JP2003092426A - 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化物系化合物半導体発光素子の発光効率を
改善させる。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体発光素子は基板
と、基板と異なる材料よりなる少なくとも２層の半導体
層と、少なくともＩｎを含んだ発光領域３を備え、これ
らを積層構造に成膜している。基板上にｎ型ＧａＮ層２
Ａを成長させ、このｎ型ＧａＮ層をエッチングし、その
ｃ軸方向に対し複数の段差部５を設けて、ｎ型ＧａＮ層
上に発光領域を成長させる。段差部の形状が半導体層の
Ｃ面から見たとき発光領域のＡ面と略平行な面を構成面
とするように成長させ、かつ窒化ガリウムをａ軸の方向
に成長させることにより、段差部にテーパ状の斜面を設
ける。発光領域に凹凸を設けて単位面積当たりの発光領
域を増やし、発光効率を上げる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光効率を改善し
た窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体発光素子は、各分野での応用が期
待されており、近年盛んに研究開発が進められている。
特に窒化物系の半導体素子は、例えば発光ダイオード
（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、太陽電池、光
センサなどの発光素子、受光素子、あるいはトランジス
タ、パワーデバイスなどの電子デバイスに使用されてい
る。

【０００３】このような半導体発光素子を得るために、
窒化物系化合物半導体（一般式としてＩｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ
_{１ーＸーＹ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１で表され
る）を基板上に成長させたものを使用する。窒化物系化
合物半導体発光素子は、基板に発光領域となる活性層を
エピタキシャル成長させ、さらに電極などを設けてい
る。図１に、窒化物系化合物半導体発光素子の一例とし
て、ＬＥＤの断面構造を示す。この図に示す発光素子
は、基板１上にｎ型半導体層２、発光領域３、ｐ型半導
体層４を積層している。この発光素子は、ｐｎ接合の発
光領域３で発光させる。

【０００４】窒化物系化合物半導体発光素子は、一般に
基板上にエピタキシャル成長させて製造する。このよう
な窒化物系化合物半導体発光素子では、積層構造を原子
レベルで制御する関係上、基板の平坦性はほぼ鏡面のレ
ベルに製造されている。そして基板に平行に発光領域が
設けられる。

【０００５】窒化物系化合物半導体発光素子の特徴とし
て、発光領域への注入電子密度が増加すると、発光効率
が低下する。図２は、エピタキシャル成長させて製造し
た発光素子としてＬＥＤの入出力の関係を示すグラフで
ある。このグラフは横軸に入力電流を、縦軸に発光出力
をとっている。この図に示すように、電流が大きくなる
につれて、当初上昇していた出力は、徐々に勾配が鈍く
なっていく。すなわち、電流値が上がると出力の上昇が
悪くなり、発光効率が悪くなることが判る。

【０００６】発光効率を改善するために、発光領域をマ
ルチ化させた多重量子井戸構造（Multiple Quantum Wel
l：ＭＱＷ）が一般に利用されている。ＭＱＷ構造は、
ヘテロ接合の一種で、井戸層と呼ばれる境界層に電子を
閉じ込めることができる。例えば、バンドギャップの小
さな井戸層をバンドギャップの大きい障壁層で挟むと、
伝導帯の電子は障壁層の高い障壁ポテンシャルのために
井戸層に閉じ込められ、面垂直方向の運動が量子化され
る。量子井戸に作られた電子−正孔ペアは２次元的な励
起子を形成する。この量子井戸励起子は、バルク結晶に
比べて束縛エネルギーと振動子強度が大きく、室温でも
安定に存在し、量子井戸レーザーなどにも応用されてい
る。発光領域に量子井戸構造を利用すると、発振波長が
鋭くなり、発光効率も向上する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＱＷ
構造のペアを増やすと、駆動電圧が上がるという弊害を
生じる。さらにペア数を増やしたとしても、キャリアの
拡散長による限界がある。このように、ＭＱＷ構造だけ
では発光効率の十分な改善を得ることができなかった。

