KR100809229B1

KR100809229B1 - 질화물 반도체 발광 소자 및 제조방법

Info

Publication number: KR100809229B1
Application number: KR1020060114675A
Authority: KR
Inventors: 정명구
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2006-11-20
Filing date: 2006-11-20
Publication date: 2008-03-05

Abstract

본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이며, 본 발명은, n형 및 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며, 적어도 하나 이상의 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 적층된 구조를 갖는 활성층을 포함하며, 상기 활성층의 상면에는 적어도 하나 이상의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 활성층에서의 결정결함을 줄이고 상기 활성층 상의 질화물 단결정의 결정성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 내부양자효율과 광추출효율 등 광학적 특성이 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 얻을 수 있다.

질화물, 발광소자, 홈, 활성층, 전위, 결정결함

Description

질화물 반도체 발광 소자 및 제조방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

도1은 본 발명의 일 측면에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.

도2a 및 도2b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른, 홈의 단면 형태를 설명하기 위한, 활성층 주변의 확대 단면도이다.

도3a 및 도3b는 활성층 상면에 형성된 식각 패턴을 설명하기 위한 활성층의 평면도이다.

도4a 내지 도4e는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자에 대한 제조공정의 실시 형태를 설명하기 위핸 공정별 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명>

11,41: 질화물 성장용 기판 12,42: 버퍼층

13,43: n형 질화물 반도체층 14,44: 활성층

15: 전자차단층 16,46: p형 질화물 반도체층

17: 투광성 오믹콘택층 18a,18b: n측 및 p측 전극

P, P', P'': 홈

본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히 활성층에 홈을 형성함으로써 전위 밀도를 낮추어 결정성 및 광학적 특성을 향상시킨 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

III족 질화물 반도체는 가시광 전체영역뿐만 아니라 자외선 영역에 이르는 넓은 범위의 빛을 발할 수 있다는 특성으로 인해, 발광다이오드(LED) 또는 레이저다이오드(LD) 형태의 가시광 및 자외선 LED와 청록색 광소자를 제조하는 물질로 각광을 받고 있다.

이러한 질화물 반도체를 포함한 광소자를 제조하기 위해서는, Ⅲ족 질화물 반도체를 고품위의 단결정 박막으로 성장시키는 기술이 필수적으로 요구된다. 하지만, Ⅲ족 질화물 반도체는 그 격자상수 및 열팽창계수에 적합한 기판이 보편적이지 않으므로, 단결정 박막의 성장방법은 매우 제한적이다.

종래에 주로 사용되는 Ⅲ족 질화물 반도체 성장방법으로는 이종 기판인 사파이어(Al₂O₃)기판 상에 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 및 분자빔 에피택시법(MBE) 등을 이용한 헤테로-에피택시(heteroepitaxy)법으로 성장하는 방법이 있으나, 사파 이어 기판을 사용하는 경우에도, 격자상수 및 열팽창계수 불일치로 인하여 고품질의 Ⅲ족 질화물 반도체 단결정을 직접 성장하기 어렵다. 따라서, 저온의 핵생성층과 고온의 단결정 성장을 포함한 2단계 성장법을 채택하는 것이 일반적이다. 이러한 2단계 성장법을 사용하여, 사파이어 기판 위에 저온의 핵생성층을 형성한 후에 Ⅲ족 질화물 반도체 단결정을 성장시키더라도, 약 10⁹ ∼ 약 10¹⁰ ㎝^-2의 결정결함을 갖는 것으로 나타난다.

특히, 질화물 반도체 발광소자에서는 전자와 정공이 재결합하여 발광하는 활성층이 가장 중요한 역할을 수행하는데, 상기와 같이 전위 등의 결정결함은 비발광중심(Non Radiative Centre) 혹은 누설경로(leakage path)의 역할을 함으로써 발광소자의 내부양자효율을 저하시킨다. 따라서, 이러한 활성층에서의 결정결함을 낮추기 위한 방안이 요구된다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 활성층 및 p형 질화물 반도체층의 전위 밀도를 낮추어 결정성을 높이고 이에 따라 내부양자효율 등을 향상시켜 광학적 특성이 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은,

n형 및 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며, 하나 이상의 양자우물층 및 하나 이상의 양자장벽층이 서로 교대로 적층 된 구조를 갖는 활성층을 포함하며, 상기 활성층의 상면에는 하나 이상의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.

