JP3514073B2 - 紫外レーザ装置及び半導体露光装置 - Google Patents

紫外レーザ装置及び半導体露光装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造のため
の露光システムに係わり、特に、ArF露光機のレンズ
収差測定装置のための光源、あるいは、露光機(ステッ
パー)の光源として使用可能な紫外レーザ装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路製造における集積度向上
のためには、露光機に用いる光源の波長を短くする必要
がある。そのため、将来の露光機として、ArFレーザ
の発する193nm光を利用する露光機の開発が行われてき
た。
【0003】[従来の波面収差測定器の光源] ArF露光機を開発するにあたって、レンズの収差測定
を行う際に、干渉計による波面収差測定装置が有用であ
る。
【0004】ここで使われる代表的な干渉計として、フ
ィゾー型(図5)または、トワイマン・グリーン型の干
渉計がある。
【0005】フィゾー型とは、被測定レンズ55の直前
に、光の伝搬方向と垂直に、参照面となるハーフミラー
54を置いて、一部を垂直に反射させ、参照光をとる。
一方、ハーフミラー54を透過した光は、被測定レンズ
55を透過して、反射鏡56で折り返され、再び被測定
レンズを透過した後に、参照光と重なる。
【0006】この方式は、参照光の光路が測定光の光路
と重なっており、測定に誤差をおよぼす部品が少ないと
いう利点がある。しかし、参照光と測定光の光路長に差
が生ずる。
【0007】トワイマン・グリーン型では、まず、光軸
に対して傾けたハーフミラーによって光を2方向に分
け、参照光と測定光を作る。参照光は反射鏡で折り返
す。測定光は光路中の被測定レンズを通した後、反射鏡
で折り返し、再び被測定レンズを通した後に、参照光と
干渉させる。トワイマングリーン干渉計は、参照光路長
と測定光路長を等しくとることができるが、そのため大
型になり、精度が出しにくいという欠点があった。ま
た、参照光路と測定光路がまったく別のために、参照光
路中の部品の収差や光路中の空気ゆらぎが測定誤差の原
因となるという欠点もあった。
【0008】それゆえ、なるべくフィゾー干渉計を用い
るほうが誤差の点で望ましいものとされている。
【0009】ところが、二つの干渉計の選択におよぼす
問題の一つとして、測定に用いるレーザ光源のコヒーレ
ンスがある。
【0010】193nmのレーザとして従来用いられてきた
ArFレーザはコヒーレンスが低いという問題があっ
た。そのため、参照光路長と測定光路長を等しくする必
要があった。それゆえ、トワイマングリーン干渉計が必
要であり、フィゾー干渉計が使えないという困難があっ
た。
【0011】[従来のArF露光機] ArF露光機においては、色収差を少なくするために、
ArFレーザの波長幅を狭帯域化することが求められて
いた。ところがArFレーザはパルス発振のピークパワ
ーが強いことによる狭帯域化素子の損傷などにより、狭
帯域化が困難であった。
【0012】[従来の和周波発生レーザ] 2つのレーザ光からの和周波発生を行う方法は、従来、
パルスレーザ光で行われてきた。パルスレーザ光では、
非線形光学結晶を共振器中に置く必要はなく、前記結晶
に2つの波長のレーザ光を同時に透過させれば良かっ
た。しかし、パルス光では長いコヒーレント長を実現す
ることに困難があった。
【0013】また、Liu他(Enquan Liu, F. B. Dunnin
g, and F. K. Tittel, Applied Optics Vol.21 , No. 1
9, October 1, 1982, pp. 3415-3416)により、第1の
レーザの共振器中に、和周波発生のための非線形光学結
晶をおくが、第2のレーザ光は、この結晶を1回通過さ
せるだけの構造を持つものが提案された。しかし、この
場合には、第2のレーザ光を共振させていないので、非
線形結晶の場所での第2のレーザ光の強度が弱く、結果
として和周波光の強度が弱かった。
【0014】また、Watanabe他(M. Watanabe, K. Haya
saka, H. Imajo, S. Urabe, OpitcsLetters, Vol. 17,
No. 1, January 1, 1992, pp. 46-48)により、第1の
レーザ(波長750nmから810nmを発生するチタン・サファ
イアレーザ)に共鳴する一つの外部共振器のなかに、非
線形光学結晶をおき、第2のレーザ(波長515nmのアル
ゴンレーザの2倍波の257nm)の光は、この結晶を一回
通過させ、194nmの光を発生させる装置も提案された。
この場合、第2のレーザ光が共振されていないので、非
線形光学結晶の場所でその強度が弱く、結果として発生
した和周波光の強度も4μW程度と弱いものであった。
【0015】また、二つの連続波レーザ光を一つの外部
共振器に同時に入射させて、どちらの波長に対しても同
時に共振状態になるように制御し、和周波発生を行う方
法が提案されている(Kaneda, Y. and Kubota, S., OSA
TOPS on Advanced Solid-State Lasers, 1996, vol.
