JPH10150238A - 光パラメトリック発振器とその設計方法 - Google Patents
光パラメトリック発振器とその設計方法Info
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- JPH10150238A JPH10150238A JP30928796A JP30928796A JPH10150238A JP H10150238 A JPH10150238 A JP H10150238A JP 30928796 A JP30928796 A JP 30928796A JP 30928796 A JP30928796 A JP 30928796A JP H10150238 A JPH10150238 A JP H10150238A
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- resonator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザの出力変動にともなうシグナル
光出力の安定性を向上し、従来より高いパルス繰り返し
周波数の光パラメトリック発振器を実現する。 【解決手段】 内部共振器型光パラメトリック発振器に
おいて、共振器は、レーザ共振器の内側から共振器を構
成するミラーを見たときに凹面となる場合に曲率半径が
正の値となるものと定義した場合の端面ミラーの曲率半
径をＲ1、出力ミラーの曲率半径をＲ2、端面ミラーと固
体レーザ媒質の光学的実効距離をＬ1、固体レーザ結晶
の端面ミラー側の面と出力ミラーの間の光学的実効距離
をＬ2、固体レーザ結晶の半導体レーザ光の励起により
誘起される熱レンズの焦点距離をｆとしたときに、ｇ1
＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1、ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ
2、Ｌ 0＝Ｌ1＋Ｌ2−Ｌ1Ｌ2／ｆとして定義されるｇ1と
ｇ2を用いた条件式、ｇ1ｇ2＝１／２、を満たすように
構成されている。
光出力の安定性を向上し、従来より高いパルス繰り返し
周波数の光パラメトリック発振器を実現する。 【解決手段】 内部共振器型光パラメトリック発振器に
おいて、共振器は、レーザ共振器の内側から共振器を構
成するミラーを見たときに凹面となる場合に曲率半径が
正の値となるものと定義した場合の端面ミラーの曲率半
径をＲ1、出力ミラーの曲率半径をＲ2、端面ミラーと固
体レーザ媒質の光学的実効距離をＬ1、固体レーザ結晶
の端面ミラー側の面と出力ミラーの間の光学的実効距離
をＬ2、固体レーザ結晶の半導体レーザ光の励起により
誘起される熱レンズの焦点距離をｆとしたときに、ｇ1
＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1、ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ
2、Ｌ 0＝Ｌ1＋Ｌ2−Ｌ1Ｌ2／ｆとして定義されるｇ1と
ｇ2を用いた条件式、ｇ1ｇ2＝１／２、を満たすように
構成されている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光パラメトリック
発振を用いてレーザ光の波長変換を行なう光パラメトリ
ック発振器に関し、特に、半導体レーザ励起の固体レー
ザをポンプ光源とした内部共振器型の光パラメトリック
発振器に関する。
発振を用いてレーザ光の波長変換を行なう光パラメトリ
ック発振器に関し、特に、半導体レーザ励起の固体レー
ザをポンプ光源とした内部共振器型の光パラメトリック
発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、レーザ光の波長を変換する方
法の一つとして、シグナル光またはアイドラ光が共振す
る光共振器中に非線形光学結晶をおいて強力なポンプ波
を入射したときに、シグナル光とアイドラ光の一方また
は両方が発振する現象である光パラメトリック発振が用
いられている。
法の一つとして、シグナル光またはアイドラ光が共振す
る光共振器中に非線形光学結晶をおいて強力なポンプ波
を入射したときに、シグナル光とアイドラ光の一方また
は両方が発振する現象である光パラメトリック発振が用
いられている。
【０００３】上記のような光パラメトリック発振を用い
てレーザ光の波長変換を行なう光パラメトリック発振器
としては、特開平７−３１８９９７号公報に開示される
ものがある。該公報には、ポンプ光を発生させるための
レーザ発振器の共振器と、光パラメトリック発振を行う
ための共振器のそれぞれを独立とした構成が開示されて
いる。
てレーザ光の波長変換を行なう光パラメトリック発振器
としては、特開平７−３１８９９７号公報に開示される
ものがある。該公報には、ポンプ光を発生させるための
レーザ発振器の共振器と、光パラメトリック発振を行う
ための共振器のそれぞれを独立とした構成が開示されて
いる。
【０００４】光パラメトリック発振器では、ポンプ光の
入射により、シグナル光、あるいは、アイドラ光を発生
させるが、このときポンプ光のパワー密度には発生を開
始するためのしきい値が存在する。レーザ光の波長変換
効率を向上するためには、上記のしきい値を超える強い
パワー密度のポンプ光を光パラメトリック発振器の共振
器に入射させる必要がある。
入射により、シグナル光、あるいは、アイドラ光を発生
させるが、このときポンプ光のパワー密度には発生を開
始するためのしきい値が存在する。レーザ光の波長変換
効率を向上するためには、上記のしきい値を超える強い
パワー密度のポンプ光を光パラメトリック発振器の共振
器に入射させる必要がある。
【０００５】一般に、レーザ発振器では出力ミラーから
取り出される出力レーザ光のパワー密度よりも共振器内
部のパワー密度の方が高い。このことから、共振器内部
に光パラメトリック発振の共振器を配置することによ
り、容易にそのしきい値を超えるポンプ光のパワー密度
を得ることができる。このように、ポンプ光を発生させ
るレーザの共振器内に光パラメトリック発振のための共
振器を配置する方法を内部共振器型光パラメトリック発
振と呼ぶ。
取り出される出力レーザ光のパワー密度よりも共振器内
部のパワー密度の方が高い。このことから、共振器内部
