JP2000261089A

JP2000261089A - 半導体レーザー

Info

Publication number: JP2000261089A
Application number: JP11061648A
Authority: JP
Inventors: Yoji Okazaki; 洋二岡崎
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1999-03-09
Filing date: 1999-03-09
Publication date: 2000-09-22
Also published as: US6647029B1

Abstract

(57)【要約】【課題】テーパストライプ型の半導体光増幅器と、こ
の半導体光増幅器の一端面から出射した光を波長選択し
た上で反射させて前記一端面に戻す波長選択素子とから
なる半導体レーザーにおいて、発振波長を可変とした上
で、小型化、発振波長の精密なチューニング、そして出
力の安定化を実現する。【解決手段】テーパストライプ型の半導体光増幅器10
と、この半導体光増幅器10の一端面10ｂから出射した光
11を波長選択した上で反射させて前記一端面10ｂに戻す
波長選択素子とからなる半導体レーザーにおいて、波長
選択素子として、印加された電界の強度に応じて選択波
長を変えるもの、例えば、コア20ｂに等間隔に形成され
た複数の屈折率変化部20ｃを有して、このコア20ｂに入
射した光11を波長選択して反射回折させるファイバーグ
レーティング20を用いる。そして電界印加回路40によ
り、電極31、32を介して屈折率変化部20ｃに強度を調節
可能にして電界を印加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザーに関
し、特に詳細には、発光源としてテーパストライプ型半
導体光増幅器を有し、この半導体光増幅器から出射した
光を随意に波長選択した上で該半導体光増幅器に戻すこ
とにより、発振波長を可変にした半導体レーザーに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体を利用して単一波長の
高出力の光ビームを得る試みが種々なされている。ELEC
TRONICS LETTERS （エレクトロニクス・レターズ） Vo
l.29，No.14,(1993) pp.1254〜1255には、そのような半
導体レーザーの一つが示されている。

【０００３】この半導体レーザーは、図７に示すように
発光源としてテーパストライプ型半導体光増幅器１を有
し、この半導体光増幅器１の後方端面１ａから出射した
光をレンズ２によって平行光化した後、反射型回折格子
３で反射させて半導体光増幅器１に戻すようにしたもの
である。この構成においては、回折格子３によって波長
選択された光４が半導体光増幅器１に戻されることによ
り、その前方端面１ｂから出射する光４Ｆの波長が単一
波長にロックされ、１Ｗ以上の高出力で回折限界に近い
高品位高出力の光ビームが得られるようになっている。

【０００４】そしてこの半導体レーザーにおいては、図
７に矢印Ａで示す方向に反射型回折格子３を回転させる
ことにより、その選択波長を変えて、発振波長を変える
ことも可能となっている。

【０００５】また本出願人は、発振しきい値電流を低下
させ、そして発光効率を向上させることを目的として、
上述した回折格子の代わりに波長選択手段として複屈折
フィルターを用いた半導体レーザーを先に提案した（特
開平１０−１９０１０５号参照）。

【０００６】さらに、APPLIED PHISICS LETTERS Vol.7
3，No.5,(1998) pp.575〜577には、上述の回折格子の代
わりに波長選択手段としてファイバーグレーティングを
用いた半導体レーザーも示されている。このように波長
選択手段としてファイバーグレーティングや上記複屈折
フィルターを用いた半導体レーザーにおいては、駆動電
流を変化させることにより、発振波長を僅かに変化させ
ることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の反射型回折格子
で発振波長を選択する半導体レーザーは、かなり広い範
囲に亘って発振波長を変え得るものとなっているが、そ
の半面、反射型回折格子を回転させる機械的手段を有し
ているために、装置が大型化しやすく、また発振波長を
精密にチューニングすることが困難となっている。ま
た、機械的な駆動部分を有するために、素子の位置ずれ
等によって出力が不安定になりやすいという問題も認め
られている。

【０００８】他方、上述の回折格子の代わりに波長選択
手段として複屈折フィルターや、あるいはファイバーグ
レーティングを用いた半導体レーザーは、機械的な駆動
部分を持たないから、上述のような問題は無いものであ
るが、駆動電流を変えることによる発振波長の変化は極
めて小さく、実用の点から見れば、波長可変と言えるよ
うなものではない。

