JP3151081B2 - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスクの記録再
生、レーザプリンタ、もしくはレーザ応用計測などに用
いられる、超小型の半導体レーザ励起固体レーザ装置に
関するものである。
生、レーザプリンタ、もしくはレーザ応用計測などに用
いられる、超小型の半導体レーザ励起固体レーザ装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】固体レーザ媒質の励起には、従来アーク
ランプやフラッシュランプが用いられてきたが、励起効
率が良くないために、レーザ全体の効率は悪く、ランプ
やレーザ媒質の放熱の点から、装置は大型にならざるを
得なかった。ところが近年、半導体レーザの高出力化に
伴い、半導体レーザを固体レーザ装置の励起光源として
用いる試みがなされるようになってきた。半導体レーザ
を光源に用いると、固体レーザ装置の吸収帯に励起波長
を合わせることができるので、励起効率は非常によくな
る。しかも余分なスペクトルの吸収による発熱がないた
めに、放熱も容易になり、小型で高効率の固体レーザ装
置が実現できる。
ランプやフラッシュランプが用いられてきたが、励起効
率が良くないために、レーザ全体の効率は悪く、ランプ
やレーザ媒質の放熱の点から、装置は大型にならざるを
得なかった。ところが近年、半導体レーザの高出力化に
伴い、半導体レーザを固体レーザ装置の励起光源として
用いる試みがなされるようになってきた。半導体レーザ
を光源に用いると、固体レーザ装置の吸収帯に励起波長
を合わせることができるので、励起効率は非常によくな
る。しかも余分なスペクトルの吸収による発熱がないた
めに、放熱も容易になり、小型で高効率の固体レーザ装
置が実現できる。
【０００３】一方、ＫＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）結晶など
の非線形光学結晶を用いて、固体レーザ装置による赤外
光を高調波に変換して、緑色や青色の可視光レーザ光を
得る方法も従来から知られており、前述の半導体レーザ
励起による固体レーザ装置の光の高調波を利用する試み
もなされている。図７に半導体レーザ励起固体レーザ装
置の構造図を示す。同一パッケージ内に固体レーザ媒質
であるＮｄ：ＹＶＯ4 マイクロチップ２００（２×２×
１ｍｍ）、非線形光学結晶であるＫＴＰ結晶１００（２
×２×５ｍｍ）、反射ミラー３００（φ２×ｔ２ｍｍ、
曲率４０ｍｍ）、励起光源となる半導体レーザチップ４
００が収められている。そして、これらはベース６００
をもつパッケージ７００内に収納されている。
の非線形光学結晶を用いて、固体レーザ装置による赤外
光を高調波に変換して、緑色や青色の可視光レーザ光を
得る方法も従来から知られており、前述の半導体レーザ
励起による固体レーザ装置の光の高調波を利用する試み
もなされている。図７に半導体レーザ励起固体レーザ装
置の構造図を示す。同一パッケージ内に固体レーザ媒質
であるＮｄ：ＹＶＯ4 マイクロチップ２００（２×２×
１ｍｍ）、非線形光学結晶であるＫＴＰ結晶１００（２
×２×５ｍｍ）、反射ミラー３００（φ２×ｔ２ｍｍ、
曲率４０ｍｍ）、励起光源となる半導体レーザチップ４
００が収められている。そして、これらはベース６００
をもつパッケージ７００内に収納されている。
【０００４】Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザの共振器は、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 マイクロチップ２００の励起側端面と反射ミラ
ー３００との間で形成されている。半導体レーザチップ
４００は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 マイクロチップ２００の端面
に密着させてあり、半導体レーザチップ４００からの出
射光が広がる前に十分Ｎｄ：ＹＶＯ4 マイクロチップ２
００を励起できるようになっている。励起されたＮｄ：
ＹＶＯ4 マイクロチップ２００からは、波長 1.064μｍ
のレーザ光が生じるが、そのレーザ光をＫＴＰ結晶１０
０により第２高調波である波長 0.532μｍのグリーン光
に変換している。ＫＴＰ結晶１００はタイプ２の位相整
合条件を満たすようにカットしてある。
ＹＶＯ4 マイクロチップ２００の励起側端面と反射ミラ
ー３００との間で形成されている。半導体レーザチップ