に光パラメトリック発振の共振器を配置することによ
り、容易にそのしきい値を超えるポンプ光のパワー密度
を得ることができる。このように、ポンプ光を発生させ
るレーザの共振器内に光パラメトリック発振のための共
振器を配置する方法を内部共振器型光パラメトリック発
振と呼ぶ。
【０００６】上記の内部共振器型の光パラメトリック発
振器については、ジョエル フォークらによる論文がア
イ・イー・イー・イー ジャーナル オブ カンタム
エレクトロニクス、第ＱＥ−７巻、第７号、３５９頁、
１９７１年（Ｊ．Ｆａｌｋｅｔ ａｌ．、ＩＥＥＥ Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ、Ｖｏｌ．ＱＥ−７、Ｎｏ．７、ｐ．３５９、
１９７１）に開示されている。
振器については、ジョエル フォークらによる論文がア
イ・イー・イー・イー ジャーナル オブ カンタム
エレクトロニクス、第ＱＥ−７巻、第７号、３５９頁、
１９７１年（Ｊ．Ｆａｌｋｅｔ ａｌ．、ＩＥＥＥ Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ、Ｖｏｌ．ＱＥ−７、Ｎｏ．７、ｐ．３５９、
１９７１）に開示されている。
【０００７】上記の文献では、ポンプ光の発生源となる
固体レーザの励起にはフラッシュランプが使用されてい
るが、フラッシュランプ励起の固体レーザの場合、パル
ス繰り返し周波数が数十Ｈｚまでに限られることや、装
置の小型化が難しいこと、フラッシュランプの寿命が短
いことなどにより、近年では半導体レーザ励起による内
部共振器型の光パラメトリック発振器の研究・開発が行
なわれている。
固体レーザの励起にはフラッシュランプが使用されてい
るが、フラッシュランプ励起の固体レーザの場合、パル
ス繰り返し周波数が数十Ｈｚまでに限られることや、装
置の小型化が難しいこと、フラッシュランプの寿命が短
いことなどにより、近年では半導体レーザ励起による内
部共振器型の光パラメトリック発振器の研究・開発が行
なわれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体レーザ
励起による内部共振器型の光パラメトリック発振器の問
題点としては以下が挙げられる。
励起による内部共振器型の光パラメトリック発振器の問
題点としては以下が挙げられる。
【０００９】第１の問題点は、半導体レーザによって励
起される固体レーザ結晶内に誘起される熱レンズの焦点
距離が半導体レーザの励起強度によって変化し、レーザ
共振器内の固体レーザ結晶の位置における発振モード径
が変化することにより、半導体レーザから固体レーザの
発振モードへのモード結合効率が変化してしまう。さら
に、しきい値をもつ光パラメトリック発振の過程をも経
るのでシグナル光の出力変動は増大される。このため、
半導体レーザの強度変化に対して光パラメトリック発振
によるシグナル光の出力が著しく変化してしまう。
起される固体レーザ結晶内に誘起される熱レンズの焦点
距離が半導体レーザの励起強度によって変化し、レーザ
共振器内の固体レーザ結晶の位置における発振モード径
が変化することにより、半導体レーザから固体レーザの
発振モードへのモード結合効率が変化してしまう。さら
に、しきい値をもつ光パラメトリック発振の過程をも経
るのでシグナル光の出力変動は増大される。このため、
半導体レーザの強度変化に対して光パラメトリック発振
によるシグナル光の出力が著しく変化してしまう。
【００１０】第２の問題点は、連続動作する励起光源に
より一定の強度で励起する場合に、固体レーザをＱスイ
ッチ動作によりパルス動作させ、その繰返し周波数を上
げていくと、１パルスあたりの励起エネルギーが小さく
なる。そのため、レーザ共振器内のポンプ光のパワー密
度は低下し、光パラメトリック発振に必要なしきい値を
超えなくなり、光パラメトリック発振の出力光が発生し
なくなる。
より一定の強度で励起する場合に、固体レーザをＱスイ
ッチ動作によりパルス動作させ、その繰返し周波数を上
げていくと、１パルスあたりの励起エネルギーが小さく
なる。そのため、レーザ共振器内のポンプ光のパワー密
度は低下し、光パラメトリック発振に必要なしきい値を
超えなくなり、光パラメトリック発振の出力光が発生し
なくなる。
【００１１】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、半導体レーザ
励起固体レーザをポンプ光源とした、内部共振器型光パ
ラメトリック発振器において、半導体レーザの出力変動
にともなうシグナル光出力の安定性を著しく向上すると
ともに、従来より高いパルス繰り返し周波数で光パラメ
トリック発振の出力を得ることを目的とする。
る問題点に鑑みてなされたものであって、半導体レーザ
励起固体レーザをポンプ光源とした、内部共振器型光パ
ラメトリック発振器において、半導体レーザの出力変動
にともなうシグナル光出力の安定性を著しく向上すると
ともに、従来より高いパルス繰り返し周波数で光パラメ
トリック発振の出力を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光パラメトリッ
ク発振器は、少なくとも固体レーザ媒質とＱスイッチ素
子と出力ミラーと端面ミラーから構成されるレーザ共振
器と、前記レーザ共振器の軸上に前記端面ミラー側から
半導体レーザ光を伝搬させて前記固体レーザ媒質を励起
する手段とを具備し、前記共振器の出力ミラー側に設け
られた、光パラメトリック発振のための、非線形光学結
晶および共振器を構成するミラーとを有する光パラメト
リック発振器において、前記共振器は、レーザ共振器の
内側から前記共振器を構成する前記ミラーを見たときに
凹面となる場合に曲率半径が正の値となるものと定義し
た場合の前記端面ミラーの曲率半径をＲ1、前記出力ミ
ラーの曲率半径をＲ2、前記端面ミラーと前記固体レー
ザ媒質の光学的実効距離をＬ1、前記固体レーザ結晶の
前記端面ミラー側の面と前記出力ミラーの間の光学的実
効距離をＬ2、前記固体レーザ結晶の半導体レーザ光の
励起により誘起される熱レンズの焦点距離をｆとしたと
きに、 ｇ1＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1 ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ2 Ｌ0＝Ｌ1＋Ｌ2−Ｌ1Ｌ2／ｆ として定義されるｇ1とｇ2を用いた条件式 ｇ1ｇ2＝１／２ を満たすように構成されていることを特徴とする。
