JPH10282533A - 波長変換レ−ザ装置 - Google Patents
波長変換レ−ザ装置Info
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- JPH10282533A JPH10282533A JP8515897A JP8515897A JPH10282533A JP H10282533 A JPH10282533 A JP H10282533A JP 8515897 A JP8515897 A JP 8515897A JP 8515897 A JP8515897 A JP 8515897A JP H10282533 A JPH10282533 A JP H10282533A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明はパラメトリック発振器に入射する
第１のレ−ザ光のエネルギ密度を高くせずに、第２のレ
−ザ光を発振せることができる波長変換レ−ザ装置を提
供することにある。 【解決手段】 第１の高反射ミラ−１３と第１の出力ミ
ラ−１４とからなる第１の光共振器１２内に設けられた
ＹＡＧロッド１５と励起ランプ１８を有し、第１のレ−
ザ光を出力するレ−ザ発振器１と、第２の高反射ミラ−
２１と第２の出力ミラ−２２とからなる第２の光共振器
２３内に設けられた非線形光学結晶によって第１の出力
ミラ−から出力されて第２の高反射ミラ−から第２の光
共振器内に入射した第１のレ−ザ光を波長の異なる第２
のレ−ザ光に変換して第２の出力ミラ−から出力するパ
ラメトリック発振器２とを具備し、第２の高反射ミラ−
は、第１のレ−ザ光の一部を反射して第１の光共振器へ
戻す構成を特徴とする。
第１のレ−ザ光のエネルギ密度を高くせずに、第２のレ
−ザ光を発振せることができる波長変換レ−ザ装置を提
供することにある。 【解決手段】 第１の高反射ミラ−１３と第１の出力ミ
ラ−１４とからなる第１の光共振器１２内に設けられた
ＹＡＧロッド１５と励起ランプ１８を有し、第１のレ−
ザ光を出力するレ−ザ発振器１と、第２の高反射ミラ−
２１と第２の出力ミラ−２２とからなる第２の光共振器
２３内に設けられた非線形光学結晶によって第１の出力
ミラ−から出力されて第２の高反射ミラ−から第２の光
共振器内に入射した第１のレ−ザ光を波長の異なる第２
のレ−ザ光に変換して第２の出力ミラ−から出力するパ
ラメトリック発振器２とを具備し、第２の高反射ミラ−
は、第１のレ−ザ光の一部を反射して第１の光共振器へ
戻す構成を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光パラメトリック
発振を利用してレ−ザ光の波長を変換する波長変換レ−
ザ装置に関する。
発振を利用してレ−ザ光の波長を変換する波長変換レ−
ザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光パラメトリック発振を利用してレ−ザ
光の波長を変換する波長変換レ−ザ装置において、たと
えば赤外光を発生させる場合、励起光となる第１のレ−
ザ光を出力するレ−ザとしてはＹＡＧレ−ザなどの固体
レ−ザを用い、赤外パラメトリック発振用非線形光学結
晶としてはＬｉＮｂＯ3 、ＡｇＧａＳｅ2 あるいはＫＴ
Ｐなどが用いられている。
光の波長を変換する波長変換レ−ザ装置において、たと
えば赤外光を発生させる場合、励起光となる第１のレ−
ザ光を出力するレ−ザとしてはＹＡＧレ−ザなどの固体
レ−ザを用い、赤外パラメトリック発振用非線形光学結
晶としてはＬｉＮｂＯ3 、ＡｇＧａＳｅ2 あるいはＫＴ
Ｐなどが用いられている。
【０００３】光パラメトリック発振は２次の非線形光学
効果を利用したレ−ザ光の波長変換方法の１つである。
そのため、光パラメトリック発振を起こさせるために
は、発振しきい値を越える利得を得る必要があり、それ
には高いピ−クパワ−をもった第１のレ−ザ光が必要と
なる。また、発振器構成が採用されていることから、第
１のレ−ザ光と発生する第２のレ−ザ光であるシグナル
光およびアイドラ光との間での相互作用時間を長くし、
波長変換の効率を増加させることが必要となる。
効果を利用したレ−ザ光の波長変換方法の１つである。
そのため、光パラメトリック発振を起こさせるために
は、発振しきい値を越える利得を得る必要があり、それ
には高いピ−クパワ−をもった第１のレ−ザ光が必要と
なる。また、発振器構成が採用されていることから、第
