JPH06283794A - レーザーダイオードポンピング固体レーザー - Google Patents
レーザーダイオードポンピング固体レーザーInfo
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
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- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094038—End pumping
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体レーザー媒質を半導体レーザーでポンピ
ングして得られたレーザービームを、非線形光学材料の
結晶に入射させて波長変換するレーザーダイオードポン
ピング固体レーザーにおいて、高出力の波長変換波を得
る。 【構成】 非線形光学材料であるＫＮ結晶15の波長変換
に利用される非線形光学定数をｄIJ（Ｉ，Ｊ＝１，２，
３）、Ｊに対応するＫＮ結晶15の屈折率楕円体の主軸を
αとしたとき、半導体レーザー11から発せられるポンピ
ング光としてのレーザービーム10の直線偏光の向き（矢
印Ｒ方向）を、ポンピング光の入射方向から見て主軸α
（Ｘ軸およびＹ軸）と揃う向きに設定する。
ングして得られたレーザービームを、非線形光学材料の
結晶に入射させて波長変換するレーザーダイオードポン
ピング固体レーザーにおいて、高出力の波長変換波を得
る。 【構成】 非線形光学材料であるＫＮ結晶15の波長変換
に利用される非線形光学定数をｄIJ（Ｉ，Ｊ＝１，２，
３）、Ｊに対応するＫＮ結晶15の屈折率楕円体の主軸を
αとしたとき、半導体レーザー11から発せられるポンピ
ング光としてのレーザービーム10の直線偏光の向き（矢
印Ｒ方向）を、ポンピング光の入射方向から見て主軸α
（Ｘ軸およびＹ軸）と揃う向きに設定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体レーザー媒質を半
導体レーザー（レーザーダイオード）によってポンピン
グするレーザーダイオードポンピング固体レーザーに関
し、特に詳細には、固体レーザービームを非線形光学材
料の結晶に入射させて短波長化するようにしたレーザー
ダイオードポンピング固体レーザーに関するものであ
る。
導体レーザー（レーザーダイオード）によってポンピン
グするレーザーダイオードポンピング固体レーザーに関
し、特に詳細には、固体レーザービームを非線形光学材
料の結晶に入射させて短波長化するようにしたレーザー
ダイオードポンピング固体レーザーに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウム等の希土類が添加された固体レー
ザー媒質を半導体レーザー（レーザーダイオード）によ
ってポンピングするレーザーダイオードポンピング固体
レーザーが公知となっている。この種のレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーにおいては、より短波長の
レーザー光を得るために、例えば特開平4-318988号公報
に示されるように、固体レーザービームを非線形光学材
料の結晶に通して第２高調波等に波長変換することも広
く行なわれている。
るように、ネオジウム等の希土類が添加された固体レー
ザー媒質を半導体レーザー（レーザーダイオード）によ
ってポンピングするレーザーダイオードポンピング固体
レーザーが公知となっている。この種のレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーにおいては、より短波長の
レーザー光を得るために、例えば特開平4-318988号公報
に示されるように、固体レーザービームを非線形光学材
料の結晶に通して第２高調波等に波長変換することも広
く行なわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような波長変換機
能を備えた従来のレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーにおいては、十分に高出力の波長変換波が得られ
るとは言い難く、波長変換波のさらなる出力向上が望ま
れている。そこで本発明は、高出力の波長変換波が得ら
れるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを提供
することを目的とするものである。
能を備えた従来のレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーにおいては、十分に高出力の波長変換波が得られ
るとは言い難く、波長変換波のさらなる出力向上が望ま
れている。そこで本発明は、高出力の波長変換波が得ら
れるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを提供
することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザーダ
イオードポンピング固体レーザーは、前述したように固
体レーザー媒質を半導体レーザーでポンピングして得ら
れた固体レーザービームを、非線形光学材料の結晶に入
射させて波長変換するレーザーダイオードポンピング固
体レーザーにおいて、非線形光学材料の結晶の波長変換
に利用される非線形光学定数をｄIJ（Ｉ，Ｊ＝１，２，
３）、Ｊに対応する非線形光学材料の光学軸をαとした
とき、半導体レーザーから発せられるポンピング光とし
てのレーザービームの直線偏光の向きが、ポンピング光
の入射方向から見て上記光学軸αと揃う向きに設定され
ていることを特徴とするものである。
イオードポンピング固体レーザーは、前述したように固
体レーザー媒質を半導体レーザーでポンピングして得ら
れた固体レーザービームを、非線形光学材料の結晶に入
射させて波長変換するレーザーダイオードポンピング固
体レーザーにおいて、非線形光学材料の結晶の波長変換
に利用される非線形光学定数をｄIJ（Ｉ，Ｊ＝１，２，
３）、Ｊに対応する非線形光学材料の光学軸をαとした
とき、半導体レーザーから発せられるポンピング光とし
てのレーザービームの直線偏光の向きが、ポンピング光
の入射方向から見て上記光学軸αと揃う向きに設定され
ていることを特徴とするものである。
【０００５】ここで、上記Ｊに対応する非線形光学材料
の光学軸αについて詳しく説明する。図５の(1) に示す
ような非線形光学材料の結晶１を考え、またその非線形
光学定数ｄ33が波長変換に利用されると仮定する。Ｉ，
Ｊの数字は、従来からこの分野で慣用されている通り、
それぞれがＸ、ＹあるいはＺ軸に対応し、１がＸ軸、２
がＹ軸、３がＺ軸を示している。そして非線形光学定数
ｄIJは、Ｊ方向に直線偏光した基本波を入射させてＩ方
