JPH08125254A - 波長変換固体レーザー - Google Patents
波長変換固体レーザーInfo
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- H01S3/1648—Solid materials characterised by a crystal matrix halide with the formula XYZF6 (Colquiriite structure), wherein X is Li, Na, K or Rb, Y is Mg, Ca, Sr, Cd or Ba and Z is Al, Sc or Ga
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高効率で紫外レーザー光を発生させることが
できる波長変換固体レーザーを得る。 【構成】 Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14等のフォノン系の固
体レーザー結晶を半導体レーザー11から発せられたポン
ピング光10によって励起し、それによって発せられた固
体レーザービーム19と上記ポンピング光10とをＭｇＯ：
ＬＮ結晶16等の非線形光学結晶に通して、それらの和周
波20を発生させる。
できる波長変換固体レーザーを得る。 【構成】 Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14等のフォノン系の固
体レーザー結晶を半導体レーザー11から発せられたポン
ピング光10によって励起し、それによって発せられた固
体レーザービーム19と上記ポンピング光10とをＭｇＯ：
ＬＮ結晶16等の非線形光学結晶に通して、それらの和周
波20を発生させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は波長変換固体レーザーに
関し、特に詳細には、紫外光を発生し得る波長変換固体
レーザーに関するものである。
関し、特に詳細には、紫外光を発生し得る波長変換固体
レーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、紫外域のレーザー光を発生する固
体レーザーとしては、基本波としての固体レーザービー
ムを２つの非線形光学結晶に通して、この基本波を第４
高調波や第３高調波（基本波とその第２高調波の和周
波）に変換させるものが知られている。
体レーザーとしては、基本波としての固体レーザービー
ムを２つの非線形光学結晶に通して、この基本波を第４
高調波や第３高調波（基本波とその第２高調波の和周
波）に変換させるものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしこのような従来
の波長変換固体レーザーは、高次の高調波を発生させる
ものであるため、非常に効率が悪くなっていた。そこ
で、このようにして紫外光を発生させる波長変換固体レ
ーザーはランプ励起のＱスイッチ・タイプのものに限ら
れており、半導体レーザー励起で連続動作が可能な紫外
線固体レーザーは得られていなかった。
の波長変換固体レーザーは、高次の高調波を発生させる
ものであるため、非常に効率が悪くなっていた。そこ
で、このようにして紫外光を発生させる波長変換固体レ
ーザーはランプ励起のＱスイッチ・タイプのものに限ら
れており、半導体レーザー励起で連続動作が可能な紫外
線固体レーザーは得られていなかった。
【０００４】また、上述のような従来の波長変換固体レ
ーザーは、基本波の発振波長が限定されているので、任
意の波長の紫外光を得ることはできなかった。
ーザーは、基本波の発振波長が限定されているので、任
意の波長の紫外光を得ることはできなかった。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、高効率で紫外光を発生させることができ、さら
には、任意の波長の紫外光を得ることもできる波長変換
固体レーザーを提供することを目的とするものである。
であり、高効率で紫外光を発生させることができ、さら
には、任意の波長の紫外光を得ることもできる波長変換
固体レーザーを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の波長
変換固体レーザーは、フォノン系の固体レーザー結晶、
つまり電子、格子相互作用による振動電子遷移による発
振が可能な固体レーザー結晶と、この固体レーザー結晶
を励起するポンピング光を発する半導体レーザーと、レ
ーザー共振器と、発振波長を選択する波長選択素子と、
この波長選択素子によって波長が選択された固体レーザ
ービームと、上記ポンピング光との和周波を発生させる
非線形光学結晶とからなることを特徴とするものであ
る。
変換固体レーザーは、フォノン系の固体レーザー結晶、
つまり電子、格子相互作用による振動電子遷移による発
振が可能な固体レーザー結晶と、この固体レーザー結晶
を励起するポンピング光を発する半導体レーザーと、レ
ーザー共振器と、発振波長を選択する波長選択素子と、
この波長選択素子によって波長が選択された固体レーザ
ービームと、上記ポンピング光との和周波を発生させる
非線形光学結晶とからなることを特徴とするものであ
る。
【０００７】また本発明による第２の波長変換固体レー
ザーは、フォノン系の固体レーザー結晶と、この固体レ
ーザー結晶を励起するポンピング光を発する半導体レー
ザーと、この半導体レーザーとは別に設けられた基本波
発生用半導体レーザーと、レーザー共振器と、発振波長
を選択する波長選択素子と、この波長選択素子によって
波長が選択された固体レーザービームと、上記基本波発
生用半導体レーザーから発せられたレーザービームとの
和周波を発生させる非線形光学結晶とからなることを特
徴とするものである。
