JP2004311658A - 窒化物半導体レーザ素子、この窒化物半導体レーザ素子の製造方法およびこの窒化物半導体レーザ素子を用いた光学装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】量子井戸構造の発光層と、前記発光層の上に設けられたp型窒化物半導体層との間に接して、層厚が20nm以上150nm以下である中間層が形成され、かつ、前記中間層が、ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に接するアンドープの第2の窒化物半導体層とを少なくとも備えた窒化物半導体レーザ素子とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物半導体レーザ素子と、この素子を備えた半導体光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近紫外光などの短波長レーザ光は、長波長レーザ光よりもそのスポット径を小さく絞り込むことができ、その照射スポットの中心間隔を高密度化できる。それゆえ、光記録媒体上の書き込みビット情報間隔(記録密度)が高密度化した次世代型の光学式情報記録装置を実現するために、その光源として短波長レーザ光を照射できる素子が注目されている。このような素子として、窒化物半導体レーザ素子があげられる。
【0003】
ところで、レーザ光は平行光線ではなく、拡がり角を有する扁平楕円型の拡散光線であるため、その拡がり角を表す指標としてファーフィールドパターン(FFP)が用いられている。このFFPは、半導体レーザの層方向(横方向)に平行な半値全幅角や、それに垂直な半値全幅角(θ⊥)を代表値としており、前者よりも後者(θ⊥)の方が大きい。
【0004】
このように扁平楕円型のFFPを有しているレーザ光を用いて光記録媒体上にビット情報を書き込む場合、照射されたレーザ光の重なり合い(クロストーク)を避けるため、スポット相互間の中心間隔を広げて照射しなければならず、記録密度を十分に高めることができない。したがって、記録密度を十分に高めるためには、レーザ光のスポット形状を楕円型から真円型に近づけることが重要となる。
【0005】
ここにおいて、発光層における光の閉じ込め効果を低下させると、前記半導体レーザの層方向に垂直な半値全幅角(θ⊥)が小さくなり、スポット形状がより真円型に近づくことが知られているが、この方法によるとレーザ素子の発振閾値電流密度が増大してしまう。
【0006】
このため、発振閾値電流密度の増大を抑制しつつ、前記垂直な半値全幅角(θ⊥)を小さくするために、電子のオーバーキャリーを抑制して発振閾値電流密度を低減させる層(電子ブロック層)と、InGaN層からなる量子井戸構造の発光層との間に、層厚20〜60nmのInGaN層を設ける技術が提案されている(例えば、非特許文献1参照。)。
【0007】
【非特許文献1】
アプライド・フィジックス・レター、80号、3497−3499ページ(T.Asano et al. :Appl.Phys.Lett.Vol.80(2002)p.3497−3499)
【0008】
しかしながら、この非特許文献1に記載の技術を用いても、発光素子として実用に供するほどに低い発振閾値電流密度は得られず、加えて、電流密度の分散が大きくなってしまうため素子の作製歩留まりが悪くなるという課題がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記課題を解決するものであり、発振閾値電流密度が低く、かつ作製歩留まりの高い窒化物半導体レーザ素子を提供することである。また、本発明の更なる目的は、この窒化物半導体レーザ素子を備えた半導体光学装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板と、前記基板の上に設けられた、アンドープのInGaNからなる井戸層とアンドープのInGaNからなる障壁層とが積層された量子井戸構造の発光層と、前記発光層の上に設けられたp型窒化物半導体層と、前記発光層と前記p型窒化物半導体層との間に接して設けられた、窒化物半導体からなる中間層とを有し、前記中間層が、ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に接して設けられた、アンドープの窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層とを少なくとも備え、かつ、前記中間層の層厚が20nm以上150nm以下であることを特徴とする。
【0011】
また、本発明のもう一つの態様の窒化物半導体レーザ素子は、基板と、前記基板の上に設けられた、アンドープのInGaNからなる井戸層とGaNからなる障壁層とが積層された量子井戸構造の発光層と、前記発光層の上に設けられたp型窒化物半導体層と、前記発光層と前記p型窒化物半導体層との間に接して設けられた、窒化物半導体からなる中間層とを有し、前記中間層が、ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に接して設けられた、アンドープの窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層とを少なくとも備え、かつ、前記中間層の層厚が20nm以上150nm以下であることを特徴とする。
【0012】
これらの構成であると、発光層とp型窒化物半導体層とに接して中間層が設けられているため、発光層とp型窒化物半導体層とにおける相対バンド構造の歪みが補正されて小さくなる。これにより、電子とホールが空間的に分離することが防止されるので、素子の発振閾値電流密度が低くなる。
【0013】
さらに、中間層の発光層側に、ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層が設けられているため、この素子におけるpn接合位置が常に固定される。これにより、発振閾値電流密度の分散が小さくなるので、素子の作製歩留まりが向上する。
【0014】
また、この中間層には、アンドープの第2の窒化物半導体層が設けられているので、第2の窒化物半導体層の層厚を変えることにより、第1の窒化物半導体層の層厚に直接依存せずに中間層の層厚を増加させることができる。これにより、上述の歪み補正効果に加えて、ホールが発光層へ注入される際に第1の窒化物半導体層に添加されているケイ素がホールを捕捉してしまう量を低減できる。したがって、発光層へのホールの注入効率が向上し発振閾値電流密度が低減する。さらにまた、この第2の窒化物半導体層はp型窒化物半導体層側に設けられているため、第1の窒化物半導体層の配置を発光層側に偏らせることができ、これにより、pn接合位置がより一層発光層側に近づくので、素子の発光効率が向上し発振閾値電流密度が低減する。
【0015】
以上から、これらの構成であると、発振閾値電流密度が低く、かつ作製歩留まりの高い窒化物半導体レーザ素子を実現することができる。
【0016】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、さらに、前記中間層が、前記発光層と第1の窒化物半導体層との間に接して設けられたアンドープの窒化物半導体からなる第3の窒化物半導体層を備える構成とすることができる。