1, p. 352-355)。この方法では、レーザ1の光に対し
て外部共振器を同調させる1台のサーボ制御装置と、さ
らに、レーザ2の光の波長をこの外部共振器に同調させ
るもう1台の合計2台のサーボ制御装置が必要であり、
構成が複雑になるうえに、システムが不安定になる場合
があるなどの欠点があった。さらに、外部共振器にレー
ザ1とレーザ2の光を入射させる際に、結合効率が悪
く、内部に入るパワーが減少し、効率が落ちるという欠
点があった。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点を鑑みてなされたもので、以下のような目的を備え
る。
【0017】本発明の目的は、時間コヒーレンスおよび
空間コヒーレンスの高い、しかも大出力の193nmあるい
はその近傍波長のレーザ光を発生する紫外レーザ装置を
実現すると共に、当該紫外レーザ装置を光源として用い
てレンズ波面収差測定を行うフィゾー干渉計を提供する
ことにある。
【0018】また、本発明の他の目的は、同様な構造に
よって193nmあるいは213nmの露光機用光源として機能す
ることが可能な紫外レーザ装置を提供することにある。
【0019】また、本発明の他の目的は、和周波発生を
利用する紫外レーザ装置において、サーボの段数を1段
にとどめながら和周波発生に用いる2つのレーザ光のど
ちらにも共振する共振器を用意し、該共振器の中に配置
された非線形光学結晶に、高強度の2つの波長のレーザ
ビームを供給することで、必要とされるサーボ制御装置
の台数を最小にすると共に、システムの簡素化および安
定化を図ることができる、大出力の紫外レーザ装置を実
現することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項1に記載の紫外レーザ装置は、レー
ザ結晶と非線形光学結晶を含む第1の共振器であって励
起された前記レーザ結晶から発生した第1の連続波レー
ザ光が前記非線形光学結晶を介して共振する第1の共振
器と、前記非線形光学結晶を含む第2の共振器であっ
て、該第2の共振器の外部に設けられたレーザ光発生源
から発生した第2の連続波レーザ光が、前記非線形光学
結晶を介して共振する第2の共振器とを備え、前記共振
器のうちいずれか一方の共振器がリング共振器であり、
前記非線形光学結晶は、前記第1の連続波レーザ光と前
記第2の連続波レーザ光の和周波発生を行ない、前記レ
ーザ結晶として、 650nm から 1100nm 付近のレーザ光を発
生するチタン・サファイアレーザを用い、前記第2の共
振器の外部に設けられたレーザ光発生源として、 260nm
付近のレーザ光を少なくとも発生する希土類イオンを含
む固体レーザを用い、 前記和周波発生により、 180nm
から 215nm 付近のレーザ光を発生させること を特徴と
する紫外レーザ装置である。
【0021】請求項2に記載の紫外レーザ装置は、レー
ザ結晶と非線形光学結晶を含む第1の共振器であって励
起された前記レーザ結晶から発生した第1の連続波レー
ザ光が前記非線形光学結晶を介して共振する第1の共振
器と、前記非線形光学結晶を含む第2の共振器であっ
て、該第2の共振器の外部に設けられたレーザ光発生源
から発生した第2の連続波レーザ光が、前記非線形光学
結晶を介して共振する第2の共振器とを備え、前記共振
器のうちいずれか一方の共振器がリング共振器であり、
前記非線形光学結晶は、前記第1の連続波レーザ光と前
記第2の連続波レーザ光の和周波発生を行ない、前記第
1の連続波レーザ光の発生源として 1064nm 付近を発生す
Nd 固体レーザを用い、前記第2の連続波レーザ光の発
生源として Nd 固体レーザを用い、該 Nd 固体レーザの発す
1064n m付近のレーザ光から発生させた4倍波の 266nm
付近のレーザ光を用い、前記和周波発生により 213nm
レーザ光を発生させることを特徴とする紫外レーザ装置
である。
【0022】請求項3に記載の紫外レーザ装置は、請求
項1に記載の紫外レーザ装置において、前記チタン・サ
ファイアレーザの波長を707nm付近とし、前記第2の連
続波レーザ光の発生源としてNd固体レーザを用い、該Nd
固体レーザが発する1064nm付近のレーザ光から発生させ
た4倍波の266nm付近のレーザ光を用い、前記和周波発
生によりArFレーザと同じ波長の193nmから194nm付近の
連続波レーザ光を発生させることを特徴とする紫外レー
ザ装置である。
【0023】
【0024】前記非線形光学結晶としては、β−BaBO
、SrBeBOまたはKBe 2BO 3F 2 を用いてもよい。
【0025】ここで、前記第1の非線形光学結晶として
は、LiBOを用いてもよい。また、前記第2の非線形
光学結晶としては、β−BaBO、SrBeBOおよ
KBe 2BO 3F 2 のうちいずれかを用いてもよい。
【0026】また、本発明による紫外レーザ装置は、被
測定レンズの収差測定を行うレンズ収差測定装置のレー
ザ光源として、あるいは、マスク上に形成された所定の
パターンをウエーハに投影するための半導体製造用露光
装置のレーザ光源として用いることができる。
【0027】また、上記各発明による紫外レーザ装置に
おいて、前記2つのレーザ光のうち一方の波長変化に連
動させて、前記和周波発生のための非線形光学結晶の位
相整合角を変化させる位相整合角変化手段をさらに備え
る構成としてもよい。
【0028】さらに、チタン・サファイアレーザの波長
変化に連動して、位相整合角変化手段を制御する場合に
は、和周波発生されたレーザ光の強度を検出する検出手
段をさらに設け、その検出結果に応じて位相整合角変化
手段を微調整する構成としてもよい。
【0029】
【発明の実施の形態】[第1の実施形態] 本発明による紫外レーザ装置の第1の実施形態における
構成例を図2に示す。
【0030】本実施形態によるレーザ装置は、レーザ光
源(以下レーザと略称する)とそれに対応する共振器と
を2組設け、これら2つの共振器の光路の一部を共有さ
せ、そこで和周波発生を行わせ、目的とする波長のレー
ザを発生させるものである。
【0031】図2において、23は、500nm付近の連続
光を発生する出力5W程度のレーザ(第1のレーザ)であ
り、チタン・サファイア結晶25を励起することに用い
られる。このレーザとしては、Nd:YVO4レーザの2倍波
の532nmのレーザを用いても良いし、515nm、488nmを発
生するアルゴンイオンレーザを用いても良い。励起用の
500nm付近の光はチタン・サファイア結晶で吸収され
る。チタン・サファイア結晶から発生する707nmの連続
光は、4枚の平面または曲面の反射鏡242, 243, 244, 2
