JPH1084155A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JPH1084155A JPH1084155A JP8255386A JP25538696A JPH1084155A JP H1084155 A JPH1084155 A JP H1084155A JP 8255386 A JP8255386 A JP 8255386A JP 25538696 A JP25538696 A JP 25538696A JP H1084155 A JPH1084155 A JP H1084155A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/08022—Longitudinal modes
- H01S3/08031—Single-mode emission
- H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
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- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/115—Q-switching using intracavity electro-optic devices
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- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体レーザ装置の高出力化を図り、かつ、小
型・低価格化を実現すること。 【解決手段】 半導体レーザ１と、レーザ結晶３と、エ
タロン素子４と、非線形波長変換素子５と、出力ミラー
７とから固体レーザ装置１００を構成する。エタロン素
子４を用いれば、レーザ基本波の縦モード本数を低減さ
せることができ、Ｑスイッチの効率をあげることができ
る。このため、レーザ出力を高出力化することができ
る。
型・低価格化を実現すること。 【解決手段】 半導体レーザ１と、レーザ結晶３と、エ
タロン素子４と、非線形波長変換素子５と、出力ミラー
７とから固体レーザ装置１００を構成する。エタロン素
子４を用いれば、レーザ基本波の縦モード本数を低減さ
せることができ、Ｑスイッチの効率をあげることができ
る。このため、レーザ出力を高出力化することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、固体レーザ装置
に関し、さらに詳しくは、光ピックアップや光プリンタ
ー装置に用いる固体レーザ装置に関するものである。
に関し、さらに詳しくは、光ピックアップや光プリンタ
ー装置に用いる固体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高出力半導体レーザの低価格化に
伴い半導体レーザ励起固体レーザ装置の研究開発・商品
化が盛んになってきている。この半導体レーザ励起固体
レーザ装置は従来のランプ励起と比較して、励起源のス
ペクトル幅が小さいため非常に高効率であり、励起源が
小さいために小型化に大変適している。また、高出力の
室温連続発振や、高品質ビームのレーザ発振などが可能
であるほか、エネルギーの蓄積性、周波数の安定性にも
優れている。
伴い半導体レーザ励起固体レーザ装置の研究開発・商品
化が盛んになってきている。この半導体レーザ励起固体
レーザ装置は従来のランプ励起と比較して、励起源のス
ペクトル幅が小さいため非常に高効率であり、励起源が
小さいために小型化に大変適している。また、高出力の
室温連続発振や、高品質ビームのレーザ発振などが可能
であるほか、エネルギーの蓄積性、周波数の安定性にも
優れている。
【０００３】図５に、一般的な半導体レーザ励起Ｑスイ
ッチ・ＳＨＧ（Second Harmonics Genration）固体レー
ザ装置（固体レーザ装置）の構成を示す。この固体レー
ザ装置５００は、励起用の半導体レーザ５０１と、集光
レンズ５０２と、後部鏡５０３と、レーザ結晶５０４
と、偏光板５０５と、Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６
と、出力鏡５０７と、２倍波発生用の非線形光学結晶５
０８とから構成されている。
ッチ・ＳＨＧ（Second Harmonics Genration）固体レー
ザ装置（固体レーザ装置）の構成を示す。この固体レー
ザ装置５００は、励起用の半導体レーザ５０１と、集光
レンズ５０２と、後部鏡５０３と、レーザ結晶５０４
と、偏光板５０５と、Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６
と、出力鏡５０７と、２倍波発生用の非線形光学結晶５
０８とから構成されている。
【０００４】Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６は、Ｑス
イッチ動作を実現するため、結晶の進相軸と遅相軸とに
対し偏光板５０５方向から４５°傾けて配置している。
また、Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６の上下面には、
高電圧印加用の電極が設けられている。このＱスイッチ
用電気光学結晶５０６に高圧パルス電圧を印加しない場
合は、当該Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６は１／４波
長板（以下、λ／４板という）として動作する。かかる
場合には、共振器のＱ値を小さく制限できるので、レー
ザ発振は行われない。
イッチ動作を実現するため、結晶の進相軸と遅相軸とに
対し偏光板５０５方向から４５°傾けて配置している。
また、Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６の上下面には、
高電圧印加用の電極が設けられている。このＱスイッチ
用電気光学結晶５０６に高圧パルス電圧を印加しない場
合は、当該Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６は１／４波
長板（以下、λ／４板という）として動作する。かかる
