JP2008010603A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置、光走査装置、画像形成装置及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】励起用の半導体レーザからの励起用レーザ光によって励起されるNdが添加され、レーザ発振方向(Z軸方向)に垂直な方向に関するNdの濃度プロファイルにおける濃度0近傍からの立ち上がり形状がゆるやかに増加するスロープ状であるガドリニウムバナデイト(GdVO4)の一軸性単結晶を含む固体レーザ結晶10を備える。これにより、固体レーザ結晶10では中央にピークを持つ所望の吸収量分布を容易に得ることができる。
【選択図】図2
Description
『第1の実施形態』
以下、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第1の実施形態を図1(A)〜図7に基づいて説明する。図1(A)及び図1(B)には、本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置100の概略構成が示されている。本明細書では、レーザ発振方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な面内における互いに直交する2つの方向をX軸方向及びY軸方向として説明する。
以下、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第2の実施形態を図8(A)及び図8(B)に基づいて説明する。図8(A)には、本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置200の概略構成が示されている。この半導体レーザ励起固体レーザ装置200は、上記第1の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置100に対して、前記固体レーザ結晶10と前記出力ミラー40との間のレーザ光の光路上に非線形光学結晶50を配置した点、前記出力ミラー40の光学的特性が異なる点及び前記固体レーザ結晶10におけるコーティング仕様が異なる点に特徴を有する。そして、その他の構成については、上記第1の実施形態と同じである。そこで、以下においては、第1の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、第1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
以下、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第3の実施形態を図9(A)及び図9(B)に基づいて説明する。図9(A)には、本発明の第3の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置300の概略構成が示されている。この半導体レーザ励起固体レーザ装置300は、上記第2の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置200に対して、前記非線形光学結晶50を前記出力ミラー40の+Z側に配置した点に特徴を有する。そして、その他の構成については、上記第2の実施形態と同じである。そこで、以下においては、第2の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、第2の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
以下、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第4の実施形態を図10(A)及び図10(B)に基づいて説明する。図10(A)には、本発明の第4の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置400の概略構成が示されている。この半導体レーザ励起固体レーザ装置400は、上記第2の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置200に対して、前記非線形光学結晶50のD面におけるコーティング仕様を変更し、前記出力ミラー40を不要とした点に特徴を有する。そして、その他の構成については、上記第2の実施形態と同じである。そこで、以下においては、第2の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、第2の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
以下、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第5の実施形態を図11(A)及び図11(B)に基づいて説明する。図11(A)には、本発明の第5の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置500の概略構成が示されている。この半導体レーザ励起固体レーザ装置500は、上記第3の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置300に対して、前記固体レーザ結晶10及び前記非線形光学結晶50におけるコーティング仕様を変更し、前記出力ミラー40を不要とした点に特徴を有する。そして、その他の構成については、上記第3の実施形態と同じである。そこで、以下においては、第3の実施形態との相違点を中心に説明するとともに、第3の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については同一の符号を用い、その説明を簡略化し若しくは省略するものとする。
以下、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第6の実施形態を図12〜図15(B)に基づいて説明する。図12には、本発明の第6の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置600の概略構成が示されている。この半導体レーザ励起固体レーザ装置600は、波長が670nmの赤色レーザ光を出力する第1の固体レーザ装置600Rと、波長が456nmの青色レーザ光を出力する第2の固体レーザ装置600Bと、波長が531.5nmの緑色レーザ光を出力する第3の固体レーザ装置600Gとを有している。
以下、本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第7の実施形態を図16(A)及び図16(B)に基づいて説明する。図16(A)には、本発明の第7の実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置700の概略構成が示されている。
図18には、本発明の一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ1000の概略構成が示されている。
次に、前記光走査装置900の構成及び作用について図19を用いて説明する。
図20には、本発明の一実施形態に係る表示装置としてのレーザ・ディスプレイ装置2000の概略構成が示されている。
Claims (15)
- 少なくとも1つの励起用の半導体レーザと;
前記少なくとも1つの励起用の半導体レーザからの励起用のレーザ光によって励起される添加物(発光中心)が添加され、レーザ発振方向に垂直な方向に関する前記添加物の濃度プロファイルにおける濃度0近傍からの立ち上がり形状がゆるやかに増加するスロープ状である単結晶の固体レーザ結晶を含む少なくとも1つのレーザ光発生装置と;を備える半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 前記濃度プロファイルは、前記単結晶の中央部近傍で濃度が高く、前記中央部近傍から離れるにつれて徐々に濃度が低くなる濃度プロファイルであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 前記単結晶は、一軸性及び二軸性のいずれかの単結晶であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 前記単結晶は、レーザ発振方向を厚さ方向とする板状の単結晶であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 前記励起用のレーザ光は、前記単結晶の側面を介して前記添加物を励起することを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 前記励起用のレーザ光は、前記単結晶の一側の板面を介して前記添加物を励起することを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 前記少なくとも1つのレーザ光発生装置は、前記固体レーザ結晶とともに共振器を構成するミラー素子を有し、
前記少なくとも1つのレーザ光発生装置は、前記固体レーザ結晶と前記ミラー素子との間におけるレーザ光の光路上に配置され、該レーザ光の波長を変換する非線形結晶を更に含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 前記少なくとも1つのレーザ光発生装置は、前記固体レーザ結晶とともに共振器を構成するミラー素子を有し、
前記少なくとも1つのレーザ光発生装置は、前記ミラー素子を透過したレーザ光の光路上に配置され、該レーザ光の波長を変換する非線形結晶を更に含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 前記少なくとも1つのレーザ光発生装置は、前記固体レーザ結晶を透過したレーザ光の光路上に配置され、該レーザ光の波長を変換する非線形結晶を更に含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 前記少なくとも1つのレーザ光発生装置から出力されるレーザ光は、直線偏波のレーザ光であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 前記レーザ光発生装置を複数備えることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 前記複数のレーザ光発生装置は、互いに異なる波長のレーザ光を出力することを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
- 光ビームによって被走査面上を走査する光走査装置において、
前記光ビームを出力する少なくとも1つの請求項1〜12のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置を備えることを特徴とする光走査装置。 - レーザ光を用いて物体上に画像を形成する画像形成装置において、
前記レーザ光を出力する少なくとも1つの請求項1〜12のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置を備えることを特徴とする画像形成装置。 - レーザ光を用いて情報を表示する表示装置において、
前記レーザ光を出力する少なくとも1つの請求項1〜12のいずれか一項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置を備えることを特徴とする表示装置。
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