JPH0414273A - 和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザ - Google Patents
和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザInfo
- Publication number
- JPH0414273A JPH0414273A JP11690490A JP11690490A JPH0414273A JP H0414273 A JPH0414273 A JP H0414273A JP 11690490 A JP11690490 A JP 11690490A JP 11690490 A JP11690490 A JP 11690490A JP H0414273 A JPH0414273 A JP H0414273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- mirror
- semiconductor laser
- light
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000005086 pumping Methods 0.000 title abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体レーザ光と半導体レーザ励起固体レー
ザ光を光混合して波長の短いレーザ光を与える半導体レ
ーザ励起固体レーザに関する。
ザ光を光混合して波長の短いレーザ光を与える半導体レ
ーザ励起固体レーザに関する。
［従来の技術］
半導体レーザを励起光源として用いた固体レーザは、ビ
ーム品質がよく、高効率、長寿命、小型化が図れること
から、注目を集めている。
ーム品質がよく、高効率、長寿命、小型化が図れること
から、注目を集めている。
半導体レーザ励起固体レーザは通常波長が近赤外域て発
振する。半導体レーザ励起固体レーザ光から更に波長の
短い光を取り出すには、高調波発生技術が知られている
。通常、高調波発生の効率は低いため、高調波変換を行
う非線形光学素子を共振器内に配置することにより効率
の向上を図ることか出来る。
振する。半導体レーザ励起固体レーザ光から更に波長の
短い光を取り出すには、高調波発生技術が知られている
。通常、高調波発生の効率は低いため、高調波変換を行
う非線形光学素子を共振器内に配置することにより効率
の向上を図ることか出来る。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、このような第２高調波発生方法てはモード競合
により出力の大幅な変動を起こすのか難点である。
により出力の大幅な変動を起こすのか難点である。
また、第２高調波光に出力変調をかける時、高速スイッ
チング素子である半導体レーザに変調をかけるのが最も
望ましい方法である。しかし、例えば、固体レーザ素子
であるＹＡＧの蛍光寿命か２３０に秒であるため５ＫＨ
ｚ程度以上の変調をかけることは出来なかった。
チング素子である半導体レーザに変調をかけるのが最も
望ましい方法である。しかし、例えば、固体レーザ素子
であるＹＡＧの蛍光寿命か２３０に秒であるため５ＫＨ
ｚ程度以上の変調をかけることは出来なかった。
尚、固体レーザから短波長光を得る方法として、例えば
、特開昭５１−２４１９２号公報等参照によりＹＡＧレ
ーザの第３高調波を得るのにＹＡＧレーザの基本波と第
２高調波の和周波を発生させることか知られている。
、特開昭５１−２４１９２号公報等参照によりＹＡＧレ
ーザの第３高調波を得るのにＹＡＧレーザの基本波と第
２高調波の和周波を発生させることか知られている。
本発明はかかる従来の状況に鑑みてなされたものて、半
導体レーザ光と半導体レーザ励起固体レーザ光を光混合
し和周波発生して、安定出力で高速変調可能な短波長光
を発起せしめ、かくして、半導体レーザ励起固体レーザ
からの短波長光発生に置ける従来のａ題を解決すべくな
されたものである。
導体レーザ光と半導体レーザ励起固体レーザ光を光混合
し和周波発生して、安定出力で高速変調可能な短波長光
を発起せしめ、かくして、半導体レーザ励起固体レーザ
からの短波長光発生に置ける従来のａ題を解決すべくな
されたものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の要旨とするところは、半導体レーザ励起固体レ
ーザに於て、共振器ミラー２枚と９０゜反射ミラーから
構成される直角折れ曲がり構造を有する共振器の一方の
共振器ミラーと９０°反射ミラーとの間に固体レーザ素
子を配置し、さらにもう一方の共振器ミラーと９０″反
射ミラーとの間に配置した非線形光学素子に共振器ミラ
ーを通して光混合用の半導体レーザ光を集光し、和周波
を発生させて９０°反射ミラーから短波長光を取り出す
ことを特徴とすることにある。また、共振器ミラー２枚
と９０″反射ミラーから構成される直角折れ曲がり構造
を有する共振器の一方の共振器ミラーと９０°反射ミラ
ーとの間に固体レーザ素子を配置し、さらにもう一方の
共振器ミラーと９０°反射ミラーとの間に配置した非線
形光学素子に９０°反射ミラーを通して光混合用の半導
体レーザ光を集光し、和周波を発生させて共振器から短
波長光を取り出すことを特徴とすることにある。さらに
