JP3265644B2 - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JP3265644B2 JP3265644B2 JP26159592A JP26159592A JP3265644B2 JP 3265644 B2 JP3265644 B2 JP 3265644B2 JP 26159592 A JP26159592 A JP 26159592A JP 26159592 A JP26159592 A JP 26159592A JP 3265644 B2 JP3265644 B2 JP 3265644B2
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- semiconductor laser
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光通信、光計
測、光メモリあるいはカラーディスプレー等に応用可能
な半導体レーザ励起固体レーザ装置に関する。
測、光メモリあるいはカラーディスプレー等に応用可能
な半導体レーザ励起固体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体励起固体レーザ装置は、従来、図
２にその代表的な構成を示すように、単独で作動する半
導体レーザ素子３１から出力されたレーザ光を、集光光
学系３２によって集光して固体レーザ媒質３３の端面に
照射する。このレーザ光の照射によって固体レーザ媒質
３３が励起され、その軸方向前後に設けられた鏡面３４
および３５からなる光共振器内で誘導放出することによ
り、レーザ発振が引き起こされるようになっている。
２にその代表的な構成を示すように、単独で作動する半
導体レーザ素子３１から出力されたレーザ光を、集光光
学系３２によって集光して固体レーザ媒質３３の端面に
照射する。このレーザ光の照射によって固体レーザ媒質
３３が励起され、その軸方向前後に設けられた鏡面３４
および３５からなる光共振器内で誘導放出することによ
り、レーザ発振が引き起こされるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
な半導体励起固体レーザ装置において高効率励起を実現
するためには、励起光のパワー密度を上げることと、固
体レーザ媒質内の励起領域と光共振器内の固体レーザ光
がこの固体レーザ媒質を通過する発振領域とを一致さ
せ、励起光のうちできるだけ多くが固体レーザの発振に
寄与するように考慮する必要がある。
な半導体励起固体レーザ装置において高効率励起を実現
するためには、励起光のパワー密度を上げることと、固
体レーザ媒質内の励起領域と光共振器内の固体レーザ光
がこの固体レーザ媒質を通過する発振領域とを一致さ
せ、励起光のうちできるだけ多くが固体レーザの発振に
寄与するように考慮する必要がある。
【０００４】しかし、図２に例示した構成をもつ従来の
装置においては、以上の対策には限界があり、励起効率
の向上には自ずと限界があった。本発明はこのような実
情に鑑みてなされたもので、従来のこの種の装置に比し
て励起効率を大幅に向上させることのできる半導体励起
固体レーザ装置の提供を目的としている。
装置においては、以上の対策には限界があり、励起効率
の向上には自ずと限界があった。本発明はこのような実
情に鑑みてなされたもので、従来のこの種の装置に比し
て励起効率を大幅に向上させることのできる半導体励起
固体レーザ装置の提供を目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、固体
レーザ媒質の端面に半導体レーザ素子からの半導体レー
ザ光を照射することによって励起された固体レーザ光
を、複数の鏡面からなる光共振器で共振させて出力光を
得るレーザ装置において、上記光共振器は固体レーザ媒
質と半導体レーザ素子とを挟んだ状態で同一の光軸上に
相互に配置されているとともに、これらの光共振器は、
上記半導体レーザ光および固体レーザ光の、当該固体レ
ーザ媒質内におけるビーム形状を一致させるよう、上記
半導体レーザ光および固体レーザ光の双方の光共振器と
なる位置に配置されていることによって特徴づけられ
る。
め、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、固体
レーザ媒質の端面に半導体レーザ素子からの半導体レー
ザ光を照射することによって励起された固体レーザ光
を、複数の鏡面からなる光共振器で共振させて出力光を
得るレーザ装置において、上記光共振器は固体レーザ媒
質と半導体レーザ素子とを挟んだ状態で同一の光軸上に
相互に配置されているとともに、これらの光共振器は、
上記半導体レーザ光および固体レーザ光の、当該固体レ
ーザ媒質内におけるビーム形状を一致させるよう、上記
半導体レーザ光および固体レーザ光の双方の光共振器と
なる位置に配置されていることによって特徴づけられ
る。
【０００６】
【作用】半導体レーザ素子の半導体レーザ光の光共振器
内に固体レーザ媒質が置かれた構造となり、光共振器内
で高いパワー密度となった半導体レーザ光によって固体
レーザ媒質が励起され、高効率での励起が可能となる。
