JPH0637373A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0637373A JPH0637373A JP18929392A JP18929392A JPH0637373A JP H0637373 A JPH0637373 A JP H0637373A JP 18929392 A JP18929392 A JP 18929392A JP 18929392 A JP18929392 A JP 18929392A JP H0637373 A JPH0637373 A JP H0637373A
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- Japan
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- laser
- solid
- state laser
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ励起固体レーザ装置の出力増加
を図る。 【構成】 従来の装置にて設けられていた一方の励起用
半導体レーザ発生器１に加えて他方の励起用半導体レー
ザ発生器１１を設け、これが出射するレーザビーム１２
を固体レーザロッド４の他端１５と凹面鏡７の間に配設
したダイクロイックミラー１４を介して固体レーザロッ
ド４にその他端１５より入射させることによって、固体
レーザ発振領域１０内のエネルギーを増加させ、従来の
装置に比べてその出力を増加させることができる装置を
実現する。
を図る。 【構成】 従来の装置にて設けられていた一方の励起用
半導体レーザ発生器１に加えて他方の励起用半導体レー
ザ発生器１１を設け、これが出射するレーザビーム１２
を固体レーザロッド４の他端１５と凹面鏡７の間に配設
したダイクロイックミラー１４を介して固体レーザロッ
ド４にその他端１５より入射させることによって、固体
レーザ発振領域１０内のエネルギーを増加させ、従来の
装置に比べてその出力を増加させることができる装置を
実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ励起固体
レーザ装置に関する。
レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置
を図２により説明する。
を図２により説明する。
【０００３】図２に示す従来の装置においては、励起用
半導体レーザ発生器１より出射されたレーザビーム２を
結合レンズ３が集光し、レーザ媒質である固体レーザロ
ッド４の一端５より固体レーザ発振領域１０内に入射し
ていた。
半導体レーザ発生器１より出射されたレーザビーム２を
結合レンズ３が集光し、レーザ媒質である固体レーザロ
ッド４の一端５より固体レーザ発振領域１０内に入射し
ていた。
【０００４】上記固体レーザロッド４の一端５の端面に
は、レーザビーム２をよく透過し、固体レーザ発振光６
を反射するコーティングが施してあり、一方、凹面鏡７
の凹面部８には固体レーザ発振光６をほとんど（９５〜
９９％）反射し、わずかに（１〜５％）透過するような
コーティングが施してあった。
は、レーザビーム２をよく透過し、固体レーザ発振光６
を反射するコーティングが施してあり、一方、凹面鏡７
の凹面部８には固体レーザ発振光６をほとんど（９５〜
９９％）反射し、わずかに（１〜５％）透過するような
コーティングが施してあった。
【０００５】上記固体レーザロッド４の一端５の端面と
凹面鏡７の凹面部８はその中心軸が一致し、レーザ共振
器を構成しており、レーザビーム２によって励起された
固体レーザ発振光６は上記共振器にて増幅され、その一
部が出力光９となって凹面鏡７より出射されていた。
凹面鏡７の凹面部８はその中心軸が一致し、レーザ共振
器を構成しており、レーザビーム２によって励起された
固体レーザ発振光６は上記共振器にて増幅され、その一
部が出力光９となって凹面鏡７より出射されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザ励起固体
レーザ装置は、希ガス放電ランプ励起固体レーザ装置に
比べて、コンパクト、長寿命、高効率等の特長を持って
いるが、このうち前２者は半導体レーザ固有の特長であ
り、高効率の点は半導体レーザ発生器の発振波長が単一
であるため、希ガス放電ランプ式のものに比べて吸収率
が良好であることに起因している。
レーザ装置は、希ガス放電ランプ励起固体レーザ装置に
比べて、コンパクト、長寿命、高効率等の特長を持って
いるが、このうち前２者は半導体レーザ固有の特長であ
り、高効率の点は半導体レーザ発生器の発振波長が単一
であるため、希ガス放電ランプ式のものに比べて吸収率
が良好であることに起因している。
【０００７】従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置
は、上記のように優れたレーザ装置であるが、出力が希
ガス放電ランプ固体レーザ装置に比べて小さいという欠
点を持っていた。それは励起用半導体レーザ発生器の出
力が数Ｗ程度と小さいためであり、高効率で発振して
も、絶対出力では希ガス放電ランプ式のものに遠くおよ
ばないのが現状である。
は、上記のように優れたレーザ装置であるが、出力が希
ガス放電ランプ固体レーザ装置に比べて小さいという欠
点を持っていた。それは励起用半導体レーザ発生器の出
力が数Ｗ程度と小さいためであり、高効率で発振して
も、絶対出力では希ガス放電ランプ式のものに遠くおよ
ばないのが現状である。
【０００８】ちなみに、希ガス放電ランプ式の場合に
は、ランプ出力は最大級では数ＫＷ以上であり、発振効
率は半導体レーザ励起固体レーザ装置の１／１０と低い
が、絶対出力ははるかに大きかった。
