザや、可視光ＬＥＤ（Ligh
t Emitting Diode）など、ｐ型のドーパントとしてＢｅ
を用いたｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）半導体層、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層、ｐ
型ＧａＡｓ半導体層を構造として持つ半導体発光装置に
も適用することが可能である。
Ａｓバッファ層２２、ｎ型ＧａＩｎＰ中間層２３、ｎ型
ＡｌＩｎＰクラッド層２４、（Ａｌ0・3Ｇａ0・7）0・5Ｉ
ｎ0・5Ｐ活性層２５、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層２６
（Ｂｅドープ；１×１０18cm-3）、ｐ型ＧａＩｎＰ中間
層２７（Ｂｅドープ；１×１０19cm-3）、ｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層２８（Ｂｅドープ；５×１０18cm-3）をＭ
ＢＥ法により成長し（図３（ａ））、ホトリソグラフィ
ー等によりストライプ状のマスク２９を形成し（図３
（ｂ））、マスク外領域をｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層２
６の途中までエッチングしてリッジを形成し（図３
（ｃ））、次にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層３０（Ｓｉ
ドープ）を形成し（図３（ｄ））リッジ外領域にホトリ
ソグラフィー等によりストライプ状のマスク３１を形成
し（図４（ｅ））、硫酸系エッチャントによってリッジ
上部のｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層３０のみを除去する
（図４（ｆ））。その後、ｎ側及びｐ側に電極３２、３
３を蒸着し、半導体レーザを作成した（図４（ｇ））。
この構造に於いても前記のような動作電圧の低減の効果
が得られる事が確認された。また、ＢｅドープＡｌＩｎ
Ｐ層では１×１０18cm-3を越える高ドーピングを行った
場合、ドーパントの深い準位の形成や表面モホロジーの
劣化など結晶性悪化による素子特性の低下がみられる
が、本実施例ではｐ型ＧａＩｎＰ中間層からのＢｅ拡散
によるこのような悪影響は全く見られなかった。さら
に、本実施例では、活性層にｘ＝０．３を用いたが、活
性層を、（Ａｌ0・6Ｇａ0・4）0・5Ｉｎ0・5Ｐ層及びＧａＩ
ｎＰ層等から成る量子井戸層や、分離閉じ込めヘテロ構
造（Separate Confinement Heterostructure)としても
前記と同様の効果が得られる事が確認されている。ま
た、他にも利得導波型構造や、ｐ型基板等の他の構造の
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザや、可視光ＬＥＤ（Ligh
t Emitting Diode）など、ｐ型のドーパントとしてＢｅ
を用いたｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）半導体層、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層、ｐ
型ＧａＡｓ半導体層を構造として持つ半導体発光装置に
も適用することが可能である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、ＧａＡｓ半導体基板に
格子整合するＡｌＧａＩｎＰ系半導体層によるダブルヘ
テロ構造をもち、ｐ型ＧａＡｓ半導体層とＧａＡｓ半導
体基板に格子整合するｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層を有し、前記ｐ型
ＧａＡｓ半導体層とｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層との間に、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層を有する半導体発光装置於いて動作電圧
を低減することができ、信頼性の向上を図ることができ
る。
格子整合するＡｌＧａＩｎＰ系半導体層によるダブルヘ
テロ構造をもち、ｐ型ＧａＡｓ半導体層とＧａＡｓ半導
体基板に格子整合するｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層を有し、前記ｐ型
ＧａＡｓ半導体層とｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ
（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体層との間に、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層を有する半導体発光装置於いて動作電圧
を低減することができ、信頼性の向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例の製造プロセスを説明す
るための要部断面図である。
るための要部断面図である。
【図２】図１に続く本発明の第１の実施例の製造プロセ
スを説明するための要部断面図である。
スを説明するための要部断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の製造プロセスを説明す
るための要部断面図である。
るための要部断面図である。
【図４】図３に続く本発明の第２の実施例の製造プロセ
スを説明するための要部断面図である。
スを説明するための要部断面図である。
【図５】本発明の効果を説明するためのグラフである。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板
２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層
３ ｎ型ＧａＩｎＰ中間層
４ ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層
５ ＧａＩｎＰ活性層
６ ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層
７ ＧａＩｎＰエッチストップ層
８ ｐ型ＡｌＩｎＰ第二クラッド層
９ ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
１０ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層ストライプ状のマ
スク １１ マスク １２ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 １３ マスク １４ ｎ側電極 １５ ｐ側電極 ２１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ２３ ｎ型ＧａＩｎＰ中間層 ２４ ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層 ２５ （Ａｌ0・3Ｇａ0・7）0・5Ｉｎ0・5Ｐ活性層 ２６ ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層 ２７ ｐ型ＧａＩｎＰ中間層 ２８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ２９ マスク ３０ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 ３１ マスク ３２ ｎ側電極 ３３ ｐ側電極
スク １１ マスク １２ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 １３ マスク １４ ｎ側電極 １５ ｐ側電極 ２１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ２３ ｎ型ＧａＩｎＰ中間層 ２４ ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層 ２５ （Ａｌ0・3Ｇａ0・7）0・5Ｉｎ0・5Ｐ活性層 ２６ ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層 ２７ ｐ型ＧａＩｎＰ中間層 ２８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ２９ マスク ３０ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 ３１ マスク ３２ ｎ側電極 ３３ ｐ側電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 菅 康夫
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ
株式会社内
(72)発明者 角田 篤勇
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ
株式会社内
(72)発明者 松井 完益
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ
株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】ＧａＡｓ半導体基板に格子整合するＡｌＧ
ａＩｎＰ系半導体層によるダブルヘテロ構造をもち、ｐ
型ＧａＡｓ半導体層とＧａＡｓ半導体基板に格子整合す
るｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦
ｙ≦１）半導体層を有し、前記ｐ型ＧａＡｓ半導体層と
前記ｐ型（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０
≦ｙ≦１）半導体層との間に電流を流す半導体発光装置
に於いて、前記ｐ型ＧａＡｓ半導体層とｐ型（ＡｌxＧ
ａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体
層との間に、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層を有し前記ｐ型Ｇａ
ＩｎＰ中間層のキャリア濃度が、１×１０19cm-3以上で
あることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】前記ｐ型ＧａＡｓ半導体層と前記ｐ型（Ａ
ｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（０＜ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半
導体層とＧａＩｎＰ中間層のｐ型ドーパントとしてＢｅ
を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15659091A JPH057049A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15659091A JPH057049A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH057049A true JPH057049A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15631089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15659091A Pending JPH057049A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH057049A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707834B2 (en) | 2001-06-26 | 2004-03-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and process for producing the same |
| US7084433B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device capable of maintaining the operation current low and method of manufacturing the same |
| US7923269B2 (en) | 2000-10-26 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP15659091A patent/JPH057049A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7923269B2 (en) | 2000-10-26 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US8202743B2 (en) | 2000-10-26 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6707834B2 (en) | 2001-06-26 | 2004-03-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and process for producing the same |
| US7084433B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device capable of maintaining the operation current low and method of manufacturing the same |
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