JPH04206791A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 230000005466 cherenkov radiation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
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- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0604—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising a non-linear region, e.g. generating harmonics of the laser frequency
- H01S5/0605—Self doubling, e.g. lasing and frequency doubling by the same active medium
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野１
本発明は半導体レーザ装置の構造に係り、特に民生用に
おいて、要求される短波長半導体レーザ装置に関する。 ｒ従来の技ｔ＃３ レーザ光の短波長化として２次高調波発生（ＳＨＧ ：
５ｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉ
ｏｎ）による方法が注目されている。現在、ＬＮ、ＫＤ
ＰなどによるＳＨＧが実現されている。この方法は、レ
ーザ光をレンズによりＬＮやＫＤＰに集光させ、ＳＨＧ
を発生させようというものである。半導体レーザを励起
光源としたＬｉＮＯ３薄膜導波路のチェレンコフ放射に
ょるＳＨＧについては、谷内らにより、１９８７年度シ
ー・エル・イー・オー、第１９６頁および第１９９頁１
ｇ！演番号ＷＰ６ （ＣＬＥＯ（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｌ １ａｓｅｒｓ ａｎｄ ｅｌｅｃｊｒｏ、−ｏ
ｐ＋１ｃｓ）、ｐｐ＋９６ ａｎｄ １９９．ＷＦ２）
やオープラスイー。 １９８８年、１０３号、第９３頁から第９７頁（Ｏｐｌ
ｕｓＥ、 １９８８゜ｖｏｌ、１０３． ｐｐ、９３−
９７）によって報告されている。その具体的構造を第６
図に示す。 一方、半導体レーザ自身からＳＨＧが発生することが知
られている。これは、半導体レーザの構成物質が大きな
非線形光学定数をもち、且つ、半導体レーザのキャビテ
ィ内部では光密度が大きいことによる。半導体レーザ自
、身の５ＨＧＱ生については、例えば、Ｊ、Ａ、、Ａｒ
ｍｓｌｔｏｎｇらにより、アプライドフィジックス レ
ターズ１９６３年第３巻第５２頁（ＡＰＰｌ、ＰｈＹｓ
、Ｌｅｎ、、 ｖｎｌ、３−、 ｐｐ、５２）において
、ＧａＡｓ半導体レーザの場合について報告されている
。 この場合、ＳＨＧ光はＧａＡｓでの光吸収が大きいため
、レーザ端面から垂直方向に放射される光は、レーザ端
面から１００Ａ以内の領域で発生した光に限られる。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術の前者の方法は、光学系のアライメントが
重要であるにもかかわらず、これが非常に難しい。従っ
て、信頼性に欠け、コストも高い。 また、後者の方法は、発生した２次高調波のレーザ物質
による吸収が非常に大きく、その出力は基本波の出力に
対して高々１０−６倍程度のものであった。 本発明の目的は、大きな２次高調波出力を有する半導体
レーザ装置を提供することにある。
おいて、要求される短波長半導体レーザ装置に関する。 ｒ従来の技ｔ＃３ レーザ光の短波長化として２次高調波発生（ＳＨＧ ：
５ｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉ
ｏｎ）による方法が注目されている。現在、ＬＮ、ＫＤ
ＰなどによるＳＨＧが実現されている。この方法は、レ
ーザ光をレンズによりＬＮやＫＤＰに集光させ、ＳＨＧ
を発生させようというものである。半導体レーザを励起
光源としたＬｉＮＯ３薄膜導波路のチェレンコフ放射に
ょるＳＨＧについては、谷内らにより、１９８７年度シ
ー・エル・イー・オー、第１９６頁および第１９９頁１
ｇ！演番号ＷＰ６ （ＣＬＥＯ（Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｌ １ａｓｅｒｓ ａｎｄ ｅｌｅｃｊｒｏ、−ｏ
ｐ＋１ｃｓ）、ｐｐ＋９６ ａｎｄ １９９．ＷＦ２）
やオープラスイー。 １９８８年、１０３号、第９３頁から第９７頁（Ｏｐｌ
ｕｓＥ、 １９８８゜ｖｏｌ、１０３． ｐｐ、９３−
９７）によって報告されている。その具体的構造を第６
図に示す。 一方、半導体レーザ自身からＳＨＧが発生することが知
られている。これは、半導体レーザの構成物質が大きな
非線形光学定数をもち、且つ、半導体レーザのキャビテ
ィ内部では光密度が大きいことによる。半導体レーザ自
、身の５ＨＧＱ生については、例えば、Ｊ、Ａ、、Ａｒ
ｍｓｌｔｏｎｇらにより、アプライドフィジックス レ
ターズ１９６３年第３巻第５２頁（ＡＰＰｌ、ＰｈＹｓ
、Ｌｅｎ、、 ｖｎｌ、３−、 ｐｐ、５２）において
、ＧａＡｓ半導体レーザの場合について報告されている
。 この場合、ＳＨＧ光はＧａＡｓでの光吸収が大きいため
、レーザ端面から垂直方向に放射される光は、レーザ端
面から１００Ａ以内の領域で発生した光に限られる。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術の前者の方法は、光学系のアライメントが
重要であるにもかかわらず、これが非常に難しい。従っ
て、信頼性に欠け、コストも高い。 また、後者の方法は、発生した２次高調波のレーザ物質
による吸収が非常に大きく、その出力は基本波の出力に
対して高々１０−６倍程度のものであった。 本発明の目的は、大きな２次高調波出力を有する半導体
レーザ装置を提供することにある。
上記目的は、透明導波路をその長さ方向が半導体レーザ
の共振器の長さ方向に対しほぼ平行になるように、半導
体レーザに一体的に設けること、およびこれらを構成す
る材料を次の条件を満たすように選ぶことにより達成で