41からなるリングレーザ共振器24(第1の共振器)に
共振して、高強度の707nm光を共振器中に存在させる。
この共振器24中を循環する707nm光のパワーは30W程度
になる。
【0032】ここで、241, 242, 243, 244は波長707nm
光に対して高反射(反射率99.9%以上)である反射鏡で
ある。さらに、241は励起光の500nm付近に対して高透過
(透過率95%以上)であり、244は、193nm光に対して十
分な透過率(透過率80%以上)を有するものとする。
【0033】なお、リングレーザ共振器24中の光路中
には、光の進行方向を本図の矢印の方向の1方向(242-
243-244-241の順)に限定するための、図不示の光ダイ
オードを挿入してある。同様に、リング共振器の共振波
長を選択する複屈折フィルターと、縦モードを1つに選
択するエタロンも挿入してある(図不示)。
【0034】一方、21は波長266nmの連続光を発生す
るレーザ(第2のレーザ)である。ここでは、Nd:YVO4
レーザの発生する1064nm光の4倍高調波レーザを用いて
いる。そのパワーは1Wである。266nmのレーザ光は、4
枚の反射鏡221, 222, 223, 224からなる266nmの共振器
22(第2の共振器)に入射する。ここで、221は266nm
光に対して98%の反射率を有する部分透過鏡で、222, 22
3, 224は、266nm光に対して高反射(反射率99.9%以上)
である。さらに、223と224は、707nm光に対しては高透
過(透過率99.7%以上)である反射鏡である。また、224
は193nm光に対しても十分な透過率(透過率80%以上)を
有する反射鏡である。
【0035】この和周波光を発生する共振器22の反射
鏡223と反射鏡224との間の光路は、チタンサファイアレ
ーザ共振器24と光路を共有している。
【0036】和周波光を発生する共振器22は、レーザ
21の発する266nmのレーザ光に共振するように、共振
器長をサーボ制御されている(図不示の機構による)。
サーボ制御機構としては、FMサイドバンド法(パウンド
・ドレーバー法)と呼ばれる方法を用いる。共振器長の
制御は、一個または複数の反射鏡の位置をアクチュエー
タによって変える方法や、非線形光学結晶26の電気光
学効果を用いる方法等がある。なお、もう一方の共振器
24においては、サーボ制御を必要としない。
【0037】この共振器22の内部には266nmの光が共
振することによって、高強度の266nm光が存在する。共
振器22中を循環する266nmのパワーは、50W程度と推定
される。
【0038】従って、反射鏡223から224の間には、高強
度(30W)の707nm光と、高強度(50W)の266nm光が同軸
で存在することになる。
【0039】本実施形態においては、共振器22、24
の共有光路となる反射鏡223と224との間に、和周波発生
のための非線形光学結晶BBO(β−BaBO)が配置
されている。BBOのカット方向は、光軸が結晶軸を基
準とした座標において約θ=76°である。これは707nm
光と266nm光の和周波発生を行い、193nm光を発生するこ
とに位相整合する角度である。また、BBOの入射・射
出の両端面には、707nm光と266nm光に対して反射防止コ
ートがなされている。さらに、このコートは射出端面は
193nm光に対して十分大きなの透過率を持つという条件
も満たす。
【0040】BBOでの和周波発生出力P193は707nm
のパワーをP707、266nmのパワーをP266とする
と、 P193 = ηP707P266 で与えられる。ここで、ηはビーム径や結晶の長さによ
って与えられる変換効率でη=5×10−5W−1程度の値
を取る。今回の場合は、P707 = 30W、P266= 50W
であるので、P193 = 0.075W = 75mWの193nmの光がB
BO結晶で発生すると見込まれる。この193nm光は、224
と244の2枚の反射鏡を透過する際に、その透過率(と
もに80%以上)の影響を受け、最終的には50mW程度の193
nm出力27を得ることになる。
【0041】ここで、266nm光を発生するレーザとし
て、Nd:YVO4レーザの4倍波ではなく、Nd:YAGレーザま
たはNd:YLFレーザの4倍波でも良い。ただし、Nd:YLFレ
ーザの1047nm光を用いる場合には、4倍波が261.8nm光
となるので、チタン・サファイアレーザの発振波長を74
0nmに変更し、最終的な和周波として193nm光を得る。
【0042】また、和周波発生のための非線型光学結晶
として、ここではBBO(β−BaBO)を用いた場合
の例を説明したが、その代わりに、SrBeBOKB
e 2BO 3F 2 を用いてもよい。これらの結晶のほうが、193nm
での光の吸収が小さいので高出力が見込まれ、また損傷
も少ない。
【0043】[第2の実施形態] 本発明による紫外レーザ装置の第2の実施形態における
構成例を、図1に掲げる。本実施形態においても、上記
第1の実施形態と基本原理は同じであるが、レーザおよ
び共振器の配置が異なる。
【0044】図1において、レーザ13はチタン・サフ
ァイアレーザを励起するレーザであり、上記図2の23
と同じものである。
【0045】また、レーザ媒体であるチタン・サファイ
ア15は、25と同じである。
【0046】チタン・サファイアレーザの共振器14
は、141, 142, 143, 123の4枚の平面または曲面の反射
鏡で構成される。本実施形態では、123の反射鏡を後述
する266nmの共振器12と共有している。ここで、141,
142, 143の反射鏡は241, 242, 243と同性能である。123
の反射鏡は、708nm光と266nm光に対して、どちらも高反
射(反射率99.9%以上)であり、193nmの光を十分に透過
する(透過率80%以上)ものである。
【0047】また、上記第1の実施形態と同様に、図不
示の光ダイオードと複屈折フィルター、エタロンが共振
器中に組み込まれている。このため、上記第1の実施形
態と同じ様に、共振器14の中には、約30Wの707nmの光
が循環すると見込まれる。
【0048】第2のレーザ11は上記第1の実施形態の
レーザ21と同じで、266nmの連続光(パワー1W)を発
生する。
【0049】第2の共振器として機能する266nmの共振
器12は、121, 122, 123, 124の4枚の平面または曲面
の反射鏡で構成される。レーザ光の入射する121の反射
鏡は、上記図2の反射鏡221と同様のものである。反射
鏡122と124は、266nm光に対しては高反射(反射率99.9%
以上)であるが、707nm光に対しては高透過(透過率99.
