JPH09307160A - レーザ装置 - Google Patents
レーザ装置Info
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- JPH09307160A JPH09307160A JP11730796A JP11730796A JPH09307160A JP H09307160 A JPH09307160 A JP H09307160A JP 11730796 A JP11730796 A JP 11730796A JP 11730796 A JP11730796 A JP 11730796A JP H09307160 A JPH09307160 A JP H09307160A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ励起内部共振器型ＳＨＧレ−ザ
のノイズ低減と出力安定化。 【解決手段】 半導体レーザ励起内部共振器型SHGレー
ザにおいて、共振器内のエタロン６と出力ミラー７の２
つに波長選択機能をもたせ、利得分布が波長幅に関して
広いレーザ媒体を用いたときにも基本波縦シングルモー
ド発振を得る。
のノイズ低減と出力安定化。 【解決手段】 半導体レーザ励起内部共振器型SHGレー
ザにおいて、共振器内のエタロン６と出力ミラー７の２
つに波長選択機能をもたせ、利得分布が波長幅に関して
広いレーザ媒体を用いたときにも基本波縦シングルモー
ド発振を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は広帯域のレーザ発振
利得を持つレーザ媒体のシングルモード化と、そのレー
ザ共振器内部に非線形光学結晶を用いた内部共振器型の
波長変換レーザに関するもので、特にレーザ出力の安定
化あるいは低ノイズ化に関する。
利得を持つレーザ媒体のシングルモード化と、そのレー
ザ共振器内部に非線形光学結晶を用いた内部共振器型の
波長変換レーザに関するもので、特にレーザ出力の安定
化あるいは低ノイズ化に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクの高密度化、光計測での高分
解能化等に小型高出力短波長レーザの要求が高まってい
る。そのレーザ光源の候補として、非線形光学結晶を用
いたSHG（Second Harmonic Generation、第２高調波発
生）レーザやSFG（Sum Frequency Generation、和周波
発生）レーザがある。特にレーザ共振器内部に非線形光
学結晶を置いた内部共振器型SHGレーザを半導体レーザ
で励起する方法は小型で高出力のため期待が大きい。と
ころで、内部共振器型SHGレーザは、特別な手段を設け
なければ一般的に縦マルチモード発振する。内部共振器
型SHGレーザにおいて、基本波が縦マルチモードで発振
すると共振器内のモード競合が、非線形光学結晶におけ
る波長変換の際に基本波のモード競合がSHGの出力を不
安定にし、ノイズ（以下、「SHGノイズ」と呼称する）
を引き起こす。
解能化等に小型高出力短波長レーザの要求が高まってい
る。そのレーザ光源の候補として、非線形光学結晶を用
いたSHG（Second Harmonic Generation、第２高調波発
生）レーザやSFG（Sum Frequency Generation、和周波
発生）レーザがある。特にレーザ共振器内部に非線形光
学結晶を置いた内部共振器型SHGレーザを半導体レーザ
で励起する方法は小型で高出力のため期待が大きい。と
ころで、内部共振器型SHGレーザは、特別な手段を設け
なければ一般的に縦マルチモード発振する。内部共振器
型SHGレーザにおいて、基本波が縦マルチモードで発振
すると共振器内のモード競合が、非線形光学結晶におけ
る波長変換の際に基本波のモード競合がSHGの出力を不
安定にし、ノイズ（以下、「SHGノイズ」と呼称する）
を引き起こす。
【０００３】SHGノイズを低減し、出力を安定化するに
は、基本波を縦シングルモード発振させるのが有効であ
る。そこで、共振器内部にエタロン（透明な平行平板の
両面に反射コーティングを施し、その多重反射を利用し
波長選択する素子）を挿入し、他の縦モード（波長）の
レーザ発振を抑える方法が考えられた。これは、エタロ
ンを傾けるなどしてエタロン内の実質的光路長を変化さ
せ、複数のエタロンの選択波長（以下、「エタロンモー
ド」と呼称する）と複数の共振器間隔によって定まる定
在波（以下、「共振器モード」と呼称する）のある１モ
ードを一致させてシングルモード発振させる方法であ
る。この方法で基本波を縦シングルモード発振させ、安
定な出力のSHGが得られる。この例としてWilliam Clush
aw, J.Kannelaud, IEEE Journal of Quantum Elactron