上記半導体レーザ励起固体レーザに於て、固体レーザ素
子とそれに隣接する共振器ミラーをまとめ、固体レーザ
の片側端面を共振器ミラー面とし共振器ミラーを省いた
ことを特徴とすることである。
ーザに於て、共振器ミラー２枚と９０゜反射ミラーから
構成される直角折れ曲がり構造を有する共振器の一方の
共振器ミラーと９０°反射ミラーとの間に固体レーザ素
子を配置し、さらにもう一方の共振器ミラーと９０″反
射ミラーとの間に配置した非線形光学素子に共振器ミラ
ーを通して光混合用の半導体レーザ光を集光し、和周波
を発生させて９０°反射ミラーから短波長光を取り出す
ことを特徴とすることにある。また、共振器ミラー２枚
と９０″反射ミラーから構成される直角折れ曲がり構造
を有する共振器の一方の共振器ミラーと９０°反射ミラ
ーとの間に固体レーザ素子を配置し、さらにもう一方の
共振器ミラーと９０°反射ミラーとの間に配置した非線
形光学素子に９０°反射ミラーを通して光混合用の半導
体レーザ光を集光し、和周波を発生させて共振器から短
波長光を取り出すことを特徴とすることにある。さらに
上記半導体レーザ励起固体レーザに於て、固体レーザ素
子とそれに隣接する共振器ミラーをまとめ、固体レーザ
の片側端面を共振器ミラー面とし共振器ミラーを省いた
ことを特徴とすることである。
［作用］
和周波数発生用半導体レーザ励起固体レーザの出力特性
は半導体レーザ励起固体レーザのパワー密度と光混合用
半導体レーザのパワー密度の積に比例する。このため、
効率よく出力光を取り出すには、共振器を直角折れ曲が
り構造とし、半導体レーザ励起固体レーザのパワー密度
を高くするために共振器内に非線形光学素子を配置して
、光混合用の半導体レーザ光を共振器ミラーあるいは９
０″反射ミラーを通して集光することが好ましい。
は半導体レーザ励起固体レーザのパワー密度と光混合用
半導体レーザのパワー密度の積に比例する。このため、
効率よく出力光を取り出すには、共振器を直角折れ曲が
り構造とし、半導体レーザ励起固体レーザのパワー密度
を高くするために共振器内に非線形光学素子を配置して
、光混合用の半導体レーザ光を共振器ミラーあるいは９
０″反射ミラーを通して集光することが好ましい。
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明を説明する。
第１図に示すごとく、共振器ミラーｌ、固体レーザ素子
としてＹＡＧレーザ素子２．９０°反射タイクロイック
ミラー３、タイクロイック共振器ミラー４から成る直角
折れ曲がり構造を有する共振器の内部に非線形光学素子
５を配置する。半導体レーザ６の発振光ｌＯをシリンド
リカルレンズ８て集光し、両端面がＹＡＧレーザ波長１
０６４ｎ−て無反射コートされたＹＡＧレーザ素子２を
側面励起して共振器ミラ−１〜ダイクロイツク共振器ミ
ラー４間で共振させてＹＡＧレーザの基本波を発振させ
る。また、前記共振器外部から半導体レーザ７の発振光
１０ａをＹＡＧレーザ発振波長１０６４ｎ■て高反射、
半導体レーザ発振波長８０８ｎｍで無反射コートされた
ダイクロイック共振器ミラー４を通して非線形光学素子
５に集光して光混合し和周波を発生させ、ＹＡＧレーザ
発振波長で高反射、和周波光波長４５９ｎ−て無反射コ
ートされた９０６反射反射タイクロイックミラー３波長
４５９ｒｖ （青色）の和周波光１１を取り出した。
としてＹＡＧレーザ素子２．９０°反射タイクロイック
ミラー３、タイクロイック共振器ミラー４から成る直角
折れ曲がり構造を有する共振器の内部に非線形光学素子
５を配置する。半導体レーザ６の発振光ｌＯをシリンド
リカルレンズ８て集光し、両端面がＹＡＧレーザ波長１
０６４ｎ−て無反射コートされたＹＡＧレーザ素子２を
側面励起して共振器ミラ−１〜ダイクロイツク共振器ミ
ラー４間で共振させてＹＡＧレーザの基本波を発振させ
る。また、前記共振器外部から半導体レーザ７の発振光
１０ａをＹＡＧレーザ発振波長１０６４ｎ■て高反射、
半導体レーザ発振波長８０８ｎｍで無反射コートされた
ダイクロイック共振器ミラー４を通して非線形光学素子
５に集光して光混合し和周波を発生させ、ＹＡＧレーザ
発振波長で高反射、和周波光波長４５９ｎ−て無反射コ
ートされた９０６反射反射タイクロイックミラー３波長
４５９ｒｖ （青色）の和周波光１１を取り出した。
同様にして、第２図に示すごとく、半導体レーザ７の発
振光をＹＡＧレーザ波長１０６４ｎ■て高反射、半導体
レーザ波長８０８ｎ■て無反射コートした９０°タイク
ロイツクミラー３を通して非線形光学素子５に集光して
光混合し和周波を発生させ、ＹＡＧレーザ発振波長１１
０６４ｎて高反射、和周波光波長４Ｓ９ｎｗて無反射コ
ートされた共振器ミラー４ａから波長４５９ｎｓの和周
波光を取り出した。
振光をＹＡＧレーザ波長１０６４ｎ■て高反射、半導体
レーザ波長８０８ｎ■て無反射コートした９０°タイク
ロイツクミラー３を通して非線形光学素子５に集光して
光混合し和周波を発生させ、ＹＡＧレーザ発振波長１１
０６４ｎて高反射、和周波光波長４Ｓ９ｎｗて無反射コ
ートされた共振器ミラー４ａから波長４５９ｎｓの和周
波光を取り出した。
また、第３図に示すごとく、ＹＡＧレーザ発振波長１１
０６４ｎて高反射、半導体レーザ波長８０８ｎｍて無反
射コートされたＹＡＧレーザ素子２の端面である共振器
面ａを通して半導体レーザ６の発振光を集光しＹＡＧレ
