JP2002057388A - 固体レーザ発振器 - Google Patents

固体レーザ発振器

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JP2002057388A
JP2002057388A JP2000243610A JP2000243610A JP2002057388A JP 2002057388 A JP2002057388 A JP 2002057388A JP 2000243610 A JP2000243610 A JP 2000243610A JP 2000243610 A JP2000243610 A JP 2000243610A JP 2002057388 A JP2002057388 A JP 2002057388A
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polycrystalline
active element
ceramic
doped
laser
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JP2000243610A
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English (en)
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Yutaka Shimoji
豊 下地
Kazuyoshi Yokogawa
一義 横川
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Nippon Avionics Co Ltd
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Nippon Avionics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 新規な多結晶質セラミック複合レーザ媒質を
用いて小型化、低エネルギー消費かつ低製造コスト等の
産業上のメリットをいかんなく発揮できるレーザ発振器
の提供。 【解決手段】 活性元素をドープした多結晶質透明セラ
ミック部分2の少なくとも一つの端部が、活性元素を含
まない多結晶質透明セラミック部分1と接合され、この
結合された複合レーザ媒質の光学研摩された両端面は、
表面の反射ロスを極小化するための誘電体多層膜6、7
で被覆される。また、この複合レーザ媒質の外周部およ
び両端面の一部はレーザ動作時における発熱を消散させ
るために熱伝導率の大きい金属のヒート・シンク13と
接触させる放熱構造となっている。このように構成され
た固体レーザ発振器は、ポンプ用レーザ手段4によって
部分1または2の何れかの方向からポンピングされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶複合媒質を
用いた固体レーザ発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】Ikesueらは「Fabricati
on・・・of Polycrystalline N
d:YAG Ceramics for・・ La
sers」をJ.Am. Ceram. Soc.,V
ol.78(4),p.1033〜40(1995)で
開示している。Greskovichらは、米国特許第
3897358号で多結晶質レーザ材料をプレス成形
し、焼結する方法について開示している。Taira、
Ikesue、およびYoshidaは、CLEO‘9
9 Technical Digest,p.136
(5/1995)の「Performance N
d−doped YAG CeramicMicroc
hip Lasers」で、Nd:YAG多結晶質セラ
ミック・マイクロチップの効率のよいレーザ発振器を開
示した。
【0003】この新しい多結晶質セラミックは、純度9
9重量%以上のY2O3、Al2O3の適切な粒度の原
料粉末を使用し、これに発光元素や増感元素となるラン
タニド元素およびCr、Ti元素を1種または複数種活
性元素としてドープし、適正な条件下で成形(ホットプ
レス)し焼結することによって得られ、Nd:YAG単
結晶よりも高いドーピングを可能にし、励起エネルギー
の吸収効率向上により最大出力はNd:YAG単結晶よ
りも4倍大きいことが報告されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の高度にドープされた多結晶質セラミックは吸収係数が
高いので、従来技術のレーザ励起だけでは過度の熱が発
生し、強励起時においては熱レンズ効果に伴うビーム品
質の低下や出力低下、さらにはこの多結晶質セラミック
(以下、レーザ媒質ともいう。)の破壊を伴うことが容
易に推定できる。このため、長期間に亘り信頼性のある
レーザ動作を可能にするためには、レーザ動作中に発生
する熱を効果的に消散することのできるレーザ媒質の設
計とその作製、更にはその媒質を利用したレーザ発振器
の存在が不可欠である。