ザーは、フォノン系の固体レーザー結晶と、この固体レ
ーザー結晶を励起するポンピング光を発する半導体レー
ザーと、この半導体レーザーとは別に設けられた基本波
発生用半導体レーザーと、レーザー共振器と、発振波長
を選択する波長選択素子と、この波長選択素子によって
波長が選択された固体レーザービームと、上記基本波発
生用半導体レーザーから発せられたレーザービームとの
和周波を発生させる非線形光学結晶とからなることを特
徴とするものである。
【０００８】なお、上記フォノン系の固体レーザー結晶
としては、例えば米国特許第5,260,963 号明細書に記載
されているＣｒ：ＬｉＳＡＦ（Ｃｒ3+：ＬｉＳｒＡｌＦ
6 ）結晶や、Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ（Ｃｒ3+：ＬｉＣａＡｌ
Ｆ6 ）結晶が好適に用いられる。
としては、例えば米国特許第5,260,963 号明細書に記載
されているＣｒ：ＬｉＳＡＦ（Ｃｒ3+：ＬｉＳｒＡｌＦ
6 ）結晶や、Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ（Ｃｒ3+：ＬｉＣａＡｌ
Ｆ6 ）結晶が好適に用いられる。
【０００９】また上記波長選択素子としては、レーザー
共振器内に配される複屈折フィルター、プリズムあるい
はグレーティング等を用いることができるが、望ましく
は、選択波長を変えられるものを用いる。そのような選
択波長可変の波長選択素子としては、例えば、レーザー
光軸に対する傾き角を変えられるようにレーザー共振器
内に保持された複屈折フィルターが好適に用いられる。
共振器内に配される複屈折フィルター、プリズムあるい
はグレーティング等を用いることができるが、望ましく
は、選択波長を変えられるものを用いる。そのような選
択波長可変の波長選択素子としては、例えば、レーザー
光軸に対する傾き角を変えられるようにレーザー共振器
内に保持された複屈折フィルターが好適に用いられる。
【００１０】
【作用および発明の効果】Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶やＣ
ｒ：ＬｉＣＡＦ結晶の吸収スペクトル帯域は概ね600 〜
700 ｎｍであり、また放射スペクトル帯域は概ね750 〜
900 ｎｍである。そこで上記第１の波長変換固体レーザ
ーにおいて、ポンピング源の半導体レーザーとして、波
長600 〜700 ｎｍの波長帯の光を発するものを用い、そ
のポンピング光と750 〜900 ｎｍの波長帯の固体レーザ
ービームとの和周波を発生させれば、その和周波は波長
390 ｎｍ以下の紫外域のものとなり得る。
ｒ：ＬｉＣＡＦ結晶の吸収スペクトル帯域は概ね600 〜
700 ｎｍであり、また放射スペクトル帯域は概ね750 〜
900 ｎｍである。そこで上記第１の波長変換固体レーザ
ーにおいて、ポンピング源の半導体レーザーとして、波
長600 〜700 ｎｍの波長帯の光を発するものを用い、そ
のポンピング光と750 〜900 ｎｍの波長帯の固体レーザ
ービームとの和周波を発生させれば、その和周波は波長
390 ｎｍ以下の紫外域のものとなり得る。
【００１１】また、上記第２の波長変換固体レーザーに
おいても、ポンピング源の半導体レーザーとして上述と
同様のものを用い、そして基本波発生用半導体レーザー
として適当な発振波長のものを用いれば、この基本波発
生用半導体レーザーから発せられたレーザービームと固
体レーザービームとの和周波は紫外域のものとなり得
る。
おいても、ポンピング源の半導体レーザーとして上述と
同様のものを用い、そして基本波発生用半導体レーザー
として適当な発振波長のものを用いれば、この基本波発
生用半導体レーザーから発せられたレーザービームと固
体レーザービームとの和周波は紫外域のものとなり得
る。
【００１２】このように本発明の波長変換固体レーザー
は、半導体レーザーから発せられたレーザービームと固
体レーザービームとの和周波を発生させるものであるか
ら、高次の高調波を発生させる場合のように複数の非線
形光学結晶に基本波を通す必要がなく、効率良く、連続
動作で紫外光を発生し得るものとなる。
は、半導体レーザーから発せられたレーザービームと固
体レーザービームとの和周波を発生させるものであるか
ら、高次の高調波を発生させる場合のように複数の非線
形光学結晶に基本波を通す必要がなく、効率良く、連続
動作で紫外光を発生し得るものとなる。
【００１３】また、一方の基本波である固体レーザービ
ームの波長は、波長選択素子により上記750 〜900 ｎｍ
の範囲内で選択することができ、それにより紫外光（和
周波）の波長を自由に選択可能となる。
ームの波長は、波長選択素子により上記750 〜900 ｎｍ
の範囲内で選択することができ、それにより紫外光（和
周波）の波長を自由に選択可能となる。
【００１４】そして、波長選択素子として選択波長可変
のものを用いれば、固体レーザービームの波長を上記75
0 〜900 ｎｍの範囲内で任意に変えられるので、紫外光
（和周波）の波長を任意に変えることも可能となる。
のものを用いれば、固体レーザービームの波長を上記75
0 〜900 ｎｍの範囲内で任意に変えられるので、紫外光
（和周波）の波長を任意に変えることも可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による波
長変換固体レーザーを示すものである。この波長変換固
体レーザーは、ポンピング光としてのレーザービーム10
を発する半導体レーザー11と、発散光である上記レーザ
ービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12と、平
行光となったレーザービーム10を集束させる集光レンズ
13と、フォノン系の固体レーザー結晶であるＣｒ：Ｌｉ