ーザ素子２を端面励起して、共振器面ａ〜ダイクロイッ
ク共振器ミラー４間でＹＡＧレーザの基本波を共振させ
、第１図と同様な方法て９０″反射ダイクロイックミラ
ー３から波長４５９ｎ■の和周波光を取り出した。
０６４ｎて高反射、半導体レーザ波長８０８ｎｍて無反
射コートされたＹＡＧレーザ素子２の端面である共振器
面ａを通して半導体レーザ６の発振光を集光しＹＡＧレ
ーザ素子２を端面励起して、共振器面ａ〜ダイクロイッ
ク共振器ミラー４間でＹＡＧレーザの基本波を共振させ
、第１図と同様な方法て９０″反射ダイクロイックミラ
ー３から波長４５９ｎ■の和周波光を取り出した。
さらに、第４図に示すごとく、ＹＡＧレーザ発振波長１
１０６４ｎて高反射、半導体レーザ８０８ｎ■て無反射
コートされたＹＡＧレーザ素子２の端面の共振器面ａを
通して半導体レーザ６の発振光を集光しＹＡＧレーザ素
子２を端面励起して、共振器面ａ〜タイクロイック共振
器ミラー４ａ間てＹＡＧレーザの基本波を共振させ、第
２図と同様な方法て共振器ミラー４ａから波長４５９ｎ
ｍの和周波光を取り出した。
１０６４ｎて高反射、半導体レーザ８０８ｎ■て無反射
コートされたＹＡＧレーザ素子２の端面の共振器面ａを
通して半導体レーザ６の発振光を集光しＹＡＧレーザ素
子２を端面励起して、共振器面ａ〜タイクロイック共振
器ミラー４ａ間てＹＡＧレーザの基本波を共振させ、第
２図と同様な方法て共振器ミラー４ａから波長４５９ｎ
ｍの和周波光を取り出した。
［発明の効果］
和周波発生用固体レーザとしてかかる構成を持つ固体レ
ーザは効率よく短波長光を得ることかてき、また半導体
レーザの出力を変調することにより短波長光を容易に高
速変調することか出来る。
ーザは効率よく短波長光を得ることかてき、また半導体
レーザの出力を変調することにより短波長光を容易に高
速変調することか出来る。
第１図は本発明の一実施例である半導体レーザ側面励起
固体レーザ共振器内で半導体レーザとの和周波を発生さ
せる固体レーザの模式図、第２図は本発明の他の実施例
である半導体レーザ側面励起固体レーザ共振器内て半導
体レーザとの和周波を発生させる固体レーザに於て半導
体レーザの入射方向を入れ変えたものの模式図、第３図
は本発明のさらに他の実施例である半導体レーザ端面励
起固体レーザ共振器内で半導体レーザとの和周波を発生
させる固体レーザの模式図、第４図は本発明のまた、さ
らに他の実施例である同しく半導体レーザ端面励起固体
レーザ共振器内で半導体レーザとの和周波を発生させる
固体レーザに於て半導体レーザの入射方向を入れ変えた
ものの模式図である。 図中。 １、共振器ミラー ２、固体レーザ素子 ３ ： ９０”反射タイクロイックミラー４．４ａ ：
ダイクロイック共振器ミラー５：非線形光学素子 ６：励起用半導体レーザ ７：光混合用半導体レーザ ８：集光用シリンドリカルレンズ ９：集光レンズ １０、１０ａ ：半導体レーザ光 ｌｌ゛和周波出力光 １２、１２ａ ：集光レンズ ａ：共振器面 代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 第 図 りへ１２Ｃ１ 第 図 第 図 口〜１２′ 第 図
固体レーザ共振器内で半導体レーザとの和周波を発生さ
せる固体レーザの模式図、第２図は本発明の他の実施例
である半導体レーザ側面励起固体レーザ共振器内て半導
体レーザとの和周波を発生させる固体レーザに於て半導
体レーザの入射方向を入れ変えたものの模式図、第３図
は本発明のさらに他の実施例である半導体レーザ端面励
起固体レーザ共振器内で半導体レーザとの和周波を発生
させる固体レーザの模式図、第４図は本発明のまた、さ
らに他の実施例である同しく半導体レーザ端面励起固体
レーザ共振器内で半導体レーザとの和周波を発生させる
固体レーザに於て半導体レーザの入射方向を入れ変えた
ものの模式図である。 図中。 １、共振器ミラー ２、固体レーザ素子 ３ ： ９０”反射タイクロイックミラー４．４ａ ：
ダイクロイック共振器ミラー５：非線形光学素子 ６：励起用半導体レーザ ７：光混合用半導体レーザ ８：集光用シリンドリカルレンズ ９：集光レンズ １０、１０ａ ：半導体レーザ光 ｌｌ゛和周波出力光 １２、１２ａ ：集光レンズ ａ：共振器面 代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 第 図 りへ１２Ｃ１ 第 図 第 図 口〜１２′ 第 図
Claims (3)
- （１）共振器ミラー２枚と９０゜反射ミラーから構成さ
れる直角折れ曲がり構造を有する共振器の一方の共振器
ミラーと９０゜反射ミラーとの間に固体レーザ素子を配
置し、さらにもう一方の共振器ミラーと９０゜反射ミラ
ーとの間に配置した非線形光学素子に共振器ミラーを通
して光混合用の半導体レーザ光を集光し、和周波を発生
させて９０゜反射ミラーから短波長光を取り出すことを
特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。 - （２）共振器ミラー２枚と９０゜反射ミラーから構成さ
れる直角折れ曲がり構造を有する共振器の一方の共振器
ミラーと９０゜反射ミラーとの間に固体レーザ素子を配
置し、さらにもう一方の共振器ミラーと９０゜反射ミラ
ーとの間に配置した非線形光学素子に９０゜反射ミラー
