JP2000349377A - Ｌｄ励起固体レーザ装置 - Google Patents
Ｌｄ励起固体レーザ装置Info
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- JP2000349377A JP2000349377A JP16131899A JP16131899A JP2000349377A JP 2000349377 A JP2000349377 A JP 2000349377A JP 16131899 A JP16131899 A JP 16131899A JP 16131899 A JP16131899 A JP 16131899A JP 2000349377 A JP2000349377 A JP 2000349377A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長変換結晶を用いた半導体レーザ励起によ
る固体レーザ装置において、効率良く第二高調波を発生
できるようにする。 【解決手段】 半導体レーザＬＤ１の偏光方向３１と波
長変換結晶５の基本波の偏光方向３４を一致させて配置
する。これにより、半導体レーザＬＤ１から集光レンズ
系２を介して、ａ方向偏光３１の励起光１１が固体レー
ザ結晶３に集光され、励起された固体レーザ結晶３から
同じａ方向偏光３２の基本波１２が、第１種位相整合に
切出された波長変換結晶５を誘起して、効率良くｃ方向
偏光３３の第二高調波１３を発生する。
る固体レーザ装置において、効率良く第二高調波を発生
できるようにする。 【解決手段】 半導体レーザＬＤ１の偏光方向３１と波
長変換結晶５の基本波の偏光方向３４を一致させて配置
する。これにより、半導体レーザＬＤ１から集光レンズ
系２を介して、ａ方向偏光３１の励起光１１が固体レー
ザ結晶３に集光され、励起された固体レーザ結晶３から
同じａ方向偏光３２の基本波１２が、第１種位相整合に
切出された波長変換結晶５を誘起して、効率良くｃ方向
偏光３３の第二高調波１３を発生する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＤ励起固体レー
ザ装置に係わり、特に、励起用の半導体レーザと波長変
換結晶の基本波の偏光方向に関する。
ザ装置に係わり、特に、励起用の半導体レーザと波長変
換結晶の基本波の偏光方向に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体レーザの高効率化を実現する手法と
して励起光源に半導体レーザ（ＬＤ）を用いる方法が一
般的である。ＬＤを用いることによって、固体レーザ結
晶の吸収ピークを効率的に励起することが可能であり、
さらにＬＤ自体の電流―光出力効率が高いため、余分な
エネルギーを必要としないなどの利点がある。青色レー
ザを実現するために、半導体レーザ（ＬＤ）と、固体レ
ーザ結晶としてＮｄ：ＹＡＧ、波長変換結晶としてＫＮ
を使ったＬＤ励起固体レーザ装置が知られている。図６
に従来のＬＤ励起固体レーザ装置を示す。この装置で
は、ＬＤ４１から出力された励起光（８０９ｎｍ）５１
が、集光レンズ系４２を通過し、固体レーザ結晶（Ｎ
ｄ：ＹＡＧ）４３に集光される。固体レーザ結晶４３に
より出力された基本波（９４６ｎｍ）５２は、固体レー
ザ結晶４３のＬＤ側端面と出力ミラー４４の凹面に、基
本波（９４６ｎｍ）５２に対して高反射コーティングが
施されて構成された共振器Ｒ内に閉じこめられレーザ発
振に至る。この共振器Ｒ内に波長変換結晶（ＫＮ）４５
を挿入することにより、基本波（９４６ｎｍ）５２が、
波長変換結晶（ＫＮ）４５から第二高調波（４７３ｎ
ｍ）５３を誘発する。出力ミラー４４は、基本波（９４
６ｎｍ）５２を反射し、第二高調波（４７３ｎｍ）５３
を透過するようにコーティングが施されており、波長変
換結晶（ＫＮ）４５からの第二高調波（４７３ｎｍ）５
３は、出力ミラー４４を透過し外部に出力される。
して励起光源に半導体レーザ（ＬＤ）を用いる方法が一
般的である。ＬＤを用いることによって、固体レーザ結
晶の吸収ピークを効率的に励起することが可能であり、