【０００９】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、テーパストライプ型半導体光増幅器を有する半
導体レーザーにおいて、発振波長を可変とした上で、小
型化、発振波長の精密なチューニング、そして出力の安
定化を実現することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明による波長可変半
導体レーザーは、前述したようなテーパストライプ型の
半導体光増幅器と、この半導体光増幅器の一端面から出
射した光を波長選択した上で前記一端面に戻す波長選択
素子とからなる半導体レーザーにおいて、前記波長選択
素子として、印加された電界の強度に応じて選択波長を
変えるものが用いられるとともに、この波長選択素子に
強度を調節可能にして電界を印加する手段が設けられた
ことを特徴とするものである。

【００１１】より具体的に、上述の波長選択素子として
は例えば、コアに等間隔に形成された複数の屈折率変化
部を有して、このコアに入射した前記光を反射回折させ
るファイバーグレーティングを適用することができる。
そしてその場合、前記電界を印加する手段は、上記屈折
率変化部を間に挟む状態に形成された１対の電極と、こ
れらの電極間に電界を印加する手段とから構成すること
ができる。

【００１２】また、波長選択素子として、電気光学効果
（ＥＯ効果）を有する材料から形成された複屈折素子を
少なくとも１つ備えた複屈折フィルターと、この複屈折
フィルターを通過した前記光を反射させるミラーとの組
合せからなるものを適用することもできる。そしてその
場合、前記電界を印加する手段は、上記複屈折素子にお
いて光通過部分を間に挟む状態に形成された１対の電極
と、これらの電極間に電界を印加する手段とから構成す
ることができる。

【００１３】なお上記の複屈折素子としては、ＬｉＮｂ
_xＴａ_1-xＯ₃（０≦ｘ≦１）または、それにＭｇＯおよ
びＺｎＯの少なくともいずれか１つがドープされたもの
を好適に用いて形成することができる。その場合、上記
１対の電極は、この複屈折素子のｃ軸方向に互いに離間
させて配設されるのが望ましい。

【００１４】さらに、波長選択素子として、電気光学効
果を有する基板に、反射型グレーティングを有する光導
波路が形成されてなり、この光導波路に入射した前記光
を反射回折させる光導波路素子を用いることもできる。
その場合、前記電界を印加する手段としては、グレーテ
ィングの部分を間に挟む状態にして基板に形成された１
対の電極と、これらの電極間に電界を印加する手段とか
ら構成することができる。

【００１５】また上記の光導波路素子は、ＬｉＮｂ_xＴ
ａ_1-xＯ₃（０≦ｘ≦１）または、それにＭｇＯおよびＺ
ｎＯの少なくともいずれか１つがドープされた基板を好
適に用いて形成することができる。

【００１６】

【発明の効果】本発明の波長可変半導体レーザーは、波
長選択素子として、印加された電界の強度に応じて選択
波長を変えるものが用いられているから、この波長選択
素子に印加する電界の強度を調節すればその選択波長が
変化し、それにより発振波長を変化させることができ
る。

【００１７】より具体的に説明すると、波長選択素子と
して前述のファイバーグレーティングを用いた場合は、
そのグレーティング形成部分に電界を印加すると、発熱
してグレーティング形成部分の体積が変化するととも
に、熱光学効果（ＴＯ効果）によって屈折率も変化し、
実効的なグレーティング周期が変化する。そこで、印加
する電界の強度を変えることにより、実効的なグレーテ
ィング周期を変化させて、その選択波長、つまりは発振
波長を随意に変化させることができる。

【００１８】他方、波長選択素子として前述の複屈折フ
ィルターを用いた場合は、電気光学効果を有する材料か
ら形成された複屈折素子に電界を印加すると、電気光学
効果によって該複屈折素子の屈折率が変化する。そこ
で、印加する電界の強度を変えることにより、複屈折素
子の屈折率を変化させて、複屈折フィルターの選択波
長、つまりは発振波長を随意に変化させることができ
る。

【００１９】また、波長選択素子として前述の光導波路
素子を用いた場合は、その光導波路のグレーティング形
成部分に電界を印加すると、電気光学効果によって実効
的なグレーティング周期が変化する。そこで、印加する
電界の強度を変えることにより、実効的なグレーティン
グ周期を変化させて、その選択波長、つまりは発振波長
を随意に変化させることができる。