ク発振器は、少なくとも固体レーザ媒質とＱスイッチ素
子と出力ミラーと端面ミラーから構成されるレーザ共振
器と、前記レーザ共振器の軸上に前記端面ミラー側から
半導体レーザ光を伝搬させて前記固体レーザ媒質を励起
する手段とを具備し、前記共振器の出力ミラー側に設け
られた、光パラメトリック発振のための、非線形光学結
晶および共振器を構成するミラーとを有する光パラメト
リック発振器において、前記共振器は、レーザ共振器の
内側から前記共振器を構成する前記ミラーを見たときに
凹面となる場合に曲率半径が正の値となるものと定義し
た場合の前記端面ミラーの曲率半径をＲ1、前記出力ミ
ラーの曲率半径をＲ2、前記端面ミラーと前記固体レー
ザ媒質の光学的実効距離をＬ1、前記固体レーザ結晶の
前記端面ミラー側の面と前記出力ミラーの間の光学的実
効距離をＬ2、前記固体レーザ結晶の半導体レーザ光の
励起により誘起される熱レンズの焦点距離をｆとしたと
きに、 ｇ1＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1 ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ2 Ｌ0＝Ｌ1＋Ｌ2−Ｌ1Ｌ2／ｆ として定義されるｇ1とｇ2を用いた条件式 ｇ1ｇ2＝１／２ を満たすように構成されていることを特徴とする。
【００１３】本発明の光パラメトリック発振器の設計方
法は、少なくとも固体レーザ媒質とＱスイッチ素子と出
力ミラーと端面ミラーから構成されるレーザ共振器と、
前記レーザ共振器の軸上に前記端面ミラー側から半導体
レーザ光を伝搬させて前記固体レーザ媒質を励起する手
段とを具備し、前記共振器の出力ミラー側に設けられ
た、光パラメトリック発振のための、非線形光学結晶お
よび共振器を構成するミラーとを有する光パラメトリッ
ク発振器の設計方法において、前記共振器を、レーザ共
振器の内側から前記共振器を構成する前記ミラーを見た
ときに凹面となる場合に曲率半径が正の値となるものと
定義した場合の前記端面ミラーの曲率半径をＲ1、前記
出力ミラーの曲率半径をＲ2、前記端面ミラーと前記固
体レーザ媒質の光学的実効距離をＬ1、前記固体レーザ
結晶の前記端面ミラー側の面と前記出力ミラーの間の光
学的実効距離をＬ2、前記固体レーザ結晶の半導体レー
ザ光の励起により誘起される熱レンズの焦点距離をｆと
したときに、 ｇ1＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1 ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ2 Ｌ0＝Ｌ1＋Ｌ2−Ｌ1Ｌ2／ｆ として定義されるｇ1とｇ2を用いた条件式 ｇ1ｇ2＝１／２ を満たすものとすることを特徴とする。
法は、少なくとも固体レーザ媒質とＱスイッチ素子と出
力ミラーと端面ミラーから構成されるレーザ共振器と、
前記レーザ共振器の軸上に前記端面ミラー側から半導体
レーザ光を伝搬させて前記固体レーザ媒質を励起する手
段とを具備し、前記共振器の出力ミラー側に設けられ
た、光パラメトリック発振のための、非線形光学結晶お
よび共振器を構成するミラーとを有する光パラメトリッ
ク発振器の設計方法において、前記共振器を、レーザ共
振器の内側から前記共振器を構成する前記ミラーを見た
ときに凹面となる場合に曲率半径が正の値となるものと
定義した場合の前記端面ミラーの曲率半径をＲ1、前記
出力ミラーの曲率半径をＲ2、前記端面ミラーと前記固
体レーザ媒質の光学的実効距離をＬ1、前記固体レーザ
結晶の前記端面ミラー側の面と前記出力ミラーの間の光
学的実効距離をＬ2、前記固体レーザ結晶の半導体レー
ザ光の励起により誘起される熱レンズの焦点距離をｆと
したときに、 ｇ1＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1 ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ2 Ｌ0＝Ｌ1＋Ｌ2−Ｌ1Ｌ2／ｆ として定義されるｇ1とｇ2を用いた条件式 ｇ1ｇ2＝１／２ を満たすものとすることを特徴とする。
【００１４】発明者は、上述した目的を達成するために
鋭意研究を行った結果、上記の条件式を満たすように共
振器を作製することにより、半導体レーザの励起光強度
の変化に対して、固体レーザ結晶の位置における発振モ
ード半径の変化が最も小さくなり、固体レーザの発振モ
ード半径が、非線形光学結晶の位置では固体レーザ結晶
の位置より小さく、固体レーザの共振器内部パワー密度
が非線形光学結晶の位置において高くなるとの知見に至
った。
鋭意研究を行った結果、上記の条件式を満たすように共
振器を作製することにより、半導体レーザの励起光強度
の変化に対して、固体レーザ結晶の位置における発振モ
ード半径の変化が最も小さくなり、固体レーザの発振モ
ード半径が、非線形光学結晶の位置では固体レーザ結晶
の位置より小さく、固体レーザの共振器内部パワー密度
が非線形光学結晶の位置において高くなるとの知見に至
った。
【００１５】半導体レーザの励起光強度の変化に対し
て、固体レーザ結晶の位置における発振モード半径の変
化が小さなことから、半導体レーザの出力変動にともな
うシグナル光出力の安定性が向上し、非線形光学結晶の
位置における固体レーザの共振器内部パワー密度が高く
なることから、従来より高いパルス繰り返し周波数で光
パラメトリック発振の出力を得ることができる。
て、固体レーザ結晶の位置における発振モード半径の変
化が小さなことから、半導体レーザの出力変動にともな
うシグナル光出力の安定性が向上し、非線形光学結晶の
位置における固体レーザの共振器内部パワー密度が高く
なることから、従来より高いパルス繰り返し周波数で光
パラメトリック発振の出力を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】図１は本発明の基本的な構成を示す図であ
り、固体レーザ結晶を励起するための半導体レーザ１１
の出力光をポンプ光とし、出射側に向けて順に設けられ
たレンズ２ａ，２ｂ、端面ミラー３、固体レーザ結晶１