１のレ−ザ光と発生する第２のレ−ザ光であるシグナル
光およびアイドラ光との間での相互作用時間を長くし、
波長変換の効率を増加させることが必要となる。
【０００４】従来、パラメトリック発振器から発振しき
い値を達成した高い出力パワ−の第２のレ−ザ光を得る
ためには、大エネルギの第１のレ−ザ光を出力できる固
体レ−ザを用いたり、パラメトリック発振器に入射する
第１のレ−ザ光のビ−ム径をレンズで絞るなどして、上
記第１のレ−ザ光のパワ−密度を大きくするということ
が行なわれていた。
い値を達成した高い出力パワ−の第２のレ−ザ光を得る
ためには、大エネルギの第１のレ−ザ光を出力できる固
体レ−ザを用いたり、パラメトリック発振器に入射する
第１のレ−ザ光のビ−ム径をレンズで絞るなどして、上
記第１のレ−ザ光のパワ−密度を大きくするということ
が行なわれていた。
【０００５】しかしながら、第１のレ−ザ光のパワ−密
度を高くすると、パラメトリック発振器を構成するミラ
−や非線形光学結晶に対してダ−メ−ジを与え、これら
の寿命を短くするということがあった。
度を高くすると、パラメトリック発振器を構成するミラ
−や非線形光学結晶に対してダ−メ−ジを与え、これら
の寿命を短くするということがあった。
【０００６】ほかの方法としては、パラメトリック発振
器の発振しきい値を低くすることで、高い出力パワ−の
第２のレ−ザ光を得るということが考えられる。発振し
きい値を低くするためには非線形光学結晶長を長くする
ことで実現できる。しかしながら、結晶の品質を維持し
てその長さを長くするということは技術上、非常に困難
であり、コスト的に採算がとれないということがあるた
め、現実的ではない。
器の発振しきい値を低くすることで、高い出力パワ−の
第２のレ−ザ光を得るということが考えられる。発振し
きい値を低くするためには非線形光学結晶長を長くする
ことで実現できる。しかしながら、結晶の品質を維持し
てその長さを長くするということは技術上、非常に困難
であり、コスト的に採算がとれないということがあるた
め、現実的ではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来、パ
ラメトリック発振器で発振しきい値を越える利得を得る
ためには、大エネルギの第１のレ−ザ光を出力できる固
体レ−ザを用いたり、パラメトリック発振器に入射する
第１のレ−ザ光のビ−ム径をレンズで絞るなどして上記
第１のレ−ザ光のパワ−密度を高くしていたので、パラ
メトリック発振器を構成する光学部品に与えるダメ−ジ
が大きくなるということがあった。
ラメトリック発振器で発振しきい値を越える利得を得る
ためには、大エネルギの第１のレ−ザ光を出力できる固
体レ−ザを用いたり、パラメトリック発振器に入射する
第１のレ−ザ光のビ−ム径をレンズで絞るなどして上記
第１のレ−ザ光のパワ−密度を高くしていたので、パラ
メトリック発振器を構成する光学部品に与えるダメ−ジ
が大きくなるということがあった。
【０００８】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、第１のレ−ザ光のパワ−
密度を高くすることなく、パラメトリック発振器の発振
しきい値を低下せることができるようにした波長変換レ
−ザ装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、第１のレ−ザ光のパワ−
密度を高くすることなく、パラメトリック発振器の発振
しきい値を低下せることができるようにした波長変換レ
−ザ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、第１
のレ−ザ光を波長の異なる第２のレ−ザ光に変換して出
力する波長変換型レ−ザ装置において、第１の高反射ミ
ラ−と第１の出力ミラ−とからなる第１の光共振器およ
びこの光共振器内に設けられたレ−ザ媒質を励起する励
起手段を有し、この励起手段によって上記レ−ザ媒質が
励起されることで上記第１のレ−ザ光を出力するレ−ザ
発振器と、第２の高反射ミラ−と第２の出力ミラ−とか
らなる第２の光共振器およびこの光共振器内に設けられ
た非線形光学結晶を有し、この非線形光学結晶によって
上記レ−ザ発振器の第１の出力ミラ−から出力されて上
記第２の高反射ミラ−から上記第２の光共振器内に入射
した上記第１のレ−ザ光を波長の異なる上記第２のレ−
ザ光に変換して上記第２の出力ミラ−から出力するパラ