【0005】本発明の目的は、長期のレーザ使用期間
中、レーザ共振器を形成する光学的被覆の完全性を維持
するために、効果的に熱を消散する手段を有する多結晶
質レーザ媒質の設計およびその媒質をレーザ発振器に利
用することである。更に、従来にない構造のレーザ媒質
とその媒質を最大限に生かす励起技術を導入することに
より、小型化、低エネルギー消費かつ低製造コスト等の
産業上のメリットをいかんなく発揮できるレーザ発振器
を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の上記その他の目
的は、活性元素をドープした多結晶質透明セラミック
を、それをドープしない多結晶質透明セラミックに隣接
させた多結晶質セラミック複合レーザ媒質によって達成
される。活性元素をドープしない多結晶質透明セラミッ
ク部分は、レーザ動作の間にドープされた多結晶質透明
セラミック中に発生した熱を効果的に消散するように機
能する。多結晶質透明セラミックはより活性元素の高濃
度添加が許容されるため、ドープした多結晶質透明セラ
ミックはより大きいエネルギー吸収が可能となり、ポン
ピングレーザの低エネルギー消費がもたらされる。
【0007】この多結晶質セラミック複合レーザ媒質
は、一方の多結晶質透明セラミックからレーザの高いゲ
インを得ると共に、もう一方の多結晶質透明セラミック
にヒートシンク機能を持たせるという機能分担を実現す
ることによって、新しいレーザ媒質の設計とレーザの技
術的および経済的効果を極大化する固体レーザ発振器を
可能にするものである。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明は、多結晶質透明セラミッ
クを用いた固体レーザ発振器に関するものであり、この
多結晶質透明セラミックは単結晶より高いドーバント濃
度とすることが特徴の一つである。高濃度のNd:YA
G多結晶体によって可能となる、例えば単結晶体と比べ
て極めて大きなポンピングレーザのエネルギーの効率的
吸収および高いレーザの取出し効率を効果的に応用する
ものである。大きな励起エネルギーの吸収による発熱
は、レーザ共振器を形成する光学的被覆、即ち誘電体多
層膜を劣化させるために重大な問題である。そのため、
本発明においては、活性元素を含まない(ドープしな
い)純粋な多結晶質透明セラミックのヒートシンクを、
活性元素をドープした多結晶質透明セラミックと接触
(接合)することによりこの問題を解決した。
【0009】以下、図を参照して本発明の実施形態につ
き詳述する。図1乃至図6に示した全ての好ましい実施
形態において、本発明の固体レーザ発振器に適用する多
結晶質セラミック複合レーザ媒質は、少なくとも1つの
活性元素たる蛍光元素を含む多結晶質透明セラミック2
と、少なくとも1つの蛍光元素を含まない多結晶質透明
セラミック1から構成されるものである。蛍光元素を含
む多結晶質透明セラミック2を作製するには、例えばN
d:YAGの場合、Y2O3,Al2O3,Nd2O3粉末、さらに少量のSiO
2等の焼結助材をブレンドしてガーネット組成になるよ
うにする。これらの混合粉末をプレス成形して、170
0〜1800℃の温度範囲で焼結して透明体を得る。ま
た、蛍光元素を含まない多結晶質透明セラミック1は、
上記の組成系ではNdを除いて同様のプロセスで作製す
る。
【0010】次いで、蛍光元素を含む多結晶質透明セラ
ミック2と蛍光元素を含まない多結晶質透明セラミック
1の双方の接合面を光学研摩(平坦度λ/4程度以下、表
面平均粗度0.3nm程度以下)する。光学研摩した透明多
結晶質透明セラミック2および1の接合面を接触させた
状態で、ホットプレス装置に入れ、1000kg/cm2以下の圧
力範囲、1500〜1800℃の温度範囲で熱処理して接合を行
う。この熱処理を施した多結晶質透明セラミック2およ
び1は、接触を介して双方のセラミックを構成する元素
が相互拡散するので、この面を光学レベルにまで接合す
ることができる。
【0011】上述の多結晶質セラミック複合レーザ媒質
は、蛍光元素を含む多結晶質透明セラミック2と蛍光元
素を含まない多結晶質透明セラミック1の双方の接合面
を光学研摩して接合したが、接合方法はこれに限らな
い。即ち、上述のごとくガーネット組成にした蛍光元素
を含む多結晶質透明セラミックおよび蛍光元素を含まな
い多結晶質透明セラミックの混合粉末を所望形状にプレ
ス成形した後、両者の接合面を接触させた状態でホット
プレス装置に入れ、1700〜1800℃の温度範囲で
焼結して蛍光元素を含む多結晶質透明セラミック2と蛍
光元素を含まない多結晶質透明セラミック1が接合され
た透明の多結晶質セラミック複合レーザ媒質を得ること
ができる。この場合においても、多結晶質透明セラミッ
ク2および1は、双方のセラミックを構成する元素が相
互に拡散することによって接合されるので、この面を光
学レベルにまで接合することができる。
【0012】蛍光元素をドープされた(含む)多結晶質
透明セラミック2中のドーパント濃度は、励起波長に対
する光吸収係数が少なくとも15cm-1となるように設
定しなければ、本発明の価値は失われる。好ましい実施
例としては、多結晶質YAGは、吸収係数が35cm-
1、すなわちNd濃度に換算すれば5原子%程度に設定
する。YAG単結晶の場合、Nd濃度が5原子%に達する
と濃度消光が起るのは当然であるが、過度の成長縞(Nd
の濃度ムラ)の形成やインクリュージョン(Nd化合物)の
析出が起こるため、光散乱が著しく生じレーザ媒質とし
て不適(レーザ発振不能)なものとなる。
【0013】蛍光元素をドープされた多結晶質透明セラ
ミック2は、蛍光元素を含まない(以下、非ドープとも
いう。)多結晶質透明セラミック1に隣接し、同一のセ
ラミックから作製される。これらの多結晶質透明セラミ
ック2および1は、YAG(Y3Al5O12)、GGG(Gd3Ga5O12)、G
SGG(Gd3(ScGa)5O12、等のガーネットを含む立方晶の結
晶構造からなる群から選択される任意の1つであり、ド
ーパントはNd、Ce、Cr、Yb、Er、Ho、T
m、およびPrからなる群から選択される一種以上の元
素から構成される。
【0014】レーザ共振器はミラーを形成する少なくと
も2つの適切な誘電体多層膜の間に存在し、少なくとも
蛍光元素をドープした多結晶質透明セラミック2を含
む。非ドープの多結晶質透明セラミック1は、ドープさ
れた部分2の発熱を効率的に取り除くことができる。ド
ープされた部分2は、少なくとも1つのポンプソースた
るポンプ用レーザ手段4、好ましくはダイオード・レー
ザから放出された少なくとも1つのポンプレーザ光3に
よって励起される。ドープされた部分2は、ポンプレー
ザ光3により励起された場合、ポンプレーザ光3とは異
なる波長の少なくとも1つの出射レーザ光5を放出す
る。
【0015】図1Aにおいては、蛍光元素をドープした
多結晶質透明セラミック部分2の少なくとも一つの端部
が蛍光元素を含まない多結晶質透明セラミック部分1と
接合された構造をもつ複合レーザ媒質が、部分1または
2の何れかの方向からポンピング(ポンプレーザ光軸に
平行な2面間におけるポンピング)される固体レーザ発
振器を示す。レーザ出射方向の部分1と部分2の光学研
摩された両端面には、表面の反射ロスを極小化するため
の誘電体多層膜6、7が施されている。非ドープ部分1
とドープされた部分2の複合レーザ媒質は、レーザ動作
時における発熱の問題をより効果的に解消するために、
その複合レーザ媒質の外周部および両端面の一部を、例
えば銅、アルミニュームなどの熱伝導率の大きい金属の
ヒート・シンク13と接触させる放熱構造となってい
る。
【0016】図1Bにおいては、蛍光元素をドープした
多結晶質透明セラミック部分2の対向する両端面に、蛍
光元素を含まない多結晶質透明セラミック1、1がそれ
ぞれ配置された複合レーザ媒質において、この媒質のレ
ーザ出射方向の多結晶質透明セラミック部分1と他方の
多結晶質透明セラミック部分1の光学研摩された両端面
に、表面の反射ロスを極小化するための誘電体多層膜
6、7が施された固体レーザ発振器を示す。このように
構成された複合レーザ媒質は上記実施例と同様に金属の
ヒート・シンク13と熱的に接触されている。
【0017】図1Cは、KNbO3、LBO、KTP等
の第2高調波用媒質を波長整合方向に切り出しかつ光学
研磨を施した非線形光学結晶8が、出射レーザ光5側に
配置された蛍光元素を含まない多結晶質透明セラミック
1の外側端面に光学的に接触され、入力誘電体多層膜9
および出力誘電体多層膜10で形成されるレーザ共振器
の内側に挿入されている点を除いては、図1Bと同じ固
体レーザ発振器を示す。非線形光学結晶8は、出射レー
ザ光5の波長をドープした多結晶質透明セラミック部分
2によって放出される光線の2分の1まで減少させる。
【0018】ポンプ用レーザ手段4側の蛍光元素を含ま
ない多結晶質透明セラミック1の端面は、ドープされた
部分2によって放出される波長を高度に反射し、ポンプ
レーザ光3の波長を高度に透過する入力誘電体多層膜9
で被覆される。また、非線形光学結晶8の出射レーザ光
5側の端面は、ドープされた部分2によって放出される
波長で高度に反射し、非線形光学結晶8によって放出さ
れる2分の1の波長を高度に透過する出力誘電体多層膜
10で被覆される。
【0019】図2は、蛍光元素をドープした多結晶質透
明セラミック部分2を2つに分割し、波長整合方向に切
り出しかつ光学研磨を施した非線形光学結晶8をその間
に配置する点を除いては、図1Bと同じ固体レーザ発振
器を示す。出射レーザ光5側に位置する蛍光元素を含ま
ない多結晶質透明セラミック部分1の端面は、このセラ
ミック1に結合されているドープされた部分2によって
放出される波長を高度に反射し、非線形光学結晶8によ
って放出される2分の1の波長を高度に透過する出力誘
電体多層膜10で被覆されている。また、非線形光学結
晶8を挟んで前記の蛍光元素を含まない多結晶質透明セ
ラミック部分1に対向する他方の蛍光元素を含まない多
結晶質透明セラミック部分1の端面は、このセラミック
1に結合されているドープされた部分2によって放出さ
れる波長を高度に反射し、ボンプレーザ光3の波長で高
度に透過する入力誘電体多層膜9で被覆されている。
【0020】更に、非線形光学結晶8と一対のドープさ
れた部分2との間隙に対面する少なくとも任意の一方の
側面は、デュアル・バンド反射防止用誘電体多層膜15
でそれぞれ被覆される(図2では間隙の両側面を被覆し
ている)。このように構成された固体レーザ発振器のボ
ンピングは両端から行われ、出射レーザ光5の進路に
は、ボンプレーザ光3の波長を高度に透過し、出射レー
ザ光5を高度に反射する出力反射用誘電体多層膜16で
被覆されたハーフミラー11が配置されている。なお、
本実施形態のごとくポンピングをレーザ発振器の両端か
ら行う場合は、ポンプレーザ光3の吸収を完璧に行うた
めに、複合レーザ媒質1および2の厚さをポンプレーザ
光3に合わせて最適に選定する必要がある。
【0021】図3は、スラブ(Slab)状に形成した
蛍光元素を含まない多結晶質透明セラミック1内部に、
蛍光元素をドープした多結晶質透明セラミック2を納め
た端部ボンピング固体レーザ発振器を示す。スラブ状の
蛍光元素を含まない多結晶質透明セラミック1の互いに
対向する一対の端面は、それぞれ表面反射防止用誘電体
多層膜6および7で被覆され、両多層膜の間にレーザ共
振器を形成している。
【0022】図4Aは、蛍光元素をドープした多結晶質
透明セラミック2の側部を、ポンプ用レーザ手段4のア
レイによってボンピングする側部ボンピング(ポンプレ
ーザ光軸に直交する2面間におけるポンピング)型の固
体レーザ発振器を示す。この固体レーザ発振器は、扇状
に形成した蛍光元素を含まない多結晶質透明セラミック
1の基部と活性元素をドープした多結晶質透明セラミッ
ク2とを互いに結合し、ポンプレーザ光3の光軸に直交
する方向に部分2と間隙を設けてハーフミラー11およ
び全反射ミラー12を配置している。ハーフミラー11
および全反射ミラー12には、出射レーザ光5の反射ロ
スを極小化するための誘電体多層膜6および7が施され
ている。また、ハーフミラー11および全反射ミラー1
2に対向するドープされた部分2の両端面は、適切な反
射防止用誘電体多層膜14でそれぞれ被覆されている。
【0023】図4Bは、図4Aに示した固体レーザ発振
器を、金属、例えば銅、アルミニウムなどからなるヒー
ト・シンク13と熱的に接触させた態様の側面を示す図
であり、ポンプ用レーザ手段4のアレイをヒート・シン
ク13の表面に接触させると共に、固体レーザ発振器
を、該発振器の蛍光元素を含まない多結晶質透明セラミ
ック1の扇状端面をポンプ用レーザ手段4に対向させた
状態で略サンドイッチ状にヒート・シンク13中に納め
たものである。この態様において、図4Aにおけるハー
フミラー11および全反射ミラー12は、固体レーザ発
振器を納めたヒート・シンク13の両側(紙面に垂直方
向)に配置される。
【0024】図4Cは、レーザ共振器を形成する誘電体
多層膜6および7が、蛍光元素をドープした多結晶質透
明セラミック部分2上に直接被覆された点を除いては、
図4Aに示したものと略同一の固体レーザ発振器を示し
ている。この態様においては、図4Aにおけるハーフミ
ラー11および全反射ミラー12は不要である。
【0025】図5は、図1Bに示した固体レーザ発振器
の側部ポンピング版の態様を示す。即ち、蛍光元素をド
ープした多結晶質透明セラミック部分2は蛍光元素を含
まない多結晶質透明セラミック部分1の間に配置されて
おり、ポンピングは蛍光元素を含まない多結晶質透明セ
ラミック部分1、1の両側に配置された一対のポンプ用
レーザ手段4のアレイによって行われる。ドープされた
部分2の前記ポンピング方向に直交する両端面側には、
所定の間隙を置いてそれぞれの端面に対向させたハーフ
ミラー11および全反射ミラー12が配置されている。
【0026】ハーフミラー11および全反射ミラー12
には、出射レーザ光5の反射ロスを極小化するための誘
電体多層膜6および7が施されている。また、ハーフミ
ラー11および全反射ミラー12に対向するドープされ
た部分2の両端面は、適切な反射防止用誘電体多層膜1
4でそれぞれ被覆されている。なお、本実施形態のごと
くポンピングをレーザ発振器の両端から行う場合は、ポ
ンプレーザ光3の吸収を完璧に行うために、複合レーザ
媒質1および2の厚さをポンプレーザ光3に合わせて最
適に選定する必要がある。
【0027】図6は、蛍光元素を含まない多結晶質透明
セラミック1および蛍光元素をドープした多結晶質透明
セラミック2を円柱状に形成し、蛍光元素を含まない多
結晶質透明セラミック1内にドープされた部分2を納め
たロッド型固体レーザ発振器の態様を示す。ドープされ
た部分2からなる中心ロッドの内周面は、出力されたレ
ーザ光5の波長を高度に反射する誘電体多層膜7で被覆
されている。ドープされた部分2は、蛍光元素を含まな
い部分1からなる円柱状ロッドの外周面に放射状に複数
配置されたポンプ用レーザ手段4のアレイによって、側
部ポンピングされる。このロッド型固体レーザ発振器の
出射レーザ光5は、円柱状ロッドに平行に出力される。
【0028】
【実施例】活性元素をドープした多結晶質透明セラミッ
クとして、平均粒子サイズが約50μmであり、0.5
%cm−1の散乱係数の媒質性能を有するYAGセラミッ
クを用い、この媒質に2.3原子%(実施例1),5.
1原子%(実施例2),8.8原子%(実施例3)のN
dを添加した3種類の活性媒質を作製した。また、活性
元素を含まない多結晶質透明セラミックとして、前記の
YAGセラミックのみからなる媒質を作製し、この活性
元素を添加しない媒質たる非活性媒質(純粋な多結晶質
透明YAGセラミック)と前記活性媒質との接合面を、
平坦度λ/10(λ=633nm)、表面平均粗度Ra
=0.2nmの精度で光学研磨した。高精度に研磨した
両媒質を1700℃にて熱間接合して、Nd:YAG−
YAGの多結晶質複合レーザ媒質を形成した。このレー
ザ媒質を直径8mmに外周加工し、活性媒質と非活性媒
質の厚さを調整したうえで両端面を光学研磨した。光学
研磨したレーザ媒質の両端面には誘電体多層膜を施し
た。レーザ媒質周辺は銅を用いてヒートシンクを構成
し、レーザ媒質を冷却した。また、励起光源としては波
長808nmの半導体レーザを用い、出射した波長10
64nmのレーザ光はパワーメーターで計測した。
【0029】
【比較例】比較試料としては、活性層の厚さを変化させ
チョクラルスキー法で育成したNd:YAG単結晶を用
い、この活性媒質の厚さを1.2mm(比較例1)と
5.0mm(比較例2)に調整したうえで、米国オニキ
ス(Onyx)社の拡散接合技術にて2種類のNd:Y
AG−YAG単結晶の複合レーザ媒質を形成し、また複
合構造を形成しない厚さ10.0mmのNd:YAG単
結晶のレーザ媒質(比較例3)のものとを用意した。こ
れらの試料の外周サイズは実施例と同様とし、試料両端
面の加工精度と表面処理も実施例と同様の条件にした。
また、媒質の冷却、励起光源、レーザ光の計測も実施例
と同様に行った。
【0030】これらのレーザ媒質の比較結果を表1に示
す。
【表1】
【0031】表中、レーザ発振(1)は、試料両端面を
表面平均粗度Ra=0.2nm、平坦度λ/10、平行
度10secの条件に光学研磨した。試料表面には、誘
電体多層膜による反射防止処理を施し、励起光源には波
長808nmの半導体レーザによる端面励起を行った。
試料片側に全反射ミラー、もう一方にハーフミラー(透
過率3%)を設置し、出力鏡から放出されるレーザ光を
パワーメーターで計測した。
【0032】レーザ発振(2)は、レーザ発振(1)と
同一試料を用いた。励起光源には波長808nmの半導
体レーザによる端面励起を行った。試料片側に全反射ミ
ラー、もう一方にハーフミラー(透過率5%)を設置
し、レーザ共振器長(反射鏡と出力鏡の距離)を30m
mとし、同じく波長808nmの半導体レーザによる端
面励起を行った。出力鏡から放出されるレーザ光の出力
はパワーメーターで、発振スペクトルはスキャニングフ
ァブリーペロー干渉計で測定した。比較例2および3は
発振することはできたが、発振モードが劣悪であるた
め、共振器内部にエタロン板を挿入してモード調整を行
った。
【0033】表1から明らかなように、本発明になる固
体レーザ発振器はレーザ発振の閾値が低く、発振した後
のレーザ発振効率(スロープ効率)が従来技術の比較例
1乃至3に比べ、格段に優れている。コヒーレンス性の
高い縦モード発振も容易で、かつその発振効率は従来技
術を圧倒している。従来技術では縦モード発振を実現す
るために、レーザ発振器内部にエタロン板が不可欠であ
るのに対し、本発明ではエタロン板無しでも容易に縦モ
ードを実現することができる。また、セラミックからな
る複合レーザ媒質を用いる本発明のレーザ発振器では、
セラミックがNdの高濃度化を達成できるため、活性媒
質厚さを薄くできるので、レーザ動作時の活性媒質内部
の発熱を効果的に除去することができる。このため、レ
ーザの高出力化(最大出力の向上)で圧倒的優位性を維
持することができる。
【0034】以上、本発明を特定の実施形態に基づいて
詳述したが、基礎となる本発明の技術思想の主旨および
範囲から逸脱することなく修正を加えうることは、当業
者には明らかであろう。本発明は、特許請求の範囲によ
ることを除き、示され記述された特定の形に限定される
ものでないことを付言しておく。
【0035】
【発明の効果】本発明になる固体レーザ発振器は、活性
元素をドープした多結晶質透明セラミックを、活性元素
を含まない多結晶質透明セラミックに結合させた多結晶
質セラミック複合レーザ媒質を用いるので、活性元素を
ドープした多結晶質透明セラミック部分によってレーザ
の高いゲインを得ることができると共に、活性元素を含
まない多結晶質透明セラミック部分によってレーザ光の
出力中にドープされた多結晶質セラミック中に発生した
熱を効果的に消散(ヒートシンク機能)させることがで
きる。 また、多結晶質セラミックは活性元素の高濃度
添加が許容されるため、ドープした多結晶質セラミック
は単結晶のレーザ媒質より大きいエネルギー吸収が可能
となり、ポンプレーザのエネルギー消費を大幅に低減す
ることができる。
【0036】更に、活性元素を含まない多結晶質透明セ
ラミック部分のヒートシンク機能は、長期のレーザ使用
においてもレーザ共振器を形成する誘電体多層膜を正常
に維持することができる。従って、本発明は、新規なレ
ーザ媒質とその媒質を最大限に生かす励起技術によっ
て、小型化、低エネルギー消費かつ低製造コスト等の産
業上のメリットをいかんなく発揮できるレーザ発振器を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1A】レーザ共振器中にドープされた多結晶質層お
よび非ドープ多結晶質層を有する端部ボンピング・レー
ザを示す図である。
【図1B】レーザ共振器中のドープされた多結晶質層が
2つの非ドープ多結晶質層の間にある端部ボンピング・
レーザを示す図である。
【図1C】レーザ共振器の内側に非線形光学結晶を有す
る図1Bのレーザを示す図である。
【図2】2つに分割したドープされた多結晶質層の間に
非線形光学結晶を配置した図1Bのレーザを示す図であ
る。
【図3】ドープされた多結晶質セラミックが非ドープ多
結晶質セラミックのスラブ中に包含されている端部ボン
ピング・レーザを示す図である。
【図4A】扇状に形成した非ドープ多結晶質セラミック
の基部にドープされた多結晶質セラミックを結合すると
共に、ドープされたセラミックの両端から空間的に離れ
たレーザ共振器を持つ側部ボンピング・レーザを示す図
である。
【図4B】ヒート・シンク中に納められた図4Aのレー
ザを示す側面図である。
【図4C】ドープされた多結晶質セラミックの両端とレ
ーザ共振器の間に空間的な分離の全くない図4Aのレー
ザを示す図である。
【図5】2つの非ドープ多結晶質層の間にドープされた
多結晶質層を配置し、ドープされた層の側面から空間的
に離れたレーザ共振器を持つ両側部ボンピング・レーザ
を示す図である。
【図6】非ドープ多結晶質セラミックの円柱状ロッド中
にドープされた多結晶質セラミックが包含された、放射
状側部ボンピング・レーザを示す図である。
【符号の説明】
1 活性元素を含まない多結晶質透明セラミック 2 活性元素をドープした多結晶質透明セラミック 3 ポンプレーザ光 4 ポンプ用レーザ手段 5 出射レーザ光 6、7 表面反射防止用誘電体多層膜 8 非線形光学結晶 9 入力誘電体多層膜 10 出力誘電体多層膜 11 ハーフミラー 12 全反射ミラー 13 ヒート・シンク 14 反射防止用誘電体多層膜 15 デュアル・バンド反射防止用誘電体多層膜 16 出力反射用誘電体多層膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 3/109 H01S 3/109 3/16 3/16 (71)出願人 599070868 2125 University Ct., Clearwater, Florida 34624 United States of America (72)発明者 下地 豊 アメリカ合衆国・34624・フロリダ州・ク リアウォーター・ユニバーシティ コー ト・2125 (72)発明者 横川 一義 東京都港区西新橋3丁目20番1号 日本ア ビオニクス株式会社内 Fターム(参考) 2K002 AB12 CA02 DA01 EA01 HA20 4H001 CA02 CA04 CC04 XA08 XA13 XA21 XA31 XA39 XA64 YA24 YA58 YA59 YA60 YA67 YA68 YA69 YA70 5F072 AB02 AK01 AK03 FF08 JJ01 JJ04 KK12 QQ02 TT22

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 活性元素を含まない多結晶質透明セラミ
    ックと、活性元素をドープした多結晶質透明セラミック
    の接合面を光学研摩し、互いを結合した多結晶質セラミ
    ック複合レーザ媒質を有することを特徴とする固体レー
    ザ発振器。
  2. 【請求項2】 活性元素を含まないセラミック粉末を所
    定形状に成形した多結晶質セラミックと、活性元素をド
    ープしたセラミック粉末を所定形状に成形した多結晶質
    セラミックを重畳し、この両者を拡散接合により結合し
    た多結晶質セラミック複合レーザ媒質を有することを特
    徴とする固体レーザ発振器。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2記載の多結晶質
    セラミック複合レーザ媒質に関して、扇状に形成した前
    記活性元素を含まない多結晶質透明セラミックの基部
    と、前記活性元素をドープした多結晶質透明セラミック
    とを同様に結合したことを特徴とする固体レーザ発振
    器。
  4. 【請求項4】 請求項1または請求項2記載の多結晶質
    セラミック複合レーザ媒質に関して、スラブ状に形成し
    た前記活性元素を含まない多結晶質透明セラミック内部
    に、前記活性元素をドープした多結晶質透明セラミック
    を納めたことを特徴とする固体レーザ発振器。
  5. 【請求項5】 請求項1または請求項2記載の多結晶質
    セラミック複合レーザ媒質に関して、円柱状に形成した
    前記活性元素を含まない多結晶質透明セラミック内部
    に、円柱形状を有する前記活性元素をドープした多結晶
    質透明セラミックを納めロッド型レーザ媒質としたこと
    を特徴とする固体レーザ発振器。
  6. 【請求項6】 請求項1または請求項2記載の多結晶質
    セラミック複合レーザ媒質に関して、ディスク状に形成
    した前記活性元素をドープした多結晶質透明セラミック
    の両端に、前記活性元素を含まない多結晶質透明セラミ
    ックを配置しサンドイッチ型レーザ媒質としたことを特
    徴とする固体レーザ発振器。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の固体レーザ発振器に関し
    て、レーザ出射方向に位置する前記活性元素を含まない
    多結晶質透明セラミックの外側に、非線形光学結晶を配
    置し基本波の2〜7倍波を発生させることを特徴とする
    固体レーザ発振器。
  8. 【請求項8】 請求項1または請求項2記載の多結晶質
    セラミック複合レーザ媒質に関して、非線形光学結晶
    と、活性元素を含まない多結晶質透明セラミックと活性
    元素をドープした透明な多結晶質透明セラミックを結合
    した一対の多結晶質セラミック複合レーザ媒質とを有
    し、前記非線形光学結晶の両端に前記活性元素をドープ
    した多結晶質透明セラミックを対向させて前記多結晶質
    セラミック複合レーザ媒質をそれぞれ配置したことを特
    徴とする固体レーザ発振器。
  9. 【請求項9】 請求項1乃至請求項8記載のいずれかの
    多結晶質セラミック複合レーザ媒質に関して、前記活性
    元素を含まない多結晶質透明セラミックと前記活性元素
    をドープした多結晶質透明セラミックが同一の組成およ