内に固体レーザ媒質が置かれた構造となり、光共振器内
で高いパワー密度となった半導体レーザ光によって固体
レーザ媒質が励起され、高効率での励起が可能となる。
【０００７】また、本発明の構成によると、光共振器の
鏡面を、半導体レーザ光と固体レーザ光の、固体レーザ
媒質内におけるビーム形状を一致させるようにしたの
で、励起領域と発振領域とが一致することになり、上記
と併せて励起効率は更に向上する。
鏡面を、半導体レーザ光と固体レーザ光の、固体レーザ
媒質内におけるビーム形状を一致させるようにしたの
で、励起領域と発振領域とが一致することになり、上記
と併せて励起効率は更に向上する。
【０００８】
【実施例】図１は本発明実施例の構成図である。半導体
レーザ素子１と固体レーザ媒質２は、互いに同一の光軸
上に置かれ、更にその光軸上には半導体レーザ素子１と
固体レーザ媒質２を挟むように２つの鏡面３および４が
配設されている。
レーザ素子１と固体レーザ媒質２は、互いに同一の光軸
上に置かれ、更にその光軸上には半導体レーザ素子１と
固体レーザ媒質２を挟むように２つの鏡面３および４が
配設されている。
【０００９】この鏡面３および４は、半導体レーザ素子
１からの出力光およびレーザ媒質２からの固体レーザ光
の双方に対して高反射率を有しており、これらによって
光共振器５が形成されている。この光共振器５は、半導
体レーザ素子１からの出力光およびこれによって励起さ
れる固体レーザ光の双方の光共振器を兼ねている。
１からの出力光およびレーザ媒質２からの固体レーザ光
の双方に対して高反射率を有しており、これらによって
光共振器５が形成されている。この光共振器５は、半導
体レーザ素子１からの出力光およびこれによって励起さ
れる固体レーザ光の双方の光共振器を兼ねている。
【００１０】半導体レーザ素子１の両端面１ａと１ｂ、
および、固体レーザ媒質２の両端面２ａと２ｂには、そ
れぞれ無反射コート膜が形成されており、それぞれ半導
体レーザ素子１の出力光および固体レーザ媒質２からの
レーザ基本波のいずれをも高透過率で透過させ得るよう
になっている。
および、固体レーザ媒質２の両端面２ａと２ｂには、そ
れぞれ無反射コート膜が形成されており、それぞれ半導
体レーザ素子１の出力光および固体レーザ媒質２からの
レーザ基本波のいずれをも高透過率で透過させ得るよう
になっている。
【００１１】以上の本発明実施例において、半導体レー
ザ素子１に電流を注入することにより出力されるレーザ
光は、鏡面３と４の間で共振してレーザ発振し、高いパ
ワー密度の半導体レーザ光となって固体レーザ媒質２に
入射する。固体レーザ媒質２はこの半導体レーザ光によ
って励起され、これも鏡面３と４の間で共振してレーザ
発振することになる。鏡面３と４のいずれか一方を、固
体レーザ光に対して僅かに透過するようにしておけば、
そこから固体レーザ光を外部に取り出すことができる。
ザ素子１に電流を注入することにより出力されるレーザ
光は、鏡面３と４の間で共振してレーザ発振し、高いパ
ワー密度の半導体レーザ光となって固体レーザ媒質２に
入射する。固体レーザ媒質２はこの半導体レーザ光によ
って励起され、これも鏡面３と４の間で共振してレーザ
発振することになる。鏡面３と４のいずれか一方を、固
体レーザ光に対して僅かに透過するようにしておけば、
そこから固体レーザ光を外部に取り出すことができる。
【００１２】このような構成によれば、固体レーザ媒質
２が半導体レーザ共振器内に置かれた構造となり、高い
パワー密度の励起光が照射されることになるとともに、
半導体レーザ共振器と固体レーザ共振器が一致している
ことから、光共振器５内における半導体レーザ光と固体
レーザ光の共振器内ビーム形状がほぼ一致することにな
り、固体レーザ媒質内の励起領域と発振領域とが一致す
ることから、高効率での励起が可能となる。
２が半導体レーザ共振器内に置かれた構造となり、高い
パワー密度の励起光が照射されることになるとともに、
半導体レーザ共振器と固体レーザ共振器が一致している
ことから、光共振器５内における半導体レーザ光と固体
レーザ光の共振器内ビーム形状がほぼ一致することにな
り、固体レーザ媒質内の励起領域と発振領域とが一致す
ることから、高効率での励起が可能となる。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】なお、以上の実施例において、半導体レー
ザ素子１、固体レーザ媒質２の互いの位置関係について
は、本実施例で示したものに限らず、本発明の技術的思
想を全うするような配置であれば、目的に応じて、適宜
に変更し得ることは勿論である。
ザ素子１、固体レーザ媒質２の互いの位置関係について
は、本実施例で示したものに限らず、本発明の技術的思
想を全うするような配置であれば、目的に応じて、適宜
に変更し得ることは勿論である。
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
共振器を固体レーザ媒質と半導体レーザ素子とを挟んだ
状態で同一の光軸上に相互に配置するとともに、これら
の光共振器を、半導体レーザ光および固体レーザ光の、
固体レーザ媒質内におけるビーム形状を一致させるよ
う、半導体レーザ光および固体レーザ光の双方の光共振