きる。 すなわち、半導体レーザの活性層の屈折率をｎｌ、透明
導波路の屈折率を０２、基本波（波長λ）に対する半導
体レーザと透明導波路とで構成される光導波路の実効屈
折率をｎｔとしたとき、ｎ２（λ）＜ ｎｌ（λ）、 Ｉｌ＆ ＜ １１２（λ／２）［チェレンコフ放射の条
件］、透明導波路は２次高調波に対して透明、であると
いう３つの条件を満たすように構成材料を選ぶ。 また透明導波路の２次高調波出射部の形状を。 出射方向に沿い出射面に向かって細くなる半円錐状等の
錐状にすることにより、２次高調波の集光性を向上させ
ることができる。 【作用１ 本発明の作用を第２図を用いて説明する。第２図には、
半導体レーザの活性層としてＧａＡｓを用いた場合の、
ＧａＡｓと透明導波路の各々の屈折率ｎ、およびｎ２の
グラフが示されている。 また、基本波（波長λ）に対する半導体レーザと透明導
波路とで構成される光導波路の実効屈折率ｎよは、透明
導波路の屈折率ｎ２ （λ）より上に位置しており、基
本波は光導波路中を導波する。 また、活性層と透明導波路間の距離は十分に小さいので
、基本波の発生に伴って発生する２次高調波は、基本波
に対しチェレンコフ放射角α（ｎ２（λ／２）ｃｏｓα
−０１）を保って、透明導波路中に放射される。そして
透明導波路中を導波して外部に出射される。 また、透明導波路の２次高調波出射部の形状を、出射方
向に沿い出射面に向かって細くなる半円錐状等の錐状に
することにより、２次高調波の出射光をレーザ共振器長
方向に平行にでき集光性が向上する。 【実施例１ 実施例１゜ 実施例１を第１図（ａ）、第１図（ｂ）を用いて説明す
る。 第１図（ａ）は、素子の正面図であり、第１図（ｂ）は
、第１図（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。活性層
３で発光した基本波のレーザ光は、活性層中のＧ ａ
Ａ ｓの非線形現象により２次高調波を発生する。透明
導波路１は活性層３に十分近づけである。従って、活性
層３で発生した２次高調波は効率良く透明導波路１にチ
ェレンコフ放射される。さらに、透明導波路１の一端は
、チェレンコフ放射した２次高調波を平行光にするため
に、第１図（ａ）、第１図（ｂ）で示したように、頂角
θの半円錐形となっている。 次に、素子の作製方法について述べる。高抵抗Ｇ ａ
Ａ ｓ基板結晶５上にアンドープＡ１．３５Ｇ ａ 、
６５Ａ ｓクラッド層４、Ｇ ａ Ａ ｓ活性層３、ア
ンドープＡ ｌ 、３５Ｇ ａ 、ｓｓＡ Ｓクラッド
層２をＭＢＥ法により順次形成する。次に５ｉ０２、Ｓ
ｉＮをＣＶＤ法により順次形成する。次にＲＩＥにより
、この５ｉ０２、ＳｉＮをストライプ形成部上に拡散マ
スクとして残す。つぎにこの拡散マスクの片側のアンド
ープＡ ｌ 、３５Ｇ ａ 、６５Ａ ５クラッド層２
上だけに、リフトオフ法を用いて電子ビーム蒸着法を用
いてＳｉを蒸着する。さらに全面に熱ＣＶＤ法により５
ｉ０２を堆積させ、この状態でｎ型不純物Ｓｉの拡散を
行なう。その結果、ｎ型不純物拡散領域７が形成される
。その後、拡散マスクに対してＳｉを拡散した側とは反
対側の部分の５１０２をエツチングしてＺｎ拡散の窓と
する。その後、Ｚｎ拡散を行ないｐ型不純物拡散領域６
を形成する。これと同時にストライプが形成される。そ
の後、リフトオフ法によりｐ、０両電極を形成する。こ
こで、ｐ側電極としてはＡ ｕ ／Ｃｒを、ｎ側電極と
してはＡ ｕ ／ Ｃｒ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅＮｉを用
いる。素子は共振器長３ｍｍに襞間し、両端面には膜厚
が１／４波長の８１０．とａ〜Ｓｉの多重膜からなる高
反射膜８を蒸着する。ここで、高反射膜は襞間面より反
射率が大きい膜をさす（以下同様）。次に、圧着法によ
り透明導波路１を半導体レーザと一体化する。透明導波
路１の材料にはａ−ＳｉまたはＴｉＯを用いる。透明導
波路１はあらかじめ、その一端を研磨により頂角がθの
半円錐形としておき、他端には２次高調波に対して高反
射となる膜９（付けることにより反射率が高くなる膜）
を蒸着しておく。 本実施例の素子は、基本波の発振波長８７０ｎｍにおい
て室温連続発振する。しきい値電流は１ｍＡである。ま
た、２次高調波１２の波長は４３５ｎｍである。２次高
調波出力は、基本波１ｍＷに対して１０ｍＷである。ま
た、発生した２次高調波はレンズによるコリメートが可
能である。 実施例２゜ 実施例２を第３図（ａ）、第３図（ｂ）を用いて説明す
る。 第３図（ａ＞は、素子の正面図であり、第３図（ｂ）は
、第３図（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。活性層
１４で発光した基本波のレーザ光は、活性層中のＧａＡ
ｓの非線形現象により２次高調波を発生する。ｎ側電極
４６には透明電極を用いる。従って、ｐ−ｎ接合方向を
活性層平面に対して垂直に形成することができる。透明
電極は、５ｎ０２、Ｔ ｉ ０２またはＡｕを、噴霧法
により形成する。透明導波路２０は活性層１４に十分近
づけである。従って、活性層１４で発生した２次高調波
は効率良く透明導波路２０にチェレンコフ放射される。 さらに、透明導波路２０の一端は、チェレンコフ放射し
た２次高調波を平行光にするために、第３図（ａ）、第
３図（ｂ）で示したように、頂角θの半円錐形となって
いる。 次に、素子の作製方法について述べる。ｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板結晶１８上にｐ型Ａ Ｉ 、３５Ｇ ａ 、６
５Ａｓクラッド層１６をＭＯＣＶＤ法により形成する。 次に５ｉ０２をマスクにしてストライプがメサ状に残る
ようにｐ型Ａ １−３５Ｇ ａ 、ａ５Ａ ｓクラッド
層１６をエツチングする。図ではｐ型Ａ ｌ 、３５Ｇ
ａ 、６５Ａ ｓクラッド層１６を貫通しｐ型ＧａＡ
ｓ基板まで達する場合を示しているが、０． ６μｍ以
上の深さがあれば、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１８まで達
する必要は無い。次に、この５ｉ０２を選択成長のマス
クとして、エツチング溝が埋まり、表面が平らになるま
で、ｎ型Ｇａ Ａ ｓ光吸収電流狭搾層１７をＭＯＣＶ
Ｄ法により形成する。ＳｉＯ２を除去した後、再びＭＯ