４、Ｑスイッチ５、内部ミラー６、非線形光学結晶１７
および出力ミラー８からなる内部共振器型光パラメトリ
ック発振によるレーザ装置の構成が示されている。
り、固体レーザ結晶を励起するための半導体レーザ１１
の出力光をポンプ光とし、出射側に向けて順に設けられ
たレンズ２ａ，２ｂ、端面ミラー３、固体レーザ結晶１
４、Ｑスイッチ５、内部ミラー６、非線形光学結晶１７
および出力ミラー８からなる内部共振器型光パラメトリ
ック発振によるレーザ装置の構成が示されている。
【００１８】半導体レーザ１１は、出力光の波長が固体
レーザ結晶１４の吸収波長に合うものが選択されてい
る。半導体レーザ１１の出力光はレンズ２ａ、２ｂによ
り集光されて端面ミラー３に入射する。端面ミラー３に
は、半導体レーザ１１の波長に対しては低反射となり、
かつ、固体レーザ結晶１４の発振波長に対しては高反射
となるようなコーティングが施されており、また、その
曲率半径は、図の右側から見たときにＲ1となる。端面
ミラー３の出射側には（図面右側）には、固体レーザ結
晶１４が配置されている。
レーザ結晶１４の吸収波長に合うものが選択されてい
る。半導体レーザ１１の出力光はレンズ２ａ、２ｂによ
り集光されて端面ミラー３に入射する。端面ミラー３に
は、半導体レーザ１１の波長に対しては低反射となり、
かつ、固体レーザ結晶１４の発振波長に対しては高反射
となるようなコーティングが施されており、また、その
曲率半径は、図の右側から見たときにＲ1となる。端面
ミラー３の出射側には（図面右側）には、固体レーザ結
晶１４が配置されている。
【００１９】レンズ２ａ，２ｂによって集光された半導
体レーザ１１の出力光は、端面ミラー３を透過した後、
固体レーザ結晶１４に入射する。端面ミラー３と出力ミ
ラー８との間が固体レーザの共振器となる。固体レーザ
結晶１４の出射側にＱスイッチ５が配置されている。Ｑ
スイッチ５により端面ミラー３および出力ミラー８の間
をレーザ共振器とする固体レーザはＱスイッチ動作を行
なう。
体レーザ１１の出力光は、端面ミラー３を透過した後、
固体レーザ結晶１４に入射する。端面ミラー３と出力ミ
ラー８との間が固体レーザの共振器となる。固体レーザ
結晶１４の出射側にＱスイッチ５が配置されている。Ｑ
スイッチ５により端面ミラー３および出力ミラー８の間
をレーザ共振器とする固体レーザはＱスイッチ動作を行
なう。
【００２０】出力ミラー８の曲率半径は、図の右側から
見たときにＲ2となる。また、出力ミラー８は固体レー
ザ１４の発振の波長に対しては高反射となり、かつ、光
パラメトリック発振の出力光の波長に対して部分透過と
なるコーティングが施されている。出力ミラー８の出射
側には、非線形光学結晶１７が配置されている。非線形
光学結晶１７は固体レーザ結晶１４の発振波長の光をポ
ンプ光とするときに所望の波長の光パラメトリック発振
出力が得られるようにカットされている。
見たときにＲ2となる。また、出力ミラー８は固体レー
ザ１４の発振の波長に対しては高反射となり、かつ、光
パラメトリック発振の出力光の波長に対して部分透過と
なるコーティングが施されている。出力ミラー８の出射
側には、非線形光学結晶１７が配置されている。非線形
光学結晶１７は固体レーザ結晶１４の発振波長の光をポ
ンプ光とするときに所望の波長の光パラメトリック発振
出力が得られるようにカットされている。
【００２１】非線形光学結晶１７とＱスイッチ５との間
には、内部ミラー６が配置されている。内部ミラー６
は、固体レーザ結晶１４の発振波長に対しては低反射
率、光パラメトリック発振によるシグナル光の波長にお
いては高反射率となるコーティングが施されている。こ
の内部ミラー６と出力ミラー８の間が光パラメトリック
発振の共振器となり、光パラメトリック発振の出力光が
出力ミラー８から取り出される。
には、内部ミラー６が配置されている。内部ミラー６
は、固体レーザ結晶１４の発振波長に対しては低反射
率、光パラメトリック発振によるシグナル光の波長にお
いては高反射率となるコーティングが施されている。こ
の内部ミラー６と出力ミラー８の間が光パラメトリック
発振の共振器となり、光パラメトリック発振の出力光が
出力ミラー８から取り出される。
【００２２】半導体レーザ１によって励起される固体レ
ーザ結晶１４には、熱によって誘起される熱レンズが発
生する。発生した熱レンズの焦点距離は、半導体レーザ
光の強度に依存する。以下の説明では、半導体レーザの
強度をある値に設定したときの熱レンズの焦点距離をｆ
として説明する。
ーザ結晶１４には、熱によって誘起される熱レンズが発
生する。発生した熱レンズの焦点距離は、半導体レーザ
光の強度に依存する。以下の説明では、半導体レーザの
強度をある値に設定したときの熱レンズの焦点距離をｆ
として説明する。
【００２３】図１に示すような軸励起方式では、熱レン
ズは固体レーザ結晶内でも励起光の吸収量が最も多い入
射側端面に薄肉レンズがあるものと近似的に等価と考え
てよい。この入射側端面に相当する面、すなわち、固体
レーザ結晶１４の端面ミラー３側の面から、端面ミラー
３までの距離をＬ1とする。同じく、固体レーザ結晶１
４の端面ミラー３側の面から出力ミラー８までの光学的
実効長をＬ2とする。ここで、光学的実効長とは、各媒
質の長さを各々の屈折率で除した値の総和を示すものと
する。
ズは固体レーザ結晶内でも励起光の吸収量が最も多い入
射側端面に薄肉レンズがあるものと近似的に等価と考え
てよい。この入射側端面に相当する面、すなわち、固体
レーザ結晶１４の端面ミラー３側の面から、端面ミラー
３までの距離をＬ1とする。同じく、固体レーザ結晶１
４の端面ミラー３側の面から出力ミラー８までの光学的
実効長をＬ2とする。ここで、光学的実効長とは、各媒
質の長さを各々の屈折率で除した値の総和を示すものと
する。
【００２４】端面ミラーの３の位置における固体レーザ
の共振器内の発振横モード半径をｗ 1とすると、ｗ1はＬ
1、Ｌ2、Ｒ1、Ｒ2、ｆ、および固体レーザの発振波長λ
を用いて次のように表せる。
の共振器内の発振横モード半径をｗ 1とすると、ｗ1はＬ
1、Ｌ2、Ｒ1、Ｒ2、ｆ、および固体レーザの発振波長λ
を用いて次のように表せる。