さらにＬＤ自体の電流―光出力効率が高いため、余分な
エネルギーを必要としないなどの利点がある。青色レー
ザを実現するために、半導体レーザ（ＬＤ）と、固体レ
ーザ結晶としてＮｄ：ＹＡＧ、波長変換結晶としてＫＮ
を使ったＬＤ励起固体レーザ装置が知られている。図６
に従来のＬＤ励起固体レーザ装置を示す。この装置で
は、ＬＤ４１から出力された励起光（８０９ｎｍ）５１
が、集光レンズ系４２を通過し、固体レーザ結晶（Ｎ
ｄ：ＹＡＧ）４３に集光される。固体レーザ結晶４３に
より出力された基本波（９４６ｎｍ）５２は、固体レー
ザ結晶４３のＬＤ側端面と出力ミラー４４の凹面に、基
本波（９４６ｎｍ）５２に対して高反射コーティングが
施されて構成された共振器Ｒ内に閉じこめられレーザ発
振に至る。この共振器Ｒ内に波長変換結晶（ＫＮ）４５
を挿入することにより、基本波（９４６ｎｍ）５２が、
波長変換結晶（ＫＮ）４５から第二高調波（４７３ｎ
ｍ）５３を誘発する。出力ミラー４４は、基本波（９４
６ｎｍ）５２を反射し、第二高調波（４７３ｎｍ）５３
を透過するようにコーティングが施されており、波長変
換結晶（ＫＮ）４５からの第二高調波（４７３ｎｍ）５
３は、出力ミラー４４を透過し外部に出力される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＬＤ励起固体レ
ーザ装置は以上のように構成されているが、半導体レー
ザ（ＬＤ４１）光の偏光方向がａ方向偏光３１とする
と、固体レーザ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ）４３は等方性結晶
であり、偏光特性は持たないので、固体レーザ結晶４３
からの基本波５２は、ＬＤ４１の偏光方向の影響を受け
て、ａ方向を長軸としたａ方向偏光３２の楕円偏光とな
るが、波長変換結晶４５では一般に常光線方向３６と異
常光線方向３５の基本波が整合されて常光線方向３６の
第二高調波を発生する。そのため楕円偏光の基本波５２
の偏光方向が、波長変換結晶４５の異常光線方向３５と
ある傾きで入射すると変換効率が変化する。従来の装置
は波長変換結晶４５の基本波の偏光方向が特に考慮され
ずに配置されているため、ＬＤ励起固体レーザ装置の効
率の良い発振特性が得られていないという問題がある。
ーザ装置は以上のように構成されているが、半導体レー
ザ（ＬＤ４１）光の偏光方向がａ方向偏光３１とする
と、固体レーザ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ）４３は等方性結晶
であり、偏光特性は持たないので、固体レーザ結晶４３
からの基本波５２は、ＬＤ４１の偏光方向の影響を受け
て、ａ方向を長軸としたａ方向偏光３２の楕円偏光とな
るが、波長変換結晶４５では一般に常光線方向３６と異
常光線方向３５の基本波が整合されて常光線方向３６の
第二高調波を発生する。そのため楕円偏光の基本波５２
の偏光方向が、波長変換結晶４５の異常光線方向３５と
ある傾きで入射すると変換効率が変化する。従来の装置
は波長変換結晶４５の基本波の偏光方向が特に考慮され
ずに配置されているため、ＬＤ励起固体レーザ装置の効
率の良い発振特性が得られていないという問題がある。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、励起効率及び変換効率の良い第二高調
波を放出するＬＤ励起固体レーザ装置を提供することを
目的とする。
たものであって、励起効率及び変換効率の良い第二高調
波を放出するＬＤ励起固体レーザ装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のＬＤ励起固体レーザ装置は、半導体レーザ
素子と、その半導体レーザからの励起光により励起され
る固体レーザ結晶と、出力側に設けられた出力ミラー
と、前記固体レーザ結晶端面と前記出力ミラー面とで形
成される共振器内に設けられた波長変換結晶とからなる
ＬＤ励起固体レーザ装置において、前記半導体レーザの
偏光方向と第一種位相整合となるように切出された前記
波長変換結晶の基本波の偏光方向とが一致するように配
置した構造を備えるものである。