メトリック発振器とを具備し、上記第２の高反射ミラ−
は、上記第１のレ−ザ光の一部を反射して上記第１の光
共振器へ戻す構成であることを特徴とする。
のレ−ザ光を波長の異なる第２のレ−ザ光に変換して出
力する波長変換型レ−ザ装置において、第１の高反射ミ
ラ−と第１の出力ミラ−とからなる第１の光共振器およ
びこの光共振器内に設けられたレ−ザ媒質を励起する励
起手段を有し、この励起手段によって上記レ−ザ媒質が
励起されることで上記第１のレ−ザ光を出力するレ−ザ
発振器と、第２の高反射ミラ−と第２の出力ミラ−とか
らなる第２の光共振器およびこの光共振器内に設けられ
た非線形光学結晶を有し、この非線形光学結晶によって
上記レ−ザ発振器の第１の出力ミラ−から出力されて上
記第２の高反射ミラ−から上記第２の光共振器内に入射
した上記第１のレ−ザ光を波長の異なる上記第２のレ−
ザ光に変換して上記第２の出力ミラ−から出力するパラ
メトリック発振器とを具備し、上記第２の高反射ミラ−
は、上記第１のレ−ザ光の一部を反射して上記第１の光
共振器へ戻す構成であることを特徴とする。
【００１０】請求項２は請求項１の発明において、上記
第２の高反射ミラ−は、上記第１のレ−ザ光に対する反
射率が０．１〜５０％の範囲に設定されていることを特
徴とする。
第２の高反射ミラ−は、上記第１のレ−ザ光に対する反
射率が０．１〜５０％の範囲に設定されていることを特
徴とする。
【００１１】請求項１と請求項２の発明によれば、第２
の高反射ミラ−は、第１のレ−ザ光の一部を反射してレ
−ザ発振器に戻す構成となっている。そのため、レ−ザ
発振器に戻って増幅されたレ−ザ光は再びパラメトリッ
ク発振器に入射するから、そのパルスは、最初に上記パ
ラメトリック発振器に入射した第１のレ−ザ光のパルス
と合成されてパルス幅の大きい１つのパルスとなる。
の高反射ミラ−は、第１のレ−ザ光の一部を反射してレ
−ザ発振器に戻す構成となっている。そのため、レ−ザ
発振器に戻って増幅されたレ−ザ光は再びパラメトリッ
ク発振器に入射するから、そのパルスは、最初に上記パ
ラメトリック発振器に入射した第１のレ−ザ光のパルス
と合成されてパルス幅の大きい１つのパルスとなる。
【００１２】パラメトリック発振器のパワ−密度しきい
値はパルス幅が大きい程、低くなるから、第１のレ−ザ
光のパワ−密度を高くせずに、パラメトリック発振が可
能となる。
値はパルス幅が大きい程、低くなるから、第１のレ−ザ
光のパワ−密度を高くせずに、パラメトリック発振が可
能となる。
【００１３】
【発明の実施形態】以下、この発明の一実施形態を図面
を参照して説明する。図１に示すこの発明の波長変換レ
−ザ装置は光軸を一致させて配置されたレ−ザ発振器と
してのＹＡＧレ−ザ装置１とパラメトリック発振器２と
を有する。上記ＹＡＧレ−ザ装置１は、本体１１を有
し、この本体１１内には第１の光共振器１２が設けられ
ている。
を参照して説明する。図１に示すこの発明の波長変換レ
−ザ装置は光軸を一致させて配置されたレ−ザ発振器と
してのＹＡＧレ−ザ装置１とパラメトリック発振器２と
を有する。上記ＹＡＧレ−ザ装置１は、本体１１を有
し、この本体１１内には第１の光共振器１２が設けられ
ている。
【００１４】上記第１の光共振器１２は第１の高反射ミ
ラ−１３と第１の出力ミラ−１４とを所定の間隔で離間
対向させて配置してなる。この第１の光共振器１２の内
部には固体レ−ザ媒質としてのＹＡＧロッド１５が配置
され、このＹＡＧロッド１５の一方の端面と第１の出力
ミラ−１４との間には偏光素子１６とＥＯ−Ｑスイッチ
素子１７とが順次配置されている。
ラ−１３と第１の出力ミラ−１４とを所定の間隔で離間
対向させて配置してなる。この第１の光共振器１２の内
部には固体レ−ザ媒質としてのＹＡＧロッド１５が配置
され、このＹＡＧロッド１５の一方の端面と第１の出力
ミラ−１４との間には偏光素子１６とＥＯ−Ｑスイッチ
素子１７とが順次配置されている。
【００１５】上記ＹＡＧロッド１５の側方にはこのＹＡ
Ｇロッド１５を光励起するための励起ランプ１８が配置
されている。この励起ランプ１８によって上記ＹＡＧロ
ッド１５が光励起されると、波長が１．０６μｍの第１
のレ−ザ光Ｌ1 が発生する。この第１のレ−ザ光Ｌ1
は、第１の光共振器１２内で増幅され、上記第１の出力
ミラ−１４からパルス発振されるようになっている。
Ｇロッド１５を光励起するための励起ランプ１８が配置
されている。この励起ランプ１８によって上記ＹＡＧロ
