JPH0465176A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH0465176A JPH0465176A JP17639890A JP17639890A JPH0465176A JP H0465176 A JPH0465176 A JP H0465176A JP 17639890 A JP17639890 A JP 17639890A JP 17639890 A JP17639890 A JP 17639890A JP H0465176 A JPH0465176 A JP H0465176A
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- laser
- semiconductor laser
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体レーザと半導体レーザ励起固体レーザ
を光混合して波長の短いレーザ光を与える半導体レーザ
励起固体レーザに関するものである。
を光混合して波長の短いレーザ光を与える半導体レーザ
励起固体レーザに関するものである。
[従来の技術]
半導体レーザな励起光源として用いた固体レーザは、ビ
ーム品質がよく、高効率、長寿命、小型化か図れること
から、注目を集めている。
ーム品質がよく、高効率、長寿命、小型化か図れること
から、注目を集めている。
半導体レーザ励起固体レーザは、通常、波長が近赤外域
で発振する。半導体レーザ励起固体レーザから更に波長
の短い光を取り出すには、高調波発生技術が知られてい
る。通常、高調波発生の効率は低いため、高調波変換を
行う非線形光学素子を共振器内に配置することにより効
率の向上を図ることが出来る。
で発振する。半導体レーザ励起固体レーザから更に波長
の短い光を取り出すには、高調波発生技術が知られてい
る。通常、高調波発生の効率は低いため、高調波変換を
行う非線形光学素子を共振器内に配置することにより効
率の向上を図ることが出来る。
[発明が解決しようとする課8]
しかしながら上記のような第2高調波発生方法では発振
モード間のカップリングにより出力の大幅な変動を起す
のが難点である。
モード間のカップリングにより出力の大幅な変動を起す
のが難点である。
また、第2高調波光に出力変調をかける時、高速スイッ
チング素子である半導体レーザに変調をかけるのが最も
望ましい方法である。しかし、例えば固体レーザ素子で
あるNd:YAGの蛍光寿命が230鉢秒であるため5
KHz程度以上の変調をかけることは出来なかった。
チング素子である半導体レーザに変調をかけるのが最も
望ましい方法である。しかし、例えば固体レーザ素子で
あるNd:YAGの蛍光寿命が230鉢秒であるため5
KHz程度以上の変調をかけることは出来なかった。
尚、固体レーザから短波長光を得る方法として、Nd
: YAGレーザの第3高調波を得るのにNd:YAG
レーザの基本波と第2高調波の和周波を発生させること
か知られている(例えば、特開昭51−24192号公
報等参照)。
: YAGレーザの第3高調波を得るのにNd:YAG
レーザの基本波と第2高調波の和周波を発生させること
か知られている(例えば、特開昭51−24192号公
報等参照)。
本発明は、かかる状況に鑑みてなされたもので、半導体
レーザ光と半導体レーザ励起固体レーザ光を光混合する
ことにより和周波光を発生して、安定出力て高速変調可
能な短波長光を生起せしめる半導体レーザ励起固体レー
ザ装置を提供することを目的とする。
レーザ光と半導体レーザ励起固体レーザ光を光混合する
ことにより和周波光を発生して、安定出力て高速変調可
能な短波長光を生起せしめる半導体レーザ励起固体レー
ザ装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するために、この発明の手段として、
固体レーザ素子とアウトプットミラーとからなる固体レ
ーザ共振器の内部に非線形光学素子を配置し、固体レー
ザ素子端面から第1の半導体レーザを用いて固体レーザ
素子を励起し、アウトプットミラー側からダイクロイッ
クミラーを通して第2の半導体レーザを非線形光学素子
に集光させ、発生した和周波光を固体レーザ素子端面て
反射し、アウトプットミラーを通してダイクロイックミ
ラーから取り出すことである。
固体レーザ素子とアウトプットミラーとからなる固体レ
ーザ共振器の内部に非線形光学素子を配置し、固体レー