場合には、共振器のＱ値を小さく制限できるので、レー
ザ発振は行われない。
【０００５】一方、Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６に
高圧パルス電圧を印加する場合は、当該Ｑスイッチ用電
気光学結晶５０６は０波長板として動作する。かかる場
合には、共振器のＱ値が大きくなってレーザ発振が行わ
れ、高ピーク出力が達成される。さらに、出力鏡５０７
の反射率を、レーザ発振基本波に対しては略全反射に、
レーザ発振基本波の２倍周波数の２倍波に対しては略全
透過に、設定することで、非線形光学結晶５０８による
２倍波発生が効率よく行われるようになる。この結果、
２倍波による高ピーク出力５１０が達成される。
高圧パルス電圧を印加する場合は、当該Ｑスイッチ用電
気光学結晶５０６は０波長板として動作する。かかる場
合には、共振器のＱ値が大きくなってレーザ発振が行わ
れ、高ピーク出力が達成される。さらに、出力鏡５０７
の反射率を、レーザ発振基本波に対しては略全反射に、
レーザ発振基本波の２倍周波数の２倍波に対しては略全
透過に、設定することで、非線形光学結晶５０８による
２倍波発生が効率よく行われるようになる。この結果、
２倍波による高ピーク出力５１０が達成される。
【０００６】しかし、上記のような構成の固体レーザ装
置５００では、部品点数が多いこと、偏光板５０５によ
り偏光方向を制御することによりエネルギー損が発生す
るという問題点があった。また、部品点数が多いことか
ら装置が大型化し、高価になるという問題点もあった。
置５００では、部品点数が多いこと、偏光板５０５によ
り偏光方向を制御することによりエネルギー損が発生す
るという問題点があった。また、部品点数が多いことか
ら装置が大型化し、高価になるという問題点もあった。
【０００７】そこで、これらの問題点を解決すべく、特
開平６−０８８８７９号公報においてＱスイッチ・ＳＨ
Ｇ複合素子を用いた固体レーザ装置が提案されている。
図６に、その固体レーザ装置の構成を示す。
開平６−０８８８７９号公報においてＱスイッチ・ＳＨ
Ｇ複合素子を用いた固体レーザ装置が提案されている。
図６に、その固体レーザ装置の構成を示す。
【０００８】この固体レーザ装置６００は、励起用半導
体レーザ５０１と、集光レンズ５０２と、レーザ結晶６
２１と、Ｑスイッチ・ＳＨＧ用非線形光学結晶６２２
と、出力鏡５０７とから構成される。レーザ結晶６２１
には、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶が使用される。また、Ｑスイ
ッチ・ＳＨＧ用非線形光学結晶６２２には、ＫＴＰ（Ｋ
ＴｉＯＰＯ4 ）結晶が使用される。
体レーザ５０１と、集光レンズ５０２と、レーザ結晶６
２１と、Ｑスイッチ・ＳＨＧ用非線形光学結晶６２２
と、出力鏡５０７とから構成される。レーザ結晶６２１
には、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶が使用される。また、Ｑスイ
ッチ・ＳＨＧ用非線形光学結晶６２２には、ＫＴＰ（Ｋ
ＴｉＯＰＯ4 ）結晶が使用される。
【０００９】上記の如くこの固体レーザ装置６００の構
成は、上記固体レーザ装置５００と略同様であるが、偏
光板５０５（図５）の効果をレーザ結晶６２１に持たせ
ていること、および、Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６
の効果をＱスイッチ・ＳＨＧ用非線形光学結晶６２２に
持たせている点が異なる。これより、部品点数を減少さ
せ、小型化、低価格化を実現している。
成は、上記固体レーザ装置５００と略同様であるが、偏
光板５０５（図５）の効果をレーザ結晶６２１に持たせ
ていること、および、Ｑスイッチ用電気光学結晶５０６
の効果をＱスイッチ・ＳＨＧ用非線形光学結晶６２２に
持たせている点が異なる。これより、部品点数を減少さ
せ、小型化、低価格化を実現している。
【００１０】具体的には、前記レーザ結晶６２１は、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶のａ軸方向とｃ軸方向との誘導放出断
面積差を利用して直線偏光出力を実現している。すなわ
ち、レーザ結晶６２１では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のｃ軸
方向の誘導放出断面積がａ軸方向のそれと比較して約４
倍と大きく、その差により直線偏光のレーザ発振を行
う。これより、偏光板５０５（図５）が不要になる。
ｄ：ＹＶＯ4 結晶のａ軸方向とｃ軸方向との誘導放出断
面積差を利用して直線偏光出力を実現している。すなわ
ち、レーザ結晶６２１では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のｃ軸
方向の誘導放出断面積がａ軸方向のそれと比較して約４
倍と大きく、その差により直線偏光のレーザ発振を行
う。これより、偏光板５０５（図５）が不要になる。
【００１１】また、Ｑスイッチ・ＳＨＧ用非線形光学結
晶６２２であるＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）結晶は、ＳＨ
Ｇ結晶としてだけでなく電気光学効果も大きいため、Ｓ
ＨＧとＱスイッチの複合動作が実現できる。これより、
個別にＱスイッチ素子が不要になり、小型化を促進して
いる。
晶６２２であるＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）結晶は、ＳＨ
Ｇ結晶としてだけでなく電気光学効果も大きいため、Ｓ
ＨＧとＱスイッチの複合動作が実現できる。これより、
個別にＱスイッチ素子が不要になり、小型化を促進して
いる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記固
体レーザ装置６００では、ａｐｐ．ｏｐｔ．，３５，４
２９８−４３０１（１９９５）に示されているように、
最大出力が２３０Ｗ程度しか確認されておらず、Ｑスイ
ッチレーザ光源としては出力が不足しているという問題
点があった。
体レーザ装置６００では、ａｐｐ．ｏｐｔ．，３５，４
２９８−４３０１（１９９５）に示されているように、