【0017】
この構成であると、第1の窒化物半導体層と発光層との距離を離すことができるため、第1の窒化物半導体層に添加されたケイ素が発光層より発せられた光を吸収してしまうこと(光の内部損失)を抑制できる。これにより、素子の発光効率がさらに向上し発振閾値電流密度が一層低減する。
【0018】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、さらに、前記p型窒化物半導体層の組成がAlGaNまたはInAlGaNであり、かつ、前記組成中のAl比が10%以上25%以下である構成とすることができる。
【0019】
p型窒化物半導体層としてAlGaN層またはInAlGaN層を用いると、発光層よりもバンドギャップエネルギーが高くなるため、電子のオーバーフローが抑制されキャリアの注入効率が向上する。しかしながら、AlGaN層またはInAlGaN層は非常に強い自発分極性とピエゾ電解性を有しているため、発光層との相対バンド構造を大きく歪めてしまう要因となる。ここで、上記構成のように、そのAl組成比を10%以上25%以下とすると、電子のオーバーフローを抑制する作用と相対バンド構造の歪みの発生を低減する作用とがバランスするので、素子の発振閾値電流密度を一層低減させることができる。
【0020】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、さらに、前記第1の窒化物半導体層に添加されているケイ素の濃度が5×1016cm−3以上5×1018cm−3以下である構成とすることができる。
【0021】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、さらに、前記第1の窒化物半導体層の層厚が前記中間層の層厚の4%以上60%以下である構成とすることができる。
【0022】
これらの構成であると、第1の窒化物半導体層がn型の導電性を発揮するため、素子におけるpn接合位置が安定する。さらに、添加されているケイ素量が一定値以下となるため、捕捉されるホール量が低く抑えられ、発光層へのホール注入効率が向上する。
【0023】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、さらに、前記基板が窒化物半導体基板であり、かつ、前記基板と前記発光層との間に、厚さおよび/またはAl組成比が異なる3つの層からなるAlGaNのn型クラッド層を備え、前記n型クラッド層の総層厚が2μm以上5μm以下であり、前記n型クラッド層の中央層のAl組成比が外側の2層よりも高い構成とすることができる。
【0024】
この構成であると、レーザ光の垂直ファーフィールドパターン(FFP)が基板側に移動する。これにより、p型窒化物半導体層へのレーザ光の染み出しが減少し、p型窒化物半導体層への光吸収が低減する。したがって、素子の発光効率が向上し、発振閾値電流密度が低減する。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について説明する。
〔実施の形態1〕
本発明の一例である半導体レーザ素子は、
A)基板と、
B)この基板の上に設けられた量子井戸構造の発光層と、
C)この発光層の上に接して設けられた中間層と、
D)この中間層の上に接して設けられたp型窒化物半導体層と、
を少なくとも備える。
【0026】
以下に、本発明の半導体レーザ素子における、中間層、発光層およびp型窒化物半導体層の好ましい構成について、詳しく説明する。
【0027】
まず、発光層の最上層を規定することにより中間層の界面を規定しておく。
【0028】
発光層は、井戸層とこれに接した障壁層とが交互に積層された量子井戸構造である。この積層順序は、基板側を基準として以下の2種類に限定される。
▲1▼ 井戸層/障壁層/井戸層/障壁層/・・・/井戸層のように、最下層と最上層とが井戸層である構造。
▲2▼ 障壁層/井戸層/障壁層/・・・/井戸層のように、最下層が障壁層であり、最上層が井戸層の構造。
すなわち、本発明においては、発光層の最上層を井戸層と規定する。
【0029】
これにより、本発明における中間層は、最上層の井戸層表面が下部界面であり、p型窒化物半導体層の下層表面が上部界面であるものになる。
【0030】
<<中間層の構成について>>
窒化物半導体は、他のIII−V族半導体と比べて強い自発分極性とピエゾ電界性を有している。このため、窒化物半導体レーザ素子では、これらの影響がp型窒化物半導体層と発光層とにおける相対バンド構造の歪みとして生じるので、電子とホールの再結合が妨げられ、発光効率が低下して発振閾値電流密度が増大する。
【0031】
このような相対バンド構造の歪みによる電子とホールとの再結合の阻害は、p型窒化物半導体層と発光層との物理的な距離が近いほど顕著である。そこで本実施の形態1では、この相対バンド構造の歪みによる悪影響を小さくする(歪みを補正する)ため、以下に示す所定層厚の中間層を設けた。
【0032】
この層厚は20nm以上150nm以下であることが好ましい。その理由は以下の2つによる。
▲1▼ 層厚が20nmよりも薄くなると、相対バンド構造の歪みによる電子とホールの再結合率の低下が防止できず、素子の発振閾値電流密度が増大する。さらに、この中間層が備えている、ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層がn型の導電性を発揮できず、素子におけるpn接合位置を安定させられないため、発振閾値電流密度の分散が増大する。
▲2▼ 層厚が150nmよりも厚くなると、ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層の層厚が相対的に増大するため、この第1の窒化物半導体層で捕捉されてしまうホール量が増大する。このため、発光層へのホール注入効率が低下して、素子の発振閾値電流密度が増大する。
【0033】
ここでさらに、上述した好ましい層厚の範囲(20nm以上150nm以下)は、目的とする作用効果に応じて以下の2つに大別することができる。
▲1▼(80nm以上150nm以下とする構成)
この範囲であると、相対バンド構造における歪みの補正作用が一層高まり、かつ、第1の窒化物半導体層の層厚増加によって素子のpn接合位置がより安定する。これにより発振閾値電流密度が一層低減される。
▲2▼(20nm以上80nm以下とする構成)
この範囲であると、素子における発振閾値電流密度の温度依存性が小さくなる。したがって、この層厚をこの範囲とすると、高出力動作時におけるような発熱を伴う使用状態においても、素子が安定して動作する。
【0034】
中間層の構成についてさらに説明する。
本発明の中間層は、
▲1▼ ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層と、
▲2▼ この第1の窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に接して設けられたアンドープの窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層と、