본 발명에서 채용된 상기 홈은 활성층에 존재하는 전위 등의 결정결함을 제거하며, 활성층에서의 스트레인(strain)을 완화시키는 기능을 한다. 또한, 상기 활성층 상에 성장되는 p형 질화물 반도체층 등의 결정성 향상에도 기여한다.

바람직하게는, 상기 활성층에 형성된 홈은, 그 깊이가 상기 활성층의 두께보다 작을 수 있다.

한편, 상기 홈은 단면의 모양이 V자 형인 것이 일반적이나, 이에 제한되지 않으며, 사다리꼴 등 다양한 형태가 채용될 수 있다. 또한, 3차원적으로는, 상기 홈은, 육각 피라미드 구조인 것이 바람직하다.

본 발명의 바람직한 실시 형태로서, 상기 p형 질화물 반도체층은, 상기 홈을 채우도록 형성된 것일 수 있다.

또한, 상기 p형 질화물 반도체층 상면에는 하나 이상의 홈이 형성된 것일 수 있으며, 이러한 홈에 의해 활성층에서 발광된 광의 전반사를 줄일 수 있으므로, 외부광추출효율을 높일 수 있다. 이 경우, 더욱 바람직하게는, 상기 p형 질화물 반도체층 상면에 형성된 홈은, 상기 활성층 상면에 형성된 홈을 따라 형성된 것일 수 있다.

추가적으로, 상기 질화물 반도체 발광소자는, 상기 활성층과 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며, 인접하는 양자장벽층의 밴드갭 에너지보다 큰 밴드갭 에너지를 갖는 전자차단층을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 질화물 반도체 발광소자는, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투광성 오믹콘택층을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 측면은, 질화물 단결정 성장용 기판을 마련하는 단계와, 상기 질화물 단결정 성장용 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계와, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 하나 이상의 양자장벽층 및 하나 이상의 양자우물층을 서로 교대로 성장시켜 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 상에 적어도 하나 이상의 홈을 형성하는 단계 및 상기 활성층 상에 p형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.

바람직하게는, 상기 홈을 형성하는 단계는, 상기 활성층 상면에 식각가스를 주입하는 단계를 포함하는 것일 수 있으며, 이 경우, 상기 식각가스는, H₂, N₂, Ar, HCl, HBr, Cl₂, BCl₃ _,SiCl₄ 및그 혼합 가스로 구성된 그룹으로부터 선택된 가스를 포함하는 것일 수 있다. 상기와 같이, 식각가스를 주입하는 경우, 상기 활성층에서 결정결함이 있는 부분이 우선적으로 식각되어 홈이 형성될 수 있다.

다만, 본 발명에서 홈의 형성 방법은 이에 제한되는 것은 아니며, 공지된 건식 또는 습식식각 공정이 활용될 수 있다.

본 발명의 구체적인 실시 형태에서, 상기 p형 질화물 반도체층은, 상기 활성층에 홈을 형성하는 단계 이후, 재성장되며, 이 경우, 상기 p형 질화물 반도체층의 두께가 0.05 ~ 0.5㎛이 되도록 하는 것이 바람직하다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 보다 상세하게 설명한다.

도1에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자(10)는, 상면에 버퍼층(12)이 형성된 질화물 성장용 기판(11)과 상기 질화물 성장용 기판(11) 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(13), 활성층(14), 전자차단층(15), p형 GaN층(16) 및 투광성 오믹콘택층(17)을 포함한다. 또한, 상기 n형 질화물 반도체층(13)과 상기 투광성 오믹콘택층(17) 상에 각각 형성된 n측 및 p측 전극(18a,18b)을 포함하는 구조를 갖는다.