【００２０】以上説明の通り本発明の波長可変半導体レ
ーザーは、発振波長を変える上で、光学素子を機械的に
駆動する機構は持たないものであるから、そのような駆
動機構を有する従来装置と比較すれば、十分に小型化さ
れ、発振波長を精密にチューニングすることができ、そ
して安定した出力が得られるものとなる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施
形態による波長可変半導体レーザーを示すものである。
この波長可変半導体レーザーは、テーパストライプ10ａ
を有する半導体光増幅器10と、この半導体光増幅器10の
後方端面10ｂから出射した光ビーム11がコア20ｂに入射
するように配設された反射型ファイバーグレーティング
20と、この反射型ファイバーグレーティング20の外周面
に形成された１対の電極31、32と、これらの電極31、32
間に電界を印加する電界印加回路40とから構成されてい
る。

【００２２】半導体光増幅器10は図２に示すように、テ
ーパストライプ10ａの後方端面10ｂ側の幅Ｗｉが４μ
ｍ、前方端面10ｃ側の幅Ｗｏが360 μｍ、長さＬが1.5
ｍｍのものである。この半導体光増幅器10としては、一
例としてｎ−ＧａＡｓ基板（Ｓｉ＝２×10¹⁸ｃｍ^-3ドー
プ）上にｎ−ＧａＡｓバッファ層（Ｓｉ＝１×10¹⁸ｃｍ
^-3ドープ、層厚0.5 μｍ）、ｎ−Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ
クラッド層（Ｓｉ＝１×10¹⁸ｃｍ^-3ドープ、層厚2.5 μ
ｍ）、ｎ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ光ガイド層（アンドー
プ、層厚0.05μｍ）、ｎ−Ａｌ_0.05Ｇａ_0.95Ａｓ量子井
戸層（アンドープ、層厚８ｎｍ）、ｎ−Ａｌ_0.25Ｇａ
_0.75Ａｓ光ガイド層（アンドープ、層厚0.05μｍ）、ｐ
−Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓクラッド層（Ｚｎ＝１×10¹⁸ｃ
ｍ^-3ドープ、層厚２μｍ）、ｐ−ＧａＡｓキャップ層
（Ｚｎ＝５×10¹⁸ｃｍ^-3ドープ、層厚0.3 μｍ）を減圧
ＭＯＣＶＤ法により作成してなるものが用いられる。

【００２３】またテーパストライプ10ａには、例えば上
記キャップ層の上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ₂膜
を形成し、ストライプとなるテーパ状領域においてフォ
トリソグラフィとエッチングにより上記ＳｉＯ₂膜を除
去し、ｐ側にはＡｕＺｎ／Ａｕにより、ｎ側にはＡｕＧ
ｅ／Ｎｉ／Ａｕによりそれぞれオーミック電極を形成し
てなる構造を用いることができる。

【００２４】また、半導体光増幅器10の両端面10ｂ、10
ｃには、内部から見た反射率が0.5％以下となるような
低反射率コーティングが施され、それによりこの半導体
光増幅器10はいわゆる進行波増幅器となる。

【００２５】反射型ファイバーグレーティング20は、図
３にも示す通り、クラッド20ａ内にそれよりも高屈折率
のコア20ｂが埋め込まれてなり、そしてコア20ｂには複
数の屈折率変化部20ｃが等間隔に形成された光ファイバ
ーである。この反射型ファイバーグレーティング20は、
一例としてクラッド外径が125 μｍ、コア径が約10μｍ
の光通信用光ファイバーのコア20ｂに、紫外域のエキシ
マレーザ光を用いて二光束干渉露光により干渉縞を形成
させ、コア20ｂの光が照射された部分の屈折率を変化
（上昇）させることにより作成される。なおこの屈折率
変化は、コア20ｂにドープされている酸化ゲルマニウム
が紫外線照射により化学変化を起こすことによって生じ
ると考えられている。

【００２６】電極31、32は、上記屈折率変化部20ｃを間
に挟む状態にして、クラッド20ａの外周面に形成されて
いる。一方電界印加回路40は、一端、他端がそれぞれ電
極31、32に接続された閉回路41と、この閉回路41におい
て互いに直列に配された直流電源42および可変抵抗器43
とから構成されている。