最大出力が２３０Ｗ程度しか確認されておらず、Ｑスイ
ッチレーザ光源としては出力が不足しているという問題
点があった。
【００１３】この原因は、発振するレーザ基本波が、縦
マルチモードになることでＱスイッチ効果が低下するた
めである。上記Ｑスイッチ・ＳＨＧ用非線形光学結晶６
２２では、ＫＴＰ結晶の電気光学効果を利用している
が、縦マルチモードであるため、高電圧パルス印加の立
ち上がり時間にレーザ基本波の波長がホッピングを起
す。この波長のホッピングは、ＫＴＰ結晶の波長分散効
果によるものであり、縦マルチモード、すなわち強励起
時に顕著になる。この結果、出力のピークが低下してし
まうのである。
マルチモードになることでＱスイッチ効果が低下するた
めである。上記Ｑスイッチ・ＳＨＧ用非線形光学結晶６
２２では、ＫＴＰ結晶の電気光学効果を利用している
が、縦マルチモードであるため、高電圧パルス印加の立
ち上がり時間にレーザ基本波の波長がホッピングを起
す。この波長のホッピングは、ＫＴＰ結晶の波長分散効
果によるものであり、縦マルチモード、すなわち強励起
時に顕著になる。この結果、出力のピークが低下してし
まうのである。
【００１４】この問題点は、Ｑスイッチ用高圧パルス電
源のパルス立ち上がり時間を〜１ｎｓにすることでも回
避できるが、このような電源は作製に高い技術力が必要
であり、かつ、コストがかかるため困難である。
源のパルス立ち上がり時間を〜１ｎｓにすることでも回
避できるが、このような電源は作製に高い技術力が必要
であり、かつ、コストがかかるため困難である。
【００１５】また、他の原因として、レーザ結晶に高出
力なレーザ２倍波が入射することによるアップコンバー
ジョンの影響がある。レーザ結晶にはレーザ基本波を励
起するために半導体レーザ光（波長８０９ｎｍ）が入射
されているが、２倍波のレーザ光（波長５３２ｎｍ）に
よっても少なからずレーザ基本波の励起が行われてしま
う。
力なレーザ２倍波が入射することによるアップコンバー
ジョンの影響がある。レーザ結晶にはレーザ基本波を励
起するために半導体レーザ光（波長８０９ｎｍ）が入射
されているが、２倍波のレーザ光（波長５３２ｎｍ）に
よっても少なからずレーザ基本波の励起が行われてしま
う。
【００１６】この発明は、上記に鑑みてなされたもので
あって、高出力であり、小型・低価格な固体レーザ装置
を提供することを目的とする。
あって、高出力であり、小型・低価格な固体レーザ装置
を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、請求項１に係る固体レーザ装置では、レーザ結晶
と、当該レーザ結晶を励起する半導体レーザと、レーザ
基本波を発振させる共振器と、当該共振器内のレーザ基
本波偏光を変化させる偏光制御素子と、を具備してな
り、前記偏光制御素子が、前記共振器内で発振している
レーザ基本波の周波数を２倍に変換する非線形光学結晶
である固体レーザ装置において、前記共振器に周波数選
択素子を配設したことを構成上の特徴とした。
めに、請求項１に係る固体レーザ装置では、レーザ結晶
と、当該レーザ結晶を励起する半導体レーザと、レーザ
基本波を発振させる共振器と、当該共振器内のレーザ基
本波偏光を変化させる偏光制御素子と、を具備してな
り、前記偏光制御素子が、前記共振器内で発振している
レーザ基本波の周波数を２倍に変換する非線形光学結晶
である固体レーザ装置において、前記共振器に周波数選
択素子を配設したことを構成上の特徴とした。
【００１８】また、請求項２に係る固定レーザ装置で
は、上記固体レーザ装置において、前記周波数選択素子
が、エタロン素子であることを構成上の特徴とした。
は、上記固体レーザ装置において、前記周波数選択素子
が、エタロン素子であることを構成上の特徴とした。
【００１９】また、請求項３に係る固定レーザ装置で
は、レーザ結晶と、当該レーザ結晶を励起する半導体レ
ーザと、レーザ基本波を発振させる共振器と、当該共振
器内のレーザ基本波偏光を変化させる偏光制御素子と、
を具備してなり、前記偏光制御素子が、前記共振器内で
発振しているレーザ基本波の周波数を２倍に変換する非
線形光学結晶である固体レーザ装置において、前記レー
ザ結晶の一方の端面が、前記レーザ基本波に対して所定
の部分反射率を有することを構成上の特徴とした。
は、レーザ結晶と、当該レーザ結晶を励起する半導体レ
ーザと、レーザ基本波を発振させる共振器と、当該共振
器内のレーザ基本波偏光を変化させる偏光制御素子と、
を具備してなり、前記偏光制御素子が、前記共振器内で
発振しているレーザ基本波の周波数を２倍に変換する非
線形光学結晶である固体レーザ装置において、前記レー
ザ結晶の一方の端面が、前記レーザ基本波に対して所定
の部分反射率を有することを構成上の特徴とした。
【００２０】また、請求項４に係る固定レーザ装置で
は、上記固体レーザ装置において、さらに、前記レーザ
結晶の一方の端面が、前記レーザ基本波の２倍波に対し
て高い反射率を有することを構成上の特徴とした。
は、上記固体レーザ装置において、さらに、前記レーザ
結晶の一方の端面が、前記レーザ基本波の２倍波に対し
て高い反射率を有することを構成上の特徴とした。
【００２１】また、請求項５に係る固定レーザ装置で
は、上記固体レーザ装置において、前記レーザ基本波に
対する部分反射率は１００％未満であることを構成上の
特徴とした。
は、上記固体レーザ装置において、前記レーザ基本波に
対する部分反射率は１００％未満であることを構成上の
特徴とした。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、この発明につき図面を参照
しつつ詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこ
の発明が何ら限定されるものではない。
しつつ詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこ
の発明が何ら限定されるものではない。
【００２３】（実施の形態１）具体的には、この発明に
係る固体レーザ装置は、励起用の半導体レーザと、集光
用光学素子系、共振器用後部ミラー、レーザ結晶、周波
数選択素子、ポッケルスセル／波長変換複合動作素子、