상기 질화물 반도체 발광소자(10)를 구성하는 각 구성요소들을 설명하면 다음과 같다.

우선, 상기 질화물 성장용 기판(11)으로는 대표적으로 사파이어 기판을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, SiC, Si, MgAl₂O, MgO, LiAlO₂ 및 LiGaO₂로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 이종기판 또는 GaN 기판과 같은 동종 기판일 수 있다.

상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(13,16)은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 단결정으로서, 대표적인 질화물 반도체층은 GaN, AlGaN, GaInN 이 있다.

이 경우, 상기 p형 질화물 반도체층(16)은 Mg, Zn 및 Be 등의 불순물을 포함할 수 있으며, 상기 n형 질화물 반도체층(13)은 Si, Ge, Se, Te 및 C 등과 같은 불순물을 포함할 수 있다.

한편, 본 실시 형태와 같이, 상기 기판(11)과 n형 질화물 반도체층(13) 사이에는 버퍼층(12)이 형성될 수 있다. 통상적으로, 상기 버퍼층(12)으로는, AlN 또는 GaN 등의 저온핵성장층이 있다.

상기 활성층(14)은 가시영역광(약 350∼680㎚ 파장범위)을 발광하기 위한 층일 수 있으며, 단일 또는 다중 양자 웰 구조를 갖는 언도프된 질화물 반도체층으로 구성된다.

한편, 본 발명에서 채용되는 상기 활성층(14)에 형성된 홈(P)은 전위 등의 결정결함의 제거 및 그 발생을 억제하는 기능을 하므로, 이에 따라, 상기 질화물 반도체 발광소자(10)의 광학적 특성 향상에 기여할 수 있다.

도2a 및 도2b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른, 홈의 단면 형태를 설명하기 위해 활성층과 홈을 확대하여 도시한 것이다. 도2a 및 도2b를 참조하면, 복수의 양자우물층(24a)과 양자장벽층(24b)이 교대로 적층된 구조인 활성층(24) 상에는 다양한 형태의 홈(P)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 홈(P)은, 그 단면의 모양이 V 형 또는 사다리꼴일 수 있으나, 전위의 제거 및 활성층 상에 성장되는 질화물 단결정의 결정성 향상을 가능하게 할 수 있는 다른 형태도 채용될 수 있다. 즉, 도2a 및 도2b에 표시된 각도(θ)가 0°에서 90°인 범위가 바람직하나, 이에 제한되지 않고, θ가 90°보다 큰 역사다리꼴도 가능할 수 있다. 또한, 상기 홈(P)의 깊이는 상기 활성층(24)의 두께보다는 작은 것이 바람직하다. 즉, 상기 홈(P)은 상기 활성층(24) 내에 생기는 것이 바람직하나, 이에 제한되지 않으며, 상기 n형 질화물 반도체층(도1의 13)까지 형성될 수도 있다.

본 발명의 다른 실시 형태에서는, 상기 홈(P)은 패턴 방식으로 형성될 수 있다. 도3a 및 도3b를 참조하여 이를 설명하면, 도3a 및 도3b는 활성층 상면에 형성된 식각 패턴을 설명하기 위한 활성층의 평면도이다. 즉, 상기 홈(P)은 상기 활성 층(14)의 전면에 식각가스를 주입하여 불규칙적으로 배열된 전위를 제거하며, 그 부분에 형성될 수도 있으나, 도3a과 같이, 복수의 육각형을 이루거나 도3b와 같이, 종방향 또는 횡방향으로 배열된 복수의 직선형태를 이루도록 형성될 수 있다.