向に直線偏光した波長変換波が取り出せる非線形光学定
数であり、例えば上記のｄ33はＩ＝Ｊ＝３で、図示のよ
うにＺ軸方向に直線偏光した基本波２（その直線偏光の
向きを矢印Ｐで示す）を結晶１に入射させて、Ｚ軸方向
に直線偏光した波長変換波３（その直線偏光の向きを矢
印Ｑで示す）が取り出せる非線形光学定数である。
の光学軸αについて詳しく説明する。図５の(1) に示す
ような非線形光学材料の結晶１を考え、またその非線形
光学定数ｄ33が波長変換に利用されると仮定する。Ｉ，
Ｊの数字は、従来からこの分野で慣用されている通り、
それぞれがＸ、ＹあるいはＺ軸に対応し、１がＸ軸、２
がＹ軸、３がＺ軸を示している。そして非線形光学定数
ｄIJは、Ｊ方向に直線偏光した基本波を入射させてＩ方
向に直線偏光した波長変換波が取り出せる非線形光学定
数であり、例えば上記のｄ33はＩ＝Ｊ＝３で、図示のよ
うにＺ軸方向に直線偏光した基本波２（その直線偏光の
向きを矢印Ｐで示す）を結晶１に入射させて、Ｚ軸方向
に直線偏光した波長変換波３（その直線偏光の向きを矢
印Ｑで示す）が取り出せる非線形光学定数である。
【０００６】つまりこの場合、Ｊに対応する非線形光学
材料の光学軸αはＺ軸であり、固体レーザー媒質４に入
射するポンピング光５の入射方向から見て光学軸αと揃
う向きは、図中の矢印Ｒ方向である。本発明では、この
矢印Ｒ方向にポンピング光５の直線偏光の向きを設定す
るものである。
材料の光学軸αはＺ軸であり、固体レーザー媒質４に入
射するポンピング光５の入射方向から見て光学軸αと揃
う向きは、図中の矢印Ｒ方向である。本発明では、この
矢印Ｒ方向にポンピング光５の直線偏光の向きを設定す
るものである。
【０００７】一方、２つの非線形光学定数が波長変換に
利用されることもあり、それを図５の(2) に示す。ここ
では非線形光学定数ｄ31およびｄ32が利用されるものと
仮定する。この場合基本波２は、矢印Ｐで示すその直線
偏光の向きが、Ｘ軸およびＹ軸方向の成分を有するよう
にして非線形光学材料の結晶１に入射せしめられ、Ｚ軸
方向に直線偏光した波長変換波３が出射することにな
る。
利用されることもあり、それを図５の(2) に示す。ここ
では非線形光学定数ｄ31およびｄ32が利用されるものと
仮定する。この場合基本波２は、矢印Ｐで示すその直線
偏光の向きが、Ｘ軸およびＹ軸方向の成分を有するよう
にして非線形光学材料の結晶１に入射せしめられ、Ｚ軸
方向に直線偏光した波長変換波３が出射することにな
る。
【０００８】つまりこの場合は、Ｊ＝１および２である
から、Ｊに対応する非線形光学材料の光学軸αはＸ軸お
よびＹ軸となり、固体レーザー媒質４に入射するポンピ
ング光５の入射方向から見て光学軸αと揃う向きは、図
中の矢印Ｒ方向となる。
から、Ｊに対応する非線形光学材料の光学軸αはＸ軸お
よびＹ軸となり、固体レーザー媒質４に入射するポンピ
ング光５の入射方向から見て光学軸αと揃う向きは、図
中の矢印Ｒ方向となる。
【０００９】
【作用および発明の効果】従来は、レーザーダイオード
ポンピング固体レーザーにおいて波長変換を行なう場
合、ポンピング光の直線偏光の向きは波長変換波出力に
関わるものではないと考えられ、したがって、この直線
偏光の向きを波長変換波の出力向上を図って所定方向に
設定するという技術思想は存在しなかった。
ポンピング固体レーザーにおいて波長変換を行なう場
合、ポンピング光の直線偏光の向きは波長変換波出力に
関わるものではないと考えられ、したがって、この直線
偏光の向きを波長変換波の出力向上を図って所定方向に
設定するという技術思想は存在しなかった。
【００１０】しかし本発明者等の研究によると、ポンピ
ング光の直線偏光の向きを上述のように設定すると、固
体レーザーの励起効率、発振効率が向上し、その結果波
長変換波出力が確実に向上することが判明した。具体的
には、ポンピング光の直線偏光の向きが最も好ましくな
い状態にある場合と比べて、本発明によれば波長変換波
出力が約２倍に向上する例も認められた。
ング光の直線偏光の向きを上述のように設定すると、固
体レーザーの励起効率、発振効率が向上し、その結果波
長変換波出力が確実に向上することが判明した。具体的
には、ポンピング光の直線偏光の向きが最も好ましくな
い状態にある場合と比べて、本発明によれば波長変換波
出力が約２倍に向上する例も認められた。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例によるレ
ーザーダイオードポンピング固体レーザーを示すもので
ある。このレーザーダイオードポンピング固体レーザー
は、ポンピング光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、発散光である上記レーザービーム10
を集束させる例えばロッドレンズからなる集光レンズ12
と、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピングされた固体レーザ
ー媒質であるＹＡＧ結晶（以下、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶と称
する）13と、このＮｄ：ＹＡＧ結晶13の前方側（図中右
方側）に配された共振器ミラー14とからなる。そしてＮ
ｄ：ＹＡＧ結晶13と共振器ミラー14との間には、非線形
光学材料であるＫＮｂＯ3 （ＫＮ）の結晶15、およびエ
タロン16が配されている。以上述べた各要素は共通の筐
体（図示せず）にマウントされて一体化され、図示しな
い温調手段により所定温度に温調される。
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例によるレ
ーザーダイオードポンピング固体レーザーを示すもので
ある。このレーザーダイオードポンピング固体レーザー
は、ポンピング光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、発散光である上記レーザービーム10
を集束させる例えばロッドレンズからなる集光レンズ12
と、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピングされた固体レーザ
ー媒質であるＹＡＧ結晶（以下、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶と称
する）13と、このＮｄ：ＹＡＧ結晶13の前方側（図中右
方側）に配された共振器ミラー14とからなる。そしてＮ
ｄ：ＹＡＧ結晶13と共振器ミラー14との間には、非線形
光学材料であるＫＮｂＯ3 （ＫＮ）の結晶15、およびエ
タロン16が配されている。以上述べた各要素は共通の筐
体（図示せず）にマウントされて一体化され、図示しな
い温調手段により所定温度に温調される。
【００１２】半導体レーザー11としては、波長λ1 ＝80
8 ｎｍのレーザービーム10を発するものが用いられてい