共振器用出力ミラーの順で配置構成されている。
係る固体レーザ装置は、励起用の半導体レーザと、集光
用光学素子系、共振器用後部ミラー、レーザ結晶、周波
数選択素子、ポッケルスセル／波長変換複合動作素子、
共振器用出力ミラーの順で配置構成されている。
【００２４】前記半導体レーザには、前記レーザ結晶の
吸収波長に合わせた発振波長を持つものを採用する。ま
た、当該半導体レーザは、外気温度や電流注入により半
導体レーザ温度が変動し、波長がずれることを防止する
ために温度調節機構を設ける。
吸収波長に合わせた発振波長を持つものを採用する。ま
た、当該半導体レーザは、外気温度や電流注入により半
導体レーザ温度が変動し、波長がずれることを防止する
ために温度調節機構を設ける。
【００２５】また、前記共振器用後部ミラーには、前記
レーザ結晶の励起側端面に誘電体コーティングにより施
す。この共振器用後部ミラーの反射率は、励起用の半導
体レーザの発振波長に対して透過率が高く、レーザ基本
波長およびレーザ２倍波長に対して反射率を高くするよ
うにする。また、レーザ結晶の他端面にも誘電体コーテ
ィングが施し、その反射率はレーザ基本波長およびレー
ザ２倍波長に対して透過率が高くなるようにする。
レーザ結晶の励起側端面に誘電体コーティングにより施
す。この共振器用後部ミラーの反射率は、励起用の半導
体レーザの発振波長に対して透過率が高く、レーザ基本
波長およびレーザ２倍波長に対して反射率を高くするよ
うにする。また、レーザ結晶の他端面にも誘電体コーテ
ィングが施し、その反射率はレーザ基本波長およびレー
ザ２倍波長に対して透過率が高くなるようにする。
【００２６】また、前記周波数選択素子には、エタロン
素子を用いる。
素子を用いる。
【００２７】つぎに、前記ポッケルスセル／波長変換複
合動作素子には、その両端にレーザ基本波長およびレー
ザ２倍波長に対して透過率が高くなるように誘電体コー
ティングを施す。さらに、電気光学効果の大きい結晶軸
方向に高電圧パルスが印加できるように、金属膜による
電極コーティングを施す。
合動作素子には、その両端にレーザ基本波長およびレー
ザ２倍波長に対して透過率が高くなるように誘電体コー
ティングを施す。さらに、電気光学効果の大きい結晶軸
方向に高電圧パルスが印加できるように、金属膜による
電極コーティングを施す。
【００２８】前記共振器用出力ミラーは、共振器長に合
わせた曲率半径を持つ凹面ミラーであり、その材料には
光学ガラス材料を用いる。また、当該レーザ出力ミラー
の反射率は、レーザ基本波長に対して反射率が高く、レ
ーザ２倍波長に対して透過率が高くなるように誘電体コ
ーティングを施す。
わせた曲率半径を持つ凹面ミラーであり、その材料には
光学ガラス材料を用いる。また、当該レーザ出力ミラー
の反射率は、レーザ基本波長に対して反射率が高く、レ
ーザ２倍波長に対して透過率が高くなるように誘電体コ
ーティングを施す。
【００２９】つぎに、上記実施の形態１に係る固体レー
ザ装置の動作について説明する。まず、前記半導体レー
ザより出射された励起光は集光用光学素子系を通過後、
前記レーザ結晶に入射される。このレーザ結晶内では、
励起光を吸収し、レーザ基本波長の蛍光を発生する。そ
して、この蛍光がレーザ共振器内で繰り返し往復して誘
電放出を起こし、レーザ発振に至る。
ザ装置の動作について説明する。まず、前記半導体レー
ザより出射された励起光は集光用光学素子系を通過後、
前記レーザ結晶に入射される。このレーザ結晶内では、
励起光を吸収し、レーザ基本波長の蛍光を発生する。そ
して、この蛍光がレーザ共振器内で繰り返し往復して誘
電放出を起こし、レーザ発振に至る。
【００３０】ここで、前記ポッケルスセルに対して高電
圧パルスを印加していないと、当該ポッケルスセルがλ
／４板として動作し、レーザ基本波の偏光方向が９０°
回転する。この結果、共振器パラメータの一つであるＱ
値が低くなり、レーザ発振には至らない。
圧パルスを印加していないと、当該ポッケルスセルがλ
／４板として動作し、レーザ基本波の偏光方向が９０°
回転する。この結果、共振器パラメータの一つであるＱ
値が低くなり、レーザ発振には至らない。
【００３１】一方、前記ポッケルスセルに対して高電圧
パルスを印加すると、当該ポッケルスセルが０波長板と
して動作し、レーザ発振が開始する。この際、電圧印加
前のレーザ結晶はレーザ発振が止められて強励起状態に
なっているため、レーザ発振の開始と共に蓄えられてい
たエネルギーを放出する。このため、高ピーク出力のレ
ーザ出力が得られる。
パルスを印加すると、当該ポッケルスセルが０波長板と
して動作し、レーザ発振が開始する。この際、電圧印加
前のレーザ結晶はレーザ発振が止められて強励起状態に
なっているため、レーザ発振の開始と共に蓄えられてい
たエネルギーを放出する。このため、高ピーク出力のレ
ーザ出力が得られる。
【００３２】また、前記波長変換複合動作素子によるレ
ーザ基本波からレーザ２倍波への変換を効率よくするた
め、前記ポッケルスセルに非線形光学効果の大きい材料
を用い、発振するレーザ基本波を共振器内に閉じこめる
ことで、変換効率を大きくできる。また、波長変換の変
換効率は非線形結晶に入射するレーザ基本波のパワーの
２乗に比例する。そこで、共振器内部におけるレーザ基
本波の大きいパワーを利用し、レーザ２倍波の出力を大
きく取ることができる。
ーザ基本波からレーザ２倍波への変換を効率よくするた
め、前記ポッケルスセルに非線形光学効果の大きい材料
を用い、発振するレーザ基本波を共振器内に閉じこめる
ことで、変換効率を大きくできる。また、波長変換の変
換効率は非線形結晶に入射するレーザ基本波のパワーの
２乗に比例する。そこで、共振器内部におけるレーザ基
本波の大きいパワーを利用し、レーザ２倍波の出力を大
きく取ることができる。
【００３３】また、前記周波数選択素子は、発振するレ
ーザ基本波の周波数を選択する。
ーザ基本波の周波数を選択する。
【００３４】（実施の形態２）実施の形態２に係る固体
レーザ装置は、実施の形態１の構成と略同様であるが、
前記周波数選択素子を取り除いた点が異なる。その代わ
りに、レーザ結晶の誘電体コーティングを、励起側端面
に、励起用の半導体レーザの発振波長に対して透過率が
高く、レーザ基本波長およびレーザ２倍波長に対して反