【００２７】以下、上記構成の波長可変半導体レーザー
の作用について説明する。半導体光増幅器10の後方端面
10ｂから出射した光ビーム11は、反射型ファイバーグレ
ーティング20の端面からコア20ｂ内に入射し、そこを伝
搬する。コア20ｂに形成された上記屈折率変化部20ｃ
は、光ビーム11の伝搬方向に沿ったグレーティング（回
折格子）を構成している。このグレーティングは、コア
20ｂを伝搬する光ビーム11のうち、その周期に対応した
特定波長の光のみを反射回折させ、半導体光増幅器10に
フィードバックする。

【００２８】上記の構成において、半導体光増幅器10の
後方端面10ａから出射する光ビーム11は本来800 〜820
ｎｍの波長帯のものであるが、反射型ファイバーグレー
ティング20で反射して半導体光増幅器10に戻る光は、反
射型ファイバーグレーティング20の波長選択作用によ
り、この波長帯中のある単一波長（半値全幅が0.1 ｎｍ
程度）のものとなる。そこで、半導体光増幅器10の発振
波長がこの波長に単一化される。この波長の光11Ｆは、
半導体光増幅器10内を前方側（図１の右方）に進行する
間に増幅され、前方端面10ｃから出射する。

【００２９】次に、発振波長を変化させる点に関して説
明する。直流電源42から電極31、32の間に電圧が印加さ
れると、これらの電極31、32に挟まれた部分にある反射
型ファイバーグレーティング20の屈折率変化部20ｃに電
界が印加される。この電界の強度は、可変抵抗器43を操
作することによって連続的に変えることができる。

【００３０】屈折率変化部20ｃに電界が印加されると、
屈折率変化部20ｃが発熱してその部分の体積が変化する
とともに、熱光学効果（ＴＯ効果）によって屈折率も変
化し、実効的なグレーティング周期が変化する。そこ
で、可変抵抗器43を操作して電界の強度を変えることに
より、実効的なグレーティング周期を変化させて、反射
型ファイバーグレーティング20の選択波長、つまりは発
振波長を随意に変化させることができる。

【００３１】以上の通り本装置は、機械的な駆動機構に
よらずに発振波長を変え得るものであるから、そのよう
な駆動機構を有する従来装置と比較すれば、十分に小型
化され、また発振波長を精密にチューニングすることが
でき、そして安定した出力が得られるものとなる。

【００３２】次に、図４および５を参照して本発明の第
２の実施形態について説明する。なおこれらの図４およ
び５において、図１中の要素と同等の要素には同番号を
付してあり、それらについての説明は特に必要の無い限
り省略する（以下、同様）。

【００３３】この第２の実施形態において、半導体光増
幅器10の後方端面10ａから出射した光ビーム11は、コリ
メーターレンズ53によって平行光化された後に複屈折フ
ィルター50を通過し、次いで集光レンズ54により集光さ
れて、ミラー55の上で収束する。光ビーム11はこのミラ
ー55で反射し、上記と逆の光路を辿って半導体光増幅器
10にフィードバックされる。フィードバックされる光ビ
ーム11の波長は、上記複屈折フィルター50により単一波
長に選択されるので、半導体光増幅器10の発振波長がこ
の波長に単一化される。この波長の光11Ｆは、半導体光
増幅器10内を前方側（図４の右方）に進行する間に増幅
され、前方端面10ｃから出射する。

【００３４】次に、複屈折フィルター50の波長選択作用
について説明する。複屈折フィルター50を構成する２枚
の複屈折素子51、52はそれぞれ、上記単一波長（ここで
は、810 ｎｍとする）に対してλ／２板を構成してい
る。ブリュースター角に配置されている複屈折素子51と
空気との界面における光ビーム11のＰ偏光成分の透過率
（１界面当たりの透過率）は100 ％であるが、それ以外
の偏光成分の透過率はそれよりも低く、例えばＳ偏光成
分では約30％である。この点は、複屈折素子52について
も同様である。