ＣＶＤ法によりｐ型Ａ ｌ 、３５Ｇ ａ 、６５Ａ
ｓクラッド層１５、Ｇ ａ Ａ ｓ活性層１４、ｎ型Ａ
１．３５Ｇ ａ 、６５Ａ ｓクララド層１３をＭＯ
ＣＶＤ法により順次形成する。その後、Ａ ｕ ／ Ｃ
ｔからなるｐ側電極１９を形成する。素子は共振器長３
ｍｍに襞間し、両端面には膜厚が１／４波長のＳｉＯ□
とａ Ｓｉの多重膜からなる高反射膜２２を蒸着によ
り形成する。次に、圧着法により透明導波路２０を半導
体レーザと一体化する。透明導波路２０の材料はＺｎＧ
ｅＰ２またはＺｎ５ｅを用いる。また、Ｚｎ５ｅに代え
て、禁制帯幅が基本波の波長相当よりも大きい他の■−
Ｖｌ族半導体を用いることができる。透明導波路はあら
かじめ、その一端を研磨により頂角がθの半円錐形とし
ておき、他端には２次高調波に対して高反射となるよう
な膜２３を蒸着しておく。また、半導体レーザとの接着
面となる半円錐形の平面部を含む面には、ｎ側透明電極
４６を形成しておく。 本実施例の素子は、基本波の発振波長８７０ｎｍにおい
て室温連続発振する。しきい値電流は１ｍＡである。ま
た、２次高調波２１の波長は４３５ｎｍである。２次高
調波出力は、基本波１ｍＷに対して１０ｍＷである。ま
た、発生した２次高調波はレンズによるコリメートが可
能である。 実施例３゜ 実施例３を第４図（ａ）、第４図（ｂ）を用いて説明す
る。 第４図（ａ）は、素子の正面図であり、第４図（ｂ）は
、第４図（ａ）におけるＡ−Ａ”断面図である。活性層
２６で発光した基本波のレーザ光は、活性層中のＧ ａ
Ａ ｓの非線形現象により２次高調波を発生する。ｎ
（ｔｉｌｌ電極は透明電極４７を用いる。従って、ｐ
ｎ接合方向を活性層平面に対して垂直に形成することが
できる。透明電極は、５ｎ０２、ＴｌＯ２またはＡｕを
、噴霧法により形成する。この透明導波路２４は活性層
２６に十分近づけである。従って、活性層２６で発生し
た２次高調波は効率良く透明導波路２４にチェレンコフ
放射される。さらに、透明導波路２４の一端は、チェレ
ンコフ放射した２次高調波を平行光にするために、第４
図（ａ）、第４図（ｂ）で示したように、頂角θの半円
錐形となっている。 次に、素子の作製方法について述べる。ｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板結晶２９上にｎ型ＧａＡｓ光吸収電流狭搾層２
８をＬＰＥ法を用いて形成する。次に、第４図（ａ）に
示したように、ストライプ幅１から２０μｍ、ストライ
プ開路［０，２から５μ。、ストライプ本数１から２０
本のストライプをホトエソチング工程により形成する。 この時二ノチングはｎ型Ｇａ Ａｓ光吸収電流狭搾層２
８を貫通し、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板結晶２９に達する
ようにする。 その後、ＬＰＥ法により、ｐ型Ａ １．３５Ｇ ａ 、
６５Ａｓクラッド層２７、Ｇ ａ Ａ ｓ活性層２６、
ｎ型Ａ ｌ 、３５Ｇ ａ 、６５Ａ Ｓクラッド層２
５をＬＰＥ法により形成する。その後、Ａ ｕ ／ Ｃ
ｒからなるｐ側電極３０を形成する。素子は共振器長３
ｍｍに襞間し、両端面には１／４波長の５ｉＯｚとａ−
８１の多重膜からなる高反射膜３２を蒸着により形成す
る。次に、圧着法により透明導波路２４を半導体レーザ
と一体化する。透明導波路２４の材料は（半導体レーザ
側） ／ Ｓ ｉ ０２／ Ｓ ｉ Ｎ／ ａ−３ｉの
積層体を用いる。屈折率の大小関係は半導体レーザから
遠ざかるにつれて大きくなっている。この関係は他の構
成としてもよい。また、５ｉ０２、ＳｉＮ層の厚さは数
１００〜１０００Ａである。透明導波路２４はあらかじ
め、その一端を研磨により頂角がθの半円錐形としてお
き。 他端には２次高調波に対して高反射となるような膜３３
を蒸着しておく。また、半導体レーザとの接着面となる
半円錐形の平面部を含む面には、ｎ側透明電極４７を形
成しておく。 本実施例の素子は、基本波の発振波長８７０ｎｍにおい
て室温連続発振する。また、２次高調波３１の波長は４
３５ｎｍである。しきい値電流はストライプ３本の場合
は３ｍＡ、ストライプ１０本の場合は１０ｍＡ、ストラ
イプ２０本の場合は２０ｍＡである。２次高調波出力は
、ストライプ３本の場合は基本波３ｍＷに対して３０ｍ
Ｗ、ストライプ１０本の場合は基本波１０ｍＷに対して
１００ｍＷ、ストライプ２０本の場合は基本波２０ｍＷ
に対して２００ｍＷである。発生した２次高調波はレン
ズによるコリメートが可能である。 以上実施例１〜３に示したように、本発明によれば、２
次高調波の出力を基本波の１０−５倍以上にでき、従来
の１０−６倍程度よりも大きくできる。 なお、本発明は、実施例１〜３に示した波長８７０ｎｍ
前後に限らず、波長６８０−８９０ｎｍのＡ Ｉ Ｇ
ａ Ａ ｓ系半導体レーザ装置で、室温連続発振できる
全範囲にわたって実施可能である。 また、上記実施例において導電型をすべて反対にした構
造（ｐ型をｎ型に、ｎ型をｐ型に置き換えた構造）にす
ることができる。 また、上記実施例では、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ系の材
料を用いているが、ＡｌＧａ Ｐ、ＡｓＡｌ Ｉ ｎＰ
、ＡｓＡｌＧａ ＩｎＰ、ＡｌＧａ ＩｎＡｓなど、す
べての材料系に適応できることはいうまでもない。 実施例４゜ 実施例４を、第５図を用いて説明する。第５図はワンチ
ップの２次高調波光ヘツドの構成図である。 半導体レーザ素子３４は、実施例１と同じものであり、
これが２次元透明導波路を構成する音響光学結晶材料か
らなる基板３５の一端に埋め込まれている。また、基板
３５の片面には、半導体レーザ素子３４からチェレンコ
フ放射された２次高調波を導波し基板３５の他端から出
射させる２次光導波路薄膜３６が形成されている。さら
（こ、２次元導波路薄膜３６には、チェレンコフ放射さ
れた２次高調波４４を２次元導波路薄膜３６内（こ導く
グレーティングカップラー４５．２次元導波路薄膜３６
を伝播する平行ビームを回折してその向きを変える表面
弾性波４８を発生する表面弾性波発生器（具体的には、
結晶表面の２次元導波路薄膜に高電圧を印加するための
電極）３７が形成されている。また、基板３５の他端に
相当する部分には、光ディスク３９上に平行ビームをフ
ォーカスするグレーティング対物レンズ４０が形成され