ics, vol. QE-10, No.2, p253(1974)、角谷実 他５
名、１９９３年春季第４０回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集No３、ｐ９９６、３１ｐーＺー４などが挙げ
られる。
は、基本波を縦シングルモード発振させるのが有効であ
る。そこで、共振器内部にエタロン（透明な平行平板の
両面に反射コーティングを施し、その多重反射を利用し
波長選択する素子）を挿入し、他の縦モード（波長）の
レーザ発振を抑える方法が考えられた。これは、エタロ
ンを傾けるなどしてエタロン内の実質的光路長を変化さ
せ、複数のエタロンの選択波長（以下、「エタロンモー
ド」と呼称する）と複数の共振器間隔によって定まる定
在波（以下、「共振器モード」と呼称する）のある１モ
ードを一致させてシングルモード発振させる方法であ
る。この方法で基本波を縦シングルモード発振させ、安
定な出力のSHGが得られる。この例としてWilliam Clush
aw, J.Kannelaud, IEEE Journal of Quantum Elactron
ics, vol. QE-10, No.2, p253(1974)、角谷実 他５
名、１９９３年春季第４０回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集No３、ｐ９９６、３１ｐーＺー４などが挙げ
られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法は、発振利
得の波長帯域が狭い場合に有効だが、発振利得の波長帯
域が広い場合、エタロンモードと共振器モードが２箇所
以上一致し、その箇所で発振利得が共振器内損失を上回
っていれば、マルチモード発振し、その結果SHGノイズ
が発生する。
得の波長帯域が狭い場合に有効だが、発振利得の波長帯
域が広い場合、エタロンモードと共振器モードが２箇所
以上一致し、その箇所で発振利得が共振器内損失を上回
っていれば、マルチモード発振し、その結果SHGノイズ
が発生する。
【０００５】本発明はこの点を考慮したもので、発振利
得の波長帯域が広いレーザ媒体を用いた内部共振器型SH
Gレーザ、SGFレーザ装置において基本波を縦シングルモ
ードで発振させることでSHGノイズを低減し、出力の安
定したレーザ装置を提供することにある。
得の波長帯域が広いレーザ媒体を用いた内部共振器型SH
Gレーザ、SGFレーザ装置において基本波を縦シングルモ
ードで発振させることでSHGノイズを低減し、出力の安
定したレーザ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】SHGノイズを発生させな
い手段として、共振器内部に、例えば波長幅10nm帯域で
高反射率のミラー（狭帯域高反射ミラー）を用い、波長
数nm幅でレーザ発振させ、かつ100%の透過率ピークが10
nm間隔で複数存在するエタロンの波長帯域の中からひと
つの共振器モードを選択する細波長選択手段の複数の波
長選択手段を持たせ、基本波縦シングルモード発振させ
ることである。
い手段として、共振器内部に、例えば波長幅10nm帯域で
高反射率のミラー（狭帯域高反射ミラー）を用い、波長
数nm幅でレーザ発振させ、かつ100%の透過率ピークが10
nm間隔で複数存在するエタロンの波長帯域の中からひと
つの共振器モードを選択する細波長選択手段の複数の波
長選択手段を持たせ、基本波縦シングルモード発振させ
ることである。
【０００７】共振器内部に２つ以上の発振波長選択手段
を設け、ひとつの波長選択手段で発振可能波長を数nm程
度の帯域に制限し、この帯域の中から他の波長選択手段
でさらに狭い帯域に制限し、共振器モードの中から１つ
のモードを選択し、基本波を縦シングルモード化する。
位相整合波長内で１モードしか発振していないため、基
本波モード間のエネルギーのやり取りが起こらず、「基
本波縦モードの競合」が起こらない。よってSHGノイズ
は発生しない。
を設け、ひとつの波長選択手段で発振可能波長を数nm程
度の帯域に制限し、この帯域の中から他の波長選択手段
でさらに狭い帯域に制限し、共振器モードの中から１つ
のモードを選択し、基本波を縦シングルモード化する。
位相整合波長内で１モードしか発振していないため、基
本波モード間のエネルギーのやり取りが起こらず、「基
本波縦モードの競合」が起こらない。よってSHGノイズ
は発生しない。
【０００８】実施例１ 図１はCr3+が1.5 at%ドープされた長さ5mmのCr:LiSAF
（Cr:LiSrAlF6）を固体レーザ結晶４に、長さ5mmのKN
（KNbO3）を非線形光学結晶５に用いた内部共振器型SHG
レーザ装置の構成図である。共振器はCr:LiSAF結晶４の
左面に施したコーティング２０と出力ミラー７の左曲面
に施したコーティング２２によって構成されている。C
