JP2001284719A - 外部共振型半導体レーザ - Google Patents

外部共振型半導体レーザ

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JP2001284719A
JP2001284719A JP2000100039A JP2000100039A JP2001284719A JP 2001284719 A JP2001284719 A JP 2001284719A JP 2000100039 A JP2000100039 A JP 2000100039A JP 2000100039 A JP2000100039 A JP 2000100039A JP 2001284719 A JP2001284719 A JP 2001284719A
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laser
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Hiroshi Suganuma
洋 菅沼
Michio Oka
美智雄 岡
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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単、かつ安価な構成により、効率良く半導
体レーザ光の波長変換を行う。 【解決手段】 所定の波長のレーザ光を出射する半導体
レーザ発振器1と、上記半導体レーザ発振器1から出射
されたレーザ光を波長変換する外部共振器とを備える外
部共振型半導体レーザにおいて、上記外部共振器内に体
積ホログラム3と非線形光学結晶5とを備え、上記体積
ホログラム3は、上記半導体レーザ発振器1から出射さ
れたレーザ光を回折して上記非線形光学結晶5に入射さ