【００３５】光ビーム11は複屈折フィルター50を１往復
する間に、複屈折素子51あるいは52と空気との界面に、
合計８回ブリュースター角で入射する。その際、Ｐ偏光
状態で最初の界面に入射した波長810 ｎｍの光は終始Ｐ
偏光状態を維持するので、該Ｐ偏光成分のリオフィルタ
ー１往復通過当たりの透過率は100 ％近い値、例えば約
99％となる。波長810 ｎｍ以外の光は、複屈折素子51あ
るいは52を通過する度にその直線偏光の向きが回転する
ので上述のようにはならず、上記界面のそれぞれにおい
て反射し、カットされる。そこで、直線偏光している光
ビーム11を複屈折フィルター50にＰ偏光状態で入射さ
せ、そこを往復通過させることにより、波長選択がなさ
れる。

【００３６】次に、発振波長を変化させる点に関して説
明する。複屈折素子51および52は、複屈折性を有すると
ともに電気光学効果（ＥＯ効果）を有する材料である、
ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ₃ から形成されてい
る。そして一方の複屈折素子52には、図５に正面形状を
示す通り、１対の電極56、57が形成されている。これら
の電極56、57は、複屈折素子52のｃ軸方向に互いに離間
して、光ビーム11の通過部分を間に挟む状態に形成され
ている。これらの電極56、57には、図１のものと同様の
電界印加回路40が接続されている。

【００３７】この電界印加回路40の直流電源42から電極
56、57の間に電圧が印加されると、複屈折素子52におい
て、これらの電極56、57に挟まれた光ビーム通過部分に
電界が印加される。この電界の強度は、可変抵抗器43を
操作することによって連続的に変えることができる。

【００３８】上述の電界が印加されると、電気光学効果
によって複屈折素子52の光ビーム通過部分の屈折率が変
化する。そこで、印加する電界の強度を変えることによ
り、複屈折素子52の屈折率を変化させて、複屈折フィル
ター50の選択波長、つまりは発振波長を随意に変化させ
ることができる。

【００３９】この第２実施形態の装置も、機械的な駆動
機構によらずに発振波長を変え得るものであるから、そ
のような駆動機構を有する従来装置の比較すれば、十分
に小型化され、また発振波長を精密にチューニングする
ことができ、そして安定した出力が得られるものとな
る。

【００４０】次に、図６を参照して本発明の第３の実施
形態について説明する。この第３の実施形態において
は、波長選択素子として光導波路素子60が設けられてい
る。この光導波路素子60は、基板61に、反射型グレーテ
ィング63を設けた光導波路62が形成されてなるものであ
る。ここで基板61としては、電気光学効果を有する材料
である、ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂＯ₃ 基板が用い
られている。

【００４１】この波長可変半導体レーザーにおいて、半
導体光増幅器10の後方端面10ａから出射した光ビーム11
は、コリメーターレンズ53によって平行光化された後に
集光レンズ54により集光されて、光導波路62の端面上で
収束する。光ビーム11はこの端面から光導波路62に入射
し、そこを導波モードで伝搬して、反射型グレーティン
グ63において特定の波長成分のみが反射回折する。反射
回折した光ビーム11は、上記と逆の光路を辿って半導体
光増幅器10にフィードバックされる。

【００４２】フィードバックされる光ビーム11の波長
は、上記反射型グレーティング63により単一波長に選択
されるので、半導体光増幅器10の発振波長がこの波長に
単一化される。この波長の光11Ｆは、半導体光増幅器10
内を前方側（図６の右方）に進行する間に増幅され、前
方端面10ｃから出射する。

【００４３】次に、発振波長を変化させる点に関して説
明する。光導波路素子60の基板61上には、光導波路62の
反射型グレーティング63が形成された部分を挟む状態に
して、１対の電極65、66が形成されている。これらの電
極65、66には、図１のものと同様の電界印加回路40が接
続されている。

【００４４】この電界印加回路40の直流電源42から電極
65、66の間に電圧が印加されると、光導波路62の反射型
グレーティング63が形成された部分に電界が印加され
る。この電界の強度は、可変抵抗器43を操作することに
よって連続的に変えることができる。

【００４５】上述の電界が印加されると、電気光学効果
によって、光導波路62の反射型グレーティング63が形成
された部分の屈折率が変化し、該反射型グレーティング
63の実効的な周期が変化する。そこで、印加する電界の
強度を変えることにより、反射型グレーティング63の実
効的な周期を変化させて、その選択波長、つまりは発振
波長を随意に変化させることができる。