ッド１５が光励起されると、波長が１．０６μｍの第１
のレ−ザ光Ｌ1 が発生する。この第１のレ−ザ光Ｌ1
は、第１の光共振器１２内で増幅され、上記第１の出力
ミラ−１４からパルス発振されるようになっている。
【００１６】上記パラメトリック発振器２は第２の高反
射ミラ−２１と第２の出力ミラ−２２とを所定の間隔で
離間対向させて配置した第２の光共振器２３を有し、こ
の第２の光共振器２３内には第１のレ−ザ光Ｌ1 を、そ
の波長の約２倍の波長の２．３μｍの波長のシグナル光
と１．９μｍのアイドラ光に変換するＬｉＮｂＯ3 、Ａ
ｇＧａＳｅ2 あるいはＫＴＰなど非線形光学結晶２４が
配置されている。上記シグナル光とアイドラ光とを第２
のレ−ザ光Ｌ2 とする。
射ミラ−２１と第２の出力ミラ−２２とを所定の間隔で
離間対向させて配置した第２の光共振器２３を有し、こ
の第２の光共振器２３内には第１のレ−ザ光Ｌ1 を、そ
の波長の約２倍の波長の２．３μｍの波長のシグナル光
と１．９μｍのアイドラ光に変換するＬｉＮｂＯ3 、Ａ
ｇＧａＳｅ2 あるいはＫＴＰなど非線形光学結晶２４が
配置されている。上記シグナル光とアイドラ光とを第２
のレ−ザ光Ｌ2 とする。
【００１７】上記第２の高反射ミラ−２１は、波長が
１．０６μｍの上記第１のレ−ザ光Ｌ1 に対してはその
一部を反射し、残りを透過するとともに、上記非線形光
学結晶２４によって波長変換された第２のレ−ザ光Ｌ2
に対してはほぼ１００％の反射率を有する構成となって
いる。このような第２の高反射ミラ−２１の反射率の設
定は、ＺｎＳｅやＧｅなどの赤外材料に対する数層程度
の薄膜コ−テイングによって十分に対応できる。
１．０６μｍの上記第１のレ−ザ光Ｌ1 に対してはその
一部を反射し、残りを透過するとともに、上記非線形光
学結晶２４によって波長変換された第２のレ−ザ光Ｌ2
に対してはほぼ１００％の反射率を有する構成となって
いる。このような第２の高反射ミラ−２１の反射率の設
定は、ＺｎＳｅやＧｅなどの赤外材料に対する数層程度
の薄膜コ−テイングによって十分に対応できる。
【００１８】上記パラメトリック発振器２からは第２の
レ−ザ光Ｌ2 だけでなく、第１のレ−ザ光Ｌ1 も発振さ
れる。したがって、上記パラメトリック発振器２の出力
側には各光を分光するためのプリズム３１が配置され、
所望する第２のレ−ザ光Ｌ2だけを所定方向に出射させ
ることができるようになっている。
レ−ザ光Ｌ2 だけでなく、第１のレ−ザ光Ｌ1 も発振さ
れる。したがって、上記パラメトリック発振器２の出力
側には各光を分光するためのプリズム３１が配置され、
所望する第２のレ−ザ光Ｌ2だけを所定方向に出射させ
ることができるようになっている。
【００１９】なお、上記第２のレ−ザ光Ｌ2 は上述した
ようにシクナル光ＬS とアイドラ光ＬI からなる。つぎ
に、上記構成の波長変換レ−ザ装置によって第１のレ−
ザ光Ｌ1 を波長の異なる第２のレ−ザ光Ｌ2 に変換する
場合の作用について説明する。ＹＡＧレ−ザ装置１のＹ
ＡＧロッド１５が励起ランプ１８によって励起される
と、第１のレ−ザ光Ｌ1 が発生する。第１のレ−ザ光Ｌ
1 は第１の光共振器１２内を往復して増幅され、所定の
エネルギに達すると第１の出力ミラ−１４からパルス発
振される。
ようにシクナル光ＬS とアイドラ光ＬI からなる。つぎ
に、上記構成の波長変換レ−ザ装置によって第１のレ−
ザ光Ｌ1 を波長の異なる第２のレ−ザ光Ｌ2 に変換する
場合の作用について説明する。ＹＡＧレ−ザ装置１のＹ
ＡＧロッド１５が励起ランプ１８によって励起される
と、第１のレ−ザ光Ｌ1 が発生する。第１のレ−ザ光Ｌ
1 は第１の光共振器１２内を往復して増幅され、所定の
エネルギに達すると第１の出力ミラ−１４からパルス発
振される。
【００２０】上記第１の出力ミラ−１４からパルス発振
された第１のレ−ザ光Ｌ1 はパラメトリック発振器２の
第２の高反射ミラ−２１に入射する。この第２の高反射
ミラ−２１は第１のレ−ザ光Ｌ1 の一部を反射し、残り
を透過する。
された第１のレ−ザ光Ｌ1 はパラメトリック発振器２の
第２の高反射ミラ−２１に入射する。この第２の高反射
ミラ−２１は第１のレ−ザ光Ｌ1 の一部を反射し、残り
を透過する。
【００２１】上記第２の高反射ミラ−２で反射した第１
のレ−ザ光Ｌ1 はＹＡＧレ−ザ装置１の第１の出力ミラ
−１４から第１の光共振器１２内へ戻され、この第１の
光共振器１２で増幅されて再び第１の出力ミラ−１４か