４００は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 マイクロチップ２００の端面
に密着させてあり、半導体レーザチップ４００からの出
射光が広がる前に十分Ｎｄ：ＹＶＯ4 マイクロチップ２
００を励起できるようになっている。励起されたＮｄ：
ＹＶＯ4 マイクロチップ２００からは、波長 1.064μｍ
のレーザ光が生じるが、そのレーザ光をＫＴＰ結晶１０
０により第２高調波である波長 0.532μｍのグリーン光
に変換している。ＫＴＰ結晶１００はタイプ２の位相整
合条件を満たすようにカットしてある。
【０００５】一般にＫＴＰ結晶は、複屈折材料であるた
めに、結晶内を通過する光に位相差を与える。図３に示
すようにＫＴＰ結晶１０１を共振器内に置く内挿型の波
長変換方式では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 マイクロチップ２０１
から照射された基本波Ｅ１は、ＫＴＰ結晶１０１に入射
し、ＫＴＰ結晶内１０１である位相差δを与えられ、反
射ミラー３０１で折り返され、再びＫＴＰ結晶１０１を
通過する際に位相差δが与えられ、戻って来た基本波Ｅ
２との間に位相差２δが生じる。
めに、結晶内を通過する光に位相差を与える。図３に示
すようにＫＴＰ結晶１０１を共振器内に置く内挿型の波
長変換方式では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 マイクロチップ２０１
から照射された基本波Ｅ１は、ＫＴＰ結晶１０１に入射
し、ＫＴＰ結晶内１０１である位相差δを与えられ、反
射ミラー３０１で折り返され、再びＫＴＰ結晶１０１を
通過する際に位相差δが与えられ、戻って来た基本波Ｅ
２との間に位相差２δが生じる。
【０００６】図３（ａ）に示すように、この位相差２δ
がちょうどπの偶数倍であれば損失は生じない。しかし
ながら、通常、位相差２δはπの偶数倍にならないた
め、基本波に損失を与えることになる。特に、図３
（ｂ）に示すように位相差２δがπの奇数倍になった状
態では、その損失は最大になる。一般に位相差δは波長
変換結晶の常光線と異常光線方向の屈折率差Δｎおよび
結晶長Ｌで決まる。すなわち、位相差は、
がちょうどπの偶数倍であれば損失は生じない。しかし
ながら、通常、位相差２δはπの偶数倍にならないた
め、基本波に損失を与えることになる。特に、図３
（ｂ）に示すように位相差２δがπの奇数倍になった状
態では、その損失は最大になる。一般に位相差δは波長
変換結晶の常光線と異常光線方向の屈折率差Δｎおよび
結晶長Ｌで決まる。すなわち、位相差は、
【０００７】
【数１】δ＝２πΔｎＬ／λ で与えられる。ただし、λは基本波の波長である。屈折
率差Δｎおよび結晶長Ｌは温度依存性を持っており、波
長変換結晶の温度が変わるとその位相差も変化し、光出
力が変化する。
率差Δｎおよび結晶長Ｌは温度依存性を持っており、波
長変換結晶の温度が変わるとその位相差も変化し、光出
力が変化する。
【０００８】図５は、ＫＴＰ結晶が位相差板として働く
様子を調べるために、図４に示す系で、Ｎｄ：ＹＶＯ4
結晶２０２のＣ軸方向に直線偏光で発振しているレーザ
光を共振器外に置いたＫＴＰ結晶１０２に照射し、透過
後のＣ軸方向の強度について、ＫＴＰ結晶１０２の温度
を温度コントローラ９００で変えて調べたものである。
この結果は２１℃，３5.５℃，５０℃でλ／４板として
働き、２8.５℃，４３℃，５7.５℃でλ／２板として働
いていることを示している。位相差が２π変化する温度
差は、２９℃である。
様子を調べるために、図４に示す系で、Ｎｄ：ＹＶＯ4
結晶２０２のＣ軸方向に直線偏光で発振しているレーザ
光を共振器外に置いたＫＴＰ結晶１０２に照射し、透過
後のＣ軸方向の強度について、ＫＴＰ結晶１０２の温度
を温度コントローラ９００で変えて調べたものである。
この結果は２１℃，３5.５℃，５０℃でλ／４板として
働き、２8.５℃，４３℃，５7.５℃でλ／２板として働
いていることを示している。位相差が２π変化する温度
差は、２９℃である。
【０００９】このＫＴＰ結晶１０２をＮｄ：ＹＶＯ4 レ
ーザの共振器内に置き、ＫＴＰ結晶の温度を変えたとき
のグリーンレーザ光出力を図６に示す。グリーンレーザ
光は温度に対して正弦波的関数で変化を示している。正
弦波のピークではＫＴＰ結晶１０２が与える位相差はπ
の偶数倍になっており、ちょうどλ／２板として働いて
いるために、ＫＴＰ結晶１０２を一往復してきた基本波
はＹＶＯ4 結晶２０２から発せられた直線偏光と同じ方