る。一方Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13は、上記のレーザービーム
10によってネオジウム原子が励起されることにより、波
長λ2 ＝946 ｎｍのレーザービーム21を発する。このレ
ーザービーム21はＫＮ結晶15に入射して、波長λ3 ＝λ
2 ／２＝473 ｎｍの第２高調波22に変換される。この第
２高調波22は、エタロン16の作用により単一縦モード化
される。
8 ｎｍのレーザービーム10を発するものが用いられてい
る。一方Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13は、上記のレーザービーム
10によってネオジウム原子が励起されることにより、波
長λ2 ＝946 ｎｍのレーザービーム21を発する。このレ
ーザービーム21はＫＮ結晶15に入射して、波長λ3 ＝λ
2 ／２＝473 ｎｍの第２高調波22に変換される。この第
２高調波22は、エタロン16の作用により単一縦モード化
される。
【００１３】ここで、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の後側端面13
ａおよび前側端面13ｂ、ＫＮ結晶15の後側端面15ａおよ
び前側端面15ｂ、そして共振器ミラー14の凹面とされた
ミラー面14ａには、波長λ1 ＝808 ｎｍ、λ2 ＝946 ｎ
ｍおよびλ3 ＝473 ｎｍに対して下記の特性となるコー
ティングが施されている。なおＡＲは無反射（透過率99
％以上）、ＨＲは高反射（反射率99.9％以上）を示す。
ａおよび前側端面13ｂ、ＫＮ結晶15の後側端面15ａおよ
び前側端面15ｂ、そして共振器ミラー14の凹面とされた
ミラー面14ａには、波長λ1 ＝808 ｎｍ、λ2 ＝946 ｎ
ｍおよびλ3 ＝473 ｎｍに対して下記の特性となるコー
ティングが施されている。なおＡＲは無反射（透過率99
％以上）、ＨＲは高反射（反射率99.9％以上）を示す。
【００１４】 808 ｎｍ 946 ｎｍ 473 ｎｍ 端 面13ａ ＡＲ ＨＲ − 端 面13ｂ − ＡＲ ＨＲ 端 面15ａ − ＡＲ ＡＲ 端 面15ｂ − ＡＲ ＡＲ ミラー面14 − ＨＲ ＡＲ 上記のようなコーティングが施されているために、レー
ザービーム21はＮｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ａとミラー
面14ａとの間で共振する。このようにレーザービーム21
は共振している状態でＫＮ結晶15に入射するので、そこ
に十分良好に吸収され、それにより効率良く第２高調波
22が発生する。またこの第２高調波22は直接的に、ある
いはＮｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ｂで反対方向に反射し
て、共振器ミラー14を透過する。
ザービーム21はＮｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ａとミラー
面14ａとの間で共振する。このようにレーザービーム21
は共振している状態でＫＮ結晶15に入射するので、そこ
に十分良好に吸収され、それにより効率良く第２高調波
22が発生する。またこの第２高調波22は直接的に、ある
いはＮｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ｂで反対方向に反射し
て、共振器ミラー14を透過する。
【００１５】ここで本実施例では、ＫＮ結晶15の非線形
光学定数ｄ31およびｄ32を利用するために、ＫＮ結晶15
はそのＸ軸およびＹ軸に対して光通過端面15ａ、15ｂが
角度をなす状態にカットされている。そして固体レーザ
ービーム21は、矢印Ｐで示すその直線偏光の向きがＫＮ
結晶15のＸ軸およびＹ軸方向の成分を有するようにし
て、該ＫＮ結晶15に入射せしめられる。このようにした
とき、ＫＮ結晶15からはＺ軸方向に直線偏光した第２高
調波22が出射する。
光学定数ｄ31およびｄ32を利用するために、ＫＮ結晶15
はそのＸ軸およびＹ軸に対して光通過端面15ａ、15ｂが
角度をなす状態にカットされている。そして固体レーザ
ービーム21は、矢印Ｐで示すその直線偏光の向きがＫＮ
結晶15のＸ軸およびＹ軸方向の成分を有するようにし
て、該ＫＮ結晶15に入射せしめられる。このようにした
とき、ＫＮ結晶15からはＺ軸方向に直線偏光した第２高
調波22が出射する。
【００１６】この場合は、波長変換に利用されるＫＮ結
晶15の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝１および２で
あるから、Ｊに対応するＫＮ結晶15の光学軸αはＸ軸お
よびＹ軸である。そこで半導体レーザー11は、そこから
発せられるポンピング光としてのレーザービーム10の直
線偏光の向き（矢印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶
13への入射方向から見て上記Ｘ軸およびＹ軸と揃う向き
に配設されている。このようにレーザービーム10の直線
偏光の向きを設定することにより、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13
の励起効率および固体レーザービーム21の発振効率が向
上し、その結果、高出力の第２高調波22が得られるよう
になる。
晶15の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝１および２で
あるから、Ｊに対応するＫＮ結晶15の光学軸αはＸ軸お
よびＹ軸である。そこで半導体レーザー11は、そこから
発せられるポンピング光としてのレーザービーム10の直
線偏光の向き（矢印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶
13への入射方向から見て上記Ｘ軸およびＹ軸と揃う向き
に配設されている。このようにレーザービーム10の直線
偏光の向きを設定することにより、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13
の励起効率および固体レーザービーム21の発振効率が向
上し、その結果、高出力の第２高調波22が得られるよう
になる。
【００１７】本発明による効果を確認するために、レー
ザービーム10の直線偏光の向きを第１実施例のそれに対
して90°回転させ、図１の紙面と直角な方向に設定した
ところ、第２高調波22の出力は第１実施例における出力
の約半分まで低下した。
ザービーム10の直線偏光の向きを第１実施例のそれに対
して90°回転させ、図１の紙面と直角な方向に設定した
ところ、第２高調波22の出力は第１実施例における出力
の約半分まで低下した。
【００１８】次に、図２を参照して本発明の第２実施例