め、本発明のＬＤ励起固体レーザ装置は、半導体レーザ
素子と、その半導体レーザからの励起光により励起され
る固体レーザ結晶と、出力側に設けられた出力ミラー
と、前記固体レーザ結晶端面と前記出力ミラー面とで形
成される共振器内に設けられた波長変換結晶とからなる
ＬＤ励起固体レーザ装置において、前記半導体レーザの
偏光方向と第一種位相整合となるように切出された前記
波長変換結晶の基本波の偏光方向とが一致するように配
置した構造を備えるものである。
【０００６】本発明のＬＤ励起固体レーザ装置は上記の
ように構成されており、半導体レーザの偏光方向と第１
種位相整合となるように切出された波長変換結晶の基本
波の偏光方向を一致させるように配置することにより、
装置の励起効率および変換効率の改善されたＬＤ励起固
体レーザ装置を得ることができる。
ように構成されており、半導体レーザの偏光方向と第１
種位相整合となるように切出された波長変換結晶の基本
波の偏光方向を一致させるように配置することにより、
装置の励起効率および変換効率の改善されたＬＤ励起固
体レーザ装置を得ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明のＬＤ励起固体レーザ装置
の一実施例を図１を参照しながら説明する。図１は本発
明の一実施例における半導体レーザ励起固体レーザ装置
の構成図である。図１において、１は固体レーザ結晶３
を励起するための半導体レーザＬＤ、２は励起光１１を
固体レーザ結晶３の端面に集光する集光レンズ系、３は
Ｎｄ：ＹＡＧからなる固体レーザ結晶、４は出力側に設
けられ基本波を反射し第二高調波を透過する出力ミラ
ー、５は９４６ｎｍを基本波（異常光線）とし、４７３
ｎｍを第二高調波（常光線）とする第一種位相整合可能
な角度に切出された波長変換結晶（ＫＮ）である。波長
変換結晶５は固体レーザ結晶３の端面と出力ミラー４の
凹面とで形成された共振器７内にセットされ、その波長
変換結晶５の異常光線（基本波）の偏光方向が半導体レ
ーザＬＤ１の偏光方向と一致するように設けられてい
る。
の一実施例を図１を参照しながら説明する。図１は本発
明の一実施例における半導体レーザ励起固体レーザ装置
の構成図である。図１において、１は固体レーザ結晶３
を励起するための半導体レーザＬＤ、２は励起光１１を
固体レーザ結晶３の端面に集光する集光レンズ系、３は
Ｎｄ：ＹＡＧからなる固体レーザ結晶、４は出力側に設
けられ基本波を反射し第二高調波を透過する出力ミラ
ー、５は９４６ｎｍを基本波（異常光線）とし、４７３
ｎｍを第二高調波（常光線）とする第一種位相整合可能
な角度に切出された波長変換結晶（ＫＮ）である。波長
変換結晶５は固体レーザ結晶３の端面と出力ミラー４の
凹面とで形成された共振器７内にセットされ、その波長
変換結晶５の異常光線（基本波）の偏光方向が半導体レ
ーザＬＤ１の偏光方向と一致するように設けられてい
る。
【０００８】基本的な構成は、従来と同様であり、ＬＤ
１から出力された励起光（８０９ｎｍ）１１が、集光レ
ンズ系２を通過し、固体レーザ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ）３
に集光される。固体レーザ結晶３により出力された基本
波（９４６ｎｍ）１２は、固体レーザ結晶３のＬＤ側端
面と出力ミラー４で構成された共振器７内に閉じこめら
れ、レーザ発振に至る。この共振器７内に波長変換結晶
（ＫＮ）５を挿入することにより、第二高調波（４７３
ｎｍ）１３に変換され、出力ミラー４を透過して、出力
に至る。ここで波長変換結晶（ＫＮ）５は９４６ｎｍを
基本波（異常光線）とし、４７３ｎｍを第二高調波（常
光線）とする第一種位相整合可能な角度に切り出されて
いる。
１から出力された励起光（８０９ｎｍ）１１が、集光レ
ンズ系２を通過し、固体レーザ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ）３
に集光される。固体レーザ結晶３により出力された基本
波（９４６ｎｍ）１２は、固体レーザ結晶３のＬＤ側端
面と出力ミラー４で構成された共振器７内に閉じこめら