を少なくとも備えている。
さらに、この中間層は、
▲3▼ 発光層と第1の窒化物半導体層との間に接して設けられたアンドープの窒化物半導体からなる第3の窒化物半導体層
を備えることができる。
これら第1〜第3の窒化物半導体層について説明する。
【0035】
<ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層について>
(1)第1の窒化物半導体層は、ケイ素が添加されたGaN層またはケイ素が添加されたAlGaN層とすることができる。第1の窒化物半導体層が、ケイ素が添加されたAlGaN層であると、GaN層である場合よりも発光層に対するバンドギャップが大きくなるため、発光層からオーバーフローする電子量を抑制する作用が向上し、この結果、キャリアの注入効率が向上するため発振閾値電流密度が一層低減できる点で好ましい。ただしこの場合には、混晶層が介在することで相対バンド構造の歪みが増大してしまうため、Al組成比を5%以下とすることが好ましい。
【0036】
(2)このケイ素が添加されたGaN層またはケイ素が添加されたAlGaN層は中間層内に複数層形成されていてもよく、また、各組成が異なっていてもよい。ただし、複数層からなる第1の窒化物半導体層の層厚が中間層の層厚に対して4%以上60%以下であることが好ましい。
この理由は以下の2つによる。
▲1▼ 層厚が中間層に対して4%よりも薄くなると、n型半導体層としての電気的性質が発揮できないため、素子におけるpn接合位置が不安定になる。
▲2▼ 層厚が中間層に対して60%よりも厚くなると、添加ケイ素量の増加に伴って発光層からの光を吸収する量が顕著に増大する。また、この層は発光層の近傍に設けられているため、この層で光吸収量が増大すると、素子における光学ロスが顕著に増大する。
この第1の窒化物半導体層の層厚は、好ましくは6nm以上30nm以下とする。この層厚であると、上述したpn接合位置の安定化効果と光学ロスの防止効果がより一層相乗するため、さらに好ましい結果が得られるからである。
【0037】
(3)上記GaN層またはAlGaN層に添加されているケイ素含有量は、5×1016cm−3以上5×1018cm−3以下であることが好ましい。
この理由は以下の2つによる。
▲1▼ 含有量が5×1016cm−3よりも少なくなると、n型半導体層としての電気的性質が発揮できないため、素子におけるpn接合位置が不安定になる。
▲2▼ 含有量が5×1018cm−3よりも多くなると、上述した素子における光学ロスが顕著に増大する。さらに、不純物の添加量が多いほど半導体層が劣化しやすくなる。
【0038】
<アンドープの第2の窒化物半導体層について>
第2の窒化物半導体層は、アンドープのGaN層またはアンドープのInGaN層とすることができる。これらの層は、中間層内に複数層形成されていてもよく、各々の層の組成が異なっていてもよい。ただし、アンドープのInGaN層とする場合にはそのIn組成比は1%以下であることが好ましく、0.3%以下であることがより好ましい。この理由は、このIn組成比であるとInが偏析しにくいため、InGaN層の結晶性を低下させずに層厚を増加できるからである。
【0039】
この第2の窒化物半導体層を形成する利点としては、次の2つがあげられる。
▲1▼ 中間層における第1の窒化物半導体層の配置を発光層側に偏らせることができ、これにより素子におけるpn接合位置をより一層発光層側に近づけることができる。
▲2▼ 第1の窒化物半導体層の層厚に直接依存せずに中間層の層厚を増加させることができ、第2の窒化物半導体層には実質的にケイ素が添加されていないため、この層厚を増加させても発光層に注入されるホールが捕捉される量が増大しない。したがって、相対バンド構造における歪みを補正しつつ、発光層へのキャリア注入効率を向上させることができる。
【0040】
<アンドープの第3の窒化物半導体層について>
第3の窒化物半導体層は、第2の窒化物半導体層と同様に、アンドープのGaN層またはアンドープのInGaN層とすることができる。さらに、中間層内に複数層形成されていてもよく、また、各組成が異なっていてもよい。ただし、相対バンド構造における歪みを補正する目的からは、第2と第3の窒化物半導体層の組成および組成比が一致していることがより好ましい。また、この層を形成することにより、第1の窒化物半導体層と発光層とが直接的に接しなくなるため、上述した光学ロスの増大が抑制される。
【0041】
<<発光層について>>
発光層は、井戸層とこれに接した障壁層とが交互に積層した量子井戸構造である。ここで、この発光層は以下に示す3種類の構成とすることができる。それぞれの構成について以下に説明する。
▲1▼ 第1の構成は、井戸層および障壁層がアンドープのInGaN層である。この構成であると、発光層全体に不純物がドーピングされていないため、発光層内での自由キャリアによる光散乱が低下し、光学ロスが減少する。
▲2▼ 第2の構成は、井戸層がアンドープのInGaN層であり、障壁層はケイ素が添加されたGaN層である。この構成であると、障壁層のバンドギャップが井戸層のそれよりも顕著に大きくなるため、量子井戸効果が増大して光出力が向上する。
▲3▼ 第3の構成は、井戸層がアンドープのInGaN層であり、障壁層がアンドープのGaN層である。この構成であると、発光層全体に不純物がドーピングされていないため、発光層内での自由キャリアによる光散乱が低下し、光学ロスが減少する。ただし、本発明者らが検討したところ、障壁層の層厚が井戸層の層厚の0.7倍以上1.8倍以下である場合において、発振閾値電流密度を低下させることができる。
【0042】
なお、ここでは具体的なIn組成比を示していないが、障壁層のバンドギャップが井戸層のそれよりも大きくなる組成比とすることは勿論である。また、InGaN層のIn組成比は1%以下であることが好ましく、より好ましくは0.3%以下である。この理由は、上述したように、この範囲であるとInGaN層の結晶性が低下しにくくなるためである。
【0043】
<<p型窒化物半導体層について>>
p型窒化物半導体層は、AlGaN層またはInAlGaN層とすることができる。この場合、発光層に対するこの層のバンドギャップが大きくなるため、発光層から電子がオーバーフローすることを抑制する作用が向上する。しかしながら、混晶組成にAl原子を有する場合、強い自発分極性とピエゾ電解性を生じるため、p型窒化物半導体層と発光層における相対バンド構造の歪みが増大してしまう。ただし、本発明者らによる検討結果から、このAl組成比が10%以上25%以下であれば、相対バンド構造の歪みの増大による悪作用と電子のオーバーフローを抑制する好作用とが好適にバランスすることが見出されている。
【0044】
<<n型クラッド層について>>
本実施の形態1では、基板として窒化物半導体基板を用い、かつこの基板と発光層との間にn型クラッド層を設けることができる。
以下にその構成について説明する。
このn型クラッド層は、
▲1▼ ケイ素が添加されたAlGaN層からなる3層構造であり、
▲2▼ 総層厚が2μm以上5μm以下であり、
▲3▼ 各層は、層厚かつ/またはAl組成比が異なり、
▲4▼ 中央層のAl組成比が、外側層のAl組成比よりも高い。
【0045】
