KR20040018348A - 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- In를 포함하며 n형 불순물을 도프한 n형 질화 갈륨계 화합물 반도체로 이루어진 활성층과, Al를 포함하며 p형 불순물을 도프한 p형 질화 갈륨계 화합물 반도체로 이루어진 p형 클래드층을 가지는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자에 있어서,상기 활성층과 상기 p형 클래드층의 사이에, 상기 활성층보다 저농도의 n형 불순물과 상기 p형 클래드층보다 저농도의 p형 불순물을 포함하는 질화 갈륨계 화합물 반도체로 이루어진 제 1 캡층과, Al를 포함하며 p형 불순물을 도프한 p형 질화 갈륨계 화합물 반도체로 이루어진 제 2 캡층을 적층한 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 캡층은 상기 활성층에 접하여 형성되고, 또한 상기 제 2 캡층은 제 1 캡층에 접하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 캡층의 n형 불순물 및 p형 불순물의 농도가 1.0 ×1017/cm-3이하이고, 상기 제 2 캡층의 p형 불순물의 농도가 8.0 ×1018~ 2.0 ×1019/cm-3인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 캡층이 n형 불순물 및 p형 불순물을 도프하지 않고 성장되어, 상기 활성층으로부터의 열확산에 의해 n형 불순물을 포함하고, 상기 제 2 캡층으로부터의 열확산에 의해 p형 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 캡층의 막두께가, 상기 활성층에 도프된 n형 불순물이 상기 제 1 캡층 내에서 나타내는 열확산 길이와 상기 제 2 캡층에 도프된 p형 불순물이 상기 제 1 캡층 내에서 나타내는 열확산 길이의 합계 길이 이하인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 캡층이 GaN층, InxGa1-xN층(0<x<1) 및 AlyGa1-yN층(0<y<1)으로 이루어진 군(群)으로부터 선택된 1층 또는 이들의 적층체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 6 항 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 캡층이 GaN층으로 이루어지고, 막두께가 15~100Å인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 캡층이 InxGa1-xN층(0<x<1)으로 이루어지고, 막두께가 15~150Å인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 캡층이 AlyGa1-yN층(0<y<1)으로 이루어지고, 막두께가 15~50Å인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 캡층의 막두께가 15~500Å인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 활성층이 In를 포함하는 질화 갈륨계 화합물 반도체로 이루어진 우물층과, n형 불순물을 첨가한 질화 갈륨계 화합물 반도체로 이루어진 장벽층을 교대로적층하여 구성되고, 상기 제 1 캡층이 상기 장벽층보다 저농도의 n형 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 활성층 중 가장 제 1 캡층에 가까운, n형 불순물을 첨가한 질화 갈륨계 화합물 반도체로 이루어진 층의 n형 불순물 농도는 5.0 ×1017~ 1.0 ×1019/cm-3인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자.
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