れ、レーザ発振に至る。この共振器７内に波長変換結晶
（ＫＮ）５を挿入することにより、第二高調波（４７３
ｎｍ）１３に変換され、出力ミラー４を透過して、出力
に至る。ここで波長変換結晶（ＫＮ）５は９４６ｎｍを
基本波（異常光線）とし、４７３ｎｍを第二高調波（常
光線）とする第一種位相整合可能な角度に切り出されて
いる。
【０００９】図２は結晶配置と偏光方向を説明した図で
ある。レーザ光はｂ方向に伝搬するものとする。固体レ
ーザ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ）２１は、等方性結晶であり、
偏光特性は持たない。また、固体レーザ結晶（Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ）２１の端面には、１０６４ｎｍ透過、９４６ｎｍ
反射、８０８ｎｍ透過となるようなコーティング２３が
施されている。波長変換結晶（ＫＮ）２２は第一種位相
整合の場合、常光線は第二高調波（４７３ｎｍ）、異常
光線は基本波（９４６ｎｍ）に相当する。ＬＤ（８０９
ｎｍ）１の偏光方向を３１のようにａ方向にとった場
合、固体レーザ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ）２１により発振し
た基本波（９４６ｎｍ）１２の偏光方向は、ＬＤ１の偏
光方向の影響を受けて３２のようにａ方向を長軸とした
楕円偏光となる。この状態で、共振器７内に波長変換結
晶（ＫＮ）２２を異常光線の偏光方向がａ方向と一致す
るように挿入する（これをケース１とする）。この様な
配置にすると、基本波（９４６ｎｍ）の偏光方向は、波
長変換結晶（ＫＮ）２２の異常光線の偏光方向と一致し
ているため、偏光方向は保存され３４のａ方向の直線偏
光となる。そのため固体レーザ結晶３による基本波発振
が効率的に行われる。また出力される第二高調波（４７
３ｎｍ）の偏光方向は、３３のようにｃ方向に偏光す
る。
ある。レーザ光はｂ方向に伝搬するものとする。固体レ
ーザ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ）２１は、等方性結晶であり、
偏光特性は持たない。また、固体レーザ結晶（Ｎｄ：Ｙ
ＡＧ）２１の端面には、１０６４ｎｍ透過、９４６ｎｍ
反射、８０８ｎｍ透過となるようなコーティング２３が
施されている。波長変換結晶（ＫＮ）２２は第一種位相
整合の場合、常光線は第二高調波（４７３ｎｍ）、異常
光線は基本波（９４６ｎｍ）に相当する。ＬＤ（８０９
ｎｍ）１の偏光方向を３１のようにａ方向にとった場
合、固体レーザ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ）２１により発振し
た基本波（９４６ｎｍ）１２の偏光方向は、ＬＤ１の偏
光方向の影響を受けて３２のようにａ方向を長軸とした
楕円偏光となる。この状態で、共振器７内に波長変換結
晶（ＫＮ）２２を異常光線の偏光方向がａ方向と一致す
るように挿入する（これをケース１とする）。この様な
配置にすると、基本波（９４６ｎｍ）の偏光方向は、波
長変換結晶（ＫＮ）２２の異常光線の偏光方向と一致し
ているため、偏光方向は保存され３４のａ方向の直線偏
光となる。そのため固体レーザ結晶３による基本波発振
が効率的に行われる。また出力される第二高調波（４７
３ｎｍ）の偏光方向は、３３のようにｃ方向に偏光す
る。
【００１０】図３（表１）及び、図４（表２）は、実施
例による固体レーザ出力測定例である。出力（ｂ方向）
の測定は、図２に示した（ａ方向偏光）及び（ｃ方向偏
光）については、偏光板２４を挿入した状態で、（ａ方
向偏光＋ｃ方向偏光）については偏光板２４を取り除い
た状態で測定した。また、波長変換結晶（ＫＮ）２２挿
入前の基本波、波長変換結晶（ＫＮ）２２挿入後の基本
波、波長変換結晶（ＫＮ）２２挿入後の第二高調波につ
いて測定を行っている。図３（表１）のケース１は、本
実施例による場合である。図４（表２）のケース２は、
共振器７内に波長変換結晶（ＫＮ）２２を第二高調波
（４７３ｎｍ）の偏光方向が３３と垂直の方向になるよ
う挿入した場合である。図５は第二高調波の波長変換結