について説明する。なおこの図２において、図１中の要
素と同等の要素には同番号を付してあり、それらについ
ての重複した説明は省略する（以下、同様）。
について説明する。なおこの図２において、図１中の要
素と同等の要素には同番号を付してあり、それらについ
ての重複した説明は省略する（以下、同様）。
【００１９】この第２実施例のレーザーダイオードポン
ピング固体レーザーは第１実施例の装置と比較すると、
Ｎｄ：ＹＡＧの1064ｎｍの発振に対して波長532 ｎｍの
第２高調波を発生するもので、そしてＫＮ結晶15の非線
形光学定数ｄ31のみが利用される点が異なる。すなわち
ＫＮ結晶15はそのＸ軸およびＺ軸に対して光通過端面15
ａ、15ｂが平行となる状態にカットされている。そして
固体レーザービーム21は、矢印Ｐで示すその直線偏光の
向きがＫＮ結晶15のＸ軸方向と一致するようにして、該
ＫＮ結晶15に入射せしめられる。このようにしたとき、
ＫＮ結晶15からはＺ軸方向に直線偏光した第２高調波22
が出射する。
ピング固体レーザーは第１実施例の装置と比較すると、
Ｎｄ：ＹＡＧの1064ｎｍの発振に対して波長532 ｎｍの
第２高調波を発生するもので、そしてＫＮ結晶15の非線
形光学定数ｄ31のみが利用される点が異なる。すなわち
ＫＮ結晶15はそのＸ軸およびＺ軸に対して光通過端面15
ａ、15ｂが平行となる状態にカットされている。そして
固体レーザービーム21は、矢印Ｐで示すその直線偏光の
向きがＫＮ結晶15のＸ軸方向と一致するようにして、該
ＫＮ結晶15に入射せしめられる。このようにしたとき、
ＫＮ結晶15からはＺ軸方向に直線偏光した第２高調波22
が出射する。
【００２０】この場合は、波長変換に利用されるＫＮ結
晶15の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝１であるか
ら、Ｊに対応するＫＮ結晶15の光学軸αはＸ軸である。
そこで半導体レーザー11は、そこから発せられるポンピ
ング光としてのレーザービーム10の直線偏光の向き（矢
印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶13への入射方向か
ら見て上記Ｘ軸と揃う向きに配設されている。このよう
にレーザービーム10の直線偏光の向きを設定することに
より、本実施例においてもＮｄ：ＹＡＧ結晶13の励起効
率および固体レーザービーム21の発振効率が向上し、そ
の結果、高出力の第２高調波22が得られるようになる。
晶15の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝１であるか
ら、Ｊに対応するＫＮ結晶15の光学軸αはＸ軸である。
そこで半導体レーザー11は、そこから発せられるポンピ
ング光としてのレーザービーム10の直線偏光の向き（矢
印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶13への入射方向か
ら見て上記Ｘ軸と揃う向きに配設されている。このよう
にレーザービーム10の直線偏光の向きを設定することに
より、本実施例においてもＮｄ：ＹＡＧ結晶13の励起効
率および固体レーザービーム21の発振効率が向上し、そ
の結果、高出力の第２高調波22が得られるようになる。
【００２１】次に、図３を参照して本発明の第３実施例
について説明する。この第３実施例においては、第１お
よび２実施例で用いられたＫＮ結晶15に代えて、光波長
変換素子として、周期ドメイン反転構造17が形成された
強誘電体のＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）の結晶18が用いられて
いる。本実施例においてはＬＮ結晶18の非線形光学定数
ｄ33を利用するため、ＬＮ結晶18はそのＹ軸およびＺ軸
に対して光通過端面18ａ、18ｂが平行となる状態にカッ
トされている。そして固体レーザービーム21は、矢印Ｐ
で示すその直線偏光の向きがＬＮ結晶18のＺ軸方向と一
致するようにして、該ＬＮ結晶18に入射せしめられる。
このようにしたとき、ＬＮ結晶18からはＺ軸方向に直線
偏光した第２高調波22が出射する。
について説明する。この第３実施例においては、第１お
よび２実施例で用いられたＫＮ結晶15に代えて、光波長
変換素子として、周期ドメイン反転構造17が形成された
強誘電体のＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）の結晶18が用いられて
いる。本実施例においてはＬＮ結晶18の非線形光学定数
ｄ33を利用するため、ＬＮ結晶18はそのＹ軸およびＺ軸
に対して光通過端面18ａ、18ｂが平行となる状態にカッ
トされている。そして固体レーザービーム21は、矢印Ｐ
で示すその直線偏光の向きがＬＮ結晶18のＺ軸方向と一
致するようにして、該ＬＮ結晶18に入射せしめられる。
このようにしたとき、ＬＮ結晶18からはＺ軸方向に直線
偏光した第２高調波22が出射する。
【００２２】この場合は、波長変換に利用されるＬＮ結
晶18の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝３であるか
ら、Ｊに対応するＬＮ結晶18の光学軸αはＺ軸である。
そこで半導体レーザー11は、そこから発せられるポンピ
ング光としてのレーザービーム10の直線偏光の向き（矢
印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶13への入射方向か
ら見て上記Ｚ軸と揃う向きに配設されている。このよう
にレーザービーム10の直線偏光の向きを設定することに
より、本実施例においてもＮｄ：ＹＡＧ結晶13の励起効
率および固体レーザービーム21の発振効率が向上し、そ
の結果、高出力の第２高調波22が得られるようになる。
晶18の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝３であるか
ら、Ｊに対応するＬＮ結晶18の光学軸αはＺ軸である。
そこで半導体レーザー11は、そこから発せられるポンピ
ング光としてのレーザービーム10の直線偏光の向き（矢
印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶13への入射方向か
ら見て上記Ｚ軸と揃う向きに配設されている。このよう
にレーザービーム10の直線偏光の向きを設定することに
より、本実施例においてもＮｄ：ＹＡＧ結晶13の励起効
率および固体レーザービーム21の発振効率が向上し、そ
の結果、高出力の第２高調波22が得られるようになる。
【００２３】なお上記の周期ドメイン反転構造17は、Ｌ
Ｎ結晶18の自発分極を反転させたドメイン反転部が所定
の周期で繰り返すものであり、この周期ドメイン反転構
造17において、基本波である固体レーザービーム21と第