r:LiSAF結晶４の左面は波長680nmの光に対しAR（Anti R
eflaction、無反射）、860nm±20nmに対しHR（High Ref
lection、高反射）コーティング、右面は860nm±20nmに
対しARコーティングを施してある。KN結晶５の両面は86
0nm±20nmと430nm±10nmに対しARコーティングを施して
ある。
（Cr:LiSrAlF6）を固体レーザ結晶４に、長さ5mmのKN
（KNbO3）を非線形光学結晶５に用いた内部共振器型SHG
レーザ装置の構成図である。共振器はCr:LiSAF結晶４の
左面に施したコーティング２０と出力ミラー７の左曲面
に施したコーティング２２によって構成されている。C
r:LiSAF結晶４の左面は波長680nmの光に対しAR（Anti R
eflaction、無反射）、860nm±20nmに対しHR（High Ref
lection、高反射）コーティング、右面は860nm±20nmに
対しARコーティングを施してある。KN結晶５の両面は86
0nm±20nmと430nm±10nmに対しARコーティングを施して
ある。
【０００９】図２は出力ミラーの左曲面のコーティング
の反射率の波長分布である。つまり860nmを中心として
±5nmの範囲は反射率99.9％以上、また中心から10nm以
上離れた波長では反射率98％以下になり、430nm付近で
は反射率が0％に近くになる。共振器内には厚さ20μmの
合成石英製のエタロン６が配置してある。エタロン６の
両面には860nm±10nmの範囲で反射率40％、430nm±10nm
に対し透過率95％のコーティング２１が施してある。C
r:LiSAF結晶４の左側には波長680nmの出力500mWの半導
体レーザ１があり、そのレーザ光１０をコリメートレン
ズ２で平行ビームにした後、集光レンズ３でCr:LiSAF結
晶４の左端面から内部に入射させる。レーザ光１０で励
起されたCr:LiSAF結晶４は約860nmに最大強度を持ち、
幅約400nmの範囲で蛍光発光する。この光が共振器内部
で反射を繰り返すうちに出力ミラーのコーティング２２
により波長選択された860nm±5nmの範囲でレーザ発振が
起き、それが共振器内部に閉じ込められる。他の波長は
共振器外に出る割合が大きいためレーザ発振には至らな
い。共振器内部に閉じ込められたレーザ光に対し、さら
にエタロン６による波長選択が加わる。
の反射率の波長分布である。つまり860nmを中心として
±5nmの範囲は反射率99.9％以上、また中心から10nm以
上離れた波長では反射率98％以下になり、430nm付近で
は反射率が0％に近くになる。共振器内には厚さ20μmの
合成石英製のエタロン６が配置してある。エタロン６の
両面には860nm±10nmの範囲で反射率40％、430nm±10nm
に対し透過率95％のコーティング２１が施してある。C
r:LiSAF結晶４の左側には波長680nmの出力500mWの半導
体レーザ１があり、そのレーザ光１０をコリメートレン
ズ２で平行ビームにした後、集光レンズ３でCr:LiSAF結
晶４の左端面から内部に入射させる。レーザ光１０で励
起されたCr:LiSAF結晶４は約860nmに最大強度を持ち、
幅約400nmの範囲で蛍光発光する。この光が共振器内部
で反射を繰り返すうちに出力ミラーのコーティング２２
により波長選択された860nm±5nmの範囲でレーザ発振が
起き、それが共振器内部に閉じ込められる。他の波長は
共振器外に出る割合が大きいためレーザ発振には至らな
い。共振器内部に閉じ込められたレーザ光に対し、さら
にエタロン６による波長選択が加わる。
【００１０】図３はエタロン６の特性を示す。エタロン
６は単独では図３の３０のように860nm付近で波長間隔
約13nmで透過率100％を持つ波長選択素子である。エタ
ロン６の波長選択性はエタロン６自体をレーザの進行方
向に対し角度変化させることで透過率ピークの波長をシ
フトさせることができる。この方法で出力ミラーのコー
ティング２２によるレーザ発振のしやすさを表した曲線
３１のピーク波長と、エタロン透過率ピーク波長を一致
させることができる。エタロン６の波長選択幅は十分狭
いのでこの中に共振器モードは一本しか存在できず、基
本波１１は縦シングルモードとなる。さらに、KN結晶５
の温度をチューニングし、位相整合波長を基本波の波長
に一致させると、ＳＨＧ光１２が得られる。このときＳ
ＨＧ出力は基本波のモード競合が起こらないためノイズ
が無く安定している。
６は単独では図３の３０のように860nm付近で波長間隔
約13nmで透過率100％を持つ波長選択素子である。エタ
ロン６の波長選択性はエタロン６自体をレーザの進行方
向に対し角度変化させることで透過率ピークの波長をシ
フトさせることができる。この方法で出力ミラーのコー
ティング２２によるレーザ発振のしやすさを表した曲線