【０００８】本発明は、このような状況において開発さ
れたものであり、本発明の主な目的は、窒化物系化合物
半導体発光素子の発光効率を改善することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
される窒化物系化合物半導体発光素子は、基板１と、前
記基板１と異なる材料よりなる少なくとも２層の半導体
層と、発光領域３を備え、これらを積層構造に成膜して
いる。この窒化物系化合物半導体発光素子は、前記発光
領域３が量子井戸構造を有し少なくともＩｎを含んでお
り、かつそのｃ軸方向に対し少なくとも一の段差部５を
形成していることを特徴とする。

【００１０】また、本発明の請求項２に記載される窒化
物系化合物半導体発光素子は、請求項１に記載される特
徴に加えて、前記発光領域３に設けられた前記段差部５
がほぼ同様のパターンを繰り返す形状であることを特徴
とする。

【００１１】さらに、本発明の請求項３に記載される窒
化物系化合物半導体発光素子は、請求項１または２に記
載される特徴に加えて、前記発光領域３の段差部５の形
状が、前記半導体層のＣ面から見たとき発光領域３のＡ
面と略平行な面を構成面とすることを特徴とする。

【００１２】さらにまた、本発明の請求項４に記載され
る窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項１から３の
いずれかに記載される特徴に加えて、前記発光領域３の
段差部５が正三角形または正六角形であることを特徴と
する。

【００１３】さらにまた、本発明の請求項５に記載され
る窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項４に記載さ
れる特徴に加えて、前記発光領域３の段差部５を構成す
る正三角形または正六角形の各辺が、前記半導体層のＡ
面に略平行であることを特徴とする。

【００１４】さらにまた、本発明の請求項６に記載され
る窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項１から５の
いずれかに記載される特徴に加えて、前記段差部５の段
差が５０Å〜１μｍであることを特徴とする。

【００１５】さらにまた、本発明の請求項７に記載され
る窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項１から６の
いずれかに記載される特徴に加えて、前記段差部５の平
面における大きさが１μｍ〜１００μｍであることを特
徴とする。

【００１６】さらにまた、本発明の請求項８に記載され
る窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項１から７の
いずれかに記載される特徴に加えて、前記半導体層がＩ
ＩＩ−Ｖ族半導体であることを特徴とする。

【００１７】さらにまた、本発明の請求項９に記載され
る窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項１から８の
いずれかに記載される特徴に加えて、前記半導体層がＩ
ｎＧａＮ系半導体であることを特徴とする。

【００１８】さらにまた、本発明の請求項１０に記載さ
れる窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項１から９
のいずれかに記載される特徴に加えて、上記基板１がサ
ファイア、炭化珪素、またはスピネルのいずれかである
ことを特徴とする。

【００１９】さらにまた、本発明の請求項１１に記載さ
れる窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項１から９
のいずれかに記載される特徴に加えて、上記基板１がＣ
面（０００１）サファイア基板であることを特徴とす
る。

【００２０】さらにまた、本発明の請求項１２に記載さ
れる窒化物系化合物半導体発光素子は、請求項１から１
１のいずれかに記載される特徴に加えて、前記窒化物系
化合物半導体発光素子が発光ダイオードであることを特
徴とする。

【００２１】さらにまた、本発明の請求項１３に記載さ
れる窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法は、基板
１と、前記基板１と異なる材料よりなる少なくとも２層
の半導体層と、少なくともＩｎを含んだ発光領域３を備
え、これらを積層構造に成膜する。この製造方法は、基
板１上にｎ型ＧａＮ層２Ａを成長させる工程と、前記ｎ
型ＧａＮ層２Ａをエッチングし、そのｃ軸方向に対し複
数の段差部５を設ける工程と、前記ｎ型ＧａＮ層２Ａ上
に発光領域３を成長させる工程とを備える。また、段差
部５の形状が前記半導体層のＣ面から見たとき発光領域
３のＡ面と略平行な面を構成面とするように成長させ、
かつ窒化ガリウムをａ軸の方向に成長させることによ
り、前記段差部５にテーパ状の斜面を設けることを特徴
とする。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施例は、本
発明の技術思想を具体化するための窒化物系化合物半導
体発光素子およびその製造方法を例示するものであっ
て、本発明は窒化物系化合物半導体発光素子およびその
製造方法を下記のものに特定しない。

【００２３】さらに、本明細書は、特許請求の範囲を理
解し易いように、実施の形態に示される部材に対応する
番号を、「特許請求の範囲の欄」、および「課題を解決
するための手段の欄」に示される部材に付記している。
ただ、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の
部材に特定するものでは決してない。なお、各図面が示
す部材の大きさや位置関係などは、説明を明確にするた
め誇張していることがある。