向に振動する直線偏光になっている（図３（ａ））。
ーザの共振器内に置き、ＫＴＰ結晶の温度を変えたとき
のグリーンレーザ光出力を図６に示す。グリーンレーザ
光は温度に対して正弦波的関数で変化を示している。正
弦波のピークではＫＴＰ結晶１０２が与える位相差はπ
の偶数倍になっており、ちょうどλ／２板として働いて
いるために、ＫＴＰ結晶１０２を一往復してきた基本波
はＹＶＯ4 結晶２０２から発せられた直線偏光と同じ方
向に振動する直線偏光になっている（図３（ａ））。
【００１０】一方、正弦波のボトムでは位相差はπの奇
数倍になっており、ちょうどλ／４として働いているた
めに、ＫＴＰ結晶１０２を一往復してきた基本波はＹＶ
Ｏ4結晶２０２から発せれらた直線偏光と９０゜で交わ
る方向に振動している（図３（ｂ））。そのために、基
本波に対する損失が大きくなり、グリーンレーザ光の出
力が低下している。
数倍になっており、ちょうどλ／４として働いているた
めに、ＫＴＰ結晶１０２を一往復してきた基本波はＹＶ
Ｏ4結晶２０２から発せれらた直線偏光と９０゜で交わ
る方向に振動している（図３（ｂ））。そのために、基
本波に対する損失が大きくなり、グリーンレーザ光の出
力が低下している。
【００１１】この発明は、固体レーザ光を効率良く第２
高調波に変換することができる半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
高調波に変換することができる半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置は、位相差が互いに逆相の温度
依存性をもち光軸方向に直列配置されてπの整数倍の位
相差を与える波長板機能を有する第１および第２の波長
変換結晶を共振器内に備えている。請求項２記載の半導
体レーザ励起固体レーザ装置は、請求項１記載の半導体
レーザ励起固体レーザ装置において、第１および第２の
波長変換結晶の対向端面が光軸に対して傾斜している。
請求項３記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、請
求項２記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置におい
て、第１および第２の波長変換結晶は、各光路長が増減
する方向に移動可能となっている。 請求項４記載の半導
体レーザ励起固体レーザ装置は、位相差が互いに逆相の
温度依存性をもち光軸方向に直列配置された第１および
第２の波長変換結晶を備えている。
ーザ励起固体レーザ装置は、位相差が互いに逆相の温度
依存性をもち光軸方向に直列配置されてπの整数倍の位
相差を与える波長板機能を有する第１および第２の波長
変換結晶を共振器内に備えている。請求項２記載の半導
体レーザ励起固体レーザ装置は、請求項１記載の半導体
レーザ励起固体レーザ装置において、第１および第２の
波長変換結晶の対向端面が光軸に対して傾斜している。
請求項３記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置は、請
求項２記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置におい
て、第１および第２の波長変換結晶は、各光路長が増減
する方向に移動可能となっている。 請求項４記載の半導
体レーザ励起固体レーザ装置は、位相差が互いに逆相の
温度依存性をもち光軸方向に直列配置された第１および
第２の波長変換結晶を備えている。
【００１３】請求項５記載の半導体レーザ励起固体レー
ザ装置は、請求項４記載の半導体レーザ励起固体レーザ
装置において、第１および第２の波長変換結晶の対向端
面が光軸に対して傾斜している。請求項６記載の半導体
レーザ励起固体レーザ装置は、請求項５記載の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置において、第１および第２の波
長変換結晶は、各光路長が増減する方向に移動可能とな
っている。
ザ装置は、請求項４記載の半導体レーザ励起固体レーザ
装置において、第１および第２の波長変換結晶の対向端
面が光軸に対して傾斜している。請求項６記載の半導体
レーザ励起固体レーザ装置は、請求項５記載の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置において、第１および第２の波
長変換結晶は、各光路長が増減する方向に移動可能とな
っている。
【００１４】
【作用】この発明によれば、固体レーザ光を効率良く第
２高調波に変換することができる。しかも、波長変換結
晶そのものに位相安定化機能を有しているため、波長変
換結晶の屈折率変化により生じる位相差変化を抑制し、
変換効率の高い状態に保持することができる。
２高調波に変換することができる。しかも、波長変換結
晶そのものに位相安定化機能を有しているため、波長変
換結晶の屈折率変化により生じる位相差変化を抑制し、
変換効率の高い状態に保持することができる。
【００１５】
【実施例】図１（ａ）に、この発明の半導体レーザ励起
固体レーザ装置に用いるＫＴＰ結晶の構造を示す。ＫＴ
Ｐ結晶１１０とＫＴＰ結晶１１１が基本波に与える位相
差を、それぞれ、δ1(T)とδ2(T)とする。ただし、Ｔは
ＫＴＰ結晶の温度である。そのとき下記の（数２）を満
たすようになっている。
固体レーザ装置に用いるＫＴＰ結晶の構造を示す。ＫＴ
Ｐ結晶１１０とＫＴＰ結晶１１１が基本波に与える位相
差を、それぞれ、δ1(T)とδ2(T)とする。ただし、Ｔは
ＫＴＰ結晶の温度である。そのとき下記の（数２）を満
たすようになっている。
【００１６】
【数２】δ1(T)＋δ2(T)＝ｍπ ｍは整数 すなわち、ＫＴＰ結晶１１０とＫＴＰ結晶１１１を透過
する光に対して、温度に関わらず常にπの整数倍の位相
差を与え、往復することにより、πの偶数倍の位相差を
与えることを示している。このような結晶は、ＫＴＰ結
晶１１０に図５の実線が示すような特性を与え、ＫＴＰ
結晶１１１に図５の破線が示すような特性を与えること
により、実現することができる。位相差は、結晶長およ
びカッティング角を微調整することにより、変えること
ができる。
する光に対して、温度に関わらず常にπの整数倍の位相
差を与え、往復することにより、πの偶数倍の位相差を
与えることを示している。このような結晶は、ＫＴＰ結
晶１１０に図５の実線が示すような特性を与え、ＫＴＰ
結晶１１１に図５の破線が示すような特性を与えること
により、実現することができる。位相差は、結晶長およ
びカッティング角を微調整することにより、変えること
ができる。
【００１７】図２に、図１（ａ）に示すＫＴＰ結晶１１
０，１１１を用いたときのグリーンレーザ光出力のＫＴ
Ｐ結晶温度依存性を示す。励起入力を１００ｍＷ、波長
を0.８０９μｍ一定の状態で実験を行った。ＫＴＰ結晶
の温度が２０〜６０℃の範囲において安定なグリーンレ
ーザ光出力が得られている。図６に示す従来の温度依存
性と比較すると、安定度が良くなっていることがわか
る。
０，１１１を用いたときのグリーンレーザ光出力のＫＴ
Ｐ結晶温度依存性を示す。励起入力を１００ｍＷ、波長
を0.８０９μｍ一定の状態で実験を行った。ＫＴＰ結晶
の温度が２０〜６０℃の範囲において安定なグリーンレ
ーザ光出力が得られている。図６に示す従来の温度依存
性と比較すると、安定度が良くなっていることがわか
る。
【００１８】図１（ａ）の実施例では、２つのＫＴＰ結
晶１１０，１１１が与える位相差が温度に対して逆相に
なるように、それぞれをカッティング・研磨加工時に調
整しなければない。実際に、一組ずつ調整するのは困難
である。そこで、組み合わせるだけで簡単に位相差がπ
の偶数倍になるようにする構成について説明する。図１
（ｂ）に示すようにＫＴＰ結晶１２０とＫＴＰ結晶１２
１は互いに向かい合う端面が傾斜面となっており、とも
に傾斜面の傾斜角度は0.５°である。そして、ＫＴＰ結
晶１２０，１２１は、それぞれ通過するレーザ光の光路
長が増減する方向（矢印で示す）に移動可能としてい
る。
晶１１０，１１１が与える位相差が温度に対して逆相に
なるように、それぞれをカッティング・研磨加工時に調
整しなければない。実際に、一組ずつ調整するのは困難
である。そこで、組み合わせるだけで簡単に位相差がπ
の偶数倍になるようにする構成について説明する。図１
（ｂ）に示すようにＫＴＰ結晶１２０とＫＴＰ結晶１２
１は互いに向かい合う端面が傾斜面となっており、とも
に傾斜面の傾斜角度は0.５°である。そして、ＫＴＰ結
晶１２０，１２１は、それぞれ通過するレーザ光の光路
長が増減する方向（矢印で示す）に移動可能としてい
る。
【００１９】ＫＴＰ結晶１２０とＫＴＰ結晶１２１の重
なり具合を、矢印で示す方向にスライドさせて変化させ
ると、ＫＴＰ結晶１２０，１２１を通過するレーザ光の
光路長が増減するため、そのレーザ光の位相差を変化さ
せることができる。各結晶１２０，１２１は同じ温度周
期で位相が変化するので、互いに逆相になるように調整
すれば、位相差が（数２）を満足することができる。
なり具合を、矢印で示す方向にスライドさせて変化させ
ると、ＫＴＰ結晶１２０，１２１を通過するレーザ光の
光路長が増減するため、そのレーザ光の位相差を変化さ
せることができる。各結晶１２０，１２１は同じ温度周
期で位相が変化するので、互いに逆相になるように調整
すれば、位相差が（数２）を満足することができる。
【００２０】このように、ＫＴＰ結晶１２０，１２１を
通過するレーザ光の光路長が増減する方向にＫＴＰ結晶
１２０，１２１を移動可能とすることにより、図１
（ａ）で示したものより、容易に位相差を調整すること
ができる。図１（ｂ）に示す構造においても、図１
（ａ）の構造と同様に、図２に示すような温度特性が得
られる。
通過するレーザ光の光路長が増減する方向にＫＴＰ結晶
１２０，１２１を移動可能とすることにより、図１
（ａ）で示したものより、容易に位相差を調整すること
ができる。図１（ｂ）に示す構造においても、図１
（ａ）の構造と同様に、図２に示すような温度特性が得
られる。
【００２１】これらの実施例に示したＫＴＰ結晶を図７
に示すような装置に組み込むことより、装置外部の温度
変化の影響、およびレーザ光の損失によって共振器内で
生じる熱の影響を抑えることができる。これらの実施例
に示したＫＴＰ結晶は、サイズが２×２×３ｍｍで、全
て両端面に基本波1.０６μｍおよび第２高調波0.５３μ
ｍにおいて反射率が0.１％以下の無反射コーティングが
施してある。
に示すような装置に組み込むことより、装置外部の温度
変化の影響、およびレーザ光の損失によって共振器内で
生じる熱の影響を抑えることができる。これらの実施例
に示したＫＴＰ結晶は、サイズが２×２×３ｍｍで、全
て両端面に基本波1.０６μｍおよび第２高調波0.５３μ
ｍにおいて反射率が0.１％以下の無反射コーティングが
施してある。
【００２２】図７に示すような小型化を目的とする場合
は、反射ミラー３００の代わりに、ＫＴＰ結晶の出射側
端面に加工することにより反射ミラーの働きを持たせ、
反射ミラー３００を省くこともできる。なお、この実施
例では、２組のＫＴＰ結晶を組合わせた例を示したが、
２組以上の結晶においても（数２）を満たせば、同様の
効果が期待できる。
は、反射ミラー３００の代わりに、ＫＴＰ結晶の出射側
端面に加工することにより反射ミラーの働きを持たせ、
反射ミラー３００を省くこともできる。なお、この実施
例では、２組のＫＴＰ結晶を組合わせた例を示したが、
２組以上の結晶においても（数２）を満たせば、同様の
効果が期待できる。
【００２３】
【発明の効果】この発明の半導体レーザ励起固体レーザ
装置によれば、固体レーザ光を効率良く第２高調波に変
換することができる。しかも、波長変換結晶そのものに
位相安定化機能を有しているために、他の光学部品が不
要となり、固体レーザの小型化・高効率化に適してい
る。特に光ディスク用光源としてその効果を発揮する。
装置によれば、固体レーザ光を効率良く第２高調波に変
換することができる。しかも、波長変換結晶そのものに
位相安定化機能を有しているために、他の光学部品が不
要となり、固体レーザの小型化・高効率化に適してい
る。特に光ディスク用光源としてその効果を発揮する。
【図１】（ａ）はこの発明の半導体レーザ励起固体レー
ザ装置に用いることができる波長変換結晶の一例の斜視
図、（ｂ）は同じく他の例の斜視図である。
ザ装置に用いることができる波長変換結晶の一例の斜視
図、（ｂ）は同じく他の例の斜視図である。
【図２】図１（ａ）の波長変換結晶を用いたときのグリ
ーンレーザ光出力の温度特性図である。
ーンレーザ光出力の温度特性図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は共振器の位相差変化を説明す
る図である。
る図である。
【図４】ＫＴＰ結晶の位相差の温度依存性を調べる実験
系を説明する図である。
系を説明する図である。
【図５】従来の波長変換結晶の温度に対する位相差変化
を示す図である。
を示す図である。
【図６】従来の波長変換結晶を用いたときのグリーンレ
ーザ光出力の温度特性図である。
ーザ光出力の温度特性図である。
【図７】半導体レーザ励起固体レーザ装置の構造図であ
る。
る。
１１０，１１１ 位相差が互いに逆相の温度依存性を持
つＫＴＰ結晶 １２０，１２１ 傾斜端面を持つＫＴＰ結晶