このようなn型クラッド層を備えた構成であると、基板と発光層との間に配置されている、このn型クラッド層を含む各半導体層における統合的な等価屈折率に起因して、発光層から生じたレーザ光の垂直ファーフィールドパターン(FFP)が基板側に引き付けられる。この結果、p型窒化物半導体層へのレーザ光の染み出し量が減り、この層に吸収されてしまう光量が少なくなるため、素子の発振閾値電流密度が低下する。
【0046】
ここで、垂直FFPをp型窒化物半導体層から引き離し、基板側に引き寄せる目的からは、窒化物半導体基板がGaN基板であることが好ましい。
【0047】
また、素子中に発生するクラックを低減し、作製歩留まりを向上させる目的からは、基板をAlGaN基板(Al組成15%以下)とすることが好ましい。
【0048】
<<半導体層へのヒ素原子またはリン原子の添加について>>
本発明の窒化物半導体レーザ素子では、井戸層をInGaN層と規定している。ここで、井戸層の上に形成する各半導体層は、GaN層またはAlGaN層とする上記構成に限らず、ヒ素(As)原子またはリン(P)原子がさらに添加された組成とすることができる。このような組成であると、結晶成長温度が700℃から1050℃の帯域において高い結晶性を得ることができるため、このレーザ素子が備える各半導体層の結晶性が向上する。以下にその理由を説明する。
【0049】
インジウム(In)原子は約1000℃以上において結晶構造内から激しく再蒸発してしまう。他方、約1000℃よりも低い結晶成長温度では、結晶性の高いGaN層やAlGaN層を形成することが困難となる。それゆえ、ヒ素(As)原子またはリン(P)原子がさらに添加された、GaNAs、GaNP、AlGaNAsおよびAlGaNPなどの層組成とすると、混晶組成化による凝固点降下現象のため、In原子が再蒸発されにくい温度で井戸層上に各半導体層を結晶成長できる。この結果、井戸層の結晶性は劣化せず、かつその上に形成される半導体層の結晶性も高くなるため、素子を構成する半導体層全体の結晶性が高まる。
【0050】
ここで、ヒ素(As)原子またはリン(P)原子の添加量(組成比)は以下の範囲が好ましい。すなわち、この層に含有されたヒ素(As)原子またはリン(P)原子の総組成比をXとし、窒素(N)原子の組成比をYとするとき、このXとYの値が以下の関係を満たす範囲である。
▲1▼ XがYよりも小さい。ただし、Xの値は1×1018cm−3以上である。
▲2▼ X/(X+Y)が0.3(30%)以下であり、好ましくは0.15(15%)以下である。
上記範囲が好ましい理由は以下による。
▲1▼ Xの値がYの値よりも大きくなると、この層の格子定数が井戸層と比べて顕著に異なるため、井戸層との相対バンド構造の歪みが増大し、また、界面における結着性が低下する。
▲1▼’ Xの値が1×1018cm−3よりも小さくなると、Inが再蒸発しにくい温度にまでその結晶成長温度が下がらない。
▲2▼ X/(X+Y)の値が15%より高くなると、各窒化物半導体層内において原子組成比が異なる領域が形成されやすく(濃度分離が生じやすく)なるため、層の結晶性が安定しない。
▲2▼’ X/(X+Y)の値が30%より高くなると、六方晶系と立方晶系が混在して結晶系が分離しやすくなるため、層の結晶性が著しく低下してしまう。
【0051】
ところで、添加されたヒ素(As)原子またはリン(P)原子は、必ずしもV族(As、P、N原子に該当する)サイトに置換されている必要はない。本発明者らが検証したところ、例えばGaNP層においてはリン(P)原子がIII族(Ga原子に該当する)のサイトに置換されている可能性があるが、これにより結晶性が顕著に低下することはなかった。
【0052】
ここで、上記条件をみたす層を発光層に適用すると、以下の2つの利点を有する半導体レーザ素子を提供できる。
▲1▼ 発光層の電子とホールの有効質量が小さくなるため、少ない電流注入量でレーザ発振のためのキャリア反転分布が得られる。この結果、レーザ素子における発振閾値電流密度が低減する。
▲2▼ 高い結晶性により電子とホールの移動度が大きくなるため、電子とホールが発光再結合しても、新しい電子とホールがすみやかに拡散、注入される。この結果、レーザ素子における自励発振特性(雑音特性)が向上する。
【0053】
以上説明したように、本実施の形態1にかかる窒化物半導体レーザ素子であると、以下の▲1▼〜▲4▼に示す作用が得られるため、レーザ素子の発振閾値電流密度が顕著に低くなり、かつ、素子の作製歩留まりが向上する。
▲1▼ 所定の層厚の中間層が形成されているため、p型窒化物半導体層と発光層との相対バンド構造の歪みが補正され電子とホールとの再結合効率が向上する。
▲2▼ ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層が形成されているため、素子におけるpn接合位置が安定する。
▲3▼ 上記アンドープの第2の窒化物半導体層が第1の窒化物半導体層上に形成されているため、ケイ素の含有量を無用に増大させることなく中間層の層厚を増加でき、かつ、素子におけるpn接合位置が発光側にシフトする。
▲4▼ 3層構造のn型クラッド層が形成されているため、垂直FFPを基板側に引き寄せて、p型窒化物半導体層へのレーザ光の染み出しが抑制される。
【0054】
なお、各半導体層にヒ素(As)原子を添加する場合には、ヒ素源としてアルシン(分子式:AsH3)またはターシャリブチルアルシン(分子式:CAsH2(CH3)3PH3)などを、リン(P)原子を添加する場合には、リン源としてホスフィン(分子式:PH3)またはターシャリブチルホスフィン(分子式:(C4H9O)3PO)などを、それぞれ用いることができる。
【0055】
ここで、本実施の形態1にかかる窒化物半導体レーザ素子について、以下の実施例1〜6を例として、その構成およびその製造方法をさらに詳しく説明する。
【0056】
[実施例1]
図1は、本発明の一例である窒化物半導体レーザ素子の構造例を表わす模式的な断面図であり、素子の共振器方向に垂直な断面を示している。この窒化物半導体レーザ素子は、図1に示すように、(0001)面n型GaN基板100と、その上に形成されたn型GaN層101と、その上に形成されたn型AlGaNクラッド層102と、その上に形成されたn型GaN光ガイド層103と、その上に形成された発光層104と、その上に形成された中間層105と、その上に形成されたAlGaNからなるp型窒化物半導体層106と、その上に形成されたp型GaN光ガイド層107と、その上に形成されたp型AlGaNクラッド層108と、その上に形成されたp型GaNコンタクト層109とからなる積層構造体であり、さらに、n電極110と、p電極111およびSiO2誘電体膜112が設けられている。
【0057】
ここで、上記n型AlGaNクラッド層102は、第1のn型AlGaNクラッド層102aと、第2のn型AlGaNクラッド層102bと、第3のn型AlGaNクラッド層102cとからなる3層構造体である。
【0058】
上記構成の窒化物半導体レーザ素子を、基板加熱機構を備えた反応炉内に有機金属原料の原料ガスを供給する、有機金属気相堆積法(MOCVD法)などの公知の方法を用い、以下のようにして製造した。
【0059】