【００２５】 ｗ1 2＝（λＬ／π）｛ｇ2／ｇ1（１−ｇ1ｇ2）｝1/2 ただし、 Ｌ＝Ｌ1十Ｌ2 Ｌ0＝Ｌ1十Ｌ2−（Ｌ1Ｌ2／ｆ） ｇ1＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1 ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ2 である。この結果は、ステファンらによる論文アイ・イ
ー・イー・イー ジャーナル オブ カンタム エレク
トロニクス、第ＱＥ−８巻、第２号、２３９頁、１９７
２年（Ｊｕｒｇ Ｓｔｅｆｆｅｎ ｅｔ ａｌ，，ＩＥ
ＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．ＱＥ−８，Ｎｏ．２，ｐ．
２３９，１９７２）に示されている。この論文の記述内
容に従うと、熱レンズの焦点距離ｆの変動に対して、端
面ミラー３の位置における発振横モード半径ｗ1の変化
が最も小さくなる条件は、 ｄｗ1／ｄｆ＝０ から得られ、微分を実行すると、 ２ｇ1ｇ2−１＋（ｇ1／ｇ2）（Ｌ1／Ｌ2）2＋２ｇ1Ｌ1
／Ｌ2＝０ となる。この式を満たす条件の一つとして、 ｇ1ｇ2＝１／２、かつ、Ｌ1＝０ がある。実際は、図１に示すような軸励起方式の光学部
品配置では、端面ミラー３と固体レーザ結晶１４の間の
距離は数ｍｍとなり、数十ｍｍ以上となるＬ2に比べて
Ｌ1は小さくなる。また、Ｌ1が小さいので、固体レーザ
結晶１４の端面ミラー３側の面の位置における固体レー
ザの発振モード半径ｗ3は、ｗ1とほぼ等しい値となる。
ー・イー・イー ジャーナル オブ カンタム エレク
トロニクス、第ＱＥ−８巻、第２号、２３９頁、１９７
２年（Ｊｕｒｇ Ｓｔｅｆｆｅｎ ｅｔ ａｌ，，ＩＥ
ＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．ＱＥ−８，Ｎｏ．２，ｐ．
２３９，１９７２）に示されている。この論文の記述内
容に従うと、熱レンズの焦点距離ｆの変動に対して、端
面ミラー３の位置における発振横モード半径ｗ1の変化
が最も小さくなる条件は、 ｄｗ1／ｄｆ＝０ から得られ、微分を実行すると、 ２ｇ1ｇ2−１＋（ｇ1／ｇ2）（Ｌ1／Ｌ2）2＋２ｇ1Ｌ1
／Ｌ2＝０ となる。この式を満たす条件の一つとして、 ｇ1ｇ2＝１／２、かつ、Ｌ1＝０ がある。実際は、図１に示すような軸励起方式の光学部
品配置では、端面ミラー３と固体レーザ結晶１４の間の
距離は数ｍｍとなり、数十ｍｍ以上となるＬ2に比べて
Ｌ1は小さくなる。また、Ｌ1が小さいので、固体レーザ
結晶１４の端面ミラー３側の面の位置における固体レー
ザの発振モード半径ｗ3は、ｗ1とほぼ等しい値となる。
【００２６】以上のことから、半導体レーザの励起光強
度の変化に対して、固体レーザ結晶の位置における発振
モード半径ｗ3の変化が最も小さくなる条件は、 ｇ1ｇ2＝１／２ となる。
度の変化に対して、固体レーザ結晶の位置における発振
モード半径ｗ3の変化が最も小さくなる条件は、 ｇ1ｇ2＝１／２ となる。
【００２７】また、同じ文献によると、出力ミラー３の
位置における固体レーザの発振モード半径ｗ2は、ｇ1、
ｇ2、ｗ1を用いて次のように表すことができる。
位置における固体レーザの発振モード半径ｗ2は、ｇ1、
ｇ2、ｗ1を用いて次のように表すことができる。
【００２８】ｗ2＝（ｇ1／ｇ2）1/2ｗ1 となる。図１の構成では、Ｌ1は数ｍｍ、Ｌ2は数十ｍｍ
となるため、ｇ1とｇ2では、ｇ1の方が小さくなる。そ
のため、ｗ1に比べてｗ2は小さな値となる。このこと
は、固体レーザの発振モード半径は、非線形光学結晶１
７の位置では固体レーザ結晶１４の位置より小さなこと
を意味している。また、このことは固体レーザの共振器
内部パワー密度が非線形光学結晶１７の位置において高
くなることを示している。
となるため、ｇ1とｇ2では、ｇ1の方が小さくなる。そ
のため、ｗ1に比べてｗ2は小さな値となる。このこと
は、固体レーザの発振モード半径は、非線形光学結晶１
７の位置では固体レーザ結晶１４の位置より小さなこと
を意味している。また、このことは固体レーザの共振器
内部パワー密度が非線形光学結晶１７の位置において高
くなることを示している。
【００２９】固体レーザ結晶の熱レンズの焦点距離ｆが
３００ｍｍのとき、ｆの変動に対してｗ1、あるいは、
ｗ3の変化が最小となる条件ｇ1ｇ2＝１／２を満たすパ
ラメータの組み合わせを次に示す。
３００ｍｍのとき、ｆの変動に対してｗ1、あるいは、
ｗ3の変化が最小となる条件ｇ1ｇ2＝１／２を満たすパ
ラメータの組み合わせを次に示す。
【００３０】Ｌ1＝５ｍｍ Ｌ2＝７４ｍｍ Ｒ1＝２００ｍｍ Ｒ2＝―２００ｍｍ 上記の条件のもとに、熱レンズの焦点距離ｆが変化した
と仮定して、ｗ1、ｗ2、ｗ3を計算で求めた結果が図２
である。図２に示す結果は、熱レンズの焦点距離が、仮
に±５０％だけ変化しても、固体レーザ結晶１４の位置
における発振モード半径はほとんど変化しないことを示
している。また、非線形光学結晶１７の位置における発
振モード半径が、固体レーザ結晶１４の位置における発
振モード半径ｗ3に対して約２分の１となる。このこと
から、パワー密度が非線形光学結晶１７の位置において
約４倍となることがわかり、本発明の有効性を示してい
る。
と仮定して、ｗ1、ｗ2、ｗ3を計算で求めた結果が図２
である。図２に示す結果は、熱レンズの焦点距離が、仮
に±５０％だけ変化しても、固体レーザ結晶１４の位置
における発振モード半径はほとんど変化しないことを示
している。また、非線形光学結晶１７の位置における発
振モード半径が、固体レーザ結晶１４の位置における発
振モード半径ｗ3に対して約２分の１となる。このこと
から、パワー密度が非線形光学結晶１７の位置において
約４倍となることがわかり、本発明の有効性を示してい
る。
【００３１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００３２】図３は本発明による一実施例の構成を示す
図である。固体レーザ結晶を励起するための半導体レー
ザ１は、光ファイバ結合タイプのもので、半導体レーザ
１に接続された光ファイバ９の他端から光が出力され
る。半導体レーザ１は波長が８１０ｎｍであり、光ファ
イバ端出力は最大１２Ｗである。本実施例では、光ファ
イバ端出力を１０Ｗに設定して使用している。本実施例
は出射側に向けて順に設けられたレンズ２、端面ミラー