7%以上)である。反射鏡123は、前述したように、707nm
の共振器14と266nmの共振器12で共有している。
【0050】上記第1の実施形態と同じ様に、共振器1
2には、入射される266nmのレーザ光に同調するよう
に、FMサイドバンド法によるサーボ制御がかけられてい
る。共振器12の中には約50Wの266nmの光が循環すると
見込まれる。
【0051】707nmの共振器14と266nmの共振器12と
では、反射鏡122から123までと、反射鏡123から124まで
が共有される光路となる。
【0052】本実施形態では、この反射鏡122から1
23までの光路中に、和周波発生用の非線形光学結晶B
BO(図中16)が配置されている。非線型光学結晶1
6は、上記図2の26と同じものであり、上記第1の実
施形態と同様に、SrBeBOKBe 2BO 3F 2 を代わり
に用いることもできる。
【0053】本実施形態においても、上記第1の実施形
態と同様に、和周波発生による193nmのパワーとして、7
5mW程度の発生が予想される。そのレーザ光が、反射鏡1
23を透過する際に、透過率(80%以上)の影響を受け
て、約60mWの193nm出力17が発生されることになる。
【0054】[第3の実施形態] 本発明による紫外レーザ装置の第3の実施形態における
構成例を図3に示す。
【0055】本実施形態は、上記第2の実施形態のチタ
ン・サファイアレーザ(波長707nm)を、Nd:YAGレーザ
(波長1064nm)に置き換えたものである。それに伴い、
レーザ結晶がチタン・サファイア結晶15から、Nd:YAG
結晶35に置き換えられている。最終的に得られる波長
も213nmとなる。
【0056】また、上記第2の実施形態の励起用のレー
ザが500nm付近のレーザ光を発生するレーザ13の代わ
りに、808nm付近のレーザ光を発生するレーザダイオー
ドアレイ331、332が用いられている。その出力は
レーザダイオードアレイ331と332の合計で20Wで
ある。励起方式もエンドポンプ式からサイドポンプ式に
なっている。これによって、共振器34の内部を循環す
る1064nmのパワーは200W程度になる。
【0057】上記第2の実施形態と同様に、共振器34
の内部には、光の循環方向を一方向に限定する図不示の
光ダイオードと複屈折フィルターとエタロンが設置され
ている。なお、Nd:YAGの発振波長幅が狭いので、複屈折
フィルターは省くこともできる。
【0058】本実施形態におけるすべての反射鏡の性能
は、上記第2の実施形態において対応する反射鏡の707n
m光における反射率、透過率の性能を、1064nm光におけ
る反射率、透過率としたものである。266nm光に対する
性能は変わらない。
【0059】266nmの共振器32の機能は、上記第2の
実施形態の共振器22と同じである。
【0060】和周波発生を行うBBO結晶のカット方向
は、光軸が結晶軸を基準とした座標において約θ=51°
である。これは1064nm光と266nm光の和周波発生を行
い、213nm光を発生することに位相整合する角度であ
る。
【0061】BBOでの和周波発生出力P213は、106
4nmのパワーをP1064、266nmのパワーをP266とす
ると、 P213 = ηP1064P266 で与えられる。ここで、ηはビーム径や結晶の長さによ
って与えられる変換効率でη=1×10−4W−1程度の値
を取る。今回の場合は、P1064 = 200W、P266 =
50Wであるので、P213 = 1W = 1000mWの213nmの光が
BBO結晶で発生すると見込まれる。この213nm光は323
の反射鏡を透過する際に、その透過率(80%以上)の影
響を受け、最終的には800 mW程度の213nm出力37を得
ることになる。
【0062】[第4の実施形態] 本発明による紫外レーザ装置の第4の実施形態の構成例
を図4に示す。
【0063】本実施形態では、1つの連続波発生レーザ
とSBBO結晶とを利用して、193nm付近およびそれよ
りも短波長の光を、より簡単な構成で発生する紫外レー
ザ装置を提供する。
【0064】本図において、41は波長500nm付近のレ
ーザ光を発生する励起レーザであり、チタン・サファイ
ア結晶43を励起する。励起レーザ41の出力は5Wであ
る。このレーザは、アルゴンイオンレーザでも良いし、
Nd:YAGレーザの2倍波(532nm)や、Nd:YVO4レーザの2
倍波(532nm)でもよい。
【0065】4枚の平面または曲面の反射鏡421, 422,
423, 424からなるリング共振器42は、チタン・サファ
イア結晶の発生する772nmの光を共振させ、強いパワー
の772nmの光を内部に循環させる。反射鏡421, 422, 42
3, 424は772nmの光に対しては高反射(反射率99.9%以
上)である。このうち反射鏡421は、その条件に加え
て、波長500nm付近の励起光を高透過(透過率95%以上)
させる。また、反射鏡423は、波長386nmの光に対して90
%以上の透過率を持つ。このレーザ共振器42の内部を
循環する772nmの光のパワーは50Wと推測される。
【0066】共振器42は、上記各実施形態と同様に、
図不示の光ダイオードと複屈折フィルター、エタロンを
含んでおり、光の循環方向を一方向に限定するほか、発
振波長の選択と、縦モードの選択を行っている。
【0067】共振器42中におかれた2倍波発生用の非
線形光学結晶LBO(LiBO)(図中44)によっ
て、772nmの光は、386nmの光に変換される。変換されて
出力された光のパワーは250mWと推測される。
【0068】この386nm光は、反射鏡424を透過し共振器
45に入射する。共振器45は、この386nm光に同調す
るように、図不示のサーボ制御回路で制御されるものと
する。制御方法にはFMサイドバンド法を用いる。
【0069】共振器45は、4枚の平面または曲面の反
射鏡451, 452, 453, 454で構成される。451は386nmの光
に対して約99%の反射率と約1%の透過率を持つ部分反射
鏡で、452, 453, 454は386nmの光に対して高反射(反射
率99.9%以上)の反射鏡である。さらに、反射鏡454は19
3nmの光に対して80%以上の透過率を持つ。共振器45中
では、386nm光が循環し、そのパワーは25W程度になると
推測される。
【0070】本実施形態では、この共振器45中に、2
倍波発生用のSrBeBO結晶46が設置されてお
り、386nm光から193nm光を発生させる。発生されたレー
ザ光は、もとの772nm光から考えると4倍波である。こ
の4倍波のパワーは50mW程度と予想される。この193nm
の光は、透過率80%以上の反射鏡454を透過して、40mW程
度の193nmの光47として、外部に取り出される。
【0071】ここで、SrBeBO結晶の代わりに、
KBe 2BO 3F 2 結晶を用いる構成としてもよい。β−BaBO
結晶は2倍波発生の形式では、205nmより短い波長の
変換には使えないので193nmの発生はできない。しか
し、本実施形態で、β−BaBO結晶を用いた場合に
は、205nmより長い波長の発生が可能となる。
【0072】[第5の実施形態] 本発明の第5の実施形態として、上記第1から第4の実
施形態のいずれかによる紫外レーザ装置を光源として用
いた、露光機のレンズ収差測定用のフィゾー干渉計の構
成例を、図5を参照して説明する。
【0073】上記実施形態のいずれかによる紫外レーザ
装置を利用した光源であるレーザ51からでた光は、ビ
ームエクスパンダ52により、ビーム径を拡大され、そ