晶（ＫＮ）２２による角度依存性を示したものである。
この結果から明らかなように、本実施例では第二高調波
（４７３ｎｍ）出力が効率よく出力される。従ってこの
構成によって高効率な波長変換が行われる半導体レーザ
励起固体レーサ装置が実現できる。
例による固体レーザ出力測定例である。出力（ｂ方向）
の測定は、図２に示した（ａ方向偏光）及び（ｃ方向偏
光）については、偏光板２４を挿入した状態で、（ａ方
向偏光＋ｃ方向偏光）については偏光板２４を取り除い
た状態で測定した。また、波長変換結晶（ＫＮ）２２挿
入前の基本波、波長変換結晶（ＫＮ）２２挿入後の基本
波、波長変換結晶（ＫＮ）２２挿入後の第二高調波につ
いて測定を行っている。図３（表１）のケース１は、本
実施例による場合である。図４（表２）のケース２は、
共振器７内に波長変換結晶（ＫＮ）２２を第二高調波
（４７３ｎｍ）の偏光方向が３３と垂直の方向になるよ
う挿入した場合である。図５は第二高調波の波長変換結
晶（ＫＮ）２２による角度依存性を示したものである。
この結果から明らかなように、本実施例では第二高調波
（４７３ｎｍ）出力が効率よく出力される。従ってこの
構成によって高効率な波長変換が行われる半導体レーザ
励起固体レーサ装置が実現できる。
【００１１】
【発明の効果】本発明のＬＤ励起固体レーザ装置は上記
のように構成されており、第１種位相整合となるように
切出された波長変換結晶が、固体レーザ結晶（レーザ媒
質）の端面と出力ミラーとで形成される共振器内に設け
られ、半導体レーザの偏光方向と波長変換結晶の基本波
の偏光方向が一致するように配置されているので、半導
体レーザ励起光が固体レーザ結晶を励起し、基本波に依
る同じ偏光方向で波長変換結晶を誘起するので第二高調
波が効率良く発生し、装置の励起効率および変換効率の
改善されたＬＤ励起固体レーザ装置を得ることができ
る。
のように構成されており、第１種位相整合となるように
切出された波長変換結晶が、固体レーザ結晶（レーザ媒
質）の端面と出力ミラーとで形成される共振器内に設け
られ、半導体レーザの偏光方向と波長変換結晶の基本波
の偏光方向が一致するように配置されているので、半導
体レーザ励起光が固体レーザ結晶を励起し、基本波に依
る同じ偏光方向で波長変換結晶を誘起するので第二高調
波が効率良く発生し、装置の励起効率および変換効率の
改善されたＬＤ励起固体レーザ装置を得ることができ
る。
【図１】 本発明のＬＤ励起固体レーザ装置の一実施例
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 本発明のＬＤ励起固体レーザ装置の結晶配置
と偏光方向を示す図である。
と偏光方向を示す図である。
【図３】 本発明のＬＤ励起固体レーザ装置の出力測定
結果を示す表である。
結果を示す表である。
【図４】 本発明のＬＤ励起固体レーザ装置の他の出力
測定結果を示す表である。
測定結果を示す表である。
【図５】 本発明のＬＤ励起固体レーザ装置の第二高調
波の波長変換結晶の角度依存性を示すグラフである。
波の波長変換結晶の角度依存性を示すグラフである。
【図６】 従来のＬＤ励起固体レーザ装置を示す図であ
る。
る。
１…ＬＤ ２…集光レンズ
系 ３…固体レーザ結晶 ４…出力ミラー ５…波長変換結晶 ７…共振器 １１…励起光 １２…基本波 １３…第二高調波 ２１…固体レー
ザ結晶 ２２…波長変換結晶 ２３…コーティ
ング ２４…偏光板 ３１…ａ方向偏
光 ３２…ａ方向偏光 ３３…ｃ方向偏
光 ３４…ａ方向偏光 ３５…異常光線
方向 ３６…常光線方向 ４１…ＬＤ ４２…集光レンズ系 ４３…固体レー
ザ結晶 ４４…出力ミラー ４５…波長変換
結晶 ５１…励起光 ５２…基本波 ５３…第二高調波 Ｒ…共振器
系 ３…固体レーザ結晶 ４…出力ミラー ５…波長変換結晶 ７…共振器 １１…励起光 １２…基本波 １３…第二高調波 ２１…固体レー
ザ結晶 ２２…波長変換結晶 ２３…コーティ
ング ２４…偏光板 ３１…ａ方向偏
光 ３２…ａ方向偏光 ３３…ｃ方向偏
光 ３４…ａ方向偏光 ３５…異常光線
方向 ３６…常光線方向 ４１…ＬＤ ４２…集光レンズ系 ４３…固体レー