２高調波22との間で位相整合（いわゆる疑似位相整合）
が取られる。このような周期ドメイン反転構造17を形成
する強誘電体の非線形光学材料としては、その他例え
ば、ＬｉＴａＯ3 （ＬＴ）、ＭｇＯ−ＬＮ、ＭｇＯ−Ｌ
Ｔ等も使用可能である。
Ｎ結晶18の自発分極を反転させたドメイン反転部が所定
の周期で繰り返すものであり、この周期ドメイン反転構
造17において、基本波である固体レーザービーム21と第
２高調波22との間で位相整合（いわゆる疑似位相整合）
が取られる。このような周期ドメイン反転構造17を形成
する強誘電体の非線形光学材料としては、その他例え
ば、ＬｉＴａＯ3 （ＬＴ）、ＭｇＯ−ＬＮ、ＭｇＯ−Ｌ
Ｔ等も使用可能である。
【００２４】次に、図４を参照して本発明の第４実施例
について説明する。本実施例においてＮｄ：ＹＡＧ結晶
13は、半導体レーザー11から発せられた波長λ1 ＝808
ｎｍのレーザービーム10によってネオジウム原子が励起
されることにより、波長λ2＝1064ｎｍのレーザービー
ム31を発する。このレーザービーム31は第３実施例のも
のと同様のＬＮ結晶18に入射して、波長λ3 ＝λ2 ／２
＝532 ｎｍの第２高調波32に変換される。
について説明する。本実施例においてＮｄ：ＹＡＧ結晶
13は、半導体レーザー11から発せられた波長λ1 ＝808
ｎｍのレーザービーム10によってネオジウム原子が励起
されることにより、波長λ2＝1064ｎｍのレーザービー
ム31を発する。このレーザービーム31は第３実施例のも
のと同様のＬＮ結晶18に入射して、波長λ3 ＝λ2 ／２
＝532 ｎｍの第２高調波32に変換される。
【００２５】本実施例でも、第３実施例と同様にＬＮ結
晶18の非線形光学定数ｄ33が利用される。したがって、
ＬＮ結晶18のカット状態、その結晶方位と固体レーザー
ビーム31の直線偏光の向きとの関係、そしてＬＮ結晶18
の結晶方位とポンピング光であるレーザービーム10の直
線偏光の向きとの関係は第３実施例と同様である。そこ
で本実施例においても、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の励起効率
および固体レーザービーム31の発振効率が向上し、その
結果、高出力の第２高調波32が得られるようになる。
晶18の非線形光学定数ｄ33が利用される。したがって、
ＬＮ結晶18のカット状態、その結晶方位と固体レーザー
ビーム31の直線偏光の向きとの関係、そしてＬＮ結晶18
の結晶方位とポンピング光であるレーザービーム10の直
線偏光の向きとの関係は第３実施例と同様である。そこ
で本実施例においても、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の励起効率
および固体レーザービーム31の発振効率が向上し、その
結果、高出力の第２高調波32が得られるようになる。
【００２６】以上、第２高調波を発生させるレーザーダ
イオードポンピング固体レーザーに本発明を適用した実
施例について説明したが、本発明はその他、和周波や差
周波等を発生させるレーザーダイオードポンピング固体
レーザーに対しても同様に適用可能である。また勿論な
がら、固体レーザー媒質、そのポンピング源、および非
線形光学材料等も、以上説明した以外のものが適宜使用
可能である。
イオードポンピング固体レーザーに本発明を適用した実
施例について説明したが、本発明はその他、和周波や差
周波等を発生させるレーザーダイオードポンピング固体
レーザーに対しても同様に適用可能である。また勿論な
がら、固体レーザー媒質、そのポンピング源、および非
線形光学材料等も、以上説明した以外のものが適宜使用
可能である。
【図１】本発明の第１実施例装置を示す概略側面図
【図２】本発明の第２実施例装置を示す概略側面図
【図３】本発明の第３実施例装置を示す概略側面図
【図４】本発明の第４実施例装置を示す概略側面図
【図５】本発明における非線形光学材料の結晶方位と、
ポンピング光の直線偏光の向きとの関係を示す説明図
ポンピング光の直線偏光の向きとの関係を示す説明図
１ 非線形光学材料の結晶 ２ 基本波 ３ 波長変換波 ４ 固体レーザー媒質 ５ ポンピング光 10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 13 Ｎｄ：ＹＡＧ結晶 14 共振器ミラー 15 ＫＮ結晶 17 周期ドメイン反転構造 18 ＬＮ結晶 21、31 レーザービーム（固体レーザービーム） 22、32 第２高調波
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザーダ
イオードポンピング固体レーザーは、前述したように固
体レーザー媒質を半導体レーザーでポンピングして得ら
れた固体レーザービームを、非線形光学材料の結晶に入
射させて波長変換するレーザーダイオードポンピング固
体レーザーにおいて、非線形光学材料の結晶の波長変換
に利用される非線形光学定数をｄIJ（Ｉ，Ｊ＝１，２，
３）、Ｊに対応する非線形光学材料の屈折率楕円体の主
軸をαとしたとき、半導体レーザーから発せられるポン
ピング光としてのレーザービームの直線偏光の向きが、
ポンピング光の入射方向から見て上記主軸αと揃う向き
に設定されていることを特徴とするものである。
イオードポンピング固体レーザーは、前述したように固
体レーザー媒質を半導体レーザーでポンピングして得ら
れた固体レーザービームを、非線形光学材料の結晶に入
射させて波長変換するレーザーダイオードポンピング固
体レーザーにおいて、非線形光学材料の結晶の波長変換
に利用される非線形光学定数をｄIJ（Ｉ，Ｊ＝１，２，
３）、Ｊに対応する非線形光学材料の屈折率楕円体の主
軸をαとしたとき、半導体レーザーから発せられるポン
ピング光としてのレーザービームの直線偏光の向きが、
ポンピング光の入射方向から見て上記主軸αと揃う向き
に設定されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】ここで、上記Ｊに対応する非線形光学材料
の屈折率楕円体の主軸αについて詳しく説明する。図５
の(1) に示すような非線形光学材料の結晶１を考え、ま
たその非線形光学定数ｄ33が波長変換に利用されると仮
定する。Ｉ，Ｊの数字は、従来からこの分野で慣用され
ている通り、それぞれがＸ、ＹあるいはＺ軸に対応し、
１がＸ軸、２がＹ軸、３がＺ軸を示している。そして非
線形光学定数ｄIJは、Ｊ方向に直線偏光した基本波を入
射させてＩ方向に直線偏光した波長変換波が取り出せる
非線形光学定数であり、例えば上記のｄ33はＩ＝Ｊ＝３
で、図示のようにＺ軸方向に直線偏光した基本波２（そ
の直線偏光の向きを矢印Ｐで示す）を結晶１に入射させ
て、Ｚ軸方向に直線偏光した波長変換波３（その直線偏
光の向きを矢印Ｑで示す）が取り出せる非線形光学定数
である。
の屈折率楕円体の主軸αについて詳しく説明する。図５