ら発振する。そして、その第１のレ−ザ光Ｌ1 の一部が
再びＹＡＧレ−ザ装置１に戻されるということが繰り返
される。
のレ−ザ光Ｌ1 はＹＡＧレ−ザ装置１の第１の出力ミラ
−１４から第１の光共振器１２内へ戻され、この第１の
光共振器１２で増幅されて再び第１の出力ミラ−１４か
ら発振する。そして、その第１のレ−ザ光Ｌ1 の一部が
再びＹＡＧレ−ザ装置１に戻されるということが繰り返
される。
【００２２】そのため、ＹＡＧレ−ザ装置１から発振さ
れる第１のレ−ザ光Ｌ1 は図２（ａ）に示すように単一
のパルスであるが、その一部が上述したようにＹＡＧレ
−ザ装置１へ戻されてパラメトリック発振器２に入射す
るということが繰り返されることで、パラメトリック発
振器２内における第１のレ−ザ光Ｌ1 は図２（ｂ）に示
すようにパルス幅が拡大される。このパルス幅はＹＡＧ
レ−ザ装置１とパラメトリック発振器２との間隔によっ
て設定することができる。
れる第１のレ−ザ光Ｌ1 は図２（ａ）に示すように単一
のパルスであるが、その一部が上述したようにＹＡＧレ
−ザ装置１へ戻されてパラメトリック発振器２に入射す
るということが繰り返されることで、パラメトリック発
振器２内における第１のレ−ザ光Ｌ1 は図２（ｂ）に示
すようにパルス幅が拡大される。このパルス幅はＹＡＧ
レ−ザ装置１とパラメトリック発振器２との間隔によっ
て設定することができる。
【００２３】図２（ｂ）のように第１のレ−ザ光Ｌ1 の
パルス幅を長くすれば、図２（ｃ）に示すようにパラメ
トリック発振器２から第２のレ−ザ光Ｌ2 を出力させる
ことができる。
パルス幅を長くすれば、図２（ｃ）に示すようにパラメ
トリック発振器２から第２のレ−ザ光Ｌ2 を出力させる
ことができる。
【００２４】しかしながら、図２（ａ）に示す、パルス
幅を長くしない第１のレ−ザ光Ｌ1をパラメトリック発
振器２に入射させた場合、このパメトリック発振器２か
らは第２のレ−ザ光Ｌ2 を発振させることができないこ
とが確認された。
幅を長くしない第１のレ−ザ光Ｌ1をパラメトリック発
振器２に入射させた場合、このパメトリック発振器２か
らは第２のレ−ザ光Ｌ2 を発振させることができないこ
とが確認された。
【００２５】第１のレ−ザ光Ｌ1 のパルス幅が長くなる
ことで、光パラメトリック発振のパワ−密度しきい値を
低下させることができる。このことは、［IEEE J. Quan
tumElectron. QE-15,415 (1979). ］に示されている。
つまり、発振パワ−密度しきい値Ｐ0 は以下に示す関係
がある。
ことで、光パラメトリック発振のパワ−密度しきい値を
低下させることができる。このことは、［IEEE J. Quan
tumElectron. QE-15,415 (1979). ］に示されている。
つまり、発振パワ−密度しきい値Ｐ0 は以下に示す関係
がある。
【００２６】 Ｐo ∝α（β／ｔ＋γ）2 …（１）式 ただし、ｔ：パルス幅、α、β、γ：定数である。上記
（１）式より、光パワ−密度発振しきい値Ｐ0 はパルス
幅ｔが大きい程、低くなり、有利であることが分かる。
（１）式より、光パワ−密度発振しきい値Ｐ0 はパルス
幅ｔが大きい程、低くなり、有利であることが分かる。
【００２７】したがって、上述したごとく、第１のレ−
ザ光Ｌ1 の一部をＹＡＧレ−ザ装置１に戻して増幅し、
再度、パラメトリック発振器２に入射せるということを
繰り返すことで、上記第１のレ−ザ光Ｌ1 のパルス幅を
拡大すれば、上記パラメトリック発振器２の発振しきい
値を低下させることができる。そのため、このパラメト
リック発振器２からシグナル光やアイドラ光、つまり赤
外コヒ−レント光である第２のレ−ザ光Ｌ2 を容易に発
振させることができる。
ザ光Ｌ1 の一部をＹＡＧレ−ザ装置１に戻して増幅し、
再度、パラメトリック発振器２に入射せるということを
繰り返すことで、上記第１のレ−ザ光Ｌ1 のパルス幅を
拡大すれば、上記パラメトリック発振器２の発振しきい
値を低下させることができる。そのため、このパラメト
リック発振器２からシグナル光やアイドラ光、つまり赤
外コヒ−レント光である第２のレ−ザ光Ｌ2 を容易に発
振させることができる。
【００２８】つまり、従来のように第１のレ−ザ光Ｌ1
を出力するＹＡＧレ−ザ装置１を高出力化したり、上記
第１のレ−ザ光Ｌ1 のビ−ム径を小さくするなどしてパ
ワ−密度を高くせずに第２のレ−ザ光Ｌ2 を出力させる
ことができる。
を出力するＹＡＧレ−ザ装置１を高出力化したり、上記