    び同一の結晶構造から構成されることを特徴とする固体
    レーザ発振器。
  10. 【請求項10】 特許請求項9記載の多結晶質セラミッ
    ク複合レーザ媒質に関して、前記活性元素を含まない多
    結晶質透明セラミックは、YAG(Y3Al5O12)、GGG(Gd3Ga5O
    12)、GSGG(Gd3(ScGa)5O12等のガーネットを含む立方晶
    の結晶構造であり、前記活性元素をドープした多結晶質
    透明セラミックは、Nd、Ce、Cr、Yb、Er、H
    o、Tm、およびPrからなる群から選択された一種以
    上の活性元素を含み、励起光の吸収係数が少なくとも1
    5cm−1以上を有する濃度に達していることを特徴と
    する固体レーザ発振器。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005091447A1 (ja) * 2004-03-24 2005-09-29 Japan Science And Technology Agency レーザー装置
WO2005112208A1 (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Akio Ikesue 複合レーザー素子及びその素子を用いたレーザー発振器
WO2006070548A1 (ja) 2004-12-28 2006-07-06 Osaka University 固体レーザモジュール、光増幅器及びレーザ発振器
JP2006237170A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Hamamatsu Photonics Kk レーザ増幅装置
US7158546B2 (en) 2002-02-27 2007-01-02 Nec Corporation Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith
JP2007115877A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Fujifilm Corp 固体レーザ装置
JP2008060317A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Fujifilm Corp モードロックレーザ装置
JP2008515184A (ja) * 2004-09-28 2008-05-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された変換層を有する発光装置
JP2009141362A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Robert Bosch Gmbh レーザ装置
JP2009212184A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Mitsubishi Cable Ind Ltd ファイバレーザ装置
JP2010502029A (ja) * 2006-08-30 2010-01-21 テールズ 平行六面体形状のレーザ増幅媒質およびランプを備える励起手段を備える増幅装置
JP2010512651A (ja) * 2006-12-15 2010-04-22 エレックス メディカル プロプライエタリー リミテッド レーザ
JP2010123819A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Shimadzu Corp レーザ媒質
US7751457B2 (en) 2006-06-29 2010-07-06 Ricoh Company, Ltd. Laser-diode pumped solid-state laser apparatus, optical scanning apparatus, image forming apparatus and display apparatus
CN102610993A (zh) * 2012-02-28 2012-07-25 长春理工大学 一种铒镱共掺上转换透明陶瓷激光器
US8547621B2 (en) 2010-01-12 2013-10-01 Panasonic Corporation Laser light source, wavelength conversion laser light source and image display device
WO2014065028A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 浜松ホトニクス株式会社 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
JP2015012142A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 京セラクリスタルデバイス株式会社 レーザ結晶
JP2017112139A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 株式会社豊田中央研究所 レーザ発振装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7158546B2 (en) 2002-02-27 2007-01-02 Nec Corporation Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith
US7496125B2 (en) 2002-02-27 2009-02-24 Konoshima Chemical Co. Ltd. Composite laser rod, fabricating method thereof, and laser device therewith