の(1) に示すような非線形光学材料の結晶１を考え、ま
たその非線形光学定数ｄ33が波長変換に利用されると仮
定する。Ｉ，Ｊの数字は、従来からこの分野で慣用され
ている通り、それぞれがＸ、ＹあるいはＺ軸に対応し、
１がＸ軸、２がＹ軸、３がＺ軸を示している。そして非
線形光学定数ｄIJは、Ｊ方向に直線偏光した基本波を入
射させてＩ方向に直線偏光した波長変換波が取り出せる
非線形光学定数であり、例えば上記のｄ33はＩ＝Ｊ＝３
で、図示のようにＺ軸方向に直線偏光した基本波２（そ
の直線偏光の向きを矢印Ｐで示す）を結晶１に入射させ
て、Ｚ軸方向に直線偏光した波長変換波３（その直線偏
光の向きを矢印Ｑで示す）が取り出せる非線形光学定数
である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】つまりこの場合、Ｊに対応する非線形光学
材料の屈折率楕円体の主軸αはＺ軸であり、固体レーザ
ー媒質４に入射するポンピング光５の入射方向から見て
主軸αと揃う向きは、図中の矢印Ｒ方向である。本発明
では、この矢印Ｒ方向にポンピング光５の直線偏光の向
きを設定するものである。
材料の屈折率楕円体の主軸αはＺ軸であり、固体レーザ
ー媒質４に入射するポンピング光５の入射方向から見て
主軸αと揃う向きは、図中の矢印Ｒ方向である。本発明
では、この矢印Ｒ方向にポンピング光５の直線偏光の向
きを設定するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】つまりこの場合は、Ｊ＝１および２である
から、Ｊに対応する非線形光学材料の屈折率楕円体の主
軸αはＸ軸およびＹ軸となり、固体レーザー媒質４に入
射するポンピング光５の入射方向から見て主軸αと揃う
向きは、図中の矢印Ｒ方向となる。
から、Ｊに対応する非線形光学材料の屈折率楕円体の主
軸αはＸ軸およびＹ軸となり、固体レーザー媒質４に入
射するポンピング光５の入射方向から見て主軸αと揃う
向きは、図中の矢印Ｒ方向となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】半導体レーザー11としては、波長λ1 ＝80
8 ｎｍのレーザービーム10を発するものが用いられてい
る。一方Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13は、上記のレーザービーム
10によってネオジウムイオンが励起されることにより、
波長λ2 ＝946 ｎｍのレーザービーム21を発する。この
レーザービーム21はＫＮ結晶15に入射して、波長λ3＝
λ2 ／２＝473 ｎｍの第２高調波22に変換される。なお
レーザービーム21は、エタロン16の作用により単一縦モ
ード化される。
8 ｎｍのレーザービーム10を発するものが用いられてい
る。一方Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13は、上記のレーザービーム
10によってネオジウムイオンが励起されることにより、
波長λ2 ＝946 ｎｍのレーザービーム21を発する。この
レーザービーム21はＫＮ結晶15に入射して、波長λ3＝
λ2 ／２＝473 ｎｍの第２高調波22に変換される。なお
レーザービーム21は、エタロン16の作用により単一縦モ
ード化される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】 808 ｎｍ 946 ｎｍ 473 ｎｍ 端 面13ａ ＡＲ ＨＲ − 端 面13ｂ − ＡＲ ＨＲ 端 面15ａ − ＡＲ ＡＲ 端 面15ｂ − ＡＲ ＡＲ ミラー面14 − ＨＲ ＡＲ 上記のようなコーティングが施されているために、レー
ザービーム21はＮｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ａとミラー
面14ａとの間で共振する。このようにレーザービーム21
は共振している状態でＫＮ結晶15に入射するので、効率
良く第２高調波22が発生する。またこの第２高調波22は
直接的に、あるいはＮｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ｂで反
対方向に反射して、共振器ミラー14を透過する。
ザービーム21はＮｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ａとミラー
面14ａとの間で共振する。このようにレーザービーム21
は共振している状態でＫＮ結晶15に入射するので、効率
良く第２高調波22が発生する。またこの第２高調波22は
直接的に、あるいはＮｄ：ＹＡＧ結晶13の端面13ｂで反
対方向に反射して、共振器ミラー14を透過する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】この場合は、波長変換に利用されるＫＮ結
晶15の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝１および２で
あるから、Ｊに対応するＫＮ結晶15の屈折率楕円体の主
軸αはＸ軸およびＹ軸である。そこで半導体レーザー11
は、そこから発せられるポンピング光としてのレーザー
ビーム10の直線偏光の向き（矢印Ｒ方向）が、そのＮ
ｄ：ＹＡＧ結晶13への入射方向から見て上記Ｘ軸および
Ｙ軸と揃う向きに配設されている。このようにレーザー
ビーム10の直線偏光の向きを設定することにより、Ｎ
ｄ：ＹＡＧ結晶13の励起効率および固体レーザービーム
21の発振効率が向上し、その結果、高出力の第２高調波
22が得られるようになる。
晶15の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝１および２で
あるから、Ｊに対応するＫＮ結晶15の屈折率楕円体の主
軸αはＸ軸およびＹ軸である。そこで半導体レーザー11
は、そこから発せられるポンピング光としてのレーザー
ビーム10の直線偏光の向き（矢印Ｒ方向）が、そのＮ
ｄ：ＹＡＧ結晶13への入射方向から見て上記Ｘ軸および
Ｙ軸と揃う向きに配設されている。このようにレーザー
ビーム10の直線偏光の向きを設定することにより、Ｎ
ｄ：ＹＡＧ結晶13の励起効率および固体レーザービーム
21の発振効率が向上し、その結果、高出力の第２高調波
22が得られるようになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】この場合は、波長変換に利用されるＫＮ結
晶15の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝１であるか
ら、Ｊに対応するＫＮ結晶15の屈折率楕円体の主軸αは
Ｘ軸である。そこで半導体レーザー11は、そこから発せ
られるポンピング光としてのレーザービーム10の直線偏