まず、n型GaN基板100を1050℃に調熱し、この基板上に、V族原料(窒素源)としてのアンモニア(分子式:NH3)と、III族原料(ガリウム源)としてのトリメチルガリウム(TMGa、分子式:(CH3)3Ga)と、n型不純物源(ケイ素源)としてのモノシラン(分子式:SiH4)とを供給し、n型GaN層101(層厚:1μm)の下地層を形成した。
【0060】
このように基板上にn型GaN層101を形成すると、n型GaN基板100における表面荒れが平滑化し、かつ、n型GaN基板100の作製に伴う応力歪みが緩和されるため、さらにその上に良好な結晶構造の半導体層を積層させることができる。
【0061】
このn型GaN層101上に、アンモニアと、TMGaと、アルミニウム源としてのトリメチルアルミニウム(TMAl、分子式: (CH3)3Al)、とモノシランとを供給し、図1に示す3層構造のn型AlGaNクラッド層102を、以下のようにして形成した。
▲1▼ まず、n型GaN層101上に下部外側層としてのn型Al0.062Ga0.938Nクラッド層102a(層厚:2.3μm、ケイ素濃度:1×1018cm−3)を形成した。
▲2▼ 続いて、このクラッド層102a上に中央層としてのn型Al0.10Ga0.90Nクラッド層102b(層厚:0.15μm、ケイ素濃度:1×1018/cm3)を形成した。
▲3▼ さらに、このクラッド層102b上に上部外側層としてのn型Al0.062Ga0.938Nクラッド層102c(層厚:0.1μm、ケイ素濃度:1×1018cm−3)を形成した。
【0062】
次に、このn型AlGaNクラッド層102上に、アンモニアと、TMGaと、モノシランとを供給し、n型GaN光ガイド層103(層厚:0.1μm、ケイ素濃度:1×1018cm−3)を形成した。
【0063】
次に、基板を750℃に調熱し、3周期の多重量子井戸構造である発光層104を形成した。以下に、この発光層104の形成工程を詳しく示す。
▲1▼ まず、上記n型GaN光ガイド層103上に、アンモニアと、TMGaと、インジウム源としてのトリメチルインジウム(TMI、分子式: (CH3)3In)とを供給し、アンドープのIn0.003Ga0.997N障壁層(層厚:20nm)を形成した。
▲2▼ 続いて、この障壁層上にアンドープのIn0.09Ga0.91N井戸層(層厚:4nm)を、この井戸層上にアンドープのIn0.003Ga0.997N障壁層(層厚:8nm)を、この層厚8nmの障壁層上にアンドープのIn0.09Ga0.91N井戸層(層厚:4nm)を、この井戸層上にアンドープのIn0.003Ga0.997N障壁層(層厚:8nm)を、この障壁層上にアンドープのIn0.09Ga0.91N井戸層(層厚:4nm)を順に形成した。
【0064】
ここで、それぞれの井戸層および障壁層は、不純物源を意図的に添加していない原料ガスを供給して形成しているため、形成された各層は実質的に不純物が添加されていないアンドープ層となる。
【0065】
次に、中間層105(層厚:70nm)を以下のようにして形成した。
▲1▼ まず、上記発光層104上にアンモニアとTMGaとTMIとを不純物源を添加せずに供給し、第3の窒化物半導体層としてのアンドープのIn0.003Ga0.997N層(層厚:20nm)を形成した。
▲2▼ 続いて、この第3の窒化物半導体層上にアンモニアとTMGaとモノシランとを供給し、第1の窒化物半導体層としての、ケイ素(Si)が添加されたGaN層(層厚:10nm、ケイ素濃度:約1×1018cm−3)を形成した。
▲3▼ さらに、この第1の窒化物半導体層上にアンモニアとTMGaとを不純物源を添加せずに供給し、第2の窒化物半導体層としての、アンドープのGaN層(層厚:40nm)を形成した。
【0066】
次に、基板を1050℃に調熱し、上記中間層の上にアンモニアとTMGaとTMAlと、p型不純物源(マグネシウム源)としてのビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCP2Mg、分子式:(C2H5C5H4)2Mg)とを供給し、AlGaNからなるp型窒化物半導体層106(層厚:20nm)を形成した。続いて、この層106上にアンモニアとTMGaとEtCP2Mgとを供給し、p型GaN光ガイド層107(層厚:20nm)を形成した。その後、この層107上にp型AlGaNクラッド層108(層厚:0.5μm)と、この層108上にp型GaNコンタクト層109(層厚:0.1μm)とを順に形成して半導体レーザ素子のエピウエハーを得た。
【0067】
ところで、上記p型窒化物半導体層106におけるAl組成比は0.3であり、上記p型AlGaNクラッド層108におけるそれは0.062である。
【0068】
次に、フォトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いて、このエピウエハーの上面が図1に示すような1.6μm幅のストライプ状のリッジ構造となるように、p型GaNコンタクト層109とp型AlGaNクラッド層108の一部をエッチングした。
【0069】
続いて、このリッジ構造の側面とリッジ構造部以外のp型AlGaNクラッド層108の表面にSiO2絶縁膜112(膜厚:200nm)を形成した。
【0070】
次に、このSiO2絶縁膜112とp型GaNコンタクト層109の表面にパラジウム(Pd)層(層厚:15nm)を形成し、このPd層上にモリブデン(Mo)層(層厚:15nm)を積層し、さらにこのMo層上に金(Au)層(層厚:200nm)を積層して、p電極111を形成した。
【0071】
また、エピウエハーの裏面にハフニウム(Hf)層を形成し、このHf層上にアルミニウム(Al)層を積層して、n電極110を形成した。さらに、このn電極110上に金(Au)層を積層してn型電極パッドを形成し、半導体レーザ素子ウエハを完成させた。
【0072】
最後に、この半導体レーザ素子ウエハをリッジストライプ構造と垂直な方向に劈開してレーザ共振器の端面を形成した後、分割し、本実施例1にかかる半導体発光素子を得た。
【0073】
[実施例2]
本実施例2は、以下の点を変更した以外は上記実施例1と同様である。
a)ケイ素(Si)が添加されたGaN層(層厚:20nm、ケイ素濃度:約1×1018cm−3)を障壁層とした。
b)発光層上に接して第1の窒化物半導体層を形成した。すなわち、第3の窒化物半導体層を形成しなかった。
c)第1の窒化物半導体層の層厚を20nmとした。
d)第2の窒化物半導体層の層厚を50nmとした。
【0074】
ここで、以下の表1、2において、上記実施例1〜2および下記実施例3〜6における中間層および発光層の構成を示す。
【表1】
【表2】
【0075】
[実施例3]
本実施例3は、以下の点を変更した以外は上記実施例1と同様である。
a)アンドープのGaN層(層厚:4nm)を障壁層とした。
b)発光層上に接して第1の窒化物半導体層を形成した。すなわち、第3の窒化物半導体層を形成しなかった。
c)第1の窒化物半導体層の層厚を20nmとした。
d)第2の窒化物半導体層の層厚を50nmとした。
【0076】
[実施例4]
本実施例4は、以下の点を変更した以外は上記実施例1と同様である。
a)アンドープのGaN層(層厚:4nm)を障壁層とした。