【００４６】この第３実施形態の装置も、機械的な駆動
機構によらずに発振波長を変え得るものであるから、そ
のような駆動機構を有する従来装置の比較すれば、十分
に小型化され、また発振波長を精密にチューニングする
ことができ、そして安定した出力が得られるものとな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態による波長可変半導体レ
ーザーの概略平面図

【図２】上記第１実施形態の装置に用いられた半導体光
増幅器の拡大平面図

【図３】上記第１実施形態の装置に用いられたファイバ
ーグレーティングを拡大して示す斜視図

【図４】本発明の第２実施形態による波長可変半導体レ
ーザーの概略平面図

【図５】上記第２実施形態の装置の要部を示す正面図

【図６】本発明の第３実施形態による波長可変半導体レ
ーザーの概略平面図

【図７】従来の波長可変半導体レーザーの一例を示す概
略平面図

【符号の説明】

10 半導体光増幅器 10ａ半導体光増幅器のテーパストライプ 10ｂ半導体光増幅器の後方端面 11 光ビーム 20 反射型ファイバーグレーティング 20ａ反射型ファイバーグレーティングのクラッド 20ｂ反射型ファイバーグレーティングのコア 20ｃ反射型ファイバーグレーティングの屈折率変化
部 31、32 電極 40 電界印加回路 41 閉回路 42 直流電源 43 可変抵抗器 50 複屈折フィルター 51、52 複屈折素子 53 コリメーターレンズ 54 集光レンズ 55 ミラー 56、57 電極 60 光導波路素子 61 基板 62 光導波路 63 反射型グレーティング 65、66 電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】テーパストライプ型の半導体光増幅器
と、この半導体光増幅器の一端面から出射した光を波長選択
した上で前記一端面に戻す波長選択素子とからなる半導
体レーザーにおいて、前記波長選択素子として、印加された電界の強度に応じ
て選択波長を変えるものが用いられるとともに、この波長選択素子に強度を調節可能にして電界を印加す
る手段が設けられたことを特徴とする波長可変半導体レ
ーザー。
【請求項２】前記波長選択素子が、コアに等間隔に形
成された複数の屈折率変化部を有して、このコアに入射
した前記光を反射回折させるファイバーグレーティング
からなり、前記電界を印加する手段が、前記屈折率変化部を間に挟
む状態に形成された１対の電極と、これらの電極間に電
界を印加する手段とからなることを特徴とする請求項１
記載の波長可変半導体レーザー。
【請求項３】前記波長選択素子が、電気光学効果を有
する材料から形成された複屈折素子を少なくとも１つ備
えた複屈折フィルターと、この複屈折フィルターを通過
した前記光を反射させるミラーとの組合せからなり、前記電界を印加する手段が、前記複屈折素子において光
通過部分を間に挟む状態に形成された１対の電極と、こ
れらの電極間に電界を印加する手段とからなることを特
徴とする請求項１記載の波長可変半導体レーザー。
【請求項４】前記複屈折素子が、ＬｉＮｂ_xＴａ_1-xＯ
₃（０≦ｘ≦１）または、それにＭｇＯおよびＺｎＯの
少なくともいずれか１つがドープされたものからなり、前記１対の電極が、この複屈折素子のｃ軸方向に互いに
離間させて配設されていることを特徴とする請求項３記
載の波長可変半導体レーザー。
【請求項５】前記波長選択素子が、電気光学効果を有
する基板に、反射型グレーティングを有する光導波路が
形成されてなり、この光導波路に入射した前記光を反射
回折させる光導波路素子であり、前記電界を印加する手段が、前記グレーティングの部分
を間に挟む状態にして前記基板に形成された１対の電極
と、これらの電極間に電界を印加する手段とからなるこ
とを特徴とする請求項１記載の波長可変半導体レーザ
ー。
【請求項６】前記光導波路素子が、ＬｉＮｂ_xＴａ_1-x
Ｏ₃（０≦ｘ≦１）または、それにＭｇＯおよびＺｎＯ
の少なくともいずれか１つがドープされた基板からなる
ことを特徴とする請求項５記載の波長可変半導体レーザ
ー。