ている。さらには、光ディスク３９からの反射光処理用
のグレーティングビームスプリンタ４１およびディテク
タ対４２．４３が、グレーティング対物レンズ４０側か
ら順次形成されている。 これらは、以下で述べるような働きをする。半導体レー
ザ３４からチェレンコフ放射された２次高調波４４は円
錐を進行方向に重ねた形で放射され、グレーティングカ
ップラー４５によって２次元導波路薄膜３６に導かれて
、平行ビームとじて２次元導波路薄膜３６を伝播する。 表面弾性波４８は回折格子の働きをし、平行ビームを回
折して、その光の向きを変える。ユニで光の向きを変え
る理由は、最終的に得られた光スポット３８を光ディス
ク３９上で、このディスク３９上に蓄力）れたピントの
列を追随すなわちトラッキングできるようにするためで
ある。さて、表面弾性波４６を経たビームは、グレーテ
ィング対物レンズ４０によって光ディスク３９上にフォ
ーカスされ、光スポット３８を形成する。この光スポッ
トは、光ディスク３９上に記録されたピット列より信号
を読み取る。光ディスク３９からの反射光は、グレーテ
ィング対物レンズ４０により集光され、元の２次元導波
路薄膜３６を逆方向に伝播する。そして、グレーティン
グビームスプリッタ４１を通って、ディテクタ対４２．
４３に至り、記録信号を検出するとともに、オートフォ
ーカス信号及びトラッキング信号を得て常にフォーカス
スポットが光ディスク上のピット列に当たるべく作用す
る。 なお、ここで用いる半導体レーザ３４は、実施例１〜実
施例３のいずれを用いても良い。 【発明の効果１ 本発明によれば、ワンチップで２次高調波による短波長
光を取り出すことができる。従って、このチップを光デ
ィスクの読みだし、書き込みの光源として用いることに
より、従来の４倍の密度の情報量を得ることができる。
の共振器の長さ方向に対しほぼ平行になるように、半導
体レーザに一体的に設けること、およびこれらを構成す
る材料を次の条件を満たすように選ぶことにより達成で
きる。 すなわち、半導体レーザの活性層の屈折率をｎｌ、透明
導波路の屈折率を０２、基本波（波長λ）に対する半導
体レーザと透明導波路とで構成される光導波路の実効屈
折率をｎｔとしたとき、ｎ２（λ）＜ ｎｌ（λ）、 Ｉｌ＆ ＜ １１２（λ／２）［チェレンコフ放射の条
件］、透明導波路は２次高調波に対して透明、であると
いう３つの条件を満たすように構成材料を選ぶ。 また透明導波路の２次高調波出射部の形状を。 出射方向に沿い出射面に向かって細くなる半円錐状等の
錐状にすることにより、２次高調波の集光性を向上させ
ることができる。 【作用１ 本発明の作用を第２図を用いて説明する。第２図には、
半導体レーザの活性層としてＧａＡｓを用いた場合の、
ＧａＡｓと透明導波路の各々の屈折率ｎ、およびｎ２の
グラフが示されている。 また、基本波（波長λ）に対する半導体レーザと透明導
波路とで構成される光導波路の実効屈折率ｎよは、透明
導波路の屈折率ｎ２ （λ）より上に位置しており、基
本波は光導波路中を導波する。 また、活性層と透明導波路間の距離は十分に小さいので
、基本波の発生に伴って発生する２次高調波は、基本波
に対しチェレンコフ放射角α（ｎ２（λ／２）ｃｏｓα
−０１）を保って、透明導波路中に放射される。そして
透明導波路中を導波して外部に出射される。 また、透明導波路の２次高調波出射部の形状を、出射方
向に沿い出射面に向かって細くなる半円錐状等の錐状に
することにより、２次高調波の出射光をレーザ共振器長
方向に平行にでき集光性が向上する。 【実施例１ 実施例１゜ 実施例１を第１図（ａ）、第１図（ｂ）を用いて説明す
る。 第１図（ａ）は、素子の正面図であり、第１図（ｂ）は
、第１図（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。活性層
３で発光した基本波のレーザ光は、活性層中のＧ ａ
Ａ ｓの非線形現象により２次高調波を発生する。透明
導波路１は活性層３に十分近づけである。従って、活性
層３で発生した２次高調波は効率良く透明導波路１にチ
ェレンコフ放射される。さらに、透明導波路１の一端は
、チェレンコフ放射した２次高調波を平行光にするため
に、第１図（ａ）、第１図（ｂ）で示したように、頂角
θの半円錐形となっている。 次に、素子の作製方法について述べる。高抵抗Ｇ ａ
Ａ ｓ基板結晶５上にアンドープＡ１．３５Ｇ ａ 、
６５Ａ ｓクラッド層４、Ｇ ａ Ａ ｓ活性層３、ア
ンドープＡ ｌ 、３５Ｇ ａ 、ｓｓＡ Ｓクラッド
層２をＭＢＥ法により順次形成する。次に５ｉ０２、Ｓ
ｉＮをＣＶＤ法により順次形成する。次にＲＩＥにより
、この５ｉ０２、ＳｉＮをストライプ形成部上に拡散マ
スクとして残す。つぎにこの拡散マスクの片側のアンド
ープＡ ｌ 、３５Ｇ ａ 、６５Ａ ５クラッド層２
上だけに、リフトオフ法を用いて電子ビーム蒸着法を用
いてＳｉを蒸着する。さらに全面に熱ＣＶＤ法により５
ｉ０２を堆積させ、この状態でｎ型不純物Ｓｉの拡散を
行なう。その結果、ｎ型不純物拡散領域７が形成される
。その後、拡散マスクに対してＳｉを拡散した側とは反
対側の部分の５１０２をエツチングしてＺｎ拡散の窓と
する。その後、Ｚｎ拡散を行ないｐ型不純物拡散領域６
を形成する。これと同時にストライプが形成される。そ
の後、リフトオフ法によりｐ、０両電極を形成する。こ
こで、ｐ側電極としてはＡ ｕ ／Ｃｒを、ｎ側電極と
してはＡ ｕ ／ Ｃｒ ／ Ａ ｕ Ｇ ｅＮｉを用
いる。素子は共振器長３ｍｍに襞間し、両端面には膜厚
が１／４波長の８１０．とａ〜Ｓｉの多重膜からなる高
反射膜８を蒸着する。ここで、高反射膜は襞間面より反
射率が大きい膜をさす（以下同様）。次に、圧着法によ
り透明導波路１を半導体レーザと一体化する。透明導波
路１の材料にはａ−ＳｉまたはＴｉＯを用いる。透明導
波路１はあらかじめ、その一端を研磨により頂角がθの
半円錐形としておき、他端には２次高調波に対して高反
射となる膜９（付けることにより反射率が高くなる膜）
を蒸着しておく。 本実施例の素子は、基本波の発振波長８７０ｎｍにおい
て室温連続発振する。しきい値電流は１ｍＡである。ま
た、２次高調波１２の波長は４３５ｎｍである。２次高
調波出力は、基本波１ｍＷに対して１０ｍＷである。ま
た、発生した２次高調波はレンズによるコリメートが可