３１のピーク波長と、エタロン透過率ピーク波長を一致
させることができる。エタロン６の波長選択幅は十分狭
いのでこの中に共振器モードは一本しか存在できず、基
本波１１は縦シングルモードとなる。さらに、KN結晶５
の温度をチューニングし、位相整合波長を基本波の波長
に一致させると、ＳＨＧ光１２が得られる。このときＳ
ＨＧ出力は基本波のモード競合が起こらないためノイズ
が無く安定している。
【００１１】実施例２ 図４はCr3+が1.5 at%ドープされた長さ5mmのCr:LiSAF
（Cr:LiSrAlF6）を固体レーザ結晶４に、長さ5mmのKN
（KNbO3）を非線形光学結晶５に用いた内部共振器型SHG
レーザ装置の構成図である。共振器はCr:LiSAF結晶４の
左面に施したコーティング２４と出力ミラー７の左曲面
に施したコーティング２６によって構成されている。C
r:LiSAF結晶４の左面は波長680nmの光に対しAR、860nm
±20nmに対しHRコーティング、右面は860nm±20nmに対
しARコーティングを施してある。KN結晶５の両面は860n
m±20nmと430nm±10nmに対しARコーティングを施してあ
る。出力ミラーの左曲面には860nm±20nmでHRコーティ
ング、430nm±10nmでARコーティングを施してある。
（Cr:LiSrAlF6）を固体レーザ結晶４に、長さ5mmのKN
（KNbO3）を非線形光学結晶５に用いた内部共振器型SHG
レーザ装置の構成図である。共振器はCr:LiSAF結晶４の
左面に施したコーティング２４と出力ミラー７の左曲面
に施したコーティング２６によって構成されている。C
r:LiSAF結晶４の左面は波長680nmの光に対しAR、860nm
±20nmに対しHRコーティング、右面は860nm±20nmに対
しARコーティングを施してある。KN結晶５の両面は860n
m±20nmと430nm±10nmに対しARコーティングを施してあ
る。出力ミラーの左曲面には860nm±20nmでHRコーティ
ング、430nm±10nmでARコーティングを施してある。
【００１２】共振器内には厚さ20μmの合成石英製のエ
タロン６が配置してある。エタロン６の両面には860nm
±10nmの範囲で反射率40％、430nm±10nmに対し透過率9
5％のコーティング施してある。また、複屈折フィルタ
９も共振器中に配置されており、これにより数nmの波長
幅に制限されたレーザ発振が得られる。Cr:LiSAF結晶４
の左側には波長680nmの出力500mWの半導体レーザ１があ
り、そのレーザ光１０をコリメートレンズ２で平行ビー
ムにした後、集光レンズ３でCr:LiSAF結晶４の左端面か
ら内部に入射させる。レーザ光１０で励起されたCr:LiS
AF結晶４は約860nmに最大強度を持ち、幅約400nmの範囲
で蛍光発光する。この光が共振器内部で反射を繰り返す
うちに複屈折フィルタ９により波長選択された860nm±1
nmの範囲でレーザ発振が起き、それが共振器内部に閉じ
込められる。他の波長は共振器外に出る割合が大きいた
めレーザ発振には至らない。共振器内部に閉じ込められ
たレーザ光に対し、さらにエタロン６による波長選択が
加わる。
タロン６が配置してある。エタロン６の両面には860nm
±10nmの範囲で反射率40％、430nm±10nmに対し透過率9
5％のコーティング施してある。また、複屈折フィルタ
９も共振器中に配置されており、これにより数nmの波長
幅に制限されたレーザ発振が得られる。Cr:LiSAF結晶４
の左側には波長680nmの出力500mWの半導体レーザ１があ
り、そのレーザ光１０をコリメートレンズ２で平行ビー
ムにした後、集光レンズ３でCr:LiSAF結晶４の左端面か
ら内部に入射させる。レーザ光１０で励起されたCr:LiS
AF結晶４は約860nmに最大強度を持ち、幅約400nmの範囲
で蛍光発光する。この光が共振器内部で反射を繰り返す
うちに複屈折フィルタ９により波長選択された860nm±1
nmの範囲でレーザ発振が起き、それが共振器内部に閉じ
込められる。他の波長は共振器外に出る割合が大きいた
めレーザ発振には至らない。共振器内部に閉じ込められ
たレーザ光に対し、さらにエタロン６による波長選択が
加わる。
【００１３】エタロン６は単独では図３のように860nm
付近で波長間隔約13nmで透過率100％を持つ波長選択素
子である。エタロン６の波長選択性はエタロン６自体を
レーザの進行方向に対し角度変化させることで透過率ピ
ークの波長をシフトさせることができる。この方法で複
屈折フィルタ９によるレーザ発振のしやすさを表した曲
線３５のピーク波長と、エタロン透過率ピーク波長を一
致させることができる。エタロン６の波長選択幅は十分
狭いのでこの中に共振器モードは一本しか存在できず、
基本波１１は縦シングルモードとなる。さらに、KN結晶
５の温度をチューニングし、位相整合波長を基本波の波