光の向き（矢印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶13へ
の入射方向から見て上記Ｘ軸と揃う向きに配設されてい
る。このようにレーザービーム10の直線偏光の向きを設
定することにより、本実施例においてもＮｄ：ＹＡＧ結
晶13の励起効率および固体レーザービーム21の発振効率
が向上し、その結果、高出力の第２高調波22が得られる
ようになる。
晶15の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝１であるか
ら、Ｊに対応するＫＮ結晶15の屈折率楕円体の主軸αは
Ｘ軸である。そこで半導体レーザー11は、そこから発せ
られるポンピング光としてのレーザービーム10の直線偏
光の向き（矢印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶13へ
の入射方向から見て上記Ｘ軸と揃う向きに配設されてい
る。このようにレーザービーム10の直線偏光の向きを設
定することにより、本実施例においてもＮｄ：ＹＡＧ結
晶13の励起効率および固体レーザービーム21の発振効率
が向上し、その結果、高出力の第２高調波22が得られる
ようになる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】次に、図３を参照して本発明の第３実施例
について説明する。この第３実施例においては、第１実
施例で用いられたＫＮ結晶15に代えて、光波長変換素子
として、周期ドメイン反転構造17が形成された強誘電体
のＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）の結晶18が用いられている。本
実施例においてはＬＮ結晶18の非線形光学定数ｄ33を利
用するため、ＬＮ結晶18はそのＹ軸およびＺ軸に対して
光通過端面18ａ、18ｂが平行となる状態にカットされて
いる。そして固体レーザービーム21は、矢印Ｐで示すそ
の直線偏光の向きがＬＮ結晶18のＺ軸方向と一致するよ
うにして、該ＬＮ結晶18に入射せしめられる。このよう
にしたとき、ＬＮ結晶18からはＺ軸方向に直線偏光した
第２高調波22が出射する。
について説明する。この第３実施例においては、第１実
施例で用いられたＫＮ結晶15に代えて、光波長変換素子
として、周期ドメイン反転構造17が形成された強誘電体
のＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）の結晶18が用いられている。本
実施例においてはＬＮ結晶18の非線形光学定数ｄ33を利
用するため、ＬＮ結晶18はそのＹ軸およびＺ軸に対して
光通過端面18ａ、18ｂが平行となる状態にカットされて
いる。そして固体レーザービーム21は、矢印Ｐで示すそ
の直線偏光の向きがＬＮ結晶18のＺ軸方向と一致するよ
うにして、該ＬＮ結晶18に入射せしめられる。このよう
にしたとき、ＬＮ結晶18からはＺ軸方向に直線偏光した
第２高調波22が出射する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】この場合は、波長変換に利用されるＬＮ結
晶18の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝３であるか
ら、Ｊに対応するＬＮ結晶18の屈折率楕円体の主軸αは
Ｚ軸である。そこで半導体レーザー11は、そこから発せ
られるポンピング光としてのレーザービーム10の直線偏
光の向き（矢印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶13へ
の入射方向から見て上記Ｚ軸と揃う向きに配設されてい
る。このようにレーザービーム10の直線偏光の向きを設
定することにより、本実施例においてもＮｄ：ＹＡＧ結
晶13の励起効率および固体レーザービーム21の発振効率
が向上し、その結果、高出力の第２高調波22が得られる
ようになる。
晶18の非線形光学定数をｄIJとするとＪ＝３であるか
ら、Ｊに対応するＬＮ結晶18の屈折率楕円体の主軸αは
Ｚ軸である。そこで半導体レーザー11は、そこから発せ
られるポンピング光としてのレーザービーム10の直線偏
光の向き（矢印Ｒ方向）が、そのＮｄ：ＹＡＧ結晶13へ
の入射方向から見て上記Ｚ軸と揃う向きに配設されてい
る。このようにレーザービーム10の直線偏光の向きを設
定することにより、本実施例においてもＮｄ：ＹＡＧ結
晶13の励起効率および固体レーザービーム21の発振効率
が向上し、その結果、高出力の第２高調波22が得られる
ようになる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】次に、図４を参照して本発明の第４実施例
について説明する。本実施例においてＮｄ：ＹＡＧ結晶
13は、半導体レーザー11から発せられた波長λ1 ＝808
ｎｍのレーザービーム10によってネオジウムイオンが励
起されることにより、波長λ2 ＝1064ｎｍのレーザービ
ーム31を発する。このレーザービーム31は第３実施例の
ものと同様のＬＮ結晶18に入射して、波長λ3 ＝λ2 ／
２＝532 ｎｍの第２高調波32に変換される。
について説明する。本実施例においてＮｄ：ＹＡＧ結晶
13は、半導体レーザー11から発せられた波長λ1 ＝808
ｎｍのレーザービーム10によってネオジウムイオンが励
起されることにより、波長λ2 ＝1064ｎｍのレーザービ
ーム31を発する。このレーザービーム31は第３実施例の
ものと同様のＬＮ結晶18に入射して、波長λ3 ＝λ2 ／
２＝532 ｎｍの第２高調波32に変換される。
Claims (1)
- 【請求項１】 固体レーザー媒質を半導体レーザーでポ
ンピングして得られた固体レーザービームを、非線形光
学材料の結晶に入射させて波長変換するレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーにおいて、 前記非線形光学材料の結晶の波長変換に利用される非線
形光学定数をｄIJ（Ｉ，Ｊ＝１，２，３）、Ｊに対応す
る非線形光学材料の光学軸をαとしたとき、前記半導体
レーザーから発せられるポンピング光としてのレーザー
ビームの直線偏光の向きが、ポンピング光の入射方向か
ら見て前記光学軸αと揃う向きに設定されていることを
特徴とするレーザーダイオードポンピング固体レーザ
ー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066510A JPH06283794A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