能である。 実施例２゜ 実施例２を第３図（ａ）、第３図（ｂ）を用いて説明す
る。 第３図（ａ＞は、素子の正面図であり、第３図（ｂ）は
、第３図（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。活性層
１４で発光した基本波のレーザ光は、活性層中のＧａＡ
ｓの非線形現象により２次高調波を発生する。ｎ側電極
４６には透明電極を用いる。従って、ｐ−ｎ接合方向を
活性層平面に対して垂直に形成することができる。透明
電極は、５ｎ０２、Ｔ ｉ ０２またはＡｕを、噴霧法
により形成する。透明導波路２０は活性層１４に十分近
づけである。従って、活性層１４で発生した２次高調波
は効率良く透明導波路２０にチェレンコフ放射される。 さらに、透明導波路２０の一端は、チェレンコフ放射し
た２次高調波を平行光にするために、第３図（ａ）、第
３図（ｂ）で示したように、頂角θの半円錐形となって
いる。 次に、素子の作製方法について述べる。ｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板結晶１８上にｐ型Ａ Ｉ 、３５Ｇ ａ 、６
５Ａｓクラッド層１６をＭＯＣＶＤ法により形成する。 次に５ｉ０２をマスクにしてストライプがメサ状に残る
ようにｐ型Ａ １−３５Ｇ ａ 、ａ５Ａ ｓクラッド
層１６をエツチングする。図ではｐ型Ａ ｌ 、３５Ｇ
ａ 、６５Ａ ｓクラッド層１６を貫通しｐ型ＧａＡ
ｓ基板まで達する場合を示しているが、０． ６μｍ以
上の深さがあれば、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１８まで達
する必要は無い。次に、この５ｉ０２を選択成長のマス
クとして、エツチング溝が埋まり、表面が平らになるま
で、ｎ型Ｇａ Ａ ｓ光吸収電流狭搾層１７をＭＯＣＶ
Ｄ法により形成する。ＳｉＯ２を除去した後、再びＭＯ
ＣＶＤ法によりｐ型Ａ ｌ 、３５Ｇ ａ 、６５Ａ
ｓクラッド層１５、Ｇ ａ Ａ ｓ活性層１４、ｎ型Ａ
１．３５Ｇ ａ 、６５Ａ ｓクララド層１３をＭＯ
ＣＶＤ法により順次形成する。その後、Ａ ｕ ／ Ｃ
ｔからなるｐ側電極１９を形成する。素子は共振器長３
ｍｍに襞間し、両端面には膜厚が１／４波長のＳｉＯ□
とａ Ｓｉの多重膜からなる高反射膜２２を蒸着によ
り形成する。次に、圧着法により透明導波路２０を半導
体レーザと一体化する。透明導波路２０の材料はＺｎＧ
ｅＰ２またはＺｎ５ｅを用いる。また、Ｚｎ５ｅに代え
て、禁制帯幅が基本波の波長相当よりも大きい他の■−
Ｖｌ族半導体を用いることができる。透明導波路はあら
かじめ、その一端を研磨により頂角がθの半円錐形とし
ておき、他端には２次高調波に対して高反射となるよう
な膜２３を蒸着しておく。また、半導体レーザとの接着
面となる半円錐形の平面部を含む面には、ｎ側透明電極
４６を形成しておく。 本実施例の素子は、基本波の発振波長８７０ｎｍにおい
て室温連続発振する。しきい値電流は１ｍＡである。ま
た、２次高調波２１の波長は４３５ｎｍである。２次高
調波出力は、基本波１ｍＷに対して１０ｍＷである。ま
た、発生した２次高調波はレンズによるコリメートが可
能である。 実施例３゜ 実施例３を第４図（ａ）、第４図（ｂ）を用いて説明す
る。 第４図（ａ）は、素子の正面図であり、第４図（ｂ）は
、第４図（ａ）におけるＡ−Ａ”断面図である。活性層
２６で発光した基本波のレーザ光は、活性層中のＧ ａ
Ａ ｓの非線形現象により２次高調波を発生する。ｎ
（ｔｉｌｌ電極は透明電極４７を用いる。従って、ｐ
ｎ接合方向を活性層平面に対して垂直に形成することが
できる。透明電極は、５ｎ０２、ＴｌＯ２またはＡｕを
、噴霧法により形成する。この透明導波路２４は活性層
２６に十分近づけである。従って、活性層２６で発生し
た２次高調波は効率良く透明導波路２４にチェレンコフ
放射される。さらに、透明導波路２４の一端は、チェレ
ンコフ放射した２次高調波を平行光にするために、第４
図（ａ）、第４図（ｂ）で示したように、頂角θの半円
錐形となっている。 次に、素子の作製方法について述べる。ｐ型Ｇ ａ Ａ
ｓ基板結晶２９上にｎ型ＧａＡｓ光吸収電流狭搾層２
８をＬＰＥ法を用いて形成する。次に、第４図（ａ）に
示したように、ストライプ幅１から２０μｍ、ストライ
プ開路［０，２から５μ。、ストライプ本数１から２０
本のストライプをホトエソチング工程により形成する。 この時二ノチングはｎ型Ｇａ Ａｓ光吸収電流狭搾層２
８を貫通し、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板結晶２９に達する
ようにする。 その後、ＬＰＥ法により、ｐ型Ａ １．３５Ｇ ａ 、
６５Ａｓクラッド層２７、Ｇ ａ Ａ ｓ活性層２６、
ｎ型Ａ ｌ 、３５Ｇ ａ 、６５Ａ Ｓクラッド層２
５をＬＰＥ法により形成する。その後、Ａ ｕ ／ Ｃ
ｒからなるｐ側電極３０を形成する。素子は共振器長３
ｍｍに襞間し、両端面には１／４波長の５ｉＯｚとａ−
８１の多重膜からなる高反射膜３２を蒸着により形成す
る。次に、圧着法により透明導波路２４を半導体レーザ
と一体化する。透明導波路２４の材料は（半導体レーザ
側） ／ Ｓ ｉ ０２／ Ｓ ｉ Ｎ／ ａ−３ｉの
積層体を用いる。屈折率の大小関係は半導体レーザから
遠ざかるにつれて大きくなっている。この関係は他の構
成としてもよい。また、５ｉ０２、ＳｉＮ層の厚さは数
１００〜１０００Ａである。透明導波路２４はあらかじ
め、その一端を研磨により頂角がθの半円錐形としてお
き。 他端には２次高調波に対して高反射となるような膜３３
を蒸着しておく。また、半導体レーザとの接着面となる
半円錐形の平面部を含む面には、ｎ側透明電極４７を形
成しておく。 本実施例の素子は、基本波の発振波長８７０ｎｍにおい
て室温連続発振する。また、２次高調波３１の波長は４
３５ｎｍである。しきい値電流はストライプ３本の場合
は３ｍＡ、ストライプ１０本の場合は１０ｍＡ、ストラ
イプ２０本の場合は２０ｍＡである。２次高調波出力は
、ストライプ３本の場合は基本波３ｍＷに対して３０ｍ
Ｗ、ストライプ１０本の場合は基本波１０ｍＷに対して
１００ｍＷ、ストライプ２０本の場合は基本波２０ｍＷ
に対して２００ｍＷである。発生した２次高調波はレン
ズによるコリメートが可能である。 以上実施例１〜３に示したように、本発明によれば、２