射率が高くなるように、誘電体コーティングを施す。ま
た、他端面には、レーザ基本波長に対して部分反射率を
持たせ、レーザ２倍波長に対して透過率を大きくなるよ
うに誘電体コーティングを施す。
レーザ装置は、実施の形態１の構成と略同様であるが、
前記周波数選択素子を取り除いた点が異なる。その代わ
りに、レーザ結晶の誘電体コーティングを、励起側端面
に、励起用の半導体レーザの発振波長に対して透過率が
高く、レーザ基本波長およびレーザ２倍波長に対して反
射率が高くなるように、誘電体コーティングを施す。ま
た、他端面には、レーザ基本波長に対して部分反射率を
持たせ、レーザ２倍波長に対して透過率を大きくなるよ
うに誘電体コーティングを施す。
【００３５】この固体レーザ装置では、実施の形態１に
おける周波数選択素子の効果を前記レーザ結晶に持たせ
ている。このため、固体レーザ装置の動作は、実施の形
態１の動作と略同様となる。
おける周波数選択素子の効果を前記レーザ結晶に持たせ
ている。このため、固体レーザ装置の動作は、実施の形
態１の動作と略同様となる。
【００３６】（実施の形態３）実施の形態３の固体レー
ザ装置は、実施の形態２の構成と略同様であるが、レー
ザ結晶の誘電体コーティングを、共振器側端面に、レー
ザ基本波長に対して部分反射率を持たせ、レーザ２倍波
長に対して反射率が高くなるように誘電体コーティング
を施した点が異なる。このようにすることで、レーザ２
倍波がレーザ結晶中に入射しなくなる。
ザ装置は、実施の形態２の構成と略同様であるが、レー
ザ結晶の誘電体コーティングを、共振器側端面に、レー
ザ基本波長に対して部分反射率を持たせ、レーザ２倍波
長に対して反射率が高くなるように誘電体コーティング
を施した点が異なる。このようにすることで、レーザ２
倍波がレーザ結晶中に入射しなくなる。
【００３７】
【実施例】つぎに、図を用いてこの発明の構成・動作を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００３８】（実施例１）図１は、実施例１にかかる固
体レーザ装置１００の構成図である。この固体レーザ装
置１００は、実施の形態１の実施例であり、半導体レー
ザ１と、レーザ結晶３と、エタロン素子４と、非線形波
長変換素子５と、出力ミラー７とから構成される。
体レーザ装置１００の構成図である。この固体レーザ装
置１００は、実施の形態１の実施例であり、半導体レー
ザ１と、レーザ結晶３と、エタロン素子４と、非線形波
長変換素子５と、出力ミラー７とから構成される。
【００３９】半導体レーザ１はシングルストライプ半導
体レーザであり、波長は８０９ｎｍ、出力は最大１Ｗで
ある。ストライプ幅は１００μｍであるから、発光サイ
ズは１００×１μｍ程度となる。また、発光波長をレー
ザ結晶３の吸収特性に合わせるため、サーモモジュール
（T-E Cooler）と放熱用銅ブロック２を用いて半導体レ
ーザ１を冷却している。
体レーザであり、波長は８０９ｎｍ、出力は最大１Ｗで
ある。ストライプ幅は１００μｍであるから、発光サイ
ズは１００×１μｍ程度となる。また、発光波長をレー
ザ結晶３の吸収特性に合わせるため、サーモモジュール
（T-E Cooler）と放熱用銅ブロック２を用いて半導体レ
ーザ１を冷却している。
【００４０】レーザ結晶３にはＮｄ：ＹＶＯ4 を使用
し、そのＮｄ濃度は１．０ａｔ％となる。また、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶の大きさは、光軸方向の厚みが１ｍｍとな
っており、光軸に対して垂直な面は縦３ｍｍ、横３ｍｍ
となっている。
し、そのＮｄ濃度は１．０ａｔ％となる。また、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶の大きさは、光軸方向の厚みが１ｍｍとな
っており、光軸に対して垂直な面は縦３ｍｍ、横３ｍｍ
となっている。
【００４１】また、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶は、当該Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶のｃ軸が半導体レーザ１の偏光方向に一致
するように配置される。さらに、半導体レーザ１側の端
面には、レーザ基本波である波長１０６４ｎｍの光に対
して反射率が９９．９％、レーザ２倍波である波長５３
２ｎｍの光に対して反射率が９９．９％、半導体レーザ
１からの励起光である波長８０９ｎｍの光に対して透過
率が９５％となるように、誘電体多層膜によるコーティ
ングが施される。
ＹＶＯ4 結晶のｃ軸が半導体レーザ１の偏光方向に一致
するように配置される。さらに、半導体レーザ１側の端
面には、レーザ基本波である波長１０６４ｎｍの光に対
して反射率が９９．９％、レーザ２倍波である波長５３
２ｎｍの光に対して反射率が９９．９％、半導体レーザ
１からの励起光である波長８０９ｎｍの光に対して透過
率が９５％となるように、誘電体多層膜によるコーティ
ングが施される。
【００４２】また、レーザ共振器側となる他端面は、レ
ーザ基本波である波長１０６４ｎｍの光に対して透過率
が９９．９％、レーザ２倍波である波長５３２ｎｍの光
に対して透過率が９９．９％となるように、誘電体多層
膜によるコーティングが施される。
ーザ基本波である波長１０６４ｎｍの光に対して透過率
が９９．９％、レーザ２倍波である波長５３２ｎｍの光
に対して透過率が９９．９％となるように、誘電体多層
膜によるコーティングが施される。
【００４３】エタロン素子４は、厚さ０．５ｍｍの光学
硝子（ＢＫ−７）を使用しており、表面は光学素子用の
研磨のみを施し、反射防止や光反射膜などの誘電体コー
ティングは施さない。
硝子（ＢＫ−７）を使用しており、表面は光学素子用の
研磨のみを施し、反射防止や光反射膜などの誘電体コー
ティングは施さない。
【００４４】第２高調波発生用かつＱスイッチ用の非線
形波長変換素子（ポッケルスセル）５には、ＫＴＰ結晶
を使用する。このＫＴＰ結晶の両端面には、レーザ基本
波である波長１０６４ｎｍの光に対して透過率が９９．
９％、レーザ２倍波である波長５３２ｎｍの光に対して
透過率が９９．９％になるように誘電体多層膜によるコ
ーティングを施す。