ののち、ハーフミラー53によって下方に折り曲げられ
る。
【0074】ビーム光の一部は、参照面となるハーフミ
ラー54によって反射され、上方に戻り、ハーフミラー
53を透過し、参照光として観察用カメラ57に入射す
る。
【0075】一方、参照面ミラー54を透過した光は被
測定レンズ55を透過したのち、反射鏡56によって折
り返され、再び被測定レンズ55を透過した後、参照面
ミラー54、ハーフミラー53を透過して、測定光とし
て観察用カメラ57に入射する。
【0076】カメラの撮像面上で、上述した参照光と測
定光とから、被測定レンズの収差が測定される。収差測
定をする際には、例えば、参照光路の光路長を1波長程
度変化させて、干渉縞の変化を観察する方法を採ること
がしばしば行われる。
【0077】本実施形態によれば、時間コヒーレンスお
よび空間コヒーレンスの高い、しかも大出力の193nm光
等を発生する紫外レーザ装置を光源として用いた、フィ
ゾー干渉計を提供することができる。
【0078】[第6の実施形態] 図6は、上述した本発明の各実施の形態のレーザ光源を
用いた投影露光装置の概略構成図である。
【0079】図6に示した投影露光装置は、先に説明し
た第1〜4の実施の形態である紫外レーザ装置を用いた
レーザ光源61と、レーザ光源61から射出された光を
拡散させるための回転拡散板62と、レーザ光源61か
らの光を下方のフライアイレンズ(またはインテグレー
タレンズ)65に照射させるための反射板64と、フラ
イアイレンズ65と、照明レンズ系66と、露光パター
ンが描画されたマスク67を設置するためのマスク支持
部671と、マスク67に描画されたパターンを半導体
基板(またはウェハー)691上に結像させるための対
物レンズ68と、基板691を載置するための移動ステ
ージ692とを備えている。そして、回転拡散板62
は、図示されていない拡散板回転装置によって回転する
ことができる。また、移動ステージ692は、移動ステ
ージ692を支持する移動ステージ支持部693と、移
動ステージを駆動するためのステージ駆動部695と、
ステージ駆動部695で発生した動力を移動ステージ支
持部693に伝達するための伝達部材694とによっ
て、移動可能となっている。
【0080】この投影露光装置では、レーザ光源61か
らでたビームを回転拡散板62に当て、ビームを拡散す
る。拡散板が回転移動し、拡散板上のビーム位置が変化
することにより、拡散された光の強度分布や位相分布が
変化する。これによってマスクパターンを照射時に生ず
るスペックルを常時変化させて、露光時間中に平均化さ
せることによってスペックルによる悪影響(照度ムラ)
を除去する。この拡散板は、スペックル除去を完全にす
るために2枚にすることもできる。その場合、一方は固
定拡散板にしても良い。両方を異なる方向に動かしても
よい。
【0081】この拡散光をレンズ63でほぼ並行ビーム
の状態にしてから、フライアイレンズ65に入射する。
フライアイレンズ65では、ビームの強度の均一化が行
われ、複数のレンズよりなる照明レンズ系66によって
マスク(またはレチクル)67を照明する。
【0082】照明されたマスク67上の回路パターン
は、投影レンズ68によって半導体基板(またはウェハ
ー)691に所定の倍率(1倍〜1/5倍)で縮小投影
される。基板691は移動ステージ692上に置かれて
おり、ステージの移動によってステップ・アンド・リピ
ートや、マスク支持部671にマスク67を移動させる
ための移動機構を設けることで、マスクとの同期した移
動によってスキャン露光が行われる。
【0083】本発明のレーザ光源は、193nmや21
3nmの連続波の紫外光を発生するために、エキシマレ
ーザの場合に問題となっていた、強いパルスによって生
ずる照明レンズ系や投影レンズの光損傷を避けることが
できる。
【0084】また、エキシマレーザでは必要であったガ
ス交換やウィンドウ交換が必要なくなるために、半導体
製造におけるスループットを向上させることができる。
【0085】[第7の実施形態] 上述した第1、第2および第4の実施形態によるレーザ
装置は、チタン・サファイアレーザを用いている。チタ
ン・サファイアレーザは、650nmから1100nmの範囲内で
1波長を発振させる。そのためにレーザ共振器中に複屈
折フィルターを挿入し、その回転角度を制御することで
波長選択を行う。
【0086】チタン・サファイアレーザの発振波長を変
化させた場合、和周波発生用の結晶16や26、あるい
は高調波発生のための波長変換結晶44、46は、光軸
に対する入射角をかえて、位相整合条件を保つ必要があ
る。また、この位相整合角は、結晶に入射する光の波長
と、発生させる光の波長が決まると定まる。
【0087】本実施形態では、波長選択のための複屈折
フィルターの回転角を検出し、その角度に応じて、波長
変換結晶の角度を位相整合のために制御する。本実施形
態の構成例を図7、図8を参照して説明する。
【0088】図7では、図1で示される第2の実施形態
のチタン・サファイアレーザに、本実施形態を適用して
いる。共振器中に挿入された複屈折フィルター71は、
それを回転軸のまわりに回転させることでレーザ発振の
波長を選択する。
【0089】さらに、エンコーダー72によってこの複
屈折フィルター71の回転角を読みとり、その値によっ
てコントローラー73が、レーザの発振波長を求め、こ
の求めた発振波長に対して最適な波長変換結晶(BBO
またはSrBeBO)の角度を算出し、回転ステージ
74上におかれた波長変換結晶16の角度を制御して、
和周波光(193nm)のパワーを最大にする。
【0090】ここで、複屈折フィルターの回転角は、望
みの波長になるように手動で制御させても、コントロー
ラー73からアクチュエーター(図不示)によって動か
してもよい。
【0091】また、この共振器中の光路には図不示のエ
タロンと光ダイオードが挿入されており、エタロンによ
って発振の縦モードを1本に制限し、光ダイオードによ
って光の伝搬方向を1方向に制限している。
【0092】また、出力光17の一部をビームスプリッ
ター75で分岐させて、該分岐光の光強度を検出器76
で電気信号に変え、和周波光(193nm)の出力をモ
ニターさせ、その出力が最大になるように、コントロー
ラー73を通して波長変換結晶16の載った回転ステー
ジ74の微調整を行うよう構成してもよい。
【0093】また、図8に示すように、上記図4で示さ
れる第4の実施形態のチタン・サファイアレーザ部分4
2に、本実施形態を適用してもよい。ここで、複屈折フ
ィルター71、エンコーダ72、コントローラー73、
回転ステージ74等は、図7と同一である。
【0094】図8の構成例では、波長変換結晶44はL
BOであり、チタン・サファイア結晶43の発生する77
2nm付近の光を386nm付近の光に変換している。それに応
じて、ビームスプリッター75と検出器76は、386nm
に適したものを選択するものとする。なお、ここでも上
記図7と同様に、図不示のエタロンと光ダイオードが挿
入されている。
【0095】同様に、193nm付近の光を発生する結晶4
6の角度をコントローラ73から調整することも可能で
ある。
【0096】
【発明の効果】本発明によれば、コヒーレンスが高い、
高出力の193nmの連続波レーザを発生することができる
紫外レーザ装置が実現されると共に、該紫外レーザ装置
をフィゾー干渉計の光源として用いることにより、193n
mにおける波面収差測定が容易になる。また、同様に、2
13nmにおける波面収差測定も容易になる。
【0097】さらに、本発明によれば、193nm、213nmの