계속하여 도1을 참조하면, 상기 전자차단층(15)은 상기 활성층(14)과 상기 p형 질화물 반도체층(16) 사이에 형성되며, 상기 전자차단층(15)과 접하는 양자장벽층(도2의 24b)의 밴드갭 에너지보다 큰 밴드갭 에너지를 갖는다. 이에 따라, 상기 n형 질화물 반도체층(13)에서 공급된 전자가 상기 활성층(14)을 지나 상기 p형 질화물 반도체층(16)으로 오버플로잉(overflowing) 되는 것을 방지하는 기능을 한다. 상기 전자차단층(15)은 일반적으로, p형 Al_aIn_bGa₁ _-a- _bN (여기서, a는 0 ≤ a ≤ 1이고, b는 0 < b ≤ 1 을 만족함)으로 이루어질 수 있다.

한편, 본 실시 형태에서 채용된, 상기 투광성 오믹콘택층(17)은 비교적 높은 밴드갭 에너지를 갖는 p형 질화물 반도체층(16)과의 접촉저항을 낮추기 위한 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 도1에 도시되지는 않았으나, 상기 활성층 상면에 형성된 홈(P)에 따라 유사한 형태의 상기 홈이 p형 질화물 반도체층(16)에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 질화물 반도체 발광소자(10)의 광학적 특성이 향상될 수 있으며, 이는 도4에 다른 실시 형태로서 도시하였다.

본 발명의 다른 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자에 대한 제조공정 의 실시 형태를 도4a 내지 도4e를 참조하여 설명한다.

우선, 도4a와 같이, 질화물 성장용 기판(41) 상에 순차적으로 버퍼층(42), p형 질화물 반도체층(43), 활성층(44)을 형성한다. 상기 기판(41) 상에 형성되는 상기의 층들은 상술한 바와 같은 질화물로 구성될 수 있으며, 공지된 공정인 유기금속 기상증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 및 수소화물 기상증착법(HVPE) 등으로 성장될 수 있다.

이어, 도4b와 같이, 상기 활성층(44) 상에 식각가스를 주입하여 적어도 하나 이상의 홈(P)을 형성한다. 본 식각공정은 질화물 성장이 수행되는 챔버(chamber) 내(in-situ 상태)에서 실행될 수 있다. 또한, 식각공정에 의해 형성된 다수의 홈(P)은 측방향 성장모드를 실현하는 수단을 활용할 수 있다. 따라서, 종래의 공정과 달리 연속적인 공정이 수행될 수 있다는 장점을 제공한다.

본 발명에 채용될 수 있는 식각가스로는, 이에 한정되지는 않으나, H₂, N₂, Ar, HCl, HBr, Cl₂, BCl₃,SiCl₄ 및 그 혼합 가스로 구성된 그룹으로부터 선택된 가스를 포함할 수 있다. 식각효과를 향상시키기 위해서, 본 식각공정은, 500∼1200℃의 온도에서 실행되는 것이 바람직하다. 또한, 식각공정 실행시의 챔버 내의 압력조건은 30∼1000 mbar가 바람직하다.

상기 다수의 홈(P)은 주로 높은 전위밀도영역에 선택적으로 형성되며, 다소 불규칙한 배열을 가질 수 있다. 다만, 도3에서 설명한 바와 같이, 상기 홈(P)은 일정한 패턴을 가지고 형성될 수도 있다.

상기 활성층(44)에 형성되는 홈(P)은 확대된 부분도면에 도시된 바와 같이 육각 피라미드 뿔구조를 갖을 수 있다.

이어, 도4c와 같이, 상기 활성층(44) 상에 p형 질화물 반도체층(46)을 성장시킨다. 이 경우, 상기 p형 질화물 반도체층(46)을 성장시키는 공정도 상술한 바와 같은 공지된 질화물 성장 공정에 의할 수 있다.

한편, 본 실시 형태에서는 전자차단층을 채용하지는 않았으나, 도1의 실시 형태와 같이, 전자차단층을 성장시킨 후에, p형 질화물 반도체층을 성장시키는 것도 가능하다.

상기 p형 질화물 반도체층(46)은 상기 활성층(44) 상면의 홈(P)의 형성 후에, 얇게 재성장될 수 있으며, 그 두께(t)는 0.05 ~ 0.5㎛의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상기 p형 질화물 반도체층(46)은 상기 홈(P)을 채우도록 성장될 수 있으며, 도시된 바와 같이, 상기 활성층(44) 상면의 모폴로지(morphology)를 따라 p형 질화물 반도체층을 성장시킴으로써, 상기 p형 질화물 반도체층(46) 자체에도 상기 활성층(44)과 유사한 형태의 홈(P')이 형성될 수 있다.