ザ素子端面から第1の半導体レーザを用いて固体レーザ
素子を励起し、アウトプットミラー側からダイクロイッ
クミラーを通して第2の半導体レーザを非線形光学素子
に集光させ、発生した和周波光を固体レーザ素子端面て
反射し、アウトプットミラーを通してダイクロイックミ
ラーから取り出すことである。
[作用]
結晶に波長の違う2本の光ビームを集光して得られる和
周波発生に於て、光子エネルギーか半導体レーザ励起固
体レーザと固体レーザ励起用の第1の半導体レーザの各
光子エネルギーの和で与えられる和周波光のパワー密度
は和周波発生の有効領域に於る半導体レーザ励起固体レ
ーザのパワー密度と光混合用の第2の半導体レーザのパ
ワー密度の積に比例する。このため、効率よく和周波出
力光を取り出すには、半導体レーザ励起固体レーザの基
本波光を共振器内に閉し込め、さらにこの共振器内て基
本波の共振ビームを絞ってその位置に和周波変換を行な
う非線形光学素子を配置し、非線形光学素子内ての固体
レーザ基本波光のパワー密度を高くし、さらにミキシン
グ用の第2の半導体レーザ光をアウトプットミラーを通
してその位置に集光することである。発生した和周波光
は固体レーザ素子端面(共振器面)て反射して和周波光
の波長の光のみを主に通すアウトプットミラーから取り
出すことである。アウトプットミラーから取り出した和
周波光はミキシング用の第2の半導体レーザにぶつから
ないように和周波光のみを直角に反射するダイクロイッ
クミラーな用いて折り曲げ取り出すことである。
周波発生に於て、光子エネルギーか半導体レーザ励起固
体レーザと固体レーザ励起用の第1の半導体レーザの各
光子エネルギーの和で与えられる和周波光のパワー密度
は和周波発生の有効領域に於る半導体レーザ励起固体レ
ーザのパワー密度と光混合用の第2の半導体レーザのパ
ワー密度の積に比例する。このため、効率よく和周波出
力光を取り出すには、半導体レーザ励起固体レーザの基
本波光を共振器内に閉し込め、さらにこの共振器内て基
本波の共振ビームを絞ってその位置に和周波変換を行な
う非線形光学素子を配置し、非線形光学素子内ての固体
レーザ基本波光のパワー密度を高くし、さらにミキシン
グ用の第2の半導体レーザ光をアウトプットミラーを通
してその位置に集光することである。発生した和周波光
は固体レーザ素子端面(共振器面)て反射して和周波光
の波長の光のみを主に通すアウトプットミラーから取り
出すことである。アウトプットミラーから取り出した和
周波光はミキシング用の第2の半導体レーザにぶつから
ないように和周波光のみを直角に反射するダイクロイッ
クミラーな用いて折り曲げ取り出すことである。
[実施例コ
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第1図は、半導体レーザ励起固体レーザ素子(Nd:Y
AGレーザ)と半導体レーザの和周波を発生させるレー
ザ共振器である。第1図に示すごとく固体レーザ素子と
してNd:YAGレーザ素子3を用い、このNd :
YAGレーザ素子3の発振波長11064nて高反射、
半導体レーザ波長808n■て無反射コーティングされ
たNd:YAGレーザ素子端面aを通して第1の半導体
レーザである固体レーザ励起用半導体レーザ1からの出
射光を集光しNd:YAGレーザ素子3を端面励起して
、Nd:YAGレーザ素子3の端面a〜アウトプットミ
ラー5間てNd : YAGレーザ素子3の基本波を共
振させる。また、固体レーザ素子であるNd:YAGレ
ーザ素子3とアウトプットミラー5との間て基本波の共
振ビームを絞ってその位置に非線形光学素子4としてK
TP(KTiopo、)を配置した。さらに、第2の半
導体レーザであるミキシング用半導体レーザ8からの出
射光(波長808nm)を集光レンズて集光し、808
n■で無反射、459nmで高反射コーティングされた
ダイクロイックミラー6とアウトプットミラー5を通し
て非線形光学素子4に集光した。
AGレーザ)と半導体レーザの和周波を発生させるレー
ザ共振器である。第1図に示すごとく固体レーザ素子と
してNd:YAGレーザ素子3を用い、このNd :
YAGレーザ素子3の発振波長11064nて高反射、
半導体レーザ波長808n■て無反射コーティングされ
たNd:YAGレーザ素子端面aを通して第1の半導体
レーザである固体レーザ励起用半導体レーザ1からの出
射光を集光しNd:YAGレーザ素子3を端面励起して
、Nd:YAGレーザ素子3の端面a〜アウトプットミ
ラー5間てNd : YAGレーザ素子3の基本波を共