は、ランプ出力は最大級では数ＫＷ以上であり、発振効
率は半導体レーザ励起固体レーザ装置の１／１０と低い
が、絶対出力ははるかに大きかった。
【０００９】このように半導体レーザ励起固体レーザ装
置については、その特長を生かすため出力向上が課題と
なっていた。
置については、その特長を生かすため出力向上が課題と
なっていた。
【００１０】本発明は上記の課題を解決しようとするも
のである。
のである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ励
起固体レーザ装置は、一方の励起用半導体レーザ発生器
が出射したレーザビームをその一端より入射する固体レ
ーザロッド、および同固体レーザロッドの他端側に設け
られ同固体レーザロッドの一端との間で固体レーザ発振
光を共振させる凹面鏡を備えた半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置において、レーザビームを出射する他方の励起
用半導体レーザ発生器、および上記凹面鏡と固体レーザ
ロッドの他端との間に設けられ上記他方の励起用半導体
レーザ発生器が出射したレーザビームを反射して固体レ
ーザロッドにその他端より入射させるダイクロイックミ
ラーを備えたことを特徴としている。
起固体レーザ装置は、一方の励起用半導体レーザ発生器
が出射したレーザビームをその一端より入射する固体レ
ーザロッド、および同固体レーザロッドの他端側に設け
られ同固体レーザロッドの一端との間で固体レーザ発振
光を共振させる凹面鏡を備えた半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置において、レーザビームを出射する他方の励起
用半導体レーザ発生器、および上記凹面鏡と固体レーザ
ロッドの他端との間に設けられ上記他方の励起用半導体
レーザ発生器が出射したレーザビームを反射して固体レ
ーザロッドにその他端より入射させるダイクロイックミ
ラーを備えたことを特徴としている。
【００１２】
【作用】上記において、固体レーザロッドには、従来の
装置にてその一端より入射していた一方の励起用半導体
レーザ発生器からのレーザビームに加えて、他方の励起
用半導体レーザ発生器が出射したレーザビームが他端よ
り入射しており、その光量は増加している。
装置にてその一端より入射していた一方の励起用半導体
レーザ発生器からのレーザビームに加えて、他方の励起
用半導体レーザ発生器が出射したレーザビームが他端よ
り入射しており、その光量は増加している。
【００１３】一般に、レーザの出力は、固体レーザロッ
ドと凹面鏡により形成される共振器内の発振領域内に投
入されるエネルギーに比例するため、他方の励起用半導
体レーザ発生器が出射したレーザビームが加えられた
分、発振領域内のエネルギーが増加し、励起される固体
レーザ発振光が増加し、出力光も増加する。
ドと凹面鏡により形成される共振器内の発振領域内に投
入されるエネルギーに比例するため、他方の励起用半導
体レーザ発生器が出射したレーザビームが加えられた
分、発振領域内のエネルギーが増加し、励起される固体
レーザ発振光が増加し、出力光も増加する。
【００１４】上記により、固体レーザロッドに入射する
レーザビームの増加を可能としたため、従来の装置に比
べてその出力を増加させることができる装置を実現す
る。
レーザビームの増加を可能としたため、従来の装置に比
べてその出力を増加させることができる装置を実現す
る。
【００１５】
【実施例】本発明の一実施例を図１に示す。図１に示す
本実施例は、励起用半導体レーザ発生器１、結合レンズ
３、固体レーザロッド４及び凹面鏡７を備えた半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置において、レーザビーム１２を
出射する励起用半導体レーザ発生器１１、同半導体レー
ザ発生器１１よりレーザビーム１２を入射して集光する
結合レンズ１３、上記固体レーザロッド４と凹面鏡７の
間に設けられ上記結合レンズ１３が集光したレーザビー
ム１２を入射し反射して上記固体レーザロッド４の他端
１５よりその固体レーザ発振領域１０内に入射するダイ
クロイックミラー１４を備えている。
本実施例は、励起用半導体レーザ発生器１、結合レンズ
３、固体レーザロッド４及び凹面鏡７を備えた半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置において、レーザビーム１２を
出射する励起用半導体レーザ発生器１１、同半導体レー
ザ発生器１１よりレーザビーム１２を入射して集光する
結合レンズ１３、上記固体レーザロッド４と凹面鏡７の
間に設けられ上記結合レンズ１３が集光したレーザビー
ム１２を入射し反射して上記固体レーザロッド４の他端
１５よりその固体レーザ発振領域１０内に入射するダイ
クロイックミラー１４を備えている。
【００１６】上記において、励起用半導体レーザ発生器
１からのレーザビーム２は、従来の装置におけると同様
に結合レンズ３にて集光され、固体レーザロッド４の一
端５より固体レーザ発振領域１０内に入射される。
１からのレーザビーム２は、従来の装置におけると同様
に結合レンズ３にて集光され、固体レーザロッド４の一
端５より固体レーザ発振領域１０内に入射される。
【００１７】一方、半導体レーザ発生器１１からのレー
ザビーム１２は結合レンズ１３にて集光され、ダイクロ
イックミラー１４にて反射され、固体レーザロッド４の
他端１５より固体レーザ発振領域１０内に入射される。
ザビーム１２は結合レンズ１３にて集光され、ダイクロ
イックミラー１４にて反射され、固体レーザロッド４の
他端１５より固体レーザ発振領域１０内に入射される。
【００１８】上記固体レーザロッド４の固体レーザ発振
領域１０内に入射したレーザビーム２，１２は固体レー