【００２４】本明細書において窒化物系化合物半導体と
は、一般式としてＩｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ _{１ーＸーＹ}Ｎ（０≦
Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で表されるものである。また
組成比Ｘの値は単に一般式を示しているに過ぎず、例え
ばｎ型層のＸとｐ型層のＸとが同一の値を示すものでは
ない。また同様に他の一般式で使用するＹ値について
も、同一の一般式が同一の値を示すものではない。ま
た、本明細書において窒化ガリウム（ＧａＮ）とは、他
の金属を含む合金をも意味するものとし、例えばＡｌＧ
ａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなども含むものとす
る。

【００２５】さらに本明細書中において表記する面指数
と、実際の面指数との関係を図７に示す。以下本明細書
では、図７の表記に従って面指数を特定する。なお各個
の面方位は小括弧（０００１）で表現し、集合的な面方
位は中括弧｛０００１｝で表現する。ここで集合的と
は、ある面方位をその晶系が許すすべての対称操作によ
って到達できるすべての面方位の集合を意味する。

【００２６】図３に、本発明の一実施例に係る窒化物系
化合物半導体発光素子の断面図を示す。本発明者らは発
光効率の改善を目指して鋭気研究を重ねた結果、発光素
子の単位面積あたりにおける発光領域３の割合を増やす
ことを見出した。発光領域３の占める割合が増加する
と、相対的に発光領域３の電流密度が下がるため、その
結果として駆動電圧が低下し効率が上がることが期待で
きる。発光領域３の厚さは、一般に約３ｎｍ最適とされ
ており、なおかつ従来の方法では、エピタキシャル成長
させる際には表面がフラットな鏡面になるように成長さ
せていたため、体積を増やすことができなかった。そこ
で、本発明では発光領域３に凹凸を設けてうねりを与え
ることにより、単位面積当たりの発光領域３の体積を増
やしたものである。

【００２７】図３に示すように、発光領域３には凹凸状
の段差部５が設けられている。結晶成長する際、成長条
件に依存して成長し易い方向が存在する。例えば窒化ガ
リウムの成長方向は成長条件に応じて基本的に二つに決
まり、窒化ガリウムのＡ面のａ軸の方法に成長し易いと
いう特徴がある。この窒化ガリウム系化合物の成長の方
向性に注目し、結晶の軸に対応して面を作る性質を利用
することで、結晶成長を垂直よりも斜め方向に成長させ
ることで、段差部５に斜面を形成することが可能とな
る。垂直に成長させると、成長がとぎれてクラックやピ
ットなどが生じやすくなるので、段差部５を斜めに成長
させるように設けることで、欠陥の発生を抑えている。
このように、窒化ガリウムをａ軸の方向に成長すること
で、｛１−１０１｝面を斜めに露出させて各段差部５で
発光領域３をかせぎ、最終的に発光領域３を多く積層で
きるため効率が改善される。

【００２８】一般に窒化物系化合物半導体を成長させる
場合、成長条件によって図８（ａ）〜（ｃ）に示すよう
な成長パターンが考えられる。図８において、図８
（ａ）の成長パターンをＡモード、図８（ｂ）をＢモー
ド、図８（ｃ）をＣモードと呼ぶとすると、いずれのモ
ードでも発光領域３の体積を増やすことが可能である。
ただ、好ましくはＡモードないしＢモード、最も好まし
くはＡモードの成長パターンとなるように成長条件を設
定することが好ましい。発光領域３となる活性層にＩｎ
を含むとＣモードのような成長が一般に得られ難くな
る。また上述したように、Ｃモードのような垂直方向へ
の成長ではクラックやピットの発生などにより品質や発
光効率の低下が懸念される。このため、傾斜面を有する
ＡモードないしＢモードが好ましい。