長に一致させると、ＳＨＧ光１２が得られる。このとき
ＳＨＧ出力は基本波のモード競合が起こらないためノイ
ズが無く安定している。
付近で波長間隔約13nmで透過率100％を持つ波長選択素
子である。エタロン６の波長選択性はエタロン６自体を
レーザの進行方向に対し角度変化させることで透過率ピ
ークの波長をシフトさせることができる。この方法で複
屈折フィルタ９によるレーザ発振のしやすさを表した曲
線３５のピーク波長と、エタロン透過率ピーク波長を一
致させることができる。エタロン６の波長選択幅は十分
狭いのでこの中に共振器モードは一本しか存在できず、
基本波１１は縦シングルモードとなる。さらに、KN結晶
５の温度をチューニングし、位相整合波長を基本波の波
長に一致させると、ＳＨＧ光１２が得られる。このとき
ＳＨＧ出力は基本波のモード競合が起こらないためノイ
ズが無く安定している。
【００１４】実施例３ 図５はCr3+が1.5 at%ドープされた長さ5mmのCr:LiSAF
（Cr:LiSrAlF6）を固体レーザ結晶４に、長さ5mmのKN
（KNbO3）を非線形光学結晶５に用いた内部共振器型SHG
レーザ装置の構成図である。共振器は入射ミラー８の右
曲面に施したコーティング２５とKN結晶５の右面に施し
たコーティング２３によって構成されている。入射ミラ
ーの左面には680nmに対するARコーティング２４を右曲
面には860nm±20nmに対しHR、680nmに対しARコーティン
グ２５を施してある。Cr:LiSAF結晶４の左面は波長680n
mと860nm±20nmに対しARコーティング、右面は860nm±2
0nmに対しARコーティングを施してある。KN結晶５の左
面は860nm±20nmに対しARコーティング、右面に対し図
２の様なコーティング２３を施してある。
（Cr:LiSrAlF6）を固体レーザ結晶４に、長さ5mmのKN
（KNbO3）を非線形光学結晶５に用いた内部共振器型SHG
レーザ装置の構成図である。共振器は入射ミラー８の右
曲面に施したコーティング２５とKN結晶５の右面に施し
たコーティング２３によって構成されている。入射ミラ
ーの左面には680nmに対するARコーティング２４を右曲
面には860nm±20nmに対しHR、680nmに対しARコーティン
グ２５を施してある。Cr:LiSAF結晶４の左面は波長680n
mと860nm±20nmに対しARコーティング、右面は860nm±2
0nmに対しARコーティングを施してある。KN結晶５の左
面は860nm±20nmに対しARコーティング、右面に対し図
２の様なコーティング２３を施してある。
【００１５】共振器内には厚さ20μmの合成石英製のエ
タロン６が配置してある。エタロン６の両面には860nm
±10nmの範囲で反射率40％、430nm±10nmに対し透過率9
5％のコーティング２１を施してある。KN結晶５の右面
に施したコーティング２３により10nmの波長幅に制限さ
れたレーザ発振が得られる。入射ミラー８の左側には波
長680nmの出力500mWの半導体レーザ１があり、そのレー
ザ光１０をコリメートレンズ２で平行ビームにした後、
集光レンズ３で入射ミラー越しCr:LiSAF結晶４内部に入
射させる。レーザ光１０で励起されたCr:LiSAF結晶４は
約860nmに最大強度を持ち、幅約400nmの範囲で蛍光発光
する。この光が共振器内部で反射を繰り返すうちにコー
ティング２３により波長選択された860nm±5nmの範囲で
レーザ発振が起き、それが共振器内部に閉じ込められ
る。他の波長は共振器外に出る割合が大きいためレーザ
発振には至らない。共振器内部に閉じ込められたレーザ
光に対し、さらにエタロン６による波長選択が加わる。
タロン６が配置してある。エタロン６の両面には860nm
±10nmの範囲で反射率40％、430nm±10nmに対し透過率9
5％のコーティング２１を施してある。KN結晶５の右面
に施したコーティング２３により10nmの波長幅に制限さ
れたレーザ発振が得られる。入射ミラー８の左側には波
長680nmの出力500mWの半導体レーザ１があり、そのレー
ザ光１０をコリメートレンズ２で平行ビームにした後、
集光レンズ３で入射ミラー越しCr:LiSAF結晶４内部に入
射させる。レーザ光１０で励起されたCr:LiSAF結晶４は
約860nmに最大強度を持ち、幅約400nmの範囲で蛍光発光
する。この光が共振器内部で反射を繰り返すうちにコー
ティング２３により波長選択された860nm±5nmの範囲で
レーザ発振が起き、それが共振器内部に閉じ込められ
る。他の波長は共振器外に出る割合が大きいためレーザ
発振には至らない。共振器内部に閉じ込められたレーザ
光に対し、さらにエタロン６による波長選択が加わる。
【００１６】エタロン６は単独では図３のように860nm
付近で波長間隔約13nmで透過率100％を持つ波長選択素