次高調波の出力を基本波の１０−５倍以上にでき、従来
の１０−６倍程度よりも大きくできる。 なお、本発明は、実施例１〜３に示した波長８７０ｎｍ
前後に限らず、波長６８０−８９０ｎｍのＡ Ｉ Ｇ
ａ Ａ ｓ系半導体レーザ装置で、室温連続発振できる
全範囲にわたって実施可能である。 また、上記実施例において導電型をすべて反対にした構
造（ｐ型をｎ型に、ｎ型をｐ型に置き換えた構造）にす
ることができる。 また、上記実施例では、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ系の材
料を用いているが、ＡｌＧａ Ｐ、ＡｓＡｌ Ｉ ｎＰ
、ＡｓＡｌＧａ ＩｎＰ、ＡｌＧａ ＩｎＡｓなど、す
べての材料系に適応できることはいうまでもない。 実施例４゜ 実施例４を、第５図を用いて説明する。第５図はワンチ
ップの２次高調波光ヘツドの構成図である。 半導体レーザ素子３４は、実施例１と同じものであり、
これが２次元透明導波路を構成する音響光学結晶材料か
らなる基板３５の一端に埋め込まれている。また、基板
３５の片面には、半導体レーザ素子３４からチェレンコ
フ放射された２次高調波を導波し基板３５の他端から出
射させる２次光導波路薄膜３６が形成されている。さら
（こ、２次元導波路薄膜３６には、チェレンコフ放射さ
れた２次高調波４４を２次元導波路薄膜３６内（こ導く
グレーティングカップラー４５．２次元導波路薄膜３６
を伝播する平行ビームを回折してその向きを変える表面
弾性波４８を発生する表面弾性波発生器（具体的には、
結晶表面の２次元導波路薄膜に高電圧を印加するための
電極）３７が形成されている。また、基板３５の他端に
相当する部分には、光ディスク３９上に平行ビームをフ
ォーカスするグレーティング対物レンズ４０が形成され
ている。さらには、光ディスク３９からの反射光処理用
のグレーティングビームスプリンタ４１およびディテク
タ対４２．４３が、グレーティング対物レンズ４０側か
ら順次形成されている。 これらは、以下で述べるような働きをする。半導体レー
ザ３４からチェレンコフ放射された２次高調波４４は円
錐を進行方向に重ねた形で放射され、グレーティングカ
ップラー４５によって２次元導波路薄膜３６に導かれて
、平行ビームとじて２次元導波路薄膜３６を伝播する。 表面弾性波４８は回折格子の働きをし、平行ビームを回
折して、その光の向きを変える。ユニで光の向きを変え
る理由は、最終的に得られた光スポット３８を光ディス
ク３９上で、このディスク３９上に蓄力）れたピントの
列を追随すなわちトラッキングできるようにするためで
ある。さて、表面弾性波４６を経たビームは、グレーテ
ィング対物レンズ４０によって光ディスク３９上にフォ
ーカスされ、光スポット３８を形成する。この光スポッ
トは、光ディスク３９上に記録されたピット列より信号
を読み取る。光ディスク３９からの反射光は、グレーテ
ィング対物レンズ４０により集光され、元の２次元導波
路薄膜３６を逆方向に伝播する。そして、グレーティン
グビームスプリッタ４１を通って、ディテクタ対４２．
４３に至り、記録信号を検出するとともに、オートフォ
ーカス信号及びトラッキング信号を得て常にフォーカス
スポットが光ディスク上のピット列に当たるべく作用す
る。 なお、ここで用いる半導体レーザ３４は、実施例１〜実
施例３のいずれを用いても良い。 【発明の効果１ 本発明によれば、ワンチップで２次高調波による短波長
光を取り出すことができる。従って、このチップを光デ
ィスクの読みだし、書き込みの光源として用いることに
より、従来の４倍の密度の情報量を得ることができる。
第１図（ａ）は実施例１の正面図、第１図（ｂ）は第１
図（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図、第２図はＱ ａ Ａ
ｓ、透明導波路、基本波の実効屈折率の波長分散を示
した図、第３図（ａ）は実施例２の正面図、第３図（ｂ
）は第３図（ａ）におけるＡ−Ａ″断面図、第４図（ａ
）は実施例３の正面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）に
おけるＡ−Ａ’断面図、第５図は実施例４の斜視図、第
６図はチェレンコフ放射による２次高調波発生の従来技
術の斜視図である。 符号の説明 １・・・透明導波路、２・・・アンドープＡ Ｉ Ｇ
ａ Ａ ｓクランド層、３・・・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層
、４・・アンドープＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層
、５・・・高抵抗ＧａＡｓ基板結晶、６・ ｎ型不純物
拡散領域、７・・・ｎ型不純物拡散領域、訃・高反射膜
、９・・高反射膜、１０・ｐ側電極、１１− ｎ （Ｉ
ＩＩ ［極、１２・ ＳＭＣ光、１３− ｎ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、１４−ＧａＡｓ活性層、１５− ｐ型
Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層、１６ ＝・ｐ型Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層、ｌ’７”’ｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ光吸収電流狭搾層、１８− ｐ型ＧａＡｓ基
板結晶、１９・・ｐ側電極、２０・・透明導波路、２１
・・ＳＭＣ光、２２・・高反射膜、２３・・・高反射膜
、２４−・透明導波路、２５− ｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、２６・・・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、２７・・ｐ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層、２８− ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓ光吸収電流狭搾層、２９・・・ｐ型Ｇａ Ａ ｓ基板
結晶、３０・・・ｐ側電極、３１・・・ＳＭＣ光、３２
・・・高反射膜、３３・・高反射膜、３４・・半導体レ
