JPH0465176A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ励起固体レーザ装置

Info

Publication number
JPH0465176A
JPH0465176A JP17639890A JP17639890A JPH0465176A JP H0465176 A JPH0465176 A JP H0465176A JP 17639890 A JP17639890 A JP 17639890A JP 17639890 A JP17639890 A JP 17639890A JP H0465176 A JPH0465176 A JP H0465176A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
semiconductor laser
light
mirror
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17639890A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Yamaguchi
哲 山口
Hirofumi Imai
浩文 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Priority to JP17639890A priority Critical patent/JPH0465176A/ja
Publication of JPH0465176A publication Critical patent/JPH0465176A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体レーザと半導体レーザ励起固体レーザ
を光混合して波長の短いレーザ光を与える半導体レーザ
励起固体レーザに関するものである。
[従来の技術] 半導体レーザな励起光源として用いた固体レーザは、ビ
ーム品質がよく、高効率、長寿命、小型化か図れること
から、注目を集めている。
半導体レーザ励起固体レーザは、通常、波長が近赤外域
で発振する。半導体レーザ励起固体レーザから更に波長
の短い光を取り出すには、高調波発生技術が知られてい
る。通常、高調波発生の効率は低いため、高調波変換を
行う非線形光学素子を共振器内に配置することにより効
率の向上を図ることが出来る。
[発明が解決しようとする課8] しかしながら上記のような第2高調波発生方法では発振
モード間のカップリングにより出力の大幅な変動を起す
のが難点である。
また、第2高調波光に出力変調をかける時、高速スイッ
チング素子である半導体レーザに変調をかけるのが最も
望ましい方法である。しかし、例えば固体レーザ素子で
あるNd:YAGの蛍光寿命が230鉢秒であるため5
 KHz程度以上の変調をかけることは出来なかった。
尚、固体レーザから短波長光を得る方法として、Nd 
: YAGレーザの第3高調波を得るのにNd:YAG
レーザの基本波と第2高調波の和周波を発生させること
か知られている(例えば、特開昭51−24192号公
報等参照)。
本発明は、かかる状況に鑑みてなされたもので、半導体
レーザ光と半導体レーザ励起固体レーザ光を光混合する
ことにより和周波光を発生して、安定出力て高速変調可
能な短波長光を生起せしめる半導体レーザ励起固体レー
ザ装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、この発明の手段として、
固体レーザ素子とアウトプットミラーとからなる固体レ
ーザ共振器の内部に非線形光学素子を配置し、固体レー
ザ素子端面から第1の半導体レーザを用いて固体レーザ
素子を励起し、アウトプットミラー側からダイクロイッ
クミラーを通して第2の半導体レーザを非線形光学素子
に集光させ、発生した和周波光を固体レーザ素子端面て
反射し、アウトプットミラーを通してダイクロイックミ
ラーから取り出すことである。
[作用] 結晶に波長の違う2本の光ビームを集光して得られる和
周波発生に於て、光子エネルギーか半導体レーザ励起固
体レーザと固体レーザ励起用の第1の半導体レーザの各
光子エネルギーの和で与えられる和周波光のパワー密度
は和周波発生の有効領域に於る半導体レーザ励起固体レ
ーザのパワー密度と光混合用の第2の半導体レーザのパ
ワー密度の積に比例する。このため、効率よく和周波出
力光を取り出すには、半導体レーザ励起固体レーザの基
本波光を共振器内に閉し込め、さらにこの共振器内て基
本波の共振ビームを絞ってその位置に和周波変換を行な
う非線形光学素子を配置し、非線形光学素子内ての固体
レーザ基本波光のパワー密度を高くし、さらにミキシン
グ用の第2の半導体レーザ光をアウトプットミラーを通
してその位置に集光することである。発生した和周波光
は固体レーザ素子端面(共振器面)て反射して和周波光
の波長の光のみを主に通すアウトプットミラーから取り
出すことである。アウトプットミラーから取り出した和
周波光はミキシング用の第2の半導体レーザにぶつから
ないように和周波光のみを直角に反射するダイクロイッ
クミラーな用いて折り曲げ取り出すことである。
[実施例コ 以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第1図は、半導体レーザ励起固体レーザ素子(Nd:Y
AGレーザ)と半導体レーザの和周波を発生させるレー
ザ共振器である。第1図に示すごとく固体レーザ素子と
してNd:YAGレーザ素子3を用い、このNd : 
YAGレーザ素子3の発振波長11064nて高反射、
半導体レーザ波長808n■て無反射コーティングされ
たNd:YAGレーザ素子端面aを通して第1の半導体
レーザである固体レーザ励起用半導体レーザ1からの出
射光を集光しNd:YAGレーザ素子3を端面励起して
、Nd:YAGレーザ素子3の端面a〜アウトプットミ
ラー5間てNd : YAGレーザ素子3の基本波を共
振させる。また、固体レーザ素子であるNd:YAGレ
ーザ素子3とアウトプットミラー5との間て基本波の共
振ビームを絞ってその位置に非線形光学素子4としてK
TP(KTiopo、)を配置した。さらに、第2の半
導体レーザであるミキシング用半導体レーザ8からの出
射光(波長808nm)を集光レンズて集光し、808
n■で無反射、459nmで高反射コーティングされた
ダイクロイックミラー6とアウトプットミラー5を通し
て非線形光学素子4に集光した。
非線形光学素子4て発生した波長459nmの和周波光
は固体レーザ素子であるNd:YAGレーザ素子3の端
面a(共振器面)て反射して折り返しアウトフットミラ
ー5(10640鳳て高反射、459nmて無反射)を
透過させた後ダイクロイックミラー6て反射して取り出
した。
[発明の効果コ 以上説明したとおり、本発明は和周波発生用固体レーザ
としてのかかる構成をもつ固体レーザは効率よく短波長
光を得ることかてき、またミキシング用の半導体レーザ
のパワーを変調することにより短波長光を容易に高速変
調することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例である半導体レーザ端面励
起固体レーザの共振器内に非線形光学素子を配置して外
部からアウトプットミラーな通してミキシング用の半導
体レーザを集光し和周波を発生させる固体レーザの模式
図である。 図中。 1:固体レーザ励起用半導体レーザ 2:励起用半導体レーザ光集光レンズ 3 : Nd : YAGレーザ素子 4:非線形光学素子 5ニアウドプツトミラー 6:ダイクロイックミラー 7:ミキシング用半導体レーザの集光レンズ8:ミキシ
ング用半導体レーザ :固体レーザ素子端面(共振器面)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  固体レーザ素子とアウトプットミラーとからなる固体
    レーザ共振器の内部に非線形光学素子を配置し、固体レ
    ーザ素子端面から第1の半導体レーザを用いて固体レー
    ザ素子を励起し、アウトプットミラー側からダイクロイ
    ックミラーを通して第2の半導体レーザを非線形光学素
    子に集光させ、発生した和周波光を固体レーザ素子端面
    で反射し、アウトプットミラーを通してダイクロイック
    ミラーから取り出すことを特徴とする半導体レーザ励起
    固体レーザ装置。
JP17639890A 1990-07-05 1990-07-05 半導体レーザ励起固体レーザ装置 Pending JPH0465176A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17639890A JPH0465176A (ja) 1990-07-05 1990-07-05 半導体レーザ励起固体レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17639890A JPH0465176A (ja) 1990-07-05 1990-07-05 半導体レーザ励起固体レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0465176A true JPH0465176A (ja) 1992-03-02