形波長変換素子（ポッケルスセル）５には、ＫＴＰ結晶
を使用する。このＫＴＰ結晶の両端面には、レーザ基本
波である波長１０６４ｎｍの光に対して透過率が９９．
９％、レーザ２倍波である波長５３２ｎｍの光に対して
透過率が９９．９％になるように誘電体多層膜によるコ
ーティングを施す。
【００４５】また、ＫＴＰ結晶の配置は、ＴＹＰＥＩＩ
位相整合を実現するために当該ＫＴＰ結晶のｃ軸方向が
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のｃ軸と４５°をなすようにする。
なお、ＫＴＰ結晶の大きさは、光軸方向の厚みが５ｍ
ｍ、ｃ軸方向の厚みが１ｍｍ、他方向の厚みが３ｍｍで
ある。また、ＫＰＴ結晶はθ＝９０°、φ＝２３．４°
でカットされている。電極は、Ｑスイッチ用高圧パルス
を印加するため、ｃ軸方向に電界がかかるように配置さ
れる。
位相整合を実現するために当該ＫＴＰ結晶のｃ軸方向が
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のｃ軸と４５°をなすようにする。
なお、ＫＴＰ結晶の大きさは、光軸方向の厚みが５ｍ
ｍ、ｃ軸方向の厚みが１ｍｍ、他方向の厚みが３ｍｍで
ある。また、ＫＰＴ結晶はθ＝９０°、φ＝２３．４°
でカットされている。電極は、Ｑスイッチ用高圧パルス
を印加するため、ｃ軸方向に電界がかかるように配置さ
れる。
【００４６】出力ミラー７は、基本材料として光学硝子
（ＢＫ−７）が使用され、その形状は、曲率半径５０ｍ
ｍの凹面鏡となっている。そのため、共振器長は約２５
ｍｍとなる。この出力ミラー７の表面には、レーザ基本
波である波長１０６４ｎｍの光に対して反射率が９９．
９％、レーザ２倍波である波長５３２ｎｍの光に対して
透過率が９５％になるように、誘電体多層膜によるコー
ティングが施される。
（ＢＫ−７）が使用され、その形状は、曲率半径５０ｍ
ｍの凹面鏡となっている。そのため、共振器長は約２５
ｍｍとなる。この出力ミラー７の表面には、レーザ基本
波である波長１０６４ｎｍの光に対して反射率が９９．
９％、レーザ２倍波である波長５３２ｎｍの光に対して
透過率が９５％になるように、誘電体多層膜によるコー
ティングが施される。
【００４７】つぎに、固体レーザ装置１００の動作につ
いて説明する。まず、半導体レーザ１によりレーザ結晶
３（Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶）を励起しレーザ基本波である
波長１０６４ｎｍのレーザ光を発生させる。
いて説明する。まず、半導体レーザ１によりレーザ結晶
３（Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶）を励起しレーザ基本波である
波長１０６４ｎｍのレーザ光を発生させる。
【００４８】つぎに、ＫＰＴ結晶に高電圧パルスが印加
されていない場合、当該ＫＰＴ結晶がレーザ共振器内で
レーザ基本波に対するλ／４板として動作するため、レ
ーザ基本波の偏光方向がレーザ共振器を往復する際に９
０°回転され、レーザ発振が抑制される。しかし、半導
体レーザ１によるＮｄ：ＹＶＯ4 結晶への励起は継続し
て行われるため、強励起状態になっている。
されていない場合、当該ＫＰＴ結晶がレーザ共振器内で
レーザ基本波に対するλ／４板として動作するため、レ
ーザ基本波の偏光方向がレーザ共振器を往復する際に９
０°回転され、レーザ発振が抑制される。しかし、半導
体レーザ１によるＮｄ：ＹＶＯ4 結晶への励起は継続し
て行われるため、強励起状態になっている。
【００４９】一方、ＫＰＴ結晶に７００Ｖ程度で繰り返
し周波数１００Ｈｚ、パルス幅５００ｎｓの高電圧パル
スを印加すると、ＫＴＰ結晶がレーザ共振器内で０波長
板として動作するため、レーザ発振が実現されＱスイッ
チレーザとして動作する。
し周波数１００Ｈｚ、パルス幅５００ｎｓの高電圧パル
スを印加すると、ＫＴＰ結晶がレーザ共振器内で０波長
板として動作するため、レーザ発振が実現されＱスイッ
チレーザとして動作する。
【００５０】この際、出力ミラー７には、レーザ基本波
である波長１０６４ｎｍに対して高い反射率を持たせ、
かつ、レーザ２倍波である波長５３２ｎｍに対しては高
い透過率を持たせているから、レーザ基本波がレーザ共
振器内に閉じこめられて当該レーザ共振器内の光強度が
上昇し、ＫＴＰ結晶による２倍波への変換を効率良く行
える。
である波長１０６４ｎｍに対して高い反射率を持たせ、
かつ、レーザ２倍波である波長５３２ｎｍに対しては高
い透過率を持たせているから、レーザ基本波がレーザ共
振器内に閉じこめられて当該レーザ共振器内の光強度が
上昇し、ＫＴＰ結晶による２倍波への変換を効率良く行
える。
【００５１】以上の構成によれば、レーザ基本波を２倍
波に効率よく変換でき、レーザ２倍波の高ピーク出力が
得られる。
波に効率よく変換でき、レーザ２倍波の高ピーク出力が
得られる。
【００５２】また、エタロン素子４を共振器内に配置す
ることで、出力ピーク低下の原因となるレーザ基本波の
縦モード数を減少させ、高出力化することができる。
ることで、出力ピーク低下の原因となるレーザ基本波の
縦モード数を減少させ、高出力化することができる。
【００５３】図２に、この実施例１の構成によるレーザ
出力特性を示す。また、図３に、最大出力の出力光パル
ス波形を示す。このように、７８０ｍＷ励起時におい
て、最大出力が１５００Ｗとなった。従来例による最大
出力は２３０Ｗ（図示せず）であるから、エタロン素子
４の配置により著しい高出力化が実現できたことが判
る。また、７８０ｍＷ励起時のパルス幅は５．６ｎｓで
あり、エネルギーとしては８．４μＪの高エネルギー出
力が得られた。
出力特性を示す。また、図３に、最大出力の出力光パル
ス波形を示す。このように、７８０ｍＷ励起時におい
て、最大出力が１５００Ｗとなった。従来例による最大
出力は２３０Ｗ（図示せず）であるから、エタロン素子
４の配置により著しい高出力化が実現できたことが判
る。また、７８０ｍＷ励起時のパルス幅は５．６ｎｓで
あり、エネルギーとしては８．４μＪの高エネルギー出
力が得られた。
【００５４】（実施例２）図４は、実施例２にかかる固
体レーザ装置１００の構成図である。