【００２９】また、エピタキシャル成長される発光領域
３に凹凸形状を有することにより、発光出力を高めるこ
とができるという効果もある。従来の発光素子では、積
層構造を原子レベルで制御する関係から、基板１を鏡面
レベルにまで平坦にしており、この上に成長される半導
体層や発光領域３もこれに従って平坦であった。このた
め、一般に半導体層の屈折率が大きいことから導波路が
構成され、光の一部が外部に放出されることなく導波路
内に捕捉されていた。このような光は各層の界面や基板
１表面で反射されながら横方向に伝搬され、半導体層や
電極に吸収されて減衰する。これに対し本発明では、発
光領域３の段差部分で光が乱反射される結果、外部に取
り出すことができる。エピタキシャル層中を横方向に伝
搬する光が凹凸部分によって散乱、回折されて、素子の
上面から放出され、あるいは下面で一旦反射されて上面
で放出され、結果として外部に出射される光を増して外
部量子効率を向上できるという効果もある。

【００３０】

【実施例】図３、図４は、本発明の一実施例に係る窒化
物系化合物半導体発光素子を示す。これらの図に示す窒
化物系化合物半導体発光素子は、基板１と、ｎ型ＧａＮ
層２Ａと、発光領域３と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ｐ型ＧａＮ
系半導体４Ａとを備える。基板１は、Ａ面（１１−２
０）にオリフラ面を有するＣ面（０００１）サファイア
基板１である。サファイア基板１に成長されるｎ型Ｇａ
Ｎ層２Ａには、段差部５が繰り返しパターンで形成され
ている。

【００３１】また図４は、段差部５のパターンを示す平
面図である。この図において斜線で示される部分はエッ
チングされる部分である。図に示す段差部５は、正三角
形のパターンを構成している。ここで成長させる材料に
おいて他の面より成長速度の最も遅い面を成長安定面と
すると、サファイア基板１における窒化物系化合物半導
体の成長安定面は、（１−１００）、（０１−１０）、
（−１０１０）、すなわちＭ面となる。図４の段差部５
である正三角形は、Ｍ面に対してほぼ平行な面に頂点を
有しており、さらに成長安定面に対してほぼ平行な面と
交叉する直線を構成辺とする。段差部５の深さは約１μ
ｍ、一辺の大きさは約１０μｍであり、段差部５と段差
部５との間隔は、隣接する段差部同士で対向する辺同士
の間隔が約１０μｍである。

【００３２】図３に示す窒化物系化合物半導体発光素子
を作製する工程を、図５に基づいて説明する。以下の例
では、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）を用いて窒化
物半導体を成長させる例を示す。ただ、本発明の方法は
ＭＯＶＰＥ法に限るものではなく、例えばＨＶＰＥ（ハ
ライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）等、
窒化物半導体を成長させるのに知られているすべての方
法を適用できる。

【００３３】１．図５（ａ）に示すように、基板１上に
ｎ型ＧａＮ層２Ａを約４μｍ、結晶成長させる。基板１
の種類は、窒化物半導体を成長させることが知られてお
り、かつ窒化物半導体と異なる材料を用いる。例えば、
サファイア（Ａ１_２０_３）、スピネル（ＭｇＡ１
_２０_４）、炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶基板が用いられ
る。この例では、異種基板として２インチφのサファイ
ア基板１上を使用している。サファイア基板１のＣ面
（０００１）を主面とし、オリエンテーションフラット
面（以下「オリフラ」と呼ぶ。）をＡ面として、ＭＯＶ
ＰＥ反応容器内にセットする。ただ、Ｃ面に限られずＡ
面に成長させることも可能である。温度を約５００℃と
して、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニア（Ｎ
Ｈ_３）とトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ_３）_３：ＴＭ
Ｇ）とを用い、サファイア基板１上にＧａＮ層を成長さ
せる。

【００３４】なお窒素源のガスには、アンモニア、ヒド
ラジンなどの水素化物ガスが使用できる。一方ＩＩＩ族
源のガスには、有機金属気相成長法であればＴＭＧ、Ｔ
ＥＧ（トリエチルガリウム）などの有機Ｇａガス、ある
いはＨＶＰＥではＨＣｌのようなＩＩＩ族源と反応する
ハロゲン化水素ガス、もしくはハロゲン化水素ガスと反
応したハロゲン化ガリウム（特にＧａＣｌ_３）などをガ
リウム源として利用することができる。