Family

ID=16012974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17639890A Pending JPH0465176A (ja) 1990-07-05 1990-07-05 半導体レーザ励起固体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0465176A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4925085B2 (ja) 深紫外レーザー光の発生方法および深紫外レーザー装置
JPH09162470A (ja) 2波長レーザ発振器
JPH07273391A (ja) レーザ光発生装置
JPH05121803A (ja) 半導体励起固体レーザ
JP2008003317A (ja) 波長変換装置及び波長変換方法
JPH0465176A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2904189B2 (ja) 光パラメトリック発振器
JP2001024264A (ja) 波長変換レーザ装置
JP2906867B2 (ja) レーザダイオード励起固体レーザ波長変換装置
JPH06283786A (ja) レーザーダイオードポンピング固体レーザー
JP2001185795A (ja) 紫外レーザー装置
JPH09232665A (ja) 出力安定化第二高調波光源
JPH0465177A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2002368312A (ja) 極短パルスレーザ
KR100396676B1 (ko) 고체 레이저 냉각 장치
JPH0414273A (ja) 和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザ
JPH10282533A (ja) 波長変換レ−ザ装置
JP2671316B2 (ja) 高調波発生固体レーザ装置
JPH02195332A (ja) 高調波発生装置
JP4146207B2 (ja) 非線型波長変換レーザ装置
JP2712233B2 (ja) レーザ光源
JPH06112560A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2000138405A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2000010131A (ja) 波長変換レーザ装置
JPH05323394A (ja) レ−ザ光の波長変換装置