振させる。また、固体レーザ素子であるNd:YAGレ
ーザ素子3とアウトプットミラー5との間て基本波の共
振ビームを絞ってその位置に非線形光学素子4としてK
TP(KTiopo、)を配置した。さらに、第2の半
導体レーザであるミキシング用半導体レーザ8からの出
射光(波長808nm)を集光レンズて集光し、808
n■で無反射、459nmで高反射コーティングされた
ダイクロイックミラー6とアウトプットミラー5を通し
て非線形光学素子4に集光した。
非線形光学素子4て発生した波長459nmの和周波光
は固体レーザ素子であるNd:YAGレーザ素子3の端
面a(共振器面)て反射して折り返しアウトフットミラ
ー5(10640鳳て高反射、459nmて無反射)を
透過させた後ダイクロイックミラー6て反射して取り出
した。
は固体レーザ素子であるNd:YAGレーザ素子3の端
面a(共振器面)て反射して折り返しアウトフットミラ
ー5(10640鳳て高反射、459nmて無反射)を
透過させた後ダイクロイックミラー6て反射して取り出
した。
[発明の効果コ
以上説明したとおり、本発明は和周波発生用固体レーザ
としてのかかる構成をもつ固体レーザは効率よく短波長
光を得ることかてき、またミキシング用の半導体レーザ
のパワーを変調することにより短波長光を容易に高速変
調することが出来る。
としてのかかる構成をもつ固体レーザは効率よく短波長
光を得ることかてき、またミキシング用の半導体レーザ
のパワーを変調することにより短波長光を容易に高速変
調することが出来る。
第1図は、本発明の一実施例である半導体レーザ端面励
起固体レーザの共振器内に非線形光学素子を配置して外
部からアウトプットミラーな通してミキシング用の半導
体レーザを集光し和周波を発生させる固体レーザの模式
図である。 図中。 1:固体レーザ励起用半導体レーザ 2:励起用半導体レーザ光集光レンズ 3 : Nd : YAGレーザ素子 4:非線形光学素子 5ニアウドプツトミラー 6:ダイクロイックミラー 7:ミキシング用半導体レーザの集光レンズ8:ミキシ
ング用半導体レーザ :固体レーザ素子端面(共振器面)
起固体レーザの共振器内に非線形光学素子を配置して外
部からアウトプットミラーな通してミキシング用の半導
体レーザを集光し和周波を発生させる固体レーザの模式
図である。 図中。 1:固体レーザ励起用半導体レーザ 2:励起用半導体レーザ光集光レンズ 3 : Nd : YAGレーザ素子 4:非線形光学素子 5ニアウドプツトミラー 6:ダイクロイックミラー 7:ミキシング用半導体レーザの集光レンズ8:ミキシ
ング用半導体レーザ :固体レーザ素子端面(共振器面)
Claims (1)
- 固体レーザ素子とアウトプットミラーとからなる固体
レーザ共振器の内部に非線形光学素子を配置し、固体レ
ーザ素子端面から第1の半導体レーザを用いて固体レー
ザ素子を励起し、アウトプットミラー側からダイクロイ
ックミラーを通して第2の半導体レーザを非線形光学素
子に集光させ、発生した和周波光を固体レーザ素子端面
で反射し、アウトプットミラーを通してダイクロイック
ミラーから取り出すことを特徴とする半導体レーザ励起
固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17639890A JPH0465176A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17639890A JPH0465176A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0465176A true JPH0465176A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16012974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17639890A Pending JPH0465176A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0465176A (ja) |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP17639890A patent/JPH0465176A/ja active Pending
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