ＳＡＦ結晶14と、このＣｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14の前方側
（図中右方側）に配された共振器ミラー15と、この共振
器ミラー15とＣｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14との間に配された
ＭｇＯ：ＬＮ結晶（ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ3
結晶）16と、同じく共振器ミラー15とＣｒ：ＬｉＳＡＦ
結晶14との間に配された複屈折フィルター17とからな
る。
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による波
長変換固体レーザーを示すものである。この波長変換固
体レーザーは、ポンピング光としてのレーザービーム10
を発する半導体レーザー11と、発散光である上記レーザ
ービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12と、平
行光となったレーザービーム10を集束させる集光レンズ
13と、フォノン系の固体レーザー結晶であるＣｒ：Ｌｉ
ＳＡＦ結晶14と、このＣｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14の前方側
（図中右方側）に配された共振器ミラー15と、この共振
器ミラー15とＣｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14との間に配された
ＭｇＯ：ＬＮ結晶（ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ3
結晶）16と、同じく共振器ミラー15とＣｒ：ＬｉＳＡＦ
結晶14との間に配された複屈折フィルター17とからな
る。
【００１６】上記ＭｇＯ：ＬＮ結晶16は、その自発分極
（ドメイン）が所定周期で反転された周期ドメイン反転
構造を有するものである。また複屈折フィルター17は、
例えばカルサイト（方解石）等の複屈折材料からなり、
回動可能な保持部材18に保持されて図中矢印Ａ方向、つ
まりレーザー光軸に対する傾き角が変わる方向に回動自
在とされている。
（ドメイン）が所定周期で反転された周期ドメイン反転
構造を有するものである。また複屈折フィルター17は、
例えばカルサイト（方解石）等の複屈折材料からなり、
回動可能な保持部材18に保持されて図中矢印Ａ方向、つ
まりレーザー光軸に対する傾き角が変わる方向に回動自
在とされている。
【００１７】以上の各要素は、図示しない共通の筐体に
マウントされて一体化されている。また、後述するよう
にＣｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14と共振器ミラー15とで構成さ
れる固体レーザーの共振器部分および半導体レーザー11
は、図示しないペルチェ素子と温調回路とにより所定温
度に保たれる。
マウントされて一体化されている。また、後述するよう
にＣｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14と共振器ミラー15とで構成さ
れる固体レーザーの共振器部分および半導体レーザー11
は、図示しないペルチェ素子と温調回路とにより所定温
度に保たれる。
【００１８】半導体レーザー11としては、波長690 ｎｍ
のレーザービーム10を発する出力100 ｍＷのシングルモ
ードものが用いられている。Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14の
後側端面14ａと共振器ミラー15のミラー面15ａにはそれ
ぞれ、830 ｎｍの光に対して反射率99.9％となるコーテ
ィングが施され、それらによって固体レーザーの共振器
が構成されている。
のレーザービーム10を発する出力100 ｍＷのシングルモ
ードものが用いられている。Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14の
後側端面14ａと共振器ミラー15のミラー面15ａにはそれ
ぞれ、830 ｎｍの光に対して反射率99.9％となるコーテ
ィングが施され、それらによって固体レーザーの共振器
が構成されている。
【００１９】Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14は入射した波長69
0 ｎｍのレーザービーム10によって励起されて波長830
ｎｍの光を発し、この波長830 ｎｍの光は該結晶14の後
側端面14ａおよび共振器ミラー面15ａの作用で発振す
る。こうして得られる波長830ｎｍのレーザービーム19
は共振器内に閉じ込められて、高い内部パワーが得られ
る。このレーザービーム19と、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14
に吸収されなかった波長690 ｎｍのレーザービーム10は
ＭｇＯ：ＬＮ結晶16に入射して、該ＭｇＯ：ＬＮ結晶16
により和周波20に変換される。ミラー面15ａに所定のコ
ーティングが施された共振器ミラー15からは、ほぼこの
和周波20のみが出射する。
0 ｎｍのレーザービーム10によって励起されて波長830
ｎｍの光を発し、この波長830 ｎｍの光は該結晶14の後
側端面14ａおよび共振器ミラー面15ａの作用で発振す
る。こうして得られる波長830ｎｍのレーザービーム19
は共振器内に閉じ込められて、高い内部パワーが得られ
る。このレーザービーム19と、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14
に吸収されなかった波長690 ｎｍのレーザービーム10は
ＭｇＯ：ＬＮ結晶16に入射して、該ＭｇＯ：ＬＮ結晶16