３、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶４、Ｑスイッチ５、内部ミラー
６、ＫＴＰ結晶７および出力ミラー８からなる共振器の
構成が示されている。
図である。固体レーザ結晶を励起するための半導体レー
ザ１は、光ファイバ結合タイプのもので、半導体レーザ
１に接続された光ファイバ９の他端から光が出力され
る。半導体レーザ１は波長が８１０ｎｍであり、光ファ
イバ端出力は最大１２Ｗである。本実施例では、光ファ
イバ端出力を１０Ｗに設定して使用している。本実施例
は出射側に向けて順に設けられたレンズ２、端面ミラー
３、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶４、Ｑスイッチ５、内部ミラー
６、ＫＴＰ結晶７および出力ミラー８からなる共振器の
構成が示されている。
【００３３】レンズ２は、焦点距離１０ｍｍで、半導体
レーザ１の光ファイバ端からの距離が約２０ｍｍとなる
ように配置されている。半導体レーザ１の出射光の集光
径は約０．５ｍｍである。端面ミラー３は、レンズ２側
が凸面、その反対側が凹面であり、それらの曲率半径は
２００ｍｍ、である。また、端面ミラー３のレンズ２側
の面は波長８１０ｎｍにおける反射率が０．５％であ
り、また、反対側の面は、波長８１０ｎｍに対して反射
率が５％で、かつ、波長１０６４ｎｍに対して反射率が
９９％となるコーティングがそれぞれ施されている。
レーザ１の光ファイバ端からの距離が約２０ｍｍとなる
ように配置されている。半導体レーザ１の出射光の集光
径は約０．５ｍｍである。端面ミラー３は、レンズ２側
が凸面、その反対側が凹面であり、それらの曲率半径は
２００ｍｍ、である。また、端面ミラー３のレンズ２側
の面は波長８１０ｎｍにおける反射率が０．５％であ
り、また、反対側の面は、波長８１０ｎｍに対して反射
率が５％で、かつ、波長１０６４ｎｍに対して反射率が
９９％となるコーティングがそれぞれ施されている。
【００３４】固体レーザ結晶としてのＮｄ：ＹＶＯ4結
晶４は、長さが３ｍｍのａ軸カットのものであり、その
光軸がレーザ共振器の光軸に対して垂直となるように配
置されている。また、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶４による発振
は電界成分が結晶のｃ軸と平行となり、その発振波長は
１０６４ｎｍとなる。また、半導体レーザ１の出力が１
０Ｗのときに生じるＮｄ＝ＹＶＯ4結晶４の熱レンズの
焦点距離は約０．３ｍとなることが実験的に得られてい
る。
晶４は、長さが３ｍｍのａ軸カットのものであり、その
光軸がレーザ共振器の光軸に対して垂直となるように配
置されている。また、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶４による発振
は電界成分が結晶のｃ軸と平行となり、その発振波長は
１０６４ｎｍとなる。また、半導体レーザ１の出力が１
０Ｗのときに生じるＮｄ＝ＹＶＯ4結晶４の熱レンズの
焦点距離は約０．３ｍとなることが実験的に得られてい
る。
【００３５】Ｑスイッチ５は音響光学効果を利用したも
ので、媒質に二酸化テルル（ＴｅＯ 2）結晶を使用して
いる。これに、外部から周期的に強度を変調させた周波
数８０ＭＨｚの高周波を入力し、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶１
４による発振を周期的にＱスイッチ動作させている。ま
た、二酸化テルル結晶のレーザ光の伝搬する方向の長さ
は２０ｍｍである。
ので、媒質に二酸化テルル（ＴｅＯ 2）結晶を使用して
いる。これに、外部から周期的に強度を変調させた周波
数８０ＭＨｚの高周波を入力し、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶１
４による発振を周期的にＱスイッチ動作させている。ま
た、二酸化テルル結晶のレーザ光の伝搬する方向の長さ
は２０ｍｍである。
【００３６】内部ミラー６は、Ｑスイッチ５側が凸面、
その反対側が凹面であり、それらの曲率半径は１６０ｍ
ｍである。また、内部ミラー６のＱスイッチ５側の面は
波長１０６４ｎｍにおける反射率が０．５％であり、ま
た、反対側の面は、波長１０６４ｎｍに対して反射率が
５％で、かつ、波長１５７３ｎｍに対して反射率が９９
％となるコーティングがそれぞれ施されている。また、
内部ミラー６の厚さは５ｍｍである。
その反対側が凹面であり、それらの曲率半径は１６０ｍ
ｍである。また、内部ミラー６のＱスイッチ５側の面は
波長１０６４ｎｍにおける反射率が０．５％であり、ま
た、反対側の面は、波長１０６４ｎｍに対して反射率が
５％で、かつ、波長１５７３ｎｍに対して反射率が９９
％となるコーティングがそれぞれ施されている。また、
内部ミラー６の厚さは５ｍｍである。
【００３７】非線形光学結晶としてのＫＴＰ（ＫＴｉＯ
ＰＯ4）結晶７は、長さが３０ｍｍであり、結晶方位が
θ＝９０°、Φ＝０°のｘ軸カットのもので、そのｙ軸
がＮｄ：ＹＶＯ4結晶４のｃ軸と平行になるように配置
されている。この配置により、光パラメトリック発振の
ポンプ光となる波長１０６４ｎｍの発振光は、その電界
成分がＫＴＰ結晶７のｙ軸と平行になるようにＫＴＰ結
晶７に入射する。このとき、ＫＴＰ結晶７は、波長が１
５７３ｎｍで電界成分がＫＴＰ結晶７のｙ軸と平行とな
るシグナル光と、波長が３．３μｍで電界成分がＫＴＰ
結晶７のｚ軸と平行となるアイドラ光が発生する。
ＰＯ4）結晶７は、長さが３０ｍｍであり、結晶方位が
θ＝９０°、Φ＝０°のｘ軸カットのもので、そのｙ軸
がＮｄ：ＹＶＯ4結晶４のｃ軸と平行になるように配置
されている。この配置により、光パラメトリック発振の
ポンプ光となる波長１０６４ｎｍの発振光は、その電界
成分がＫＴＰ結晶７のｙ軸と平行になるようにＫＴＰ結
晶７に入射する。このとき、ＫＴＰ結晶７は、波長が１
５７３ｎｍで電界成分がＫＴＰ結晶７のｙ軸と平行とな
るシグナル光と、波長が３．３μｍで電界成分がＫＴＰ
結晶７のｚ軸と平行となるアイドラ光が発生する。
【００３８】出力ミラー８は、ＫＴＰ結晶７が凸面、そ
の反対側が凹面となっており、それらの曲率半径は２０
０ｍｍである。また、出力ミラー８のＫＴＰ結晶７側の
面には波長１０６４ｎｍにおける反射率が９９％で、か
つ、波長１５７３ｎｍに対しての反射率が約９０％とな