b)アンドープのIn0.001Ga0.999N層(層厚:10nm)とアンドープGaN層(層厚:10nm)とからなる第3の窒化物半導体層とした。
c)第1の窒化物半導体層の層厚を20nmとし、その不純物濃度を約5×1017/cm3とした。
【0077】
[実施例5]
本実施例5は、以下の点を変更した以外は上記実施例1と同様である。
a)アンドープのGaN層(層厚:4nm)を障壁層とした。
b)アンドープのIn0.002Ga0.998N層を第3の窒化物半導体層とした。
c)ケイ素が添加されたGaN層(層厚:20nm、ケイ素濃度:約1×1017cm−3)とケイ素が添加されたAl0.02Ga0.98N層(層厚:10nm、ケイ素濃度:約1×1018cm−3)とからなる第1の窒化物半導体層とした。
d)アンドープのIn0.003Ga0.997N層を第2の窒化物半導体層とした。
【0078】
[実施例6]
本実施例6は、以下の点を変更した以外は上記実施例1と同様である。
a)アンドープのGaN層(層厚:4nm)を障壁層とした。
b)アンドープのIn0.002Ga0.998N層(層厚:10nm)を第3の窒化物半導体層とした。
c)ケイ素が添加されたGaN層(層厚:30nm、ケイ素濃度:約4×1017cm−3)を第1の窒化物半導体層とした。
d)アンドープのIn0.003Ga0.997N層(層厚:40nm)とアンドープのGaN層(層厚:20nm)とからなる第2の窒化物半導体層とした。
【0079】
本実施例1〜6では、上述したように、レーザ素子の発振閾値電流密度が顕著に低くなり、約70%以上と高い作製歩留まりが得られる。
【0080】
〔実施の形態2〕
本実施の形態2は、上記実施の形態1にかかる窒化物半導体レーザ素子を備えた半導体光学装置である。
この半導体光学装置は、
(A)上記実施の形態1にかかる半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を駆動するレーザ光射出回路とからなるレーザ光射出制御手段と、
(B)前記半導体レーザ素子から射出したレーザ光を調光する調光手段と、
(C)前記調光されたレーザ光を所定の位置に照射する照射位置制御手段と、
を少なくとも備える。
【0081】
なお、上記『調光』とは、レーザ光の集光、拡散および変調(位相、周波数、振幅)などを示す語句である。
【0082】
上記構成の半導体光学装置であると、上記実施の形態1にかかるレーザ発振閾値電流密度が低い半導体レーザ素子を備えているため、半導体光学装置の駆動消費電力が低くなる。この結果、電源部が小型化され半導体光学装置の携帯性が向上する。また、照射レーザ中心間隔をより高密度化できるため、半導体光学装置における分解能(上述した書き込みビット情報を含む)を高めることができる。
【0083】
ところで、このような本実施の形態2にかかる半導体光学装置としては、光ピックアップを備えた光ディスク装置、レーザプリンター、バーコードリーダー、三原色(青色、緑色、赤色)レーザを備えたプロジェクター装置などがあげられる。
【0084】
以下に、この半導体光学装置の一例である光ピックアップを備えた光ディスク装置について詳しく説明する。
[実施例7]
図2は、本発明の一例である光ディスク装置(光ピックアップを備えたDVD(Digital・Varsatile・Disc)装置などの光学装置)の構成を概念的に示した図である。図中の矢印付き太線はレーザ光の光路を、矢印付き細線はこの装置における電気信号の経路を示している。
【0085】
この光ディスク装置は、
(a)光学式情報記録媒体210を回転させるモーター208と、前記モーター208を駆動するモーター駆動回路とからなるモーター制御手段と、
(b)上記実施の形態1にかかる半導体レーザ素子201と、前記半導体レーザ素子201を駆動してレーザ光を射出するレーザ光射出回路とからなるレーザ光射出制御手段と、
(c)光変調器202と、前記光変調器202を駆動して前記射出されたレーザ光を変調させるレーザ光変調回路とからなる変調手段と、
(d)レーザ光を所定の方向に反射する追従鏡205と、前記追従鏡205を駆動して前記光学式情報記録媒体210上にレーザ光を照射する追従鏡駆動回路と、前記反射したレーザ光を前記光学式情報記録媒体210上に集光させて照射するとともに前記光学式情報記録媒体210で反射されたレーザ光を通過させる対物レンズ206とからなるレーザ光照射位置制御手段と、
(e)前記変調されたレーザ光を透過するとともに前記光学式情報記録媒体210で反射されたレーザ光を偏光するビームスプリッター203と、
(f)前記ビームスプリッター203で偏光されたレーザ光を検出する光検出器204と、前記光検出器204で検出された光学信号を電気信号に変換して前記光学式情報記録媒体210に記録された情報を再生する光電気変換回路とからなる情報再生手段と、
を備える。
【0086】
ここで、本実施例7における光ピックアップ207は、図2に示すように、上記半導体レーザ素子201と、上記光変調器202と、上記ビームスプリッター203と、上記光検出器204と、上記追従鏡205と、上記対物レンズ206とからなる。また、制御回路209は、上記モーター駆動回路と、上記レーザ光射出回路と、上記レーザ光変調回路と、上記追従鏡駆動回路と、上記光電気変換回路とからなる。なお、図2では光学式情報記録媒体210を備えた構成を便宜的に示しているが、これは本発明の光ディスク装置の必須構成要素ではないことは勿論である。
【0087】
この光ディスク装置では、上記半導体レーザ素子201は、再生用の光源、記録用の光源および消去用の光源を兼ねている。また、上記レーザ光射出回路、上記レーザ光変調回路および上記追従鏡駆動回路は、記録/消去/再生命令に基づいた電気信号を伝達することにより、異なる出力(例えば、記録時は約30mW、再生時は約5mW)、周波数および位相のレーザ光を光学式情報記録媒体210上に照射できる。これにより、この光ディスク装置を、再生専用装置、記録再生装置または書き換え可能型再生装置として独立または並列に使用することができる。
【0088】
ここで、この光ディスク装置におけるレーザ光の軌跡について説明する。記録動作時および消去動作時には、半導体レーザ素子201から出射したレーザ光が、光変調器202で調光され、ビームスプリッター203を経て、追従鏡205において入射方向と垂直に反射された後、対物レンズ206により光学式情報記録媒体210の情報記録面に集光される。この結果、光ディスクの情報記録面に、磁気変調もしくは屈折率変調が引き起こされ、ビット情報が書き込まれる。
【0089】
他方、再生動作時には、記録時及び消去時と同様の過程を経て光ピックアップ207から出射したレーザ光が、凹凸形状、磁気変調または屈折率変調によりビット情報が記録されている光学式情報記録媒体210の情報記録面に集光される。集光されたレーザ光は、この情報記録面上で反射され、対物レンズ206および追従鏡205を経て、ビームスプリッター203にて入射方向と垂直に偏光された後、光検出器204に入射することにより、光学的に検出された信号が電気信号に変換される。この結果、光学式情報記録媒体210に記録されたビット情報が読み取られる。
【0090】
〔その他の事項〕