다음으로, 도4d와 같이, 상기 p형 질화물 반도체층(46) 상에 투광성 오믹콘 택층(47)을 형성한다. 이 경우, 상기 p형 질화물 반도체층(46)과 마찬가지로 상기 투광성 오믹콘택층(47)에도 상기 활성층(44)에 형성된 것과 유사한 형태의 홈(P'')이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 활성층(44)에서 발광된 광이 내부로 전반사 되는 것을 억제하여, 광추출효율을 향상시킬 수 있다.

마지막으로, 도4e와 같이, n측 전극(48a)을 메사에칭을 통해 노출된 상기 n형 질화물 반도체층(43) 상에 형성하고, p측 전극(48b)을 상기 투광성 오믹콘택층(47) 상에 형성한다. 도4e는 이러한 공정을 통하여 완성된 질화물 반도체 발광소자(40)를 도시하였다.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 활성층에서의 결정결함을 줄이고 상기 활성층 상의 질화물 단결정의 결정성을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 내부양자효율과 광추출효율 등 광학적 특성이 우수한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 을 얻을 수 있다.

Claims

n형 및 p형 질화물 반도체층; 및

상기 n형 질화물 반도체층과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며, 하나 이상의 양자우물층 및 하나 이상의 양자장벽층이 서로 교대로 적층 된 구조를 갖는 활성층을 포함하며,

상기 활성층의 상면에는 하나 이상의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 홈의 깊이는, 상기 활성층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 홈은, 단면의 모양이 V 형 또는 사다리꼴인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 홈은, 육각 피라미드 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 p형 질화물 반도체층은, 상기 홈을 채우도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 p형 질화물 반도체층 상면에는 하나 이상의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제6항에 있어서,

상기 p형 질화물 반도체층 상면에 형성된 홈은, 상기 활성층 상면에 형성된 홈을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 활성층과 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며, 인접하는 양자장벽층의 밴드갭 에너지보다 큰 밴드갭 에너지를 갖는 전자차단층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투광성 오믹콘택층을 더 포함하는 질 화물 반도체 발광소자.
질화물 단결정 성장용 기판을 마련하는 단계;

상기 질화물 단결정 성장용 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계;

상기 n형 질화물 반도체층 상에 하나 이상의 양자장벽층 및 하나 이상의 양자우물층을 서로 교대로 성장시켜 활성층을 형성하는 단계;

상기 활성층 상에 하나 이상의 홈을 형성하는 단계; 및

상기 활성층 상에 p형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 p형 질화물 반도체층은, 상기 홈을 채우도록 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 홈을 형성하는 단계는, 상기 홈의 깊이를 상기 활성층의 두께보다 작도록 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 홈을 형성하는 단계는, 상기 활성층 상면에 식각가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제13항에 있어서,

상기 식각가스는, H₂, N₂, Ar, HCl, HBr, Cl₂, BCl₃, SiCl₄ 및 그 혼합 가스로 구성된 그룹으로부터 선택된 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 홈을 형성하는 단계는, 상기 홈의 단면의 모양을 V 형 또는 사다리꼴로 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 홈을 형성하는 단계는, 상기 홈이 육각 피라미드 구조가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 p형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계는, 상기 p형 질화물 반도체층 의 두께가 0.05 ~ 0.5㎛이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소 자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 p형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계는, 상기 활성층 상면에 형성된 홈을 따라 상기 p형 질화물 반도체층 상면에도 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 홈을 형성시키는 단계와 p형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계 사이에, 인접하는 양자장벽층의 밴드갭 에너지보다 큰 밴드갭 에너지를 갖는 전자차단층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 p형 질화물 반도체층을 성장시키는 단계 후에, 투광성 오믹콘택층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.