JPH0514538Y2 - - Google Patents
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- JPH0514538Y2 JPH0514538Y2 JP1986154856U JP15485686U JPH0514538Y2 JP H0514538 Y2 JPH0514538 Y2 JP H0514538Y2 JP 1986154856 U JP1986154856 U JP 1986154856U JP 15485686 U JP15485686 U JP 15485686U JP H0514538 Y2 JPH0514538 Y2 JP H0514538Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- harmonic generator
- resonator
- waveguide
- laser device
- Prior art date
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0604—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising a non-linear region, e.g. generating harmonics of the laser frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- Lasers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この考案は、たとえば光デイスクメモリ装置、
光計測あるいは医療用機器の光源として使用され
る短波長のレーザ光を出力する半導体レーザ装置
に関するものである。
光計測あるいは医療用機器の光源として使用され
る短波長のレーザ光を出力する半導体レーザ装置
に関するものである。
(ロ) 従来の技術
一般に、光デイスクメモリ装置や医療機器など
の光源として、短波長レーザ光を出力する光源に
対する要望が高まつている。短波長レーザ光を得
る一般的な方法として、非線型媒質を用いて第２
高調波を発生させるものが知られており、今後が
期待されている。特に、導波路型高調波発生器
は、基本波の光強度密度を上げ得るので、高効率
な変換が得られるものとしてよく知られている。
の光源として、短波長レーザ光を出力する光源に
対する要望が高まつている。短波長レーザ光を得
る一般的な方法として、非線型媒質を用いて第２
高調波を発生させるものが知られており、今後が
期待されている。特に、導波路型高調波発生器
は、基本波の光強度密度を上げ得るので、高効率
な変換が得られるものとしてよく知られている。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
ところが、上記の高調波発生器は、基本波を出
力する半導体レーザ装置とは別体であり、ゆえに
高調波発生器と基本波との結合が容易ではなく、
実用性に乏しいものであつた。
力する半導体レーザ装置とは別体であり、ゆえに
高調波発生器と基本波との結合が容易ではなく、
実用性に乏しいものであつた。
この考案は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、高調波発生器を一体に備え、良質の短波長レ
ーザ光を出力することができる半導体レーザ装置
を提供しようとするものである。
で、高調波発生器を一体に備え、良質の短波長レ
ーザ光を出力することができる半導体レーザ装置
を提供しようとするものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段
この考案は、共振器を有する半導体レーザと、
導波路を有する非線形媒質からなる高調波発生器
とが一体化された半導体レーザ素子において、高
調波発生器は、半導体レーザの一端に形成された
溝に嵌入されて両者間に介在する金属膜によつて
融着され、共振器と導波路は、略同一断面寸法
で、かつ互いの光軸が一致して連結するように配
置されたことを特徴とする半導体レーザ装置であ
る。
導波路を有する非線形媒質からなる高調波発生器
とが一体化された半導体レーザ素子において、高
調波発生器は、半導体レーザの一端に形成された
溝に嵌入されて両者間に介在する金属膜によつて
融着され、共振器と導波路は、略同一断面寸法
で、かつ互いの光軸が一致して連結するように配
置されたことを特徴とする半導体レーザ装置であ
る。
(ホ) 作用
半導体レーザ素子に形成される溝部に、高調波
発生器が融着固定されるので、光学的結合が確実
となり容易に短波長レーザ光を得ることができ
る。
発生器が融着固定されるので、光学的結合が確実
となり容易に短波長レーザ光を得ることができ
る。
(ヘ) 実施例
以下この考案の実施例を図面にて詳述するが、
この考案は以下の実施例に限定されるものではな
い。
この考案は以下の実施例に限定されるものではな
い。
第１図において、１は半導体レーザ素子で、共
振器２を有している。半導体レーザ素子１の一方
端部１ａには、RIBE（リアクテイブ イオン
ビーム エツチング）法により、共振器２の光軸
を基準として、光軸方向に所定長を有し、また共
振器２より幅寸法および深さ寸法の大なるメサ型
の溝部３が形成される。溝部３の底面にはMoお
よびAuが蒸着される。４は高調波発生器で、た
とえばLiNbO3などの非線型媒質からなり、溝部
３の長さＬ、幅Ｗおよび深さＤとほぼ同一外形寸
法を有している。高調波発生器４には、共振器２
の断面寸法とほぼ同一の断面寸法を有する導波路
５が、安息香酸によるプロトン置換法により形成
される。そして溝部３と当接する高調波発生器４
の外面には、Mo，AuおよびInが蒸着されたの
ち、高調波発生器４は溝部３へ載置（埋め込み）
され、この後周囲温度を上昇させることによつ
て、高調波発生器４を半導体レーザ素子１に融着
固定する。この場合、溝部３の内側寸法が高調波
発生器４の外形寸法とがほぼ同一であるため、共
振器２と導波路５との光軸は融着完了後一致する
ものである。以上のようにして半導体レーザ素子
１と高調波発生器４とが融着結合され一体となつ
た半導体レーザ装置が構成される。
振器２を有している。半導体レーザ素子１の一方
端部１ａには、RIBE（リアクテイブ イオン
ビーム エツチング）法により、共振器２の光軸
を基準として、光軸方向に所定長を有し、また共
振器２より幅寸法および深さ寸法の大なるメサ型
の溝部３が形成される。溝部３の底面にはMoお
よびAuが蒸着される。４は高調波発生器で、た
とえばLiNbO3などの非線型媒質からなり、溝部
３の長さＬ、幅Ｗおよび深さＤとほぼ同一外形寸
法を有している。高調波発生器４には、共振器２
の断面寸法とほぼ同一の断面寸法を有する導波路
５が、安息香酸によるプロトン置換法により形成
される。そして溝部３と当接する高調波発生器４
の外面には、Mo，AuおよびInが蒸着されたの
ち、高調波発生器４は溝部３へ載置（埋め込み）
され、この後周囲温度を上昇させることによつ
て、高調波発生器４を半導体レーザ素子１に融着
固定する。この場合、溝部３の内側寸法が高調波
発生器４の外形寸法とがほぼ同一であるため、共
振器２と導波路５との光軸は融着完了後一致する
ものである。以上のようにして半導体レーザ素子
１と高調波発生器４とが融着結合され一体となつ
た半導体レーザ装置が構成される。
上記実施例において、半導体レーザ素子１の共
振器２と高調波発生器４の導波路５とは融着によ
つて効率よく結合がなされており、したがつて半
導体レーザ素子１の出力100mWに対して出力
10mW、波長390nmの短波長レーザ光（青色発
光）が容易に得られた。
振器２と高調波発生器４の導波路５とは融着によ
つて効率よく結合がなされており、したがつて半