ザ結晶 ４４…出力ミラー ４５…波長変換
結晶 ５１…励起光 ５２…基本波 ５３…第二高調波 Ｒ…共振器
フロントページの続き (72)発明者 東條 公資 京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会 社島津製作所内 (72)発明者 入口 知史 京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会 社島津製作所内 (72)発明者 渡辺 一馬 京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会 社島津製作所内 (72)発明者 稲垣 勝人 京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会 社島津製作所内 Ｆターム(参考） 5F072 AB02 AB20 JJ02 KK01 KK12 PP07 QQ02
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザ素子と、その半導体レーザか
らの励起光により励起される固体レーザ結晶と、出力側
に設けられた出力ミラーと、前記固体レーザ結晶端面と
前記出力ミラー面とで形成される共振器内に設けられた
波長変換結晶とからなるＬＤ励起固体レーザ装置におい
て、前記半導体レーザの偏光方向と第一種位相整合とな
るように切出された前記波長変換結晶の基本波の偏光方
向とが一致するように配置した構造を備えることを特徴
とするＬＤ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16131899A JP2000349377A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16131899A JP2000349377A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349377A true JP2000349377A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15732826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16131899A Pending JP2000349377A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | Ｌｄ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000349377A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586762B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power |
| US7230263B2 (en) | 2001-04-12 | 2007-06-12 | Nichia Corporation | Gallium nitride compound semiconductor element |
| US7667226B2 (en) | 2001-11-05 | 2010-02-23 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP16131899A patent/JP2000349377A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6586762B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power |
| US6838693B2 (en) | 2000-07-07 | 2005-01-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
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