体レーザ装置１００の構成図である。
【００５５】この固体レーザ装置２００は、実施の形態
２の実施例であり、半導体レーザ１と、半導体レーザ集
光用の光学系２０と、レーザ結晶２４と、非線形波長変
換素子５と、出力ミラー７とで構成されている。なお、
半導体レーザ１と、非線形波長変換素子５と、出力ミラ
ー７とは実施例１と同様のものである。
２の実施例であり、半導体レーザ１と、半導体レーザ集
光用の光学系２０と、レーザ結晶２４と、非線形波長変
換素子５と、出力ミラー７とで構成されている。なお、
半導体レーザ１と、非線形波長変換素子５と、出力ミラ
ー７とは実施例１と同様のものである。
【００５６】半導体レーザ集光用の光学系２０は、半導
体レーザの半導体積層膜面と垂直方向に出射される方向
の光成分をコリメートするφ０．３ｍｍのロッドレンズ
２１と、半導体レーザの半導体積層膜面と並行方向に出
射される方向の光成分をコリメートするφ１．６ｍｍの
ロッドレンズと、焦点距離３．３ｍｍの非球面レンズで
ある集光レンズ２３とを順次配置した構成である。励起
光は、この光学系２０を通過して、レーザ結晶２４に入
射する。
体レーザの半導体積層膜面と垂直方向に出射される方向
の光成分をコリメートするφ０．３ｍｍのロッドレンズ
２１と、半導体レーザの半導体積層膜面と並行方向に出
射される方向の光成分をコリメートするφ１．６ｍｍの
ロッドレンズと、焦点距離３．３ｍｍの非球面レンズで
ある集光レンズ２３とを順次配置した構成である。励起
光は、この光学系２０を通過して、レーザ結晶２４に入
射する。
【００５７】レーザ結晶２４にはＮｄ：ＹＶＯ4 を使用
し、そのＮｄ濃度は１．０ａｔ％となる。また、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶の大きさは、光軸方向の厚みが０．５ｍｍ
となっており、光軸に対して垂直な面は縦３ｍｍ、横３
ｍｍとなっている。
し、そのＮｄ濃度は１．０ａｔ％となる。また、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶の大きさは、光軸方向の厚みが０．５ｍｍ
となっており、光軸に対して垂直な面は縦３ｍｍ、横３
ｍｍとなっている。
【００５８】また、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶は、当該Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶のｃ軸が半導体レーザ１の偏光方向に一致
するように配置される。さらに、半導体レーザ１側の端
面には、レーザ基本波である波長１０６４ｎｍの光に対
して反射率が９９．９％、半導体レーザ１からの励起光
である波長８０９ｎｍの光に対して透過率が９５％とな
るように、誘電体多層膜によるコーティングが施され
る。
ＹＶＯ4 結晶のｃ軸が半導体レーザ１の偏光方向に一致
するように配置される。さらに、半導体レーザ１側の端
面には、レーザ基本波である波長１０６４ｎｍの光に対
して反射率が９９．９％、半導体レーザ１からの励起光
である波長８０９ｎｍの光に対して透過率が９５％とな
るように、誘電体多層膜によるコーティングが施され
る。
【００５９】また、レーザ共振器側となる他端面には、
レーザ基本波である波長１０６４ｎｍの光に対して部分
反射率を持たせ、その反射率は１０％とする。また、レ
ーザ２倍波である波長５３２ｎｍの光に対して反射率が
９９．９％となるように、半導体レーザ１からの励起光
である波長８０９ｎｍの光に対して反射率が９５％とな
るように、誘電体多層膜によるコーティングが施され
る。
レーザ基本波である波長１０６４ｎｍの光に対して部分
反射率を持たせ、その反射率は１０％とする。また、レ
ーザ２倍波である波長５３２ｎｍの光に対して反射率が
９９．９％となるように、半導体レーザ１からの励起光
である波長８０９ｎｍの光に対して反射率が９５％とな
るように、誘電体多層膜によるコーティングが施され
る。
【００６０】以上のように構成すれば、励起光である８
０９ｎｍの光については光路長が１．０ｍｍとなり十分
吸収が行われ、かつ、厚さを０．５ｍｍにできるため、
レーザ結晶によるエタロン効果を大きくできることにな
る。
０９ｎｍの光については光路長が１．０ｍｍとなり十分
吸収が行われ、かつ、厚さを０．５ｍｍにできるため、
レーザ結晶によるエタロン効果を大きくできることにな
る。
【００６１】この固体レーザ装置２００の動作は、実施
例１の固体レーザ装置１００と略同様である。この固体
レーザ装置２００の動作の特徴は、レーザ結晶２４のレ
ーザ共振器側の端面に、レーザ基本波に対して約１０％
程度の部分反射率を持たせ、かつ、レーザ２倍波に対し
て高い反射率を持たせ、レーザ結晶２４にエタロン効果
を持たせたことである。これにより、レーザ基本波の縦
モード数を減少させ、さらに、レーザ結晶２４へのレー
ザ２倍波の入射を抑えてアップコンバージョンを防止す
ることができる。この結果、さらにレーザ２倍波の高出
力化が行われる。
例１の固体レーザ装置１００と略同様である。この固体
レーザ装置２００の動作の特徴は、レーザ結晶２４のレ
ーザ共振器側の端面に、レーザ基本波に対して約１０％
程度の部分反射率を持たせ、かつ、レーザ２倍波に対し
て高い反射率を持たせ、レーザ結晶２４にエタロン効果
を持たせたことである。これにより、レーザ基本波の縦
モード数を減少させ、さらに、レーザ結晶２４へのレー
ザ２倍波の入射を抑えてアップコンバージョンを防止す
ることができる。この結果、さらにレーザ２倍波の高出
力化が行われる。
【００６２】なお、上記実施例において、励起用の半導
体レーザとして出力１Ｗのシングルストライプ半導体レ
ーザを用いたが、これに限られず、例えば、出力１０Ｗ
クラスのファイバー出力半導体レーザを用いるようにし
てもよい。また、レーザ結晶としてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶
を用いたが、例えば、Ｎｄ：ＬＳＢ（ＬａＳｃ3 （ＢＯ
3 ）4 ）などとしてもよい。また、ポッケルスセル／非
線形光学素子としてＫＴＰ結晶を用いたが、電気光学効
果が大きく且つ有効非線形定数が大きい材料ならばこれ
に限られない。
体レーザとして出力１Ｗのシングルストライプ半導体レ