導体レーザ素子１の出力100mWに対して出力
10mW、波長390nmの短波長レーザ光（青色発
光）が容易に得られた。
(ト) 考案の効果
この考案によれば、きわめて簡便に基本波の高
調波発生器への結合が可能で、実用性が極めて高
い、短波長光を出力する半導体レーザ装置が得ら
れる。
調波発生器への結合が可能で、実用性が極めて高
い、短波長光を出力する半導体レーザ装置が得ら
れる。
第１図はこの考案の実施例斜視図である。
１……半導体レーザ素子、１ａ……一方端部、
２……共振器、３……溝部、４……高調波発生
器、５……導波路。
２……共振器、３……溝部、４……高調波発生
器、５……導波路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 共振器を有する半導体レーザと、導波路を有す
る非線形媒質からなる高調波発生器とが一体化さ
れた半導体レーザ素子において、 高調波発生器は、半導体レーザの一端に形成さ
れた溝に嵌入されて両者間に介在する金属膜によ
つて融着され、 共振器と導波路は、略同一断面寸法で、かつ互
いの光軸が一致して連結するように配置されたこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986154856U JPH0514538Y2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | |
| GB878723535A GB8723535D0 (en) | 1986-10-08 | 1987-10-07 | Semiconductor laser apparatus |
| US07/105,585 US4862473A (en) | 1986-10-08 | 1987-10-08 | Semiconductor laser apparatus having a high harmonic generating waveguide |
| GB8809835A GB2202990B (en) | 1986-10-08 | 1988-04-26 | Semiconductor laser device and a method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986154856U JPH0514538Y2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6361173U JPS6361173U (ja) | 1988-04-22 |
| JPH0514538Y2 true JPH0514538Y2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=15593403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986154856U Expired - Lifetime JPH0514538Y2 (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4862473A (ja) |
| JP (1) | JPH0514538Y2 (ja) |
| GB (2) | GB8723535D0 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2738713B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1998-04-08 | 株式会社日立製作所 | 第２高調波発生装置 |
| JPH04206791A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2805400B2 (ja) * | 1991-06-14 | 1998-09-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 光波長変換装置 |
| US5363390A (en) * | 1993-11-22 | 1994-11-08 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor laser that generates second harmonic light by means of a nonlinear crystal in the laser cavity |
| US5390210A (en) * | 1993-11-22 | 1995-02-14 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor laser that generates second harmonic light with attached nonlinear crystal |
| JPH11346021A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-12-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光装置およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286881A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光出力装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3619795A (en) * | 1970-04-10 | 1971-11-09 | Bell Telephone Labor Inc | Phase matching in dielectric waveguides to extend the interaction distance of harmonic generators and parametric amplifiers |
| JPS58378A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマジエツト溶接，切断方法 |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP1986154856U patent/JPH0514538Y2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-10-07 GB GB878723535A patent/GB8723535D0/en active Pending
- 1987-10-08 US US07/105,585 patent/US4862473A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-04-26 GB GB8809835A patent/GB2202990B/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286881A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光出力装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8809835D0 (en) | 1988-06-02 |
| GB2202990B (en) | 1990-04-11 |
| GB8723535D0 (en) | 1987-11-11 |
| JPS6361173U (ja) | 1988-04-22 |
| US4862473A (en) | 1989-08-29 |
| GB2202990A (en) | 1988-10-05 |
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