ーザ、３５・基板、３６・・・２次元導波路薄膜、３７
・表面弾性波発生器、３８・・光スポット、３９・・光
ディスク、４０・・グレーティング対物レンズ、４１・
・・グレーティングビームスプリンタ、４２ ディテク
タ、４３−ディテクタ、４４ ・チェレンコフ光、４５
・グレーティングカップラー、４６・・ｎ側透承 打 プ入 ジ良長 ３／ Ｊ７゜ ３？ ｙ 劣５図 名乙画
図（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図、第２図はＱ ａ Ａ
ｓ、透明導波路、基本波の実効屈折率の波長分散を示
した図、第３図（ａ）は実施例２の正面図、第３図（ｂ
）は第３図（ａ）におけるＡ−Ａ″断面図、第４図（ａ
）は実施例３の正面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）に
おけるＡ−Ａ’断面図、第５図は実施例４の斜視図、第
６図はチェレンコフ放射による２次高調波発生の従来技
術の斜視図である。 符号の説明 １・・・透明導波路、２・・・アンドープＡ Ｉ Ｇ
ａ Ａ ｓクランド層、３・・・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層
、４・・アンドープＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層
、５・・・高抵抗ＧａＡｓ基板結晶、６・ ｎ型不純物
拡散領域、７・・・ｎ型不純物拡散領域、訃・高反射膜
、９・・高反射膜、１０・ｐ側電極、１１− ｎ （Ｉ
ＩＩ ［極、１２・ ＳＭＣ光、１３− ｎ型ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、１４−ＧａＡｓ活性層、１５− ｐ型
Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層、１６ ＝・ｐ型Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層、ｌ’７”’ｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ光吸収電流狭搾層、１８− ｐ型ＧａＡｓ基
板結晶、１９・・ｐ側電極、２０・・透明導波路、２１
・・ＳＭＣ光、２２・・高反射膜、２３・・・高反射膜
、２４−・透明導波路、２５− ｎ型ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、２６・・・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、２７・・ｐ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層、２８− ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓ光吸収電流狭搾層、２９・・・ｐ型Ｇａ Ａ ｓ基板
結晶、３０・・・ｐ側電極、３１・・・ＳＭＣ光、３２
・・・高反射膜、３３・・高反射膜、３４・・半導体レ
ーザ、３５・基板、３６・・・２次元導波路薄膜、３７
・表面弾性波発生器、３８・・光スポット、３９・・光
ディスク、４０・・グレーティング対物レンズ、４１・
・・グレーティングビームスプリンタ、４２ ディテク
タ、４３−ディテクタ、４４ ・チェレンコフ光、４５
・グレーティングカップラー、４６・・ｎ側透承 打 プ入 ジ良長 ３／ Ｊ７゜ ３？ ｙ 劣５図 名乙画
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基本波発振する半導体レーザと、該半導体レーザの
共振器長方向に対しほぼ平行になるように該半導体レー
ザに一体的に設けられた透明導波路を有する半導体レー
ザ装置であって、上記基本波の２次高調波が上記透明導
波路を導波して外部に出射され、かつ上記２次高調波の
出力は上記基本波の出力の１０＾−＾５倍以上であるこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 ２、基本波発振する半導体レーザと、該半導体レーザの
共振器長方向に対しほぼ平行になるように該半導体レー
ザに一体的に設けられた透明導波路を有する半導体レー
ザ装置であって、上記基本波の２次高調波が上記透明導
波路を導波して外部に出射され、かつ上記半導体レーザ
および透明導波路の構成材料は、上記基本波（波長λ）
に対する上記半導体レーザの活性層の屈折率をｎ＿１（
λ）、上記透明導波路の屈折率をｎ＿２（λ）、上記半
導体レーザと上記透明導波路とで構成される光導波路の
実効屈折率をｎ＿１としたとき、 ｎ＿２（λ）＜ｎ＿１（λ）、 ｎ＿λ＜ｎ＿２（λ／２） の条件を満たす材料からなることを特徴とする半導体レ
ーザ装置。 ３、上記透明導波路の２次高調波出射部の形状は、出射
方向に沿い出射面に向かって細くなる錐状である請求項
２記載の半導体レーザ装置。 ４、上記錐状は半円錐状である請求項３記載の半導体レ
ーザ装置。 ５、上記半導体レーザは半導体基板上に形成されたダブ
ルヘテロ構造体を有しており、上記透明導波路は上記基
板に対し遠い側のクラッド層と接している請求項４記載
の半導体レーザ装置。 ６、上記半導体基板は高抵抗半導体基板であり、上記ダ
ブルヘテロ構造体は上記半導体レーザの共振器長方向に
発光領域を挾んで延在しているｐおよびｎ側電極層を有
しており、該ｐおよびｎ側電極層は上記基板に対し遠い
側のクラッド層表面まで延在している請求項５記載の半
導体レーザ装置。 ７、上記半導体基板は導電性半導体基板であり、該基板
と上記基板に対し遠い側のクラッド層は各々反対導電型
の電極と接続しており、該電極のうち上記クラッド層と
接続した電極は透明電極である請求項５記載の半導体レ
ーザ装置。 ８、上記半導体レーザの発光領域は上記半導体レーザの
共振器長方向に延在している複数本のストライプからな
る請求項７記載の半導体レーザ装置。 ９、上記透明電極はｎ側電極である請求項６乃至８のい
ずれかに記載の半導体レーザ装置。 １０、上記透明導波路は、該透明導波路の上記２次高調
波に対する実効屈折率より、屈折率の大きな層１層以上
と、小さな層１層以上の２層以上の層から構成されてい
る請求項２乃至９のいずれかに記載の半導体レーザ装置
。 １１、上記透明導波路の屈折率は、上記半導体レーザか
ら遠ざかるにつれて順次大きくなっている請求項１０記
載の半導体レーザ装置。 １２、上記透明導波路はII−VI族半導体からなる請求項
２乃至１１のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 １３、上記半導体レーザの両端面には、劈開面の反射率
より高反射率の膜が形成されており、上記透明導波路の
２次高調波出射部と反対側の端面には、上記２次高調波
の反射率を高める膜が形成されている請求項２乃至１２
のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 １４、透明導波路基板と、該透明導波路基板の一端に埋
め込まれている半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子からチェレンコフ放射された２次高調波を上記透明導
波路基板の他端に導波する上記透明導波路基板の一表面
に形成された２次元導波路薄膜と、該２次元導波路薄膜
に形成された上記チェレンコフ放射２次高調波を上記２
次元導波路薄膜に導くカップラー、上記２次元導波路薄
膜を伝播する平行ビームを偏向する手段、光ディスク上
に平行ビームをフォーカスする対物レンズ、および光デ
ィスクからの反射光を順に処理するビームスプリッタお
よびディテクタ対を有していることを特徴とする半導体
レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337115A JPH04206791A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザ装置 |
| US07/793,647 US5208827A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-18 | Semiconductor laser device having a transparent waveguide and a large second harmonic generation output |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337115A JPH04206791A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206791A true JPH04206791A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18305582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2337115A Pending JPH04206791A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5208827A (ja) |
| JP (1) | JPH04206791A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5359682A (en) * | 1990-03-07 | 1994-10-25 | Cselt-Centro Studi E Laboratori Telecomunicazioni S.P.A. | Method of adjusting the operation characteristics of integrated optical devices |
| US5276745A (en) * | 1992-10-15 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Integrated optic read/write head for optical data storage incorporating second harmonic generator, electro-optic tracking error actuator, and electro-optic modulator |
| US5576879A (en) * | 1994-01-14 | 1996-11-19 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Composite optical modulator |
| JPH11346021A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-12-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光装置およびその製造方法 |
| US6782025B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-24 | Trumpf Photonics, Inc. | High power distributed feedback ridge waveguide laser |
| EP2817856B1 (en) * | 2012-02-21 | 2018-05-09 | OFS Fitel, LLC | Optical mode conversion using intermodal cherenkov radiation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0514538Y2 (ja) * | 1986-10-08 | 1993-04-19 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2337115A patent/JPH04206791A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-18 US US07/793,647 patent/US5208827A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5208827A (en) | 1993-05-04 |
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