(1)本発明の半導体レーザ素子の製造には、公知のガリウム源、インジウム源、窒素源およびアルミニウム源を用いることができる。例えば、ガリウム源として上記トリメチルガリウム以外に、トリエチルガリウム(TEGa、分子式:Ga(C2H5)3)、金属ガリウム、三塩化ガリウムおよび酸化ガリウム等を用いることができる。また、インジウム源として上記トリメチルインジウム以外に、トリエチルインジウム(TEI、分子式:In(C2H5)3)等を、窒素源として上記アンモニア以外に、窒素酸化物、尿素、ヒドラジン(分子式:N2H4)およびジメチルヒドラジン(分子式:(CH3)2NNH2)等を、アルミニウム源として上記トリメチルアルミニウム以外にトリエチルアルミニウム等を、それぞれ用いることができる。
【0091】
(2)n型不純物としては、上記ケイ素(Si)以外にも、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、硫黄(S)、酸素(O)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)からなる群のうちの少なくとも一種を用いることができる。ただし、均一な結晶構造を形成させる目的からケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)を用いることが好ましい。
【0092】
(3)p型不純物としては、上記マグネシウム(Mg)以外にも、カドミウム(Cd)、亜鉛(Zn)、ベリリウム(Be)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)からなる群のうちの少なくとも一種を用いることができる。ただし、p型不純物をカドミウム(Cd)、亜鉛(Zn)およびマグネシウム(Mg)とすると、それらの原料ガスを安価に入手しやすいため製造コストを削減できるので好ましい。ここで、カドミウム源としてはジエチルカドミウム(分子式:Cd(C2H5)2)またはジメチルカドミウム(分子式:Cd(CH3)2)が、亜鉛源としてはジエチルジンク(分子式:Zn(CH3)2)等の有機金属化合物ガスをそれぞれ用いることができる。
【0093】
(4)基板としては、上記GaN基板以外にも、AlGaN基板、サファイア基板、シリコン(Si)基板の(111)面、サファイア基板上に形成されたELOG(Epitaxially Laterally Overgrown GaN)基板、GaN基板上に形成されたELOG基板またはSi(111)面上に形成されたELOG基板を用いることができる。ただし、ELOG基板を用いる場合は、レーザの発振寿命を長寿命化するために、成長抑制膜(例えばSiO2膜)の幅の中央上方、および成長抑制膜が形成されていない領域の幅の中央上方に窒化物半導体レーザ素子のリッジストライプ部分またはその電流狭窄部分が含まれないように作製することが好ましい。
【0094】
(5)本発明の窒化物半導体レーザ素子は、n型GaN層101とn型AlGaNクラッド層102との間にGaNP層、GaNAs層、GaNP/GaN超格子層またはGaNAs/GaN超格子層をさらに備えることができる。この構成であると、クラックを防止できるためより好ましい。
(6)発光層の井戸層は上記3層に限らず、6層以下であれば、発振閾値電流密度が低く、室温で連続発振するレーザ素子を提供できる。
(7)n電極は、上記ハフニウム(Hf)層上にアルミニウム(Al)層を積層したHf/Al材料系の他に、チタン(Ti)/アルミニウム(Al)系、チタン(Ti)/モリブデン(Mo)系またはハフニウム(Hf)/金(Au)系等を用いることができる。
(8)p型クラッド層は、上記AlGaN層以外に、GaN/AlGaNからなる超格子を用いることができる。
【0095】
(9)上記実施の形態では、本発明の一例である窒化物半導体レーザ素子を示したが、本発明を発光ダイオードやスーパールミネッセントダイオードに適用できることは勿論である。また、この発光ダイオードやスーパールミネッセントダイオードを用いることにより、高輝度白色光源装置などを提供できる。
【0096】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の窒化物半導体レーザ素子であると、以下に示す効果が得られるため、発振閾値電流密度が低下し、かつ作製歩留まりが向上する。
▲1▼ 上記層厚の中間層を設けてあるため、発光層とp型窒化物半導体層との相対バンド構造の歪みが補正される。
▲2▼ 中間層の発光層側にケイ素が添加された上記層厚の第1の窒化物半導体層を設けてあるため、この素子におけるpn接合位置が安定し、発振閾値電流密度の分散が小さくなる。
▲3▼ 中間層のp型窒化物半導体層側にアンドープの第2の窒化物半導体層を設けてあるため、第1の窒化物半導体層に依存せずに中間層の層厚が増加できる。これにより、発光層へのホールの注入効率が向上する。
【0097】
さらに、本発明の半導体光学装置であると、上記窒化物半導体レーザ素子を備えているため装置の駆動消費電力が低くなる。これにより電源部が小型化され、半導体光学装置の携帯性が向上する。また、照射レーザ中心間隔をより高密度化できるため、半導体光学装置における分解能が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の一例である窒化物半導体レーザ素子の構造を示す模式的な断面図である。
【図2】図2は、本発明の半導体光学装置の一例である光ディスク装置の主要な構成を示す概念図である。
【符号の説明】
100…n型GaN基板
101…n型GaN層
102…n型AlGaNクラッド層
103…n型GaN光ガイド層
104…発光層
105…中間層
106…p型窒化物半導体層
107…p型GaN光ガイド層
108…p型AlGaNクラッド層
109…p型GaNコンタクト層
110…n電極
111…p電極
112…SiO2誘電体膜
201…窒化物半導体レーザ素子
202…光変調器
203…ビームスプリッター
204…光検出器
205…追従鏡
206…対物レンズ
207…光ピックアップ
208…モーター
209…制御回路
210…光学式情報記録媒体
Claims (18)
- 基板と、
前記基板の上に設けられた、アンドープのInGaNからなる井戸層とアンドープのInGaNからなる障壁層とが積層された量子井戸構造の発光層と、
前記発光層の上に設けられたp型窒化物半導体層と、
前記発光層と前記p型窒化物半導体層との間に接して設けられた、窒化物半導体からなる中間層と、
を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記中間層が、
ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に接して設けられた、アンドープの窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層と
を少なくとも備え、
かつ、前記中間層の層厚が20nm以上150nm以下である
ことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 基板と、
前記基板の上に設けられた、アンドープのInGaNからなる井戸層とGaNからなる障壁層とが積層された量子井戸構造の発光層と、