ザ発振光６を励起し、固体レーザ発振光６は固体レーザ
ロッドの一端５と凹面鏡７の凹面部８にて構成される共
振器により発振して増幅され、凹面鏡７より出力光９を
出力する。
領域１０内に入射したレーザビーム２，１２は固体レー
ザ発振光６を励起し、固体レーザ発振光６は固体レーザ
ロッドの一端５と凹面鏡７の凹面部８にて構成される共
振器により発振して増幅され、凹面鏡７より出力光９を
出力する。
【００１９】なお、上記ダイクロイックミラー１４は共
振器内に位置することになるが、固体レーザ発振光６と
レーザビーム１２は波長が異なるため、ダイクロイック
ミラー１４にレーザビーム１２を反射し、固体レーザ発
振光６を透過するコーティングを施しておけば問題はな
い。
振器内に位置することになるが、固体レーザ発振光６と
レーザビーム１２は波長が異なるため、ダイクロイック
ミラー１４にレーザビーム１２を反射し、固体レーザ発
振光６を透過するコーティングを施しておけば問題はな
い。
【００２０】上記により、発振した固体レーザ発振光は
固体レーザ発振領域内の励起エネルギーが２倍になって
いるため、その出力も２倍となり、出力の増加を図るこ
とが可能となった。
固体レーザ発振領域内の励起エネルギーが２倍になって
いるため、その出力も２倍となり、出力の増加を図るこ
とが可能となった。
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装
置は、従来の装置にて設けられていた一方の励起用半導
体レーザ発生器に加えて他方の励起用半導体レーザ発生
器を設け、これが出射するレーザビームを固体レーザロ
ッドの他端と凹面鏡の間に配設したダイクロイックミラ
ーを介して固体レーザロッドにその他端より入射させる
ことによって、固体レーザ発振領域内のエネルギーを増
加させ、従来の装置に比べてその出力を増加させること
ができる装置を実現する。
置は、従来の装置にて設けられていた一方の励起用半導
体レーザ発生器に加えて他方の励起用半導体レーザ発生
器を設け、これが出射するレーザビームを固体レーザロ
ッドの他端と凹面鏡の間に配設したダイクロイックミラ
ーを介して固体レーザロッドにその他端より入射させる
ことによって、固体レーザ発振領域内のエネルギーを増
加させ、従来の装置に比べてその出力を増加させること
ができる装置を実現する。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体レーザ励起固体
レーザ装置の説明図である。
レーザ装置の説明図である。
【図２】従来の装置の説明図である。
１ 励起用半導体レーザ発生器 ２ レーザビーム ３ 結合レンズ ４ 固体レーザロッド ５ 一端 ６ 固体レーザ発振光 ７ 凹面鏡 ９ 出力光 １０ 固体レーザ発振領域 １１ 励起用半導体レーザ発生器 １２ レーザビーム １３ 結合レンズ １４ ダイクロイックミラー １５ 他端
Claims (1)
- 【請求項１】 一方の励起用半導体レーザ発生器が出射
したレーザビームをその一端より入射する固体レーザロ
ッド、および同固体レーザロッドの他端側に設けられ同
固体レーザロッドの一端との間で固体レーザ発振光を共
振させる凹面鏡を備えた半導体レーザ励起固体レーザ装
置において、レーザビームを出射する他方の励起用半導
体レーザ発生器、および上記凹面鏡と固体レーザロッド
の他端との間に設けられ上記他方の励起用半導体レーザ
発生器が出射したレーザビームを反射して固体レーザロ
ッドにその他端より入射させるダイクロイックミラーを
備えたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18929392A JPH0637373A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18929392A JPH0637373A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637373A true JPH0637373A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16238911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18929392A Withdrawn JPH0637373A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637373A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955551A (ja) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Nec Corp | 固体レーザ装置 |
| JP2009016607A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Fujifilm Corp | モードロックレーザ装置 |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP18929392A patent/JPH0637373A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955551A (ja) * | 1995-08-14 | 1997-02-25 | Nec Corp | 固体レーザ装置 |
| JP2009016607A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Fujifilm Corp | モードロックレーザ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |