JPH04318988A - レーザーダイオードポンピング固体レーザー - Google Patents
レーザーダイオードポンピング固体レーザーInfo
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- JPH04318988A JPH04318988A JP8640591A JP8640591A JPH04318988A JP H04318988 A JPH04318988 A JP H04318988A JP 8640591 A JP8640591 A JP 8640591A JP 8640591 A JP8640591 A JP 8640591A JP H04318988 A JPH04318988 A JP H04318988A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザーダイオードポン
ピング固体レーザーに関し、特に詳細には、共振器内に
非線形光学材料の結晶を配して固体レーザー発振ビーム
を波長変換（短波長化）するようにしたレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーに関するものである。
ピング固体レーザーに関し、特に詳細には、共振器内に
非線形光学材料の結晶を配して固体レーザー発振ビーム
を波長変換（短波長化）するようにしたレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開昭６２−１８９７８３ 号公
報に示されるように、ネオジウム等の希土類がドーピン
グされた固体レーザー媒質を半導体レーザー（レーザー
ダイオード）によってポンピングするレーザーダイオー
ドポンピング固体レーザーが公知となっている。この種
のレーザーダイオードポンピング固体レーザーにおいて
は、より短波長のレーザー光を得るために、その共振器
内に非線形光学材料のバルク単結晶を配設して、固体レ
ーザー発振ビームを第２高調波等に波長変換することも
行なわれている。
報に示されるように、ネオジウム等の希土類がドーピン
グされた固体レーザー媒質を半導体レーザー（レーザー
ダイオード）によってポンピングするレーザーダイオー
ドポンピング固体レーザーが公知となっている。この種
のレーザーダイオードポンピング固体レーザーにおいて
は、より短波長のレーザー光を得るために、その共振器
内に非線形光学材料のバルク単結晶を配設して、固体レ
ーザー発振ビームを第２高調波等に波長変換することも
行なわれている。
【０００３】このようなレーザーダイオードポンピング
固体レーザーにおいては、短波長化されたレーザービー
ムの出力を安定化することが望まれる。しかし従来装置
においては、固体レーザー発振ビームの縦モード競合の
ために、安定した出力が得られないことも多かった。
固体レーザーにおいては、短波長化されたレーザービー
ムの出力を安定化することが望まれる。しかし従来装置
においては、固体レーザー発振ビームの縦モード競合の
ために、安定した出力が得られないことも多かった。
【０００４】そこで従来より、固体レーザーを単一縦モ
ード発振させるために、（１） 固体レーザーの共振器
内にエタロン板を挿入する構造や、（２）固体レーザー
材質としてＮｄ：ＹＶＯ４ やＬＮＰのようなＮｄ高ド
ープ材料を用い、それを共振器の端に位置させて空間的
ホールバーニングを生じ難くし、それにより、余分の縦
モードの発振を抑制する構造が提案されている。なおこ
の（２） の構造については、「電子情報通信学会技術
研究報告」 ９０−２５ ｐ７３に一例が示されて
いる。
ード発振させるために、（１） 固体レーザーの共振器
内にエタロン板を挿入する構造や、（２）固体レーザー
材質としてＮｄ：ＹＶＯ４ やＬＮＰのようなＮｄ高ド
ープ材料を用い、それを共振器の端に位置させて空間的
ホールバーニングを生じ難くし、それにより、余分の縦
モードの発振を抑制する構造が提案されている。なおこ
の（２） の構造については、「電子情報通信学会技術
研究報告」 ９０−２５ ｐ７３に一例が示されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した（１）
の構造においては、エタロン板挿入により共振器内部
ロスが増加し、発振出力の低下、ひいては波長変換波の
出力低下を招くという問題がある。
の構造においては、エタロン板挿入により共振器内部
ロスが増加し、発振出力の低下、ひいては波長変換波の
出力低下を招くという問題がある。
【０００６】一方上記（２） の構造を採用しても、縦
モードが２、３本存在してしまうことが多く、単一縦モ
ード発振させるのは比較的困難となっている。また、共
振器内のパワー密度を高くすると空間的ホールバーニン
グを抑制するのが難しく、そうなると縦モードがマルチ
モード化しやすい。
モードが２、３本存在してしまうことが多く、単一縦モ
ード発振させるのは比較的困難となっている。また、共
振器内のパワー密度を高くすると空間的ホールバーニン
グを抑制するのが難しく、そうなると縦モードがマルチ
モード化しやすい。
【０００７】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、安定して単一縦モード発振し、また共振
器内部ロスの増大による出力低下を招かず、出力が安定
した短波長レーザービームを得ることができるレーザー
ダイオードポンピング固体レーザーを提供することを目
的とするものである。
たものであり、安定して単一縦モード発振し、また共振
器内部ロスの増大による出力低下を招かず、出力が安定
した短波長レーザービームを得ることができるレーザー
ダイオードポンピング固体レーザーを提供することを目
的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザーダ
イオードポンピング固体レーザーは、前述したように固
体レーザー発振ビームを、共振器内に配した非線形光学
材料の結晶によって波長変換するレーザーダイオードポ
ンピング固体レーザーにおいて、◆固体レーザー媒質ま
たは非線形光学材料の結晶が、その内部において上記固
体レーザー発振ビームの定在波を生じさせる構造とされ
ていることを特徴とするものである。
イオードポンピング固体レーザーは、前述したように固
体レーザー発振ビームを、共振器内に配した非線形光学
材料の結晶によって波長変換するレーザーダイオードポ
ンピング固体レーザーにおいて、◆固体レーザー媒質ま
たは非線形光学材料の結晶が、その内部において上記固
体レーザー発振ビームの定在波を生じさせる構造とされ
ていることを特徴とするものである。
【０００９】なお上記のように固体レーザー媒質または
非線形光学材料の結晶を、定在波が生じる構造とするに
は、通常はそれらの光通過面の一方あるいは双方に施さ
れる無反射コーティング（固体レーザー発振ビームに対
するもの）を省く等すればよい。
非線形光学材料の結晶を、定在波が生じる構造とするに
は、通常はそれらの光通過面の一方あるいは双方に施さ
れる無反射コーティング（固体レーザー発振ビームに対
するもの）を省く等すればよい。
【００１０】
【作用および発明の効果】上記のように固体レーザー媒
質または非線形光学材料の結晶において固体レーザー発
振ビームの定在波を生じさせれば、その固体レーザー媒
質または非線形光学材料の結晶はエタロン板と同様に波
長選択性を備えることになる。こうして固体レーザーが
単一縦モード発振すれば、縦モード競合がなくなり、安
定した出力の波長変換波を取り出すことができる。
質または非線形光学材料の結晶において固体レーザー発
振ビームの定在波を生じさせれば、その固体レーザー媒
質または非線形光学材料の結晶はエタロン板と同様に波
長選択性を備えることになる。こうして固体レーザーが
単一縦モード発振すれば、縦モード競合がなくなり、安
定した出力の波長変換波を取り出すことができる。
【００１１】また上記構成のレーザーダイオードポンピ
ング固体レーザーは、固体レーザー発振ビームを波長変
換する基本構造に加えて、波長選択のための新しい素子
を設けるものではないから、共振器内部ロスが著しく増
大することがなく、よって高出力の波長変換波を得るこ
とができる。
ング固体レーザーは、固体レーザー発振ビームを波長変
換する基本構造に加えて、波長選択のための新しい素子
を設けるものではないから、共振器内部ロスが著しく増
大することがなく、よって高出力の波長変換波を得るこ
とができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１３】＜第１実施例＞図１は、本発明の第１実施
例によるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを
示すものである。このレーザーダイオードポンピング固
体レーザーは、ポンピング光としてのレーザービーム１
３を発する半導体レーザー（フェーズドアレイレーザー
）１４と、発散光である上記レーザービーム１３を集束
させる集光レンズ１５と、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピ
ングされた固体レーザーロッドであるＹＶＯ４ ロッ
ド（以下、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッドと称する）１６と、
このＮｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の前方側（図中右方側
）に配された結晶長５ｍｍのＫＴＰ結晶１０とからなる
。以上述べた各要素は、共通の筐体（図示せず）にマウ
ントされて一体化されている。なおフェーズドアレイレ
ーザー１４は、図示しないペルチェ素子と温調回路によ
り、所定温度に温調される。
例によるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを
示すものである。このレーザーダイオードポンピング固
体レーザーは、ポンピング光としてのレーザービーム１
３を発する半導体レーザー（フェーズドアレイレーザー
）１４と、発散光である上記レーザービーム１３を集束
させる集光レンズ１５と、ネオジウム（Ｎｄ）がドーピ
ングされた固体レーザーロッドであるＹＶＯ４ ロッ
ド（以下、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッドと称する）１６と、
このＮｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の前方側（図中右方側
）に配された結晶長５ｍｍのＫＴＰ結晶１０とからなる
。以上述べた各要素は、共通の筐体（図示せず）にマウ
ントされて一体化されている。なおフェーズドアレイレ
ーザー１４は、図示しないペルチェ素子と温調回路によ
り、所定温度に温調される。
【００１４】フェーズドアレイレーザー１４としては、
波長λ１ ＝８０９ ｎｍのレーザービーム１３を発す
るものが用いられている。一方Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド
１６は、Ｎｄが１ａｔ％ドーピングされたものであり、
１ｍｍの厚さに形成されている。このＮｄ：ＹＶＯ４
ロッド１６は、上記レーザービーム１３によってネオジ
ウム原子が励起されることにより、基本波長λ２ ＝１
０６４ｎｍのレーザービーム１１を発する。
波長λ１ ＝８０９ ｎｍのレーザービーム１３を発す
るものが用いられている。一方Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド
１６は、Ｎｄが１ａｔ％ドーピングされたものであり、
１ｍｍの厚さに形成されている。このＮｄ：ＹＶＯ４
ロッド１６は、上記レーザービーム１３によってネオジ
ウム原子が励起されることにより、基本波長λ２ ＝１
０６４ｎｍのレーザービーム１１を発する。
【００１５】Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の光入射側端
面１６ａには、波長１０６４ｎｍのレーザービーム１１
は良好に反射させ（反射率９９．９％以上）、波長８０
９ ｎｍのポンピング用レーザービーム１３は良好に透
過させる（透過率９９％以上）コーティング１８が施さ
れている。一方ＫＴＰ結晶１０の前方側の端面１０ａは
外側に凸となった球面（曲率半径５０ｍｍ）の一部をな
す形状とされ、その表面には、波長１０６４ｎｍのレー
ザービーム１１および波長８０９ ｎｍのレーザービー
ム１３は良好に反射させ、そして後述する波長５３２
ｎｍの第２高調波１２は良好に透過させるコーティング
１９が施されている。またこのＫＴＰ結晶１０の後方側
の端面１０ｂは平面形状とされ、その表面には、レーザ
ービーム１１を良好に透過させる一方、第２高調波１２
は良好に反射させるコーティング２０が施されている。 したがって波長１０６４ｎｍのレーザービーム１１は、
上記の面１６ａ、１０ａ間に閉じ込められて、レーザー
発振を引き起こす。
面１６ａには、波長１０６４ｎｍのレーザービーム１１
は良好に反射させ（反射率９９．９％以上）、波長８０
９ ｎｍのポンピング用レーザービーム１３は良好に透
過させる（透過率９９％以上）コーティング１８が施さ
れている。一方ＫＴＰ結晶１０の前方側の端面１０ａは
外側に凸となった球面（曲率半径５０ｍｍ）の一部をな
す形状とされ、その表面には、波長１０６４ｎｍのレー
ザービーム１１および波長８０９ ｎｍのレーザービー
ム１３は良好に反射させ、そして後述する波長５３２
ｎｍの第２高調波１２は良好に透過させるコーティング
１９が施されている。またこのＫＴＰ結晶１０の後方側
の端面１０ｂは平面形状とされ、その表面には、レーザ
ービーム１１を良好に透過させる一方、第２高調波１２
は良好に反射させるコーティング２０が施されている。 したがって波長１０６４ｎｍのレーザービーム１１は、
上記の面１６ａ、１０ａ間に閉じ込められて、レーザー
発振を引き起こす。
【００１６】このレーザービーム１１は非線形光学材料
であるＫＴＰ結晶１０に入射して、波長が１／２すなわ
ち５３２ ｎｍの第２高調波１２に波長変換される。Ｋ
ＴＰ結晶１０の端面１０ａには前述した通りのコーティ
ング１９が施されているので、このＫＴＰ結晶１０から
は、ほぼ第２高調波１２のみが取り出される。以上説明
の通り本実施例では、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６とＫ
ＴＰ結晶１０とにより共振器が構成されている。
であるＫＴＰ結晶１０に入射して、波長が１／２すなわ
ち５３２ ｎｍの第２高調波１２に波長変換される。Ｋ
ＴＰ結晶１０の端面１０ａには前述した通りのコーティ
ング１９が施されているので、このＫＴＰ結晶１０から
は、ほぼ第２高調波１２のみが取り出される。以上説明
の通り本実施例では、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６とＫ
ＴＰ結晶１０とにより共振器が構成されている。
【００１７】なおＮｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の前方側
の端面１６ｂには、通常と異なり、波長１０６４ｎｍの
レーザービーム１１に対する無反射コーティングは施さ
れていない。 そのため、ＫＴＰ結晶１０側に進行するレーザービーム
１１は、この端面１６ｂで例えば２０％程度反射する。 そこでこのロッド１６中においてレーザービーム１１の
定在波が生じ、該レーザービーム１１が波長選択されて
単一縦モード発振するようになる。それにより、このレ
ーザービーム１１においては縦モード競合が起こらず、
安定した出力の第２高調波１２が得られるようになる。 本実施例では、フェーズドアレイレーザー１４の出力を
２００ ｍＷとしたとき５ｍＷの第２高調波１２が得ら
れ、それ以下の出力範囲で単一縦モード発振する。
の端面１６ｂには、通常と異なり、波長１０６４ｎｍの
レーザービーム１１に対する無反射コーティングは施さ
れていない。 そのため、ＫＴＰ結晶１０側に進行するレーザービーム
１１は、この端面１６ｂで例えば２０％程度反射する。 そこでこのロッド１６中においてレーザービーム１１の
定在波が生じ、該レーザービーム１１が波長選択されて
単一縦モード発振するようになる。それにより、このレ
ーザービーム１１においては縦モード競合が起こらず、
安定した出力の第２高調波１２が得られるようになる。 本実施例では、フェーズドアレイレーザー１４の出力を
２００ ｍＷとしたとき５ｍＷの第２高調波１２が得ら
れ、それ以下の出力範囲で単一縦モード発振する。
【００１８】＜比較例＞上記第１実施例のＮｄ：ＹＶＯ
４ ロッド１６による単一縦モード化の作用を確認する
ため、図２に示すような比較例としてのレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーを作製した。なおこの図２
において、図１中のものと同等の要素については同番号
を付してあり、それらについての重複した説明は省略す
る（以下、同様）。
４ ロッド１６による単一縦モード化の作用を確認する
ため、図２に示すような比較例としてのレーザーダイオ
ードポンピング固体レーザーを作製した。なおこの図２
において、図１中のものと同等の要素については同番号
を付してあり、それらについての重複した説明は省略す
る（以下、同様）。
【００１９】図示される通りこの比較例の装置は、第１
実施例装置と比べると、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の
端面１６ｂに、波長１０６４ｎｍのレーザービーム１１
に対する無反射コーティング２１が施されている点のみ
が異なる。
実施例装置と比べると、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の
端面１６ｂに、波長１０６４ｎｍのレーザービーム１１
に対する無反射コーティング２１が施されている点のみ
が異なる。
【００２０】この比較例の装置においても、フェーズド
アレイレーザー１４の出力を２００ ｍＷとしたとき５
ｍＷの第２高調波１２が得られる。しかし、これ以下の
出力範囲で得られる第２高調波１２はマルチモードであ
る。
アレイレーザー１４の出力を２００ ｍＷとしたとき５
ｍＷの第２高調波１２が得られる。しかし、これ以下の
出力範囲で得られる第２高調波１２はマルチモードであ
る。
【００２１】＜第２実施例＞図３は本発明の第２実施例
によるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを示
している。この第２実施例において、ＫＴＰ結晶１０の
前方側の端面１０ａは平面形状とされている。またこの
ＫＴＰ結晶１０の結晶長は３ｍｍ、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロ
ッド１６の厚さは０．５ ｍｍ、またそのＮｄドープ量
は２ａｔ％である。そしてこの実施例においても、Ｎｄ
：ＹＶＯ４ ロッド１６の前方側の端面１６ｂには、波
長１０６４ｎｍのレーザービーム１１に対する無反射コ
ーティングは施されていない。
によるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを示
している。この第２実施例において、ＫＴＰ結晶１０の
前方側の端面１０ａは平面形状とされている。またこの
ＫＴＰ結晶１０の結晶長は３ｍｍ、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロ
ッド１６の厚さは０．５ ｍｍ、またそのＮｄドープ量
は２ａｔ％である。そしてこの実施例においても、Ｎｄ
：ＹＶＯ４ ロッド１６の前方側の端面１６ｂには、波
長１０６４ｎｍのレーザービーム１１に対する無反射コ
ーティングは施されていない。
【００２２】この構成においては、フェーズドアレイレ
ーザー１４の出力が６００ ｍＷのとき５０ｍＷの第２
高調波１２が得られ、そしてそれ以下の出力範囲におい
て単一縦モード発振する。
ーザー１４の出力が６００ ｍＷのとき５０ｍＷの第２
高調波１２が得られ、そしてそれ以下の出力範囲におい
て単一縦モード発振する。
【００２３】＜第３実施例＞図４は本発明の第３実施例
によるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを示
している。この第３実施例においては、第１実施例およ
び第２実施例においてＫＴＰ結晶１０の端面１０ｂに施