第１のレ−ザ光Ｌ1 のビ−ム径を小さくするなどしてパ
ワ−密度を高くせずに第２のレ−ザ光Ｌ2 を出力させる
ことができる。
【００２９】
【発明の効果】請求項１と請求項２の発明によれば、パ
ラメトリック発振器の第２の高反射ミラ−は、第１のレ
−ザ光の一部を反射してレ−ザ発振器に戻す構成とし
た。そのため、レ−ザ発振器に戻って増幅された第１の
レ−ザ光は再びパラメトリック発振器に入射して最初に
このパラメトリック発振器に入射した第１のレ−ザ光の
パルスと合成されることで、パルス幅が拡大される。
ラメトリック発振器の第２の高反射ミラ−は、第１のレ
−ザ光の一部を反射してレ−ザ発振器に戻す構成とし
た。そのため、レ−ザ発振器に戻って増幅された第１の
レ−ザ光は再びパラメトリック発振器に入射して最初に
このパラメトリック発振器に入射した第１のレ−ザ光の
パルスと合成されることで、パルス幅が拡大される。
【００３０】パラメトリック発振器のパワ−密度しきい
値はパルス幅が大きい程、低くなるから、上述したよう
に第１のレ−ザ光のパルス幅を拡大することで、その第
１のレ−ザ光のエネルギ密度を高くせずにパラメトリッ
ク発振が可能となる。
値はパルス幅が大きい程、低くなるから、上述したよう
に第１のレ−ザ光のパルス幅を拡大することで、その第
１のレ−ザ光のエネルギ密度を高くせずにパラメトリッ
ク発振が可能となる。
【図１】この発明の一実施形態を示す装置の全体構成
図。
図。
【図２】（ａ）はＹＡＧレ−ザ装置から発振される第１
のレ−ザ光のパルス波形図、（ｂ）はパラメトリック発
振器内で合成されてパルス幅が拡大された第１のレ−ザ
光の波形図、（ｃ）はパラメトリック発振器に（ｂ）で
示す波形の第１のレ−ザ光が入射することで発振出力さ
れる第２のレ−ザ光の波形図。
のレ−ザ光のパルス波形図、（ｂ）はパラメトリック発
振器内で合成されてパルス幅が拡大された第１のレ−ザ
光の波形図、（ｃ）はパラメトリック発振器に（ｂ）で
示す波形の第１のレ−ザ光が入射することで発振出力さ
れる第２のレ−ザ光の波形図。
１…レ−ザ発振器 ２…パラメトリック発振器 １２…第１の光共振器 １３…第１の高反射ミラ− １４…第１の出力ミラ− １５…ＹＡＧロッド（レ−ザ媒質） １８…励起ランプ（励起手段） ２１…第２の高反射ミラ− ２２…第２の出力ミラ− ２３…第２の光共振器 ２４…非線形光学結晶
フロントページの続き (72)発明者 秋山 靖裕 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 佐久間 純 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 伊東 寿枝 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 第１のレ−ザ光を波長の異なる第２のレ
−ザ光に変換して出力する波長変換レ−ザ装置におい
て、 第１の高反射ミラ−と第１の出力ミラ−とからなる第１
の光共振器およびこの光共振器内に設けられたレ−ザ媒
質を励起する励起手段を有し、この励起手段によって上
記レ−ザ媒質が励起されることで上記第１のレ−ザ光を
出力するレ−ザ発振器と、 第２の高反射ミラ−と第２の出力ミラ−とからなる第２
の光共振器およびこの光共振器内に設けられた非線形光
学結晶を有し、この非線形光学結晶によって上記レ−ザ
発振器の第１の出力ミラ−から出力されて上記第２の高
反射ミラ−から上記第２の光共振器内に入射した上記第
１のレ−ザ光を波長の異なる上記第２のレ−ザ光に変換
して上記第２の出力ミラ−から出力するパラメトリック
発振器とを具備し、 上記第２の高反射ミラ−は、上記第１のレ−ザ光の一部
を反射して上記第１の光共振器へ戻す構成であることを
特徴とする波長変換レ−ザ装置。 - 【請求項２】 上記第２の高反射ミラ−は、上記第１の
レ−ザ光に対する反射率が０．１〜５０％の範囲に設定
されていることを特徴とする請求項１記載の波長変換レ
−ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8515897A JP2892329B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 波長変換レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8515897A JP2892329B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 波長変換レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10282533A true JPH10282533A (ja) | 1998-10-23 |