露光機用光源として利用できる紫外レーザ装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第2の実施形態の構造例を表す説明
図である。
【図2】 本発明の第1の実施形態の構造例を表す説明
図である。
【図3】 本発明の第3の実施形態の構造例を表す説明
図である。
【図4】 本発明の第4の実施形態の構造例を表す説明
図である。
【図5】 本発明の第5の実施形態の構造例を表す説明
図である。
【図6】 本発明の第6の実施形態の構造例を表す説明
図である。
【図7】 本発明の第7の実施形態の構造例を表す説明
図である。
【図8】 本発明の第7の実施形態の他の構造例を表す
説明図である。
【符号の説明】
11:266nmレーザ 12:266nm共振器 121、122、123、124:反射鏡 13:チタン・サファイアレーザ励起用レーザ 14:チタン・サファイアレーザ(波長707nm)共振器 141、142、143:反射鏡 15:チタン・サファイア結晶 16:非線形光学結晶(BBO) 17:193nm光 21:266nmレーザ 22:266nm共振器 221、222、223、224:反射鏡 23:チタン・サファイアレーザ励起用レーザ 24:チタン・サファイアレーザ(波長707nm)共振器 241、242、243、244:反射鏡 25:チタン・サファイア結晶 26:非線形光学結晶(BBO) 27:193nm光 31:266nmレーザ 32:266nm共振器 321、322、323、324:反射鏡 331、332: Nd:YAGレーザ励起用レーザダイオー
ドアレイ 34:Nd:YAGレーザ(波長1064nm)共振器 341、342、343:反射鏡 35:Nd:YAG結晶 36:非線形光学結晶(BBO) 37:213nm光 41:チタン・サファイアレーザ励起用レーザ 42:チタン・サファイアレーザ(波長772nm)共振器 421、422、423、424:反射鏡 43:チタン・サファイア結晶 44:非線形光学結晶(LBO) 45:386nm共振器 451、452、453、454:反射鏡 46:非線形光学結晶(SrBeBO) 51:193nm連続波レーザ 52:ビームエクスパンダ 53:ハーフミラー 54:参照面用ハーフミラー 55:被測定レンズ 56:反射鏡 57:カメラ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−2194(JP,A) 特開 平5−27284(JP,A) 特開 平2−126242(JP,A) 特開 平7−231135(JP,A) 特開 平7−170009(JP,A) 特開 平6−69581(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 3/108 - 3/109 G02F 1/37 - 1/39 G01M 11/02 G03F 7/20 505 H01L 21/027 JICSTファイル(JOIS) WPI(DIALOG)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ結晶と非線形光学結晶を含む第1の
    共振器であって、励起された前記レーザ結晶から発生し
    た第1の連続波レーザ光が前記非線形光学結晶を介して
    共振する第1の共振器と、 前記非線形光学結晶を含む第2の共振器であって、該第
    2の共振器の外部に設けられたレーザ光発生源から発生
    した第2の連続波レーザ光が、前記非線形光学結晶を介
    して共振する第2の共振器とを備え、 前記共振器のうちいずれか一方の共振器がリング共振器
    であり、 前記非線形光学結晶は、前記第1の連続波レーザ光と前
    記第2の連続波レーザ光の和周波発生を行ない、 前記レーザ結晶として、 650nm から 1100nm 付近のレーザ
    光を発生するチタン・サファイアレーザを用い、 前記第2の共振器の外部に設けられたレーザ光発生源と
    して、 260nm 付近のレーザ光を少なくとも発生する希土
    類イオンを含む固体レーザを用い、 前記和周波発生により、 180nm から 215nm 付近のレーザ光
    を発生させる ことを特徴とする紫外レーザ装置。
  2. 【請求項2】レーザ結晶と非線形光学結晶を含む第1の
    共振器であって、励起された前記レーザ結晶から発生し
    た第1の連続波レーザ光が前記非線形光学結晶を介して
    共振する第1の共振器と、 前記非線形光学結晶を含む第2の共振器であって、該第
    2の共振器の外部に設けられたレーザ光発生源から発生
    した第2の連続波レーザ光が、前記非線形光学結晶を介
    して共振する第2の共振器とを備え、 前記共振器のうちいずれか一方の共振器がリング共振器
    であり、前記非線形光学結晶は、前記第1の連続波レー
    ザ光と前記第2の連続波レーザ光の和周波発生を行な
    い、 前記第1の連続波レーザ光の発生源として 1064nm 付近を
    発生する Nd 固体レーザを用い、 前記第2の連続波レーザ光の発生源として Nd 固体レーザ
    を用い、該 Nd 固体レーザの発する 1064n m付近のレーザ
    光から発生させた4倍波の 266nm 付近のレーザ光を用
    い、 前記和周波発生により 213nm のレーザ光を発生させるこ
    を特徴とする紫外レーザ装置。
  3. 【請求項3】請求項に記載の紫外レーザ装置におい
    て、 前記チタン・サファイアレーザの波長を707nm付近と
    し、 前記第2の連続波レーザ光の発生源としてNd固体レーザ
    を用い、該Nd固体レーザが発する1064nm付近のレーザ光
    から発生させた4倍波の266nm付近のレーザ光を用い、 前記和周波発生によりArFレーザと同じ波長の193nmから
    194nm付近の連続レーザ光を発生させることを特徴と
    する紫外レーザ装置。
  4. 【請求項4】請求項1乃至のいずれかに記載の紫外レ
    ーザ装置において、 前記非線形光学結晶として、β−BaBOを用いること
    を特徴とする紫外レーザ装置。
  5. 【請求項5】被測定レンズの収差測定を行うレンズ収差
    測定装置において、 測定用レーザ光を発生するレーザ光源と、 前記レーザ光源からの前記測定用レーザ光の一部を参照
    光とし、他の一部を前記被測定レンズを透過させて測定
    光とし、前記測定光および前記参照光を干渉させるため
    の光学系とを備え、 前記レーザ光源として、請求項1乃至のうちいずれか
    1項に記載の紫外レーザ装置を用いることを特徴とする
    レンズ収差測定装置。
  6. 【請求項6】マスク上に形成された所定のパターンをウ
    エーハに投影するための半導体製造用露光装置におい
    て、 レーザ光を発生するレーザ光源と、 前記マスク上の前記パターンが投影されるように、前記
    レーザ光源で発生された前記レーザ光を前記マスクに照
    射させて、前記マスクの像を前記ウエーハへ導く光学系
    とを備え、 前記レーザ光源として、請求項1乃至のうちいずれか
    1項に記載の紫外レーザ装置を用いることを特徴とする
    半導体製造用露光装置。
  7. 【請求項7】請求項1乃至のいずれか1項に記載の紫
    外レーザ装置において、 前記第1の連続波レーザ光あるいは前記第2の連続波レ
    ーザ光のうち、少なくとも一方の波長変化に連動させ
    て、前記和周波発生のための前記非線形光学結晶の位相