器となる位置に配置した構成としたので、光共振器内で
高パワー密度となった半導体レーザ光によって固体レー
ザ媒質が励起されることになり、従来のレーザ装置に比
して励起効率は極めて高いものとなる。さらに、半導体
レーザ光および固体レーザ光の双方に共通となる光共振
器の配置は、一度の光軸調整作業で同時に光共振器を調
整することを可能とし、本レーザ装置の設置作業を簡単
で容易なものとする。
共振器を固体レーザ媒質と半導体レーザ素子とを挟んだ
状態で同一の光軸上に相互に配置するとともに、これら
の光共振器を、半導体レーザ光および固体レーザ光の、
固体レーザ媒質内におけるビーム形状を一致させるよ
う、半導体レーザ光および固体レーザ光の双方の光共振
器となる位置に配置した構成としたので、光共振器内で
高パワー密度となった半導体レーザ光によって固体レー
ザ媒質が励起されることになり、従来のレーザ装置に比
して励起効率は極めて高いものとなる。さらに、半導体
レーザ光および固体レーザ光の双方に共通となる光共振
器の配置は、一度の光軸調整作業で同時に光共振器を調
整することを可能とし、本レーザ装置の設置作業を簡単
で容易なものとする。
【図１】本発明実施例の構成図
【図２】従来の代表的な半導体レーザ励起固体レーザ装
置の構成図
置の構成図
１ 半導体レーザ素子 ２ 固体レーザ媒質 ３，４ 鏡面 ５ 光共振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−75189（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−55671（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−335587（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−206673（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−28879（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−86881（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−121829（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/0941 H01S 3/08
Claims (1)
- 【請求項１】固体レーザ媒質の端面に半導体レーザ素子
からの半導体レーザ光を照射することによって励起され
た固体レーザ光を、複数の鏡面からなる光共振器で共振
させて出力光を得るレーザ装置において、上記光共振器
は固体レーザ媒質と半導体レーザ素子とを挟んだ状態で
同一の光軸上に相互に配置されているとともに、これら
の光共振器は、上記半導体レーザ光および固体レーザ光
の、当該固体レーザ媒質内におけるビーム形状を一致さ
せるよう、上記半導体レーザ光および固体レーザ光の双
方の光共振器となる位置に配置されていることを特徴と
する半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26159592A JP3265644B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26159592A JP3265644B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112560A JPH06112560A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3265644B2 true JP3265644B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=17364101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26159592A Expired - Fee Related JP3265644B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265644B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114005A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Central Glass Co Ltd | レーザ光源装置 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26159592A patent/JP3265644B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06112560A (ja) | 1994-04-22 |
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Legal Events
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