ーザを用いたが、これに限られず、例えば、出力１０Ｗ
クラスのファイバー出力半導体レーザを用いるようにし
てもよい。また、レーザ結晶としてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶
を用いたが、例えば、Ｎｄ：ＬＳＢ（ＬａＳｃ3 （ＢＯ
3 ）4 ）などとしてもよい。また、ポッケルスセル／非
線形光学素子としてＫＴＰ結晶を用いたが、電気光学効
果が大きく且つ有効非線形定数が大きい材料ならばこれ
に限られない。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の固体レ
ーザ装置によれば、レーザ共振器内部に周波数選択素子
を配置し（請求項１）、さらに、その周波数選択素子と
して好ましいエタロン素子を用いた（請求項２）。この
ため、レーザ基本波の縦モード数を低減させてＱスイッ
チの効率を向上させることができ、レーザ出力を高出力
化できる。
ーザ装置によれば、レーザ共振器内部に周波数選択素子
を配置し（請求項１）、さらに、その周波数選択素子と
して好ましいエタロン素子を用いた（請求項２）。この
ため、レーザ基本波の縦モード数を低減させてＱスイッ
チの効率を向上させることができ、レーザ出力を高出力
化できる。
【００６４】また、この発明の固体レーザ装置（請求項
３）によれば、レーザ結晶の共振器側の一方の端面に上
記レーザ基本波に対して部分反射率を持たせることで、
上記周波数選択素子（請求項１、２）の機能をレーザ結
晶に持たせた。このため、部品点数を低減でき、低コス
ト化が図れる。
３）によれば、レーザ結晶の共振器側の一方の端面に上
記レーザ基本波に対して部分反射率を持たせることで、
上記周波数選択素子（請求項１、２）の機能をレーザ結
晶に持たせた。このため、部品点数を低減でき、低コス
ト化が図れる。
【００６５】また、この発明の固体レーザ装置（請求項
４）によれば、レーザ結晶の共振器側の一方の端面に上
記レーザ基本波に対して部分反射率を持たせ、かつ、レ
ーザ２倍波に対して高い反射率を持たせた。このため、
レーザ２倍波がレーザ結晶へ入射するのを抑えられるた
め、レーザ結晶のアップコンバージョンを防止できる。
この結果、レーザ基本波の偏光特性を低下させることが
なくなり、さらに高出力化が図れる。
４）によれば、レーザ結晶の共振器側の一方の端面に上
記レーザ基本波に対して部分反射率を持たせ、かつ、レ
ーザ２倍波に対して高い反射率を持たせた。このため、
レーザ２倍波がレーザ結晶へ入射するのを抑えられるた
め、レーザ結晶のアップコンバージョンを防止できる。
この結果、レーザ基本波の偏光特性を低下させることが
なくなり、さらに高出力化が図れる。
【００６６】また、この発明の固体レーザ装置（請求項
５）によれば、請求項３、４における部分反射率を１０
０％未満に設定することで、さらに高出力化が実現でき
る。
５）によれば、請求項３、４における部分反射率を１０
０％未満に設定することで、さらに高出力化が実現でき
る。
【図１】この発明の実施例１に係る固体レーザ装置の構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図２】図１に示した固体レーザ装置のレーザ出力特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図３】図１に示した固体レーザ装置の最大出力の出力
光パルス波形を示すグラフである。
光パルス波形を示すグラフである。
【図４】この発明の実施例２に係る固体レーザ装置の構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図５】従来における固体レーザ装置の構成を示す説明
図である。
図である。
【図６】従来における固体レーザ装置の構成を示す説明
図である。
図である。
１００ 固体レーザ装置 １ 半導体レーザ ３ レーザ結晶 ４ エタロン素子 ５ 非線形波長変換素子 ７ 出力ミラー
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ結晶と、当該レーザ結晶を励起す
る半導体レーザと、レーザ基本波を発振させる共振器
と、当該共振器内のレーザ基本波偏光を変化させる偏光
制御素子と、を具備してなり、前記偏光制御素子が、前
記共振器内で発振しているレーザ基本波の周波数を２倍
に変換する非線形光学結晶である固体レーザ装置におい
て、 前記共振器に周波数選択素子を配設したことを特徴とす
る固体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記周波数選択素子が、エタロン素子で
あることを特徴とする請求項１に記載の固定レーザ装
置。 - 【請求項３】 レーザ結晶と、当該レーザ結晶を励起す
る半導体レーザと、レーザ基本波を発振させる共振器
と、当該共振器内のレーザ基本波偏光を変化させる偏光
制御素子と、を具備してなり、前記偏光制御素子が、前
記共振器内で発振しているレーザ基本波の周波数を２倍
に変換する非線形光学結晶である固体レーザ装置におい
て、 前記レーザ結晶の一方の端面が、前記レーザ基本波に対
して所定の部分反射率を有することを特徴とする固体レ
ーザ装置。 - 【請求項４】 さらに、前記レーザ結晶の一方の端面
が、前記レーザ基本波の２倍波に対して高い反射率を有
することを特徴とする請求項３に記載の固定レーザ装
置。 - 【請求項５】 前記レーザ基本波に対する部分反射率は
１００％未満であることを特徴とする請求項３または４
に記載の固定レーザ装置。
Priority Applications (2)
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP8255386A JPH1084155A (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 固体レーザ装置 |
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Family Applications (1)
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