前記発光層の上に設けられたp型窒化物半導体層と、
前記発光層と前記p型窒化物半導体層との間に接して設けられた、窒化物半導体からなる中間層と、
を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記中間層が、
ケイ素が添加された第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に接して設けられた、アンドープの窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層と
を少なくとも備え、
かつ、前記中間層の層厚が20nm以上150nm以下である
ことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 前記GaNからなる障壁層にケイ素が添加されていることを特徴とする請求項2記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記GaNからなる障壁層がアンドープのGaNからなる障壁層である
ことを特徴とする請求項2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記中間層が、さらに、前記発光層と第1の窒化物半導体層との間に接して設けられたアンドープの窒化物半導体からなる第3の窒化物半導体層を備える
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記p型窒化物半導体層の組成がAlGaNまたはInAlGaNであり、かつ、前記組成中のAl比が10%以上25%以下である
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記第1の窒化物半導体層の層厚が前記中間層の層厚の4%以上60%以下である
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記第1の窒化物半導体層の層厚が6nm以上30nm以下である
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記第1の窒化物半導体層に添加されているケイ素の濃度が5×1016cm−3以上5×1018cm−3以下である
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記第1の窒化物半導体層の組成がAl組成比が5%以下のAlGaNである
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記第2、第3の窒化物半導体層の組成がGaNまたはIn組成比が1%以下のInGaNである
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記障壁層、第2および第3の窒化物半導体層の組成が、In組成比が0.3%以下のInGaNである
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記発光層および/または前記中間層の組成が、さらに、ヒ素および/またはリンを有する
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記基板が窒化物半導体基板であり、
かつ、前記基板と前記発光層との間に、厚さおよび/またはAl組成比が異なる3つの層からなるAlGaNのn型クラッド層を備え、
前記n型クラッド層の総層厚が2μm以上5μm以下であり、
前記n型クラッド層の中央層のAl組成比が外側の2層よりも高い
ことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記窒化物半導体基板がGaN基板である
ことを特徴とする請求項14記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 不純物源が添加されていない原料ガスを供給し、アンドープのInGaNからなる井戸層を形成する工程と、
不純物源が添加されていない原料ガスを供給し、アンドープのInGaNからなる障壁層を形成する工程と、
前記井戸層を形成する工程と前記障壁層を形成する工程とを交互に繰り返して量子井戸構造の発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に接して窒化物半導体からなる中間層を形成する工程と、
p型不純物源が添加された原料ガスを供給し、前記中間層の上に接してp型窒化物半導体層を形成する工程と
を備えた窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
前記中間層を形成する工程が、
層厚が20nm以上150nm以下の中間層を形成する工程であり、
かつ、n型不純物源が添加された原料ガスを供給し、前記発光層の上にn型不純物が添加された第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
不純物源が添加されていない原料ガスを供給し、前記第1の窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に接してアンドープの窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と
を備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 不純物源が添加されていない原料ガスを供給し、アンドープのInGaNからなる井戸層を形成する工程と、
GaNからなる障壁層を形成する工程と、
前記井戸層を形成する工程と前記障壁層を形成する工程とを交互に繰り返して量子井戸構造の発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に接して窒化物半導体からなる中間層を形成する工程と、
p型不純物源が添加された原料ガスを供給し、前記中間層の上に接してp型窒化物半導体層を形成する工程と
を備えた窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記中間層を形成する工程が、
層厚が20nm以上150nm以下の中間層を形成する工程であり、
かつ、n型不純物源が添加された原料ガスを供給し、前記発光層の上にn型不純物が添加された第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
不純物源が添加されていない原料ガスを供給し、前記第1の窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に接してアンドープの窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と
を備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 請求項1〜15のいずれか1項に記載の窒化物半導体レーザ素子を備えた半導体光学装置。
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