子である。エタロン６の波長選択性はエタロン６自体を
レーザの進行方向に対し角度変化させることで透過率ピ
ークの波長をシフトさせることができる。この方法でコ
ーティング２３によるレーザ発振のしやすさを表した曲
線３６のピーク波長と、エタロン透過率ピーク波長を一
致させることができる。エタロン６の波長選択幅は十分
狭いのでこの中に共振器モードは一本しか存在できず、
基本波１１は縦シングルモードとなる。さらに、KN結晶
５の温度をチューニングし、位相整合波長を基本波の波
長に一致させると、ＳＨＧ光１２が得られる。このとき
ＳＨＧ出力は基本波のモード競合が起こらないためノイ
ズが無く安定している。
付近で波長間隔約13nmで透過率100％を持つ波長選択素
子である。エタロン６の波長選択性はエタロン６自体を
レーザの進行方向に対し角度変化させることで透過率ピ
ークの波長をシフトさせることができる。この方法でコ
ーティング２３によるレーザ発振のしやすさを表した曲
線３６のピーク波長と、エタロン透過率ピーク波長を一
致させることができる。エタロン６の波長選択幅は十分
狭いのでこの中に共振器モードは一本しか存在できず、
基本波１１は縦シングルモードとなる。さらに、KN結晶
５の温度をチューニングし、位相整合波長を基本波の波
長に一致させると、ＳＨＧ光１２が得られる。このとき
ＳＨＧ出力は基本波のモード競合が起こらないためノイ
ズが無く安定している。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
内部共振器型SHGレ−ザあるいはSGFレーザをノイズのな
い安定な出力で動作させることができる。出力が安定な
ため、光ディスクシステム、各種計測機器、その他の分
野において有効に利用できる。
内部共振器型SHGレ−ザあるいはSGFレーザをノイズのな
い安定な出力で動作させることができる。出力が安定な
ため、光ディスクシステム、各種計測機器、その他の分
野において有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の装置構成を示す側面図。
【図２】実施例１で使用した出力ミラーのコーティング
仕様を示したグラフ図。
仕様を示したグラフ図。
【図３】本願発明のエタロンと出力ミラーの波長選択性
と共振器モードと位相整合波長、Cr:LiSAFの利得分布を
示したグラフ図。
と共振器モードと位相整合波長、Cr:LiSAFの利得分布を
示したグラフ図。
【図４】本発明の装置構成の他の実施例を示した側面
図。
図。
【図５】本発明の装置構成の他の実施例を示した側面
図。
図。
１．．．半導体レーザ ２．．．コリメートレンズ ３．．．集光レンズ ４．．．レーザ結晶、Cr:LiSAF結晶 ５．．．非線形光学結晶、KNbO3 ６．．．エタロン ７．．．出力ミラー ８．．．入射ミラー ９．．．複屈折フィルタ １０．．．半導体レーザ光 １１．．．基本波 １２．．．第２高調波 ２０．．．コーティング ２１．．．コーティング ２２．．．コーティング ２３．．．コーティング ２４．．．コーティング ２５．．．コーティング ３０．．．エタロン透過率 ３１．．．出力ミラーの波長選択性により生じるレーザ
発振のしやすさを示した曲線（曲線の上ほど発振しやす
い） ３２．．．共振器モード ３３．．．利得の波長分布 ３４．．．波長変換効率の波長分布 ３５．．．複屈折フィルタの波長選択性により生じるレ
ーザ発振のしやすさを示した曲線（曲線の上ほど発振し
やすい） ３６．．．結晶のコーティングにより生じるレーザ発振
のしやすさを示した曲線（曲線の上ほど発振しやす
い）。
発振のしやすさを示した曲線（曲線の上ほど発振しやす
い） ３２．．．共振器モード ３３．．．利得の波長分布 ３４．．．波長変換効率の波長分布 ３５．．．複屈折フィルタの波長選択性により生じるレ
ーザ発振のしやすさを示した曲線（曲線の上ほど発振し
やすい） ３６．．．結晶のコーティングにより生じるレーザ発振
のしやすさを示した曲線（曲線の上ほど発振しやす
い）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 英伸 東京都千代田区丸ノ内２丁目１番２号 日 立金属株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】半導体レーザ励起の固体レーザで、共振器
内に２つ以上の波長帯域選択手段を有することを特徴と
するレーザ装置。 - 【請求項２】請求項１のレーザ装置において、縦シング
ルモード発振するレーザ装置。 - 【請求項３】請求項２のレーザ装置において、共振器内
に前記波長帯域選択手段としてエタロンと狭帯域高反射
ミラーを有することを特徴とするレーザ装置。 - 【請求項４】請求項２のレーザ装置において、共振器内
に前記波長帯域選択手段としてエタロンと複屈折フィル