り、また、反対側の面には、波長１５７３ｎｍに対して
反射率が０．５％となるコーティングがそれぞれ施され
ている。
の反対側が凹面となっており、それらの曲率半径は２０
０ｍｍである。また、出力ミラー８のＫＴＰ結晶７側の
面には波長１０６４ｎｍにおける反射率が９９％で、か
つ、波長１５７３ｎｍに対しての反射率が約９０％とな
り、また、反対側の面には、波長１５７３ｎｍに対して
反射率が０．５％となるコーティングがそれぞれ施され
ている。
【００３９】上記のように構成される本実施例は、端面
ミラー３と出力ミラー８との間がＮｄ：ＹＶＯ4レーザ
の共振器となり、内部ミラー６と出力ミラー８との間が
光パラメトリック発振のための共振器となる。
ミラー３と出力ミラー８との間がＮｄ：ＹＶＯ4レーザ
の共振器となり、内部ミラー６と出力ミラー８との間が
光パラメトリック発振のための共振器となる。
【００４０】出力ミラー８と内部ミラー６の間の距離は
４０ｍｍで、この間の波長１５７３ｎｍのシグナル光の
発振モード径は、出力ミラー８の位置で１６１μｍ、内
部ミラー６の位置で２０６μｍである。
４０ｍｍで、この間の波長１５７３ｎｍのシグナル光の
発振モード径は、出力ミラー８の位置で１６１μｍ、内
部ミラー６の位置で２０６μｍである。
【００４１】端面ミラー３からＮｄ：ＹＶＯ4結晶４ま
での距離Ｌ1は５ｍｍである。また、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶
４の端面ミラー３側の面から出力ミラー８までの距離は
１０３ｍｍとなっている。このとき、同じ間の光学的実
効長Ｌ2は７４ｍｍとなる。本実施例におけるパラメー
タは前項の計算例で用いたものと同じであり、先に示し
た条件式 ｇ1ｇ2＝１／２ を満たす共振器構成としている。
での距離Ｌ1は５ｍｍである。また、Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶
４の端面ミラー３側の面から出力ミラー８までの距離は
１０３ｍｍとなっている。このとき、同じ間の光学的実
効長Ｌ2は７４ｍｍとなる。本実施例におけるパラメー
タは前項の計算例で用いたものと同じであり、先に示し
た条件式 ｇ1ｇ2＝１／２ を満たす共振器構成としている。
【００４２】本実施例では、半導体レーザ１の出力変動
±１０％に対して、波長１５７３ｎｍの光パラメトリッ
ク発振の出力変動も±１０％程度であった。また、Ｑス
イッチ５の繰り返し動作の周波数を上げていったとこ
ろ、パルス繰り返し周波数が５０ｋＨｚのときに時間平
均出力で約１Ｗ、パルスエネルギーが約２０μＪであっ
た。
±１０％に対して、波長１５７３ｎｍの光パラメトリッ
ク発振の出力変動も±１０％程度であった。また、Ｑス
イッチ５の繰り返し動作の周波数を上げていったとこ
ろ、パルス繰り返し周波数が５０ｋＨｚのときに時間平
均出力で約１Ｗ、パルスエネルギーが約２０μＪであっ
た。
【００４３】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００４４】半導体レーザ励起固体レーザをポンプ光発
生源とした内部共振器型の光パラメトリック発振におい
て、励起用半導体レーザの出力変動に対して、光パラメ
トリック発振出力の変動を著しく小さくすることができ
るとともに高いパルス繰り返し周波数においても光パラ
メトリック発振を可能とすることができる効果がある。
生源とした内部共振器型の光パラメトリック発振におい
て、励起用半導体レーザの出力変動に対して、光パラメ
トリック発振出力の変動を著しく小さくすることができ
るとともに高いパルス繰り返し周波数においても光パラ
メトリック発振を可能とすることができる効果がある。
【図１】本発明の実施の形態の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態の動作を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施例の構成を示す図である。
１，１１ 半導体レーザ ２，２ａ，２ｂ レンズ ３ 端面ミラー ４ Ｎｄ：ＹＶＯ4結晶 ５ Ｑスイッチ ６ 内部ミラー ７ ＫＴＰ結晶 ８ 出力ミラー ９ 光ファイバ １４ 固体レーザ結晶 １７ 非線形光学結晶
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも固体レーザ媒質とＱスイッチ
素子と出力ミラーと端面ミラーから構成されるレーザ共
振器と、前記レーザ共振器の軸上に前記端面ミラー側か
ら半導体レーザ光を伝搬させて前記固体レーザ媒質を励
起する手段とを具備し、前記共振器の出力ミラー側に設
けられた、光パラメトリック発振のための、非線形光学
結晶および共振器を構成するミラーとを有する光パラメ
トリック発振器において、 前記共振器は、レーザ共振器の内側から前記共振器を構
成する前記ミラーを見たときに凹面となる場合に曲率半
径が正の値となるものと定義した場合の前記端面ミラー
の曲率半径をＲ1、前記出力ミラーの曲率半径をＲ2、前
記端面ミラーと前記固体レーザ媒質の光学的実効距離を
Ｌ1、前記固体レーザ結晶の前記端面ミラー側の面と前
記出力ミラーの間の光学的実効距離をＬ2、前記固体レ
ーザ結晶の半導体レーザ光の励起により誘起される熱レ
ンズの焦点距離をｆとしたときに、 ｇ1＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1 ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ2 Ｌ0＝Ｌ1＋Ｌ2−Ｌ1Ｌ2／ｆ として定義されるｇ1とｇ2を用いた条件式 ｇ1ｇ2＝１／２ を満たすように構成されていることを特徴とする光パラ
メトリック発振器。 - 【請求項２】 少なくとも固体レーザ媒質とＱスイッチ
素子と出力ミラーと端面ミラーから構成されるレーザ共
振器と、前記レーザ共振器の軸上に前記端面ミラー側か
ら半導体レーザ光を伝搬させて前記固体レーザ媒質を励
起する手段とを具備し、前記共振器の出力ミラー側に設
けられた、光パラメトリック発振のための、非線形光学
結晶および共振器を構成するミラーとを有する光パラメ
トリック発振器の設計方法において、 前記共振器を、レーザ共振器の内側から前記共振器を構
成する前記ミラーを見たときに凹面となる場合に曲率半