    整合角を変化させる位相整合角変化手段をさらに備える
    ことを特徴とする紫外レーザ装置。
  8. 【請求項8】請求項に記載の紫外レーザ装置におい
    て、 前記和周波発生されたレーザ光の強度を検出する検出手
    段をさらに備え、 前記波長変化するレーザ光は前記チタン・サファイアレ
    ーザから発生され、 前記位相整合角変化手段は、前記検出手段の検出結果に
    応じて微調整されることを特徴とする紫外レーザ装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10409139B2 (en) 2017-09-21 2019-09-10 Qioptiq Photonics Gmbh & Co. Kg Light source with multi-longitudinal mode continuous wave output based on multi-mode resonant OPO technology
US10756505B2 (en) 2017-09-21 2020-08-25 Qioptiq Photonics Gmbh & Co. Kg Tunable light source with broadband output

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229639B1 (en) * 1998-07-09 2001-05-08 Cymer, Inc. Multiplexer for laser lithography
JP3796369B2 (ja) 1999-03-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 干渉計を搭載した投影露光装置
JP4827276B2 (ja) * 1999-07-05 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置、レーザー照射方法及び半導体装置の作製方法
TW473783B (en) 1999-08-13 2002-01-21 Semiconductor Energy Lab Laser apparatus, laser annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device
US6548370B1 (en) 1999-08-18 2003-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of crystallizing a semiconductor layer by applying laser irradiation that vary in energy to its top and bottom surfaces
US6483858B1 (en) * 1999-11-23 2002-11-19 Southeastern University Research Assn. Injection mode-locking Ti-sapphire laser system
JP2001337354A (ja) * 2000-05-24 2001-12-07 Sony Corp レーザ光発生装置
US7078321B2 (en) 2000-06-19 2006-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
AU2001271363A1 (en) * 2000-06-20 2002-01-02 Actinix Generating coherent vacuum ultraviolet radiation using four wave mixing
JP3472249B2 (ja) * 2000-08-25 2003-12-02 キヤノン株式会社 複数の光源を使用する照明装置、照明制御装置及び方法、並びに、露光装置
JP2002099007A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Sony Corp レーザ光発生装置およびそれを用いた光学装置
JP3939928B2 (ja) * 2001-02-28 2007-07-04 サイバーレーザー株式会社 波長変換装置
US6472239B2 (en) 2001-04-02 2002-10-29 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor components
US6680213B2 (en) 2001-04-02 2004-01-20 Micron Technology, Inc. Method and system for fabricating contacts on semiconductor components
JP3885511B2 (ja) * 2001-04-11 2007-02-21 ソニー株式会社 レーザー光発生装置及び方法
FR2825466B1 (fr) * 2001-06-05 2003-10-17 Essilor Int Dispositif de detection automatique de caracteristiques d'un verre ophtalmique et dispositif de positionnement automatique d'un pion de centrage et d'entrainement comprenant un tel dispositif de detection
US6764710B2 (en) 2001-07-18 2004-07-20 Scimed Life Systems, Inc. Light emitting markers for use with substrates
GB2385459B (en) * 2001-10-30 2005-06-15 Laser Quantum Ltd Laser Cavity
JP2007515765A (ja) * 2003-01-23 2007-06-14 エヌエルジー−ニュー レーザー ジェネレーション ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング レーザ共振器および周波数変換型のレーザ
US7079557B1 (en) 2003-10-02 2006-07-18 Phtonics Industries Int'l Intracavity OPO laser
DE102004003750A1 (de) * 2004-01-23 2005-08-11 Raab, Volker, Dr. Gekoppelte optische Resonatoren
US7282666B2 (en) * 2004-05-07 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to increase throughput of processing using pulsed radiation sources
US7653095B2 (en) * 2005-06-30 2010-01-26 Cymer, Inc. Active bandwidth control for a laser
US7535938B2 (en) * 2005-08-15 2009-05-19 Pavilion Integration Corporation Low-noise monolithic microchip lasers capable of producing wavelengths ranging from IR to UV based on efficient and cost-effective frequency conversion