されたものと同様のコーティング２０が、Ｎｄ：ＹＶＯ
４ ロッド１６の端面１６ｂ上に施されている。そして
上記ＫＴＰ結晶１０の端面１０ｂには、波長１０６４ｎ
ｍのレーザービーム１１に対する無反射コーティングは
施されていない。
によるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを示
している。この第３実施例においては、第１実施例およ
び第２実施例においてＫＴＰ結晶１０の端面１０ｂに施
されたものと同様のコーティング２０が、Ｎｄ：ＹＶＯ
４ ロッド１６の端面１６ｂ上に施されている。そして
上記ＫＴＰ結晶１０の端面１０ｂには、波長１０６４ｎ
ｍのレーザービーム１１に対する無反射コーティングは
施されていない。
【００２４】また、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の光入
射側端面１６ａには、波長１０６４ｎｍのレーザービー
ム１１は良好に反射させ（反射率９９．９％以上）、波
長８０９ ｎｍのポンピング用レーザービーム１３は良
好に透過させる（透過率９９％以上）一方、波長５３２
ｎｍの第２高調波１２は良好に反射させる（反射率９
９．９％以上）コーティング２２が施されている。
射側端面１６ａには、波長１０６４ｎｍのレーザービー
ム１１は良好に反射させ（反射率９９．９％以上）、波
長８０９ ｎｍのポンピング用レーザービーム１３は良
好に透過させる（透過率９９％以上）一方、波長５３２
ｎｍの第２高調波１２は良好に反射させる（反射率９
９．９％以上）コーティング２２が施されている。
【００２５】上記の構成においては、Ｎｄ：ＹＶＯ４
ロッド１６側に進行するレーザービーム１１がＫＴＰ結
晶１０の端面１０ｂで反射し、該結晶１０中においてレ
ーザービーム１１の定在波が生じる。こうして本実施例
では、ＫＴＰ結晶１０によりレーザービーム１１が波長
選択されて、単一縦モード発振するようになる。なお本
実施例において、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の厚さは
１ｍｍ、そのＮｄドープ量は１ａｔ％、ＫＴＰ結晶１０
の結晶長は２ｍｍである。
ロッド１６側に進行するレーザービーム１１がＫＴＰ結
晶１０の端面１０ｂで反射し、該結晶１０中においてレ
ーザービーム１１の定在波が生じる。こうして本実施例
では、ＫＴＰ結晶１０によりレーザービーム１１が波長
選択されて、単一縦モード発振するようになる。なお本
実施例において、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の厚さは
１ｍｍ、そのＮｄドープ量は１ａｔ％、ＫＴＰ結晶１０
の結晶長は２ｍｍである。
【００２６】この構成においては、フェーズアレイレー
ザー１４の出力が２００ ｍＷのとき１ｍＷの第２高調
波１２が得られ、そしてそれ以下の出力範囲においては
単一縦モード発振した。
ザー１４の出力が２００ ｍＷのとき１ｍＷの第２高調
波１２が得られ、そしてそれ以下の出力範囲においては
単一縦モード発振した。
【００２７】＜第４実施例＞図５は本発明の第４実施例
によるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを示
している。この実施例においては、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロ
ッド１６の端面１０ａ、１０ｂにそれぞれ、第３実施例
におけるのと同様のコーティング２２、２０が施されて
いる。そしてＫＴＰ結晶１０の前方側に、共振器ミラー
３０が配設されている。この共振器ミラー３０のＫＴＰ
結晶１０側の端面３０ａには、第１〜３実施例でＫＴＰ
結晶１０の端面１０ａに設けられたものと同様のコーテ
ィング１９が施されている。したがってこの場合、レー
ザービーム１１はＮｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の端面１
６ａと共振器ミラー３０の端面３０ａとの間で共振する
。
によるレーザーダイオードポンピング固体レーザーを示
している。この実施例においては、Ｎｄ：ＹＶＯ４ ロ
ッド１６の端面１０ａ、１０ｂにそれぞれ、第３実施例
におけるのと同様のコーティング２２、２０が施されて
いる。そしてＫＴＰ結晶１０の前方側に、共振器ミラー
３０が配設されている。この共振器ミラー３０のＫＴＰ
結晶１０側の端面３０ａには、第１〜３実施例でＫＴＰ
結晶１０の端面１０ａに設けられたものと同様のコーテ
ィング１９が施されている。したがってこの場合、レー
ザービーム１１はＮｄ：ＹＶＯ４ ロッド１６の端面１
６ａと共振器ミラー３０の端面３０ａとの間で共振する
。
【００２８】ＫＴＰ結晶１０の端面１０ａ、１０ｂには
、波長５３２ ｎｍの第２高調波１２に対する無反射コ
ーティング（図示せず）が施されているが、波長１０６
４ｎｍのレーザービーム１１に対する無反射コーティン
グは施されていない。
、波長５３２ ｎｍの第２高調波１２に対する無反射コ
ーティング（図示せず）が施されているが、波長１０６
４ｎｍのレーザービーム１１に対する無反射コーティン