| JP2892329B2 JP2892329B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=13850873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8515897A Expired - Lifetime JP2892329B2 (ja) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | 波長変換レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892329B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003030315A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de commande d'un laser, appareil laser, procede de traitement laser utilise pour cet appareil et appareil de traitement laser |
| JP2009534646A (ja) * | 2006-04-18 | 2009-09-24 | イーエスエル ディフェンス リミテッド | ミサイルを検知する複数の赤外線センサの検査と評価、及び作業者訓練において赤外線センサとともに使用される装置 |
| JP2010199315A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 固体レーザ発振装置及び固体レーザ出力パルスの変調方法 |
| JP2018037578A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 株式会社フジクラ | ファイバレーザ装置 |
-
1997
- 1997-04-03 JP JP8515897A patent/JP2892329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7254147B2 (en) | 2001-09-28 | 2007-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser control method, laser apparatus, laser treatment method used for the same, laser treatment apparatus |
| US7471704B2 (en) | 2001-09-28 | 2008-12-30 | Panasonic Corporation | Laser control method, laser apparatus, laser treatment method used for the same, laser treatment apparatus |
| US7599407B2 (en) | 2001-09-28 | 2009-10-06 | Panasonic Corporation | Laser control method, laser apparatus, laser treatment method used for the same, laser treatment apparatus |
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| JP2018037578A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | 株式会社フジクラ | ファイバレーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892329B2 (ja) | 1999-05-17 |
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