により和周波20に変換される。ミラー面15ａに所定のコ
ーティングが施された共振器ミラー15からは、ほぼこの
和周波20のみが出射する。
【００２０】ここで、レーザービーム10の波長をλLD、
レーザービーム19の波長をλFM、和周波20の波長をλ
SFG とすると、
レーザービーム19の波長をλFM、和周波20の波長をλ
SFG とすると、
【００２１】
【数１】
【００２２】である。本例ではλLD＝690 ｎｍ、λFM＝
830 ｎｍであるから、上式よりλSFG＝377 ｎｍとな
り、紫外光である和周波20が得られる。また本例におい
て、和周波20の出力は約１ｍＷである。
830 ｎｍであるから、上式よりλSFG＝377 ｎｍとな
り、紫外光である和周波20が得られる。また本例におい
て、和周波20の出力は約１ｍＷである。
【００２３】なお複屈折フィルター17は、保持部材18の
回動位置を調整することにより、波長830 ｎｍの光に対
してブリュースター角となるように、傾き角が調整され
ている。それにより固体レーザーの発振波長が830 ｎｍ
に選択され、したがって和周波20の波長が377 ｎｍに選
択される。
回動位置を調整することにより、波長830 ｎｍの光に対
してブリュースター角となるように、傾き角が調整され
ている。それにより固体レーザーの発振波長が830 ｎｍ
に選択され、したがって和周波20の波長が377 ｎｍに選
択される。
【００２４】次に図２を参照して、本発明の第２実施例
について説明する。なおこの図２において、図１中の要
素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する（以下、同様）。
について説明する。なおこの図２において、図１中の要
素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する（以下、同様）。
【００２５】この第２実施例の波長変換固体レーザーに
おいては、周期ドメイン反転構造を有するＭｇＯ：ＬＮ
結晶16に電極25、26が取り付けられ、これらの電極25、
26を介して電圧印加回路27から該結晶16に大きさ可変の
電圧が印加されるようになっている。
おいては、周期ドメイン反転構造を有するＭｇＯ：ＬＮ
結晶16に電極25、26が取り付けられ、これらの電極25、
26を介して電圧印加回路27から該結晶16に大きさ可変の
電圧が印加されるようになっている。
【００２６】この構成においては、複屈折フィルター17
の傾き角を前述のように変化させて固体レーザーの発振
波長を変えるか、あるいは半導体レーザー11の発振波長
を変え、それに応じてＭｇＯ：ＬＮ結晶16に印加する電
圧の値を変えて実効的なドメイン反転周期を変えること
により、和周波20の波長を変化させることができる。
の傾き角を前述のように変化させて固体レーザーの発振
波長を変えるか、あるいは半導体レーザー11の発振波長
を変え、それに応じてＭｇＯ：ＬＮ結晶16に印加する電
圧の値を変えて実効的なドメイン反転周期を変えること
により、和周波20の波長を変化させることができる。
【００２７】次に図３を参照して、本発明の第３実施例
について説明する。この第３実施例の波長変換固体レー
ザーにおいては、ポンピング用半導体レーザー11とは別
に基本波発生用半導体レーザー30が設けられ、そこから
発せられたレーザービーム31はコリメーターレンズ32に
よって平行光化された後、ビームスプリッタ33に入射し
てレーザービーム10と合成される。
について説明する。この第３実施例の波長変換固体レー
ザーにおいては、ポンピング用半導体レーザー11とは別
に基本波発生用半導体レーザー30が設けられ、そこから
発せられたレーザービーム31はコリメーターレンズ32に
よって平行光化された後、ビームスプリッタ33に入射し
てレーザービーム10と合成される。
【００２８】ＭｇＯ：ＬＮ結晶34は、そこに入射した上
記レーザービーム31と固体レーザービーム19との和周波
35を発生させる。この場合、レーザービーム31の波長λ
LD＝681 ｎｍ、固体レーザービーム19の波長λFM＝830
ｎｍであるとすると、前述の（数１）式より、和周波35
の波長λSFG ＝374 ｎｍとなる。
記レーザービーム31と固体レーザービーム19との和周波
35を発生させる。この場合、レーザービーム31の波長λ
LD＝681 ｎｍ、固体レーザービーム19の波長λFM＝830
ｎｍであるとすると、前述の（数１）式より、和周波35
の波長λSFG ＝374 ｎｍとなる。
【００２９】なお、ポンピング源である半導体レーザ
ー、あるいはそれと別の基本波発生用半導体レーザーと
して、マスター・オシレーター・パワー・アンプリファ
イアー（ＭＯＰＡ）型の半導体レーザー等、テーパー・
アンプ型の高出力半導体レーザーを用いてもよい。その
ような半導体レーザーによれば、出力500 ｍＷ以上のレ
ーザービームが得られるので、より高出力の紫外レーザ
ー光を発生させることができる。
ー、あるいはそれと別の基本波発生用半導体レーザーと
して、マスター・オシレーター・パワー・アンプリファ
イアー（ＭＯＰＡ）型の半導体レーザー等、テーパー・
アンプ型の高出力半導体レーザーを用いてもよい。その
ような半導体レーザーによれば、出力500 ｍＷ以上のレ
ーザービームが得られるので、より高出力の紫外レーザ
ー光を発生させることができる。
【００３０】さらに、フォノン系の固体レーザー結晶と
しては上に述べたＣｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14の他に、Ｃ
ｒ：ＬｉＣＡＦ結晶やアレキサンドライトレーザー結晶
等を用いることもできる。また非線形光学結晶も、上に
述べた周期ドメイン反転構造を有するＭｇＯ：ＬＮ結晶
に限らず、その他の公知のものが利用可能であることは
勿論である。