径が正の値となるものと定義した場合の前記端面ミラー
の曲率半径をＲ1、前記出力ミラーの曲率半径をＲ2、前
記端面ミラーと前記固体レーザ媒質の光学的実効距離を
Ｌ1、前記固体レーザ結晶の前記端面ミラー側の面と前
記出力ミラーの間の光学的実効距離をＬ2、前記固体レ
ーザ結晶の半導体レーザ光の励起により誘起される熱レ
ンズの焦点距離をｆとしたときに、 ｇ1＝１−Ｌ2／ｆ−Ｌ0／Ｒ1 ｇ2＝１−Ｌ1／ｆ−Ｌ0／Ｒ2 Ｌ0＝Ｌ1＋Ｌ2−Ｌ1Ｌ2／ｆ として定義されるｇ1とｇ2を用いた条件式 ｇ1ｇ2＝１／２ を満たすものとすることを特徴とする光パラメトリック
発振器の設計方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30928796A JPH10150238A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 光パラメトリック発振器とその設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30928796A JPH10150238A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 光パラメトリック発振器とその設計方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150238A true JPH10150238A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17991186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30928796A Pending JPH10150238A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 光パラメトリック発振器とその設計方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10150238A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001320114A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Inst Of Physical & Chemical Res | レーザー共振器 |
| WO2002009246A1 (en) * | 2000-07-26 | 2002-01-31 | Macquarie Research Ltd | A stable solid state raman laser and a method of operating same |
| EP1181752A2 (en) * | 1999-05-06 | 2002-02-27 | Northrop Grumman Corporation | Solid-state laser system using high-temperature semiconductor diode laser as an optical pump source |
| JP2010028313A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | New Japan Radio Co Ltd | 発振器の設計方法 |
| WO2023248423A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム及び電子デバイスの製造方法 |
-
1996
- 1996-11-20 JP JP30928796A patent/JPH10150238A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1181752A2 (en) * | 1999-05-06 | 2002-02-27 | Northrop Grumman Corporation | Solid-state laser system using high-temperature semiconductor diode laser as an optical pump source |
| EP1181752A4 (en) * | 1999-05-06 | 2005-09-14 | Northrop Grumman Corp | SOLID BODY LASER SYSTEM USING HIGH-TEMPERATURE SEMICONDUCTOR DIODE LASER AS OPTICAL PUMP SOURCE |
| JP2001320114A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Inst Of Physical & Chemical Res | レーザー共振器 |
| JP4613272B2 (ja) * | 2000-05-10 | 2011-01-12 | 独立行政法人理化学研究所 | レーザー共振器およびその調整方法 |
| WO2002009246A1 (en) * | 2000-07-26 | 2002-01-31 | Macquarie Research Ltd | A stable solid state raman laser and a method of operating same |
| US6901084B2 (en) | 2000-07-26 | 2005-05-31 | Macquarie Research Ltd. | Stable solid state raman laser and a method of operating same |
| JP2010028313A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | New Japan Radio Co Ltd | 発振器の設計方法 |
| WO2023248423A1 (ja) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム及び電子デバイスの製造方法 |
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