WO2005091447A1 (ja) * 2004-03-24 2005-09-29 Japan Science And Technology Agency レーザー装置
WO2005112208A1 (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Akio Ikesue 複合レーザー素子及びその素子を用いたレーザー発振器
JP2005327997A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Akio Ikesue 複合レーザー素子及びその素子を用いたレーザー発振器
US7960191B2 (en) 2004-05-17 2011-06-14 Akio Ikesue Composite laser element and laser oscillator employing it
JP2008515184A (ja) * 2004-09-28 2008-05-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された変換層を有する発光装置
US7653100B2 (en) 2004-12-28 2010-01-26 Osaka University Solid laser module, optical amplifier, and laser oscillator
WO2006070548A1 (ja) 2004-12-28 2006-07-06 Osaka University 固体レーザモジュール、光増幅器及びレーザ発振器
JP2006237170A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Hamamatsu Photonics Kk レーザ増幅装置
JP4627445B2 (ja) * 2005-02-23 2011-02-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ増幅装置
JP2007115877A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Fujifilm Corp 固体レーザ装置
US7751457B2 (en) 2006-06-29 2010-07-06 Ricoh Company, Ltd. Laser-diode pumped solid-state laser apparatus, optical scanning apparatus, image forming apparatus and display apparatus
JP2010502029A (ja) * 2006-08-30 2010-01-21 テールズ 平行六面体形状のレーザ増幅媒質およびランプを備える励起手段を備える増幅装置
JP2008060317A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Fujifilm Corp モードロックレーザ装置
JP2010512651A (ja) * 2006-12-15 2010-04-22 エレックス メディカル プロプライエタリー リミテッド レーザ
JP2009141362A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Robert Bosch Gmbh レーザ装置
JP2009212184A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Mitsubishi Cable Ind Ltd ファイバレーザ装置
JP2010123819A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Shimadzu Corp レーザ媒質
US8547621B2 (en) 2010-01-12 2013-10-01 Panasonic Corporation Laser light source, wavelength conversion laser light source and image display device
JP5529170B2 (ja) * 2010-01-12 2014-06-25 パナソニック株式会社 レーザ光源、波長変換レーザ光源及び画像表示装置
CN102610993A (zh) * 2012-02-28 2012-07-25 长春理工大学 一种铒镱共掺上转换透明陶瓷激光器
WO2014065028A1 (ja) * 2012-10-23 2014-05-01 浜松ホトニクス株式会社 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
JP2014086255A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Hamamatsu Photonics Kk 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
US9240313B2 (en) 2012-10-23 2016-01-19 Hamamatsu Photonics K.K. Target for ultraviolet light generation, electron beam-excited ultraviolet light source, and production method for target for ultraviolet light generation
JP2015012142A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 京セラクリスタルデバイス株式会社 レーザ結晶
JP2017112139A (ja) * 2015-12-14 2017-06-22 株式会社豊田中央研究所 レーザ発振装置

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