つＫＴＰ結晶 １２０，１２１ 傾斜端面を持つＫＴＰ結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉川 昭男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−7487（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−152781（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−130582（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/00 - 3/30
Claims (6)
- 【請求項１】 位相差が互いに逆相の温度依存性をもち
光軸方向に直列配置されてπの整数倍の位相差を与える
波長板機能を有する第１および第２の波長変換結晶を共
振器内に備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項２】 第１および第２の波長変換結晶の対向端
面が光軸に対して傾斜している請求項１記載の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項３】 第１および第２の波長変換結晶は、各光
路長が増減する方向に移動可能となっている請求項２記
載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項４】 位相差が互いに逆相の温度依存性をもち
光軸方向に直列配置された第１および第２の波長変換結
晶を備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項５】 第１および第２の波長変換結晶の対向端
面が光軸に対して傾斜している請求項４記載の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項６】 第１および第２の波長変換結晶は、各光
路長が増減する方向に移動可能となっている請求項５記
載の半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8856993A JP3151081B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8856993A JP3151081B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302904A JPH06302904A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3151081B2 true JP3151081B2 (ja) | 2001-04-03 |
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ID=13946502
Family Applications (1)
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| JP8856993A Expired - Fee Related JP3151081B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3151081B2 (ja) |
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| KR101731556B1 (ko) * | 2015-06-24 | 2017-05-02 | 효성하나로 주식회사 | 휴대용 가스버너의 바람막이 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007026510A1 (ja) | 2005-08-29 | 2009-03-26 | パナソニック株式会社 | ファイバレーザおよび光学装置 |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP8856993A patent/JP3151081B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101731556B1 (ko) * | 2015-06-24 | 2017-05-02 | 효성하나로 주식회사 | 휴대용 가스버너의 바람막이 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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