JP4361043B2 (ja) 2005-09-20 2009-11-11 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 パタン検査装置
JP4420051B2 (ja) * 2007-03-28 2010-02-24 ソニー株式会社 レーザ光発生装置
EP2083319B1 (en) * 2008-01-25 2013-07-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Intra-cavity generation of pulsed coherent radiation in the UV or XUV wavelength range
US7633979B2 (en) 2008-02-12 2009-12-15 Pavilion Integration Corporation Method and apparatus for producing UV laser from all-solid-state system
WO2011040479A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 三洋電機株式会社 光学ユニット、投写型映像表示装置及び拡散光学素子
JP4590578B1 (ja) 2010-04-01 2010-12-01 レーザーテック株式会社 光源装置、マスク検査装置、及びコヒーレント光発生方法
JP2012027215A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Nikon Corp 紫外レーザ装置
JP5454972B2 (ja) * 2012-04-23 2014-03-26 ソニー株式会社 レーザ光発生装置およびそれを用いた光学装置
US10527761B2 (en) * 2013-01-14 2020-01-07 The Boeing Company Graphene coated optical elements
CN108572061B (zh) * 2018-07-23 2023-10-13 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 全口径谐波转换效率测量系统及其测量方法
GB2593930A (en) * 2020-04-09 2021-10-13 M Squared Lasers Ltd Method of laser sterilisation

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH022194A (ja) * 1988-06-14 1990-01-08 Asukaru:Kk レーザ光波長変換方法とその発振装置
JPH02126242A (ja) * 1988-11-05 1990-05-15 Hamamatsu Photonics Kk 光波長変換装置
JPH0527284A (ja) * 1991-07-24 1993-02-05 Fujitsu Ltd 第三高調波発生装置
JPH0669581A (ja) * 1992-04-28 1994-03-11 Fuji Photo Optical Co Ltd 光波長変換装置
US5408481A (en) * 1992-10-26 1995-04-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Intracavity sum frequency generation using a tunable laser containing an active mirror
US5333142A (en) * 1992-10-26 1994-07-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Technique for intracavity sum frequency generation
JP3211448B2 (ja) * 1993-01-27 2001-09-25 ソニー株式会社 レーザー光源装置
US5307358A (en) * 1993-05-20 1994-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wavelength dispersive gain element for a tunable laser
JP3269231B2 (ja) * 1993-12-15 2002-03-25 株式会社ニコン 露光方法、光源装置、及び露光装置
JPH07231135A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Hitachi Ltd 固体レーザ発振器及び露光装置
US5552926A (en) * 1994-10-07 1996-09-03 International Business Machines Corporation Device and method for wavelength conversion and BBO crystal for wavelength conversion
JPH08125254A (ja) * 1994-10-20 1996-05-17 Fuji Photo Film Co Ltd 波長変換固体レーザー
US5832009A (en) * 1995-08-18 1998-11-03 Sony Corporation Laser light emitting device, laser beacon device and laser imager display device
US5764662A (en) * 1997-01-27 1998-06-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Solid state ultraviolet laser tunable from 223 NM to 243 NM

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10409139B2 (en) 2017-09-21 2019-09-10 Qioptiq Photonics Gmbh & Co. Kg Light source with multi-longitudinal mode continuous wave output based on multi-mode resonant OPO technology
US10409140B2 (en) 2017-09-21 2019-09-10 Qioptiq Photonics Gmbh & Co. Kg Method for multi-longitudinal mode continuous wave output based on multi-mode resonant OPO technology
US10756505B2 (en) 2017-09-21 2020-08-25 Qioptiq Photonics Gmbh & Co. Kg Tunable light source with broadband output

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