【００３５】２．ｎ型ＧａＮ層２Ａの上にエッチングを
行う。まず図５（ｂ）に示すように、エッチングマスク
となるＳｉＯ２膜６を成膜する。平面図から見たエッチ
ングのパターンは、図４に示すように正三角形とし、一
辺を約１０μｍとして各辺がｎ型ＧａＮ層２ＡのＡ面に
平行になるような市松模様とする。このパターンによっ
て段差部５が形成される。パターンは正三角形に限られ
ず、例えば正六角形としてもよい。また、図６に示すよ
うないずれのパターンをも使用できる。図４の例では、
一辺が１０μｍの正三角形のフォトマスクを使用し、正
三角形の一辺がオリフラ面と直角になるようにフォトマ
スクを合わせる。正三角形の各辺がサファイア基板１の
Ｍ面とほぼ平行になるようにして、図５（ｃ）、（ｄ）
に示すようにＳｉＯ２膜６とｎ型ＧａＮ層２Ａ、サファ
イア基板１をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置で
約０．３μｍ、エッチングを行う。その後、図５（ｅ）
に示すようにＳｉＯ２膜６を除去すると、ｎ型ＧａＮ層
２Ａの表面に図４に示すような段差部５が形成される。

【００３６】３．上記のパターンでエッチングしたｎ型
ＧａＮ層２Ａの上に、さらに図５（ｆ）に示すように、
第２のｎ型ＧａＮ層２Ｂを成長させる。温度を約１０５
０℃として、アンモニアを０．２７ｍｏｌ／ｍｉｎ、Ｔ
ＭＧを２２５μｍｏｌ／ｍｉｎ（Ｖ／ＩＩＩ比＝１２０
０）でアンドープＧａＮよりなる第２のｎ型ＧａＮ層２
Ｂを、膜厚約０．１μｍ程度に成長させる。この結果、
ｎ型ＧａＮ層２Ａはａ軸の方向に成長して斜めにＡ面を
露出させ、段差部５にテーパ状の斜面を設けている。

【００３７】４．さらに図５（ｇ）に示すように、この
上に発光領域３となる活性層を結晶成長させる。活性層
はＭＱＷ構造を６ペア積層している。図においては、Ｍ
ＱＷの各ペア層を特に図示せず、ＭＱＷ全体として示し
ている。

【００３８】５．成長された活性層の上にｐ型ＡｌＧａ
Ｎ／ｐ型ＧａＮ系半導体４Ａを成長させる。さらにデバ
イスプロセスを行い、電極などを適宜形成して発光素子
であるＬＥＤチップを作製する。この発光素子は、ｎ型
ＧａＮ層２Ａおよびｐ型ＡｌＧａＮ／ｐ型ＧａＮ系半導
体４Ａから、発光領域３に正孔および電子が注入され、
再結合によって光が発生する。この光はサファイア基板
１またはｐ型ＡｌＧａＮ／ｐ型ＧａＮ系半導体４Ａから
取り出される。ｐ型ＧａＮ系半導体層上のコンタクト層
が透光性電極の場合は、フェイスアップ（ＦＵ）、反射
電極の場合はフェイスダウン（ＦＤ）のいずれの場合に
も利用できる。

【００３９】以上の工程により作製された窒化物系化合
物半導体素子の特性を測定した結果、光出力が１２ｍ
Ｗ、駆動電圧が３．４Ｖの優れた特性を示した。比較の
ために、エッチングによる段差部５を形成しない他は上
記と同一の材質、大きさ、工程で発光素子を作製して、
特性を測定した。その結果、光出力は８ｍＷ、駆動電圧
は３．６Ｖとなった。このように、本発明の実施例に係
る窒化物系化合物半導体発光素子では、より高い発光出
力を得ることができ、さらに駆動電圧を低減することが
確認された。

【００４０】

【発明の効果】以上のように、本発明の窒化物系化合物
半導体発光素子およびその製造方法によれば、駆動電圧
を改善すると共に発光効率を向上させることができる。
それは、本発明の窒化物系化合物半導体発光素子および
その製造方法が、発光領域に凹凸状の段差部を設けるこ
とによって発光素子全体における単位面積当たりの発光
領域の領域を増やし、発光領域の電流密度を下げること
ができるからである。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の窒化物系化合物半導体発光素子を示す断
面図である。