| US08/217,175 US5497388A (en) | 1993-03-25 | 1994-03-24 | Laser diode pumped solid laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5066510A JPH06283794A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283794A true JPH06283794A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13317916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5066510A Pending JPH06283794A (ja) | 1993-03-25 | 1993-03-25 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5497388A (ja) |
| JP (1) | JPH06283794A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100818492B1 (ko) * | 2006-09-11 | 2008-04-01 | 삼성전기주식회사 | 펌핑 레이저 다이오드를 이용한 ｄｐｓｓ 레이저 장치 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125254A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 波長変換固体レーザー |
| JPH1084155A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Ricoh Co Ltd | 固体レーザ装置 |
| JPH1041573A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Topcon Corp | レーザー発振装置 |
| JPH1126857A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオード励起固体レーザー装置および放射線画像読取装置 |
| US5946338A (en) * | 1998-07-29 | 1999-08-31 | Uniphase Corporation | Decoupled intracavity laser alignment |
| US5991318A (en) † | 1998-10-26 | 1999-11-23 | Coherent, Inc. | Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser |
| CN1134090C (zh) * | 2001-01-05 | 2004-01-07 | 南京大学 | 以超晶格为变频晶体的全固态红、蓝双色激光器 |
| DE102005015148A1 (de) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laservorrichtung |
| JP2006310743A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Topcon Corp | レーザ発振装置 |
| US9236703B2 (en) * | 2011-11-07 | 2016-01-12 | Raytheon Company | Laser system and method for producing a linearly polarized single frequency output using polarized and non-polarized pump diodes |
| US9515448B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-12-06 | Raytheon Company | Microchip laser with single solid etalon and interfacial coating |
| WO2017205833A1 (en) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | Compound Photonics Ltd | Solid-state laser system |
| CN108767640A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-11-06 | 国科世纪激光技术（天津）有限公司 | 一种新型低紫外与高绿光的固体激光器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4656635A (en) * | 1985-05-01 | 1987-04-07 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser |
| US5172391A (en) * | 1991-01-09 | 1992-12-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Polarization controlling system for lasers |
| JPH04318988A (ja) * | 1991-04-18 | 1992-11-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
| JP3013121B2 (ja) * | 1991-05-10 | 2000-02-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 光波長変換装置 |
| JPH05218556A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体レーザー |
-
1993
- 1993-03-25 JP JP5066510A patent/JPH06283794A/ja active Pending
-
1994
- 1994-03-24 US US08/217,175 patent/US5497388A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100818492B1 (ko) * | 2006-09-11 | 2008-04-01 | 삼성전기주식회사 | 펌핑 레이저 다이오드를 이용한 ｄｐｓｓ 레이저 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5497388A (en) | 1996-03-05 |
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