ターを有することを特徴とするレーザ装置。 - 【請求項５】請求項２のレーザ装置において、共振器内
に前記波長帯域選択手段としてエタロンと波長選択性の
コーティングを施した光学部品を有することを特徴とす
るレーザ装置。 - 【請求項６】請求項１〜５のうちいずれかに記載のレー
ザ装置において、共振器内に非線形光学素子を含むレー
ザ装置。 - 【請求項７】請求項６のレーザ装置において、非線形光
学素子がKN, LBO, CLBO, BBOのうちのいずれかであるこ
とを特徴とするレーザ装置。 - 【請求項８】半導体レーザ励起内部共振器型SHGレーザ
の発振方法において、共振器内のエタロンと出力ミラー
の２つに波長選択機能をもたせ、利得分布が波長幅に関
して広いレーザ媒体を用いたときにも基本波縦シングル
モード発振を得ることを特徴とするレーザの発振方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11730796A JPH09307160A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11730796A JPH09307160A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09307160A true JPH09307160A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14708516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11730796A Pending JPH09307160A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09307160A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6295305B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-09-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Second harmonic, single-mode laser |
| JP2006019514A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Asahi Glass Co Ltd | 波長可変ミラーおよび波長可変レーザ |
| WO2006080422A1 (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Eudyna Devices Inc. | レーザモジュールおよび外部共振型レーザの波長制御方法 |
-
1996
- 1996-05-13 JP JP11730796A patent/JPH09307160A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6295305B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-09-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Second harmonic, single-mode laser |
| JP2006019514A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Asahi Glass Co Ltd | 波長可変ミラーおよび波長可変レーザ |
| WO2006080422A1 (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-03 | Eudyna Devices Inc. | レーザモジュールおよび外部共振型レーザの波長制御方法 |
| JP2006210581A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Eudyna Devices Inc | レーザモジュール、レーザモジュールの制御装置、レーザモジュールの制御データ、光通信装置および外部共振型レーザの波長制御方法 |
| US7701984B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-04-20 | Eudyna Devices Inc. | Laser module and method of controlling wavelength of external cavity laser |
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060221 |