【図２】発光ダイオードの発光効率を示すグラフであ
る。

【図３】本発明の一実施例に係る窒化物系化合物半導体
発光素子を示す断面図である。

【図４】本発明の一実施例に係る窒化物系化合物半導体
発光素子における段差部のパターンを示す平面図であ
る。

【図５】本発明の一実施例に係る窒化物系化合物半導体
発光素子の製造工程を示す断面図である。

【図６】本発明の他の実施例に係る窒化物系化合物半導
体発光素子における段差部の様々なパターンを示す平面
図である。

【図７】面指数と本明細書で使用した表記の対照表であ
る。

【図８】窒化物系化合物半導体の成長モードの概略を示
す断面図である。

【符号の説明】

１…基板 ２…ｎ型半導体層 ２Ａ…ｎ型ＧａＮ層 ２Ｂ…第２のｎ型ＧａＮ層 ３…発光領域 ４…ｐ型半導体層 ４Ａ…ｐ型ＡｌＧａＮ／ｐ型ＧａＮ系半導体 ５…段差部 ６…ＳｉＯ_２膜

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板(1)と、前記基板(1)と異なる材料よ
   りなる少なくとも２層の半導体層と、発光領域(3)を備
   え、これらを積層構造に成膜した窒化物系化合物半導体
   発光素子において、 前記発光領域(3)は量子井戸構造を有し少なくともＩｎ
   を含んでおり、かつそのｃ軸方向に対し少なくとも一の
   段差部(5)を形成していることを特徴とする窒化物系化
   合物半導体発光素子。
2. 【請求項２】 前記発光領域(3)に設けられた前記段差
   部(5)がほぼ同様のパターンを繰り返す形状であること
   を特徴とする請求項１記載の窒化物系化合物半導体発光
   素子。
3. 【請求項３】 前記発光領域(3)の段差部(5)の形状が、
   前記半導体層のＣ面から見たとき発光領域(3)のＡ面と
   略平行な面を構成面とすることを特徴とする請求項１ま
   たは２記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
4. 【請求項４】 前記発光領域(3)の段差部(5)のパターン
   が正三角形または正六角形であることを特徴とする請求
   項１から３のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発
   光素子。
5. 【請求項５】 前記発光領域(3)の段差部(5)を構成する
   正三角形または正六角形の各辺が、前記半導体層のＡ面
   に略平行であることを特徴とする請求項４記載の窒化物
   系化合物半導体発光素子。
6. 【請求項６】 前記段差部(5)の段差が５０Å〜１μｍ
   であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記
   載の窒化物系化合物半導体発光素子。
7. 【請求項７】 前記段差部(5)の平面における大きさが
   １μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１か
   ら６のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素
   子。
8. 【請求項８】 前記半導体層がＩＩＩ−Ｖ族半導体であ
   ることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の
   窒化物系化合物半導体発光素子。
9. 【請求項９】 前記半導体層がＩｎＧａＮ系半導体であ
   ることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の
   窒化物系化合物半導体発光素子。
10. 【請求項１０】 上記基板(1)がサファイア、炭化珪
    素、またはスピネルのいずれかであることを特徴とする
    請求項１から９のいずれかに記載の窒化物系化合物半導
    体発光素子。
11. 【請求項１１】 上記基板(1)がＣ面（０００１）サフ
    ァイア基板であることを特徴とする請求項１から９のい
    ずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
12. 【請求項１２】 前記窒化物系化合物半導体発光素子が
    発光ダイオードであることを特徴とする請求項１から１
    １のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子。
13. 【請求項１３】 基板(1)と、前記基板(1)と異なる材料
    よりなる少なくとも２層の半導体層と、少なくともＩｎ
    を含んだ発光領域(3)を備え、これらを積層構造に成膜
    した窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法におい
    て、 基板(1)上にｎ型ＧａＮ層(2A)を成長させる工程と、 前記ｎ型ＧａＮ層(2A)をエッチングし、そのｃ軸方向に
    対し複数の段差部(5)を設ける工程と、 前記ｎ型ＧａＮ層(2A)上に発光領域(3)を成長させる工
    程とを備え、 前記段差部(5)の形状が前記半導体層のＣ面から見たと
    き前記発光領域(3)のＡ面と略平行な面を構成面とする
    ように成長させ、かつ窒化ガリウムをａ軸の方向に成長
    させることにより、前記段差部(5)にテーパ状の斜面を
    設けることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子
    の製造方法。