を通して光混合用の半導体レーザ光を集光し、和周波を
発生させて共振器ミラーから短波長光を取り出すことを
特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。 - （３）請求項（１）ないし（２）のいずれかの項に記載
の半導体レーザ励起固体レーザに於て、固体レーザ素子
とそれに隣接する共振器ミラーをまとめて固体レーザの
片側端面を共振器ミラー面として共振器ミラーを省いた
半導体レーザ励起固体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11690490A JPH0414273A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11690490A JPH0414273A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414273A true JPH0414273A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14698521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11690490A Pending JPH0414273A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414273A (ja) |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP11690490A patent/JPH0414273A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4809291A (en) | Diode pumped laser and doubling to obtain blue light | |
| RU2190910C2 (ru) | Лазер с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, набор лазеров и способ повышения кпд лазерного устройства | |
| JP2654726B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| US6628692B2 (en) | Solid-state laser device and solid-state laser amplifier provided therewith | |
| US6512630B1 (en) | Miniature laser/amplifier system | |
| JPH11204862A (ja) | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ | |
| KR100818492B1 (ko) | 펌핑 레이저 다이오드를 이용한 ｄｐｓｓ 레이저 장치 | |
| JPH02185082A (ja) | レーザダイオート励起固体レーザ | |
| JPH05183220A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0414273A (ja) | 和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザ | |
| JPH04291976A (ja) | Ｓｈｇ素子 | |
| JP2001185795A (ja) | 紫外レーザー装置 | |
| KR100396676B1 (ko) | 고체 레이저 냉각 장치 | |
| JP2754101B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP2666548B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0465177A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2981671B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP2000138405A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0465176A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0637373A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH11220194A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH04335586A (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JPH08102564A (ja) | 波長変換レーザ装置 | |
| JPH03155687A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH01143377A (ja) | レーザ光源 |