グは施されていない。
【００２９】上記の構成においては、ＫＴＰ結晶１０か
ら外に出射しようとするレーザービーム１１が結晶端面
１０ａ、１０ｂで反射し、該結晶１０中においてレーザ
ービーム１１の定在波が生じる。こうして本実施例では
、ＫＴＰ結晶１０によりレーザービーム１１が波長選択
されて、単一縦モード発振するようになる。
ら外に出射しようとするレーザービーム１１が結晶端面
１０ａ、１０ｂで反射し、該結晶１０中においてレーザ
ービーム１１の定在波が生じる。こうして本実施例では
、ＫＴＰ結晶１０によりレーザービーム１１が波長選択
されて、単一縦モード発振するようになる。
【００３０】なお、本発明において用いられる固体レー
ザー媒質は、以上説明した実施例における、Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ４ ロッドに限られるものではなく、その他の公知の
もの、例えばＮＹＡＢ、ＬＮＰ、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：
ＹＬＦを適宜用いることができる。また非線形光学材料
もＫＴＰに限られるものではなく、その他の公知のもの
、例えばＢＮＮＢ、ＫＮｂＯ３ 、ＬｉＩＯ３ 、Ｕｒ
ｅａ、特開平２−７７１８１ 号公報に示される（３，
５−ジメチル−１−（４−ニトロフェニル）ピラゾール
、特開平２−２８号公報に示される（３，５−ジメチル
−１−（４−ニトロフェニル）−１，２，４−トリアゾ
ール等を適宜用いることができる。
ザー媒質は、以上説明した実施例における、Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ４ ロッドに限られるものではなく、その他の公知の
もの、例えばＮＹＡＢ、ＬＮＰ、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：
ＹＬＦを適宜用いることができる。また非線形光学材料
もＫＴＰに限られるものではなく、その他の公知のもの
、例えばＢＮＮＢ、ＫＮｂＯ３ 、ＬｉＩＯ３ 、Ｕｒ
ｅａ、特開平２−７７１８１ 号公報に示される（３，
５−ジメチル−１−（４−ニトロフェニル）ピラゾール
、特開平２−２８号公報に示される（３，５−ジメチル
−１−（４−ニトロフェニル）−１，２，４−トリアゾ
ール等を適宜用いることができる。
【図１】本発明の第１実施例装置の側面図
【図２】上記
第１実施例装置と比較するための装置を示す側面図
第１実施例装置と比較するための装置を示す側面図
【図３】本発明の第２実施例装置の側面図
【図４】本発
明の第３実施例装置の側面図
明の第３実施例装置の側面図
【図５】本発明の第４実施
例装置の側面図
例装置の側面図
１０ ＫＴＰ結晶
１１ レーザービーム（基本波）１２ 第
２高調波 １３ レーザービーム（ポンピング光）１４
フェーズドアレイレーザー１６ Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ４ ロッド １８、１９、２０、２１、２２ コーティング３
０ 共振器ミラー
２高調波 １３ レーザービーム（ポンピング光）１４
フェーズドアレイレーザー１６ Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ４ ロッド １８、１９、２０、２１、２２ コーティング３
０ 共振器ミラー
Claims (1)
- 【請求項１】 ネオジウム等の希土類がドーピングさ
れた固体レーザー媒質を半導体レーザーによってポンピ
ングし、得られた固体レーザー発振ビームを、共振器内
に配した非線形光学材料の結晶によって波長変換するレ
ーザーダイオードポンピング固体レーザーにおいて、前
記固体レーザー媒質または前記結晶が、その内部におい
て前記固体レーザー発振ビームの定在波を生じさせる構
造とされていることを特徴とするレーザーダイオードポ
ンピング固体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8640591A JPH04318988A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8640591A JPH04318988A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04318988A true JPH04318988A (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=13885958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8640591A Withdrawn JPH04318988A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04318988A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5497388A (en) * | 1993-03-25 | 1996-03-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser diode pumped solid laser |
| US6490309B1 (en) | 1999-07-21 | 2002-12-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-pumped laser apparatus in which Pr3+-doped laser medium is pumped with GaN-based compound laser diode |
| US6816532B2 (en) * | 2001-05-15 | 2004-11-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of ho3+, sm3+, eu3+, dy3+, er3+, and tb3+is excited with gan-based compound laser diode |
| WO2007013134A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Shimadzu Corporation | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
| JP2009218232A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-24 | Sony Corp | レーザ光源装置及びこれを用いた画像生成装置 |
| JP2011223024A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-04 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-04-18 JP JP8640591A patent/JPH04318988A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5497388A (en) * | 1993-03-25 | 1996-03-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser diode pumped solid laser |
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| US7154930B2 (en) | 2001-05-15 | 2006-12-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US7356065B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-04-08 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
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| US7403554B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-07-22 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US7411990B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-08-12 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US7418023B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-08-26 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, SM3+, EU3+, DY3+, ER3+ and TB3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
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| JPWO2007013134A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2009-02-05 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
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| JP5009796B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2012-08-22 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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