しては上に述べたＣｒ：ＬｉＳＡＦ結晶14の他に、Ｃ
ｒ：ＬｉＣＡＦ結晶やアレキサンドライトレーザー結晶
等を用いることもできる。また非線形光学結晶も、上に
述べた周期ドメイン反転構造を有するＭｇＯ：ＬＮ結晶
に限らず、その他の公知のものが利用可能であることは
勿論である。
【図１】本発明の第１実施例による波長変換固体レーザ
ーを示す側面図
ーを示す側面図
【図２】本発明の第２実施例による波長変換固体レーザ
ーを示す側面図
ーを示す側面図
【図３】本発明の第３実施例による波長変換固体レーザ
ーを示す側面図
ーを示す側面図
10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 12 コリメーターレンズ 13 集光レンズ 14 Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ結晶 15 共振器ミラー 16 周期ドメイン反転構造を有するＭｇＯ：ＬＮ結晶 17 複屈折フィルター 18 フィルター保持部材 19 固体レーザービーム 20 和周波 25、26 電極 27 電圧印加回路 30 基本波発生用半導体レーザー 31 レーザービーム（基本波） 32 コリメーターレンズ 33 ビームスプリッタ 34 周期ドメイン反転構造を有するＭｇＯ：ＬＮ結晶 35 和周波
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/16
Claims (7)
- 【請求項１】 フォノン系の固体レーザー結晶と、 この固体レーザー結晶を励起するポンピング光を発する
半導体レーザーと、 レーザー共振器と、 発振波長を選択する波長選択素子と、 この波長選択素子によって波長が選択された固体レーザ
ービームと、前記ポンピング光との和周波を発生させる
非線形光学結晶とからなる波長変換固体レーザー。 - 【請求項２】 フォノン系の固体レーザー結晶と、 この固体レーザー結晶を励起するポンピング光を発する
半導体レーザーと、 この半導体レーザーとは別に設けられた基本波発生用半
導体レーザーと、 レーザー共振器と、 発振波長を選択する波長選択素子と、 この波長選択素子によって波長が選択された固体レーザ
ービームと、前記基本波発生用半導体レーザーから発せ
られたレーザービームとの和周波を発生させる非線形光
学結晶とからなる波長変換固体レーザー。 - 【請求項３】 前記固体レーザー結晶がＣｒ：ＬｉＳＡ
Ｆ結晶であることを特徴とする請求項１または２記載の
波長変換固体レーザー。 - 【請求項４】 前記固体レーザー結晶がＣｒ：ＬｉＣＡ
Ｆ結晶であることを特徴とする請求項１または２記載の
波長変換固体レーザー。 - 【請求項５】 前記波長選択素子として、選択波長を変
えられるものが用いられたことを特徴とする請求項１か
ら４いずれか１項記載の波長変換固体レーザー。 - 【請求項６】 前記波長選択素子が、レーザー光軸に対
する傾き角を変えられるようにレーザー共振器内に保持
された複屈折フィルターであることを特徴とする請求項
５記載の波長変換固体レーザー。 - 【請求項７】 前記非線形光学結晶として周期ドメイン
反転構造を有するものが用いられた上で、この非線形光
学結晶に大きさ可変の電圧を印加して実効的なドメイン
反転周期を変化させる電圧印加手段が設けられているこ
とを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の波長
変換固体レーザー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6255037A JPH08125254A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 波長変換固体レーザー |
| US08/535,464 US5699372A (en) | 1994-10-20 | 1995-09-28 | Wavelength-conversion solid-state laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6255037A JPH08125254A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 波長変換固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125254A true JPH08125254A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17273298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6255037A Pending JPH08125254A (ja) | 1994-10-20 | 1994-10-20 | 波長変換固体レーザー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5699372A (ja) |
| JP (1) | JPH08125254A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008311601A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Motohiko Inai | 固体青色レーザー装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3616181B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2005-02-02 | 弘昌 伊藤 | 光デバイス |
| JP3514073B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2004-03-31 | 株式会社ニコン | 紫外レーザ装置及び半導体露光装置 |
| JP2000261089A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザー |
| US6339605B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-01-15 | The Boeing Company | Active mirror amplifier system and method for a high-average power laser system |
| DE10018778A1 (de) * | 2000-04-15 | 2001-10-18 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Selbstkalibrierung eines diodengepumpten Festkörperlasers, insbesondere eines durchstimmbaren, diodengepumpten Festkörperlasers |
| US6625193B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-09-23 | The Boeing Company | Side-pumped active mirror solid-state laser for high-average power |
| US7200161B2 (en) * | 2001-01-22 | 2007-04-03 | The Boeing Company | Side-pumped solid-state disk laser for high-average power |
| US6810060B2 (en) | 2001-02-13 | 2004-10-26 | The Boeing Company | High-average power active mirror solid-state laser with multiple subapertures |
| US6603793B2 (en) | 2001-05-18 | 2003-08-05 | The Boeing Company | Solid-state laser oscillator with gain media in active mirror configuration |
| US7310360B2 (en) * | 2004-10-25 | 2007-12-18 | The Boeing Company | Apparatus and method for face cooling of optical components of a laser system |
| CN103427324A (zh) * | 2012-05-15 | 2013-12-04 | 天津梅曼激光技术有限公司 | 复合波片法和频激光器 |
| CN105846300A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-10 | 安徽火天晶体科技有限公司 | 一种GaN蓝光激光二极管泵浦的全固态可调谐激光器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218556A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体レーザー |
| US5317447A (en) * | 1992-04-24 | 1994-05-31 | Electro Scientific Industries, Inc. | High-power, compact, diode-pumped, tunable laser |
| US5260963A (en) * | 1992-04-24 | 1993-11-09 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for efficient operationof a solid-state laser optically pumped by an unstable resonator semiconductor laser |
| JPH06283794A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
| US5506860A (en) * | 1993-11-18 | 1996-04-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Etalon and single-longitudinal-mode laser using the same |
-
1994
- 1994-10-20 JP JP6255037A patent/JPH08125254A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-28 US US08/535,464 patent/US5699372A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008311601A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Motohiko Inai | 固体青色レーザー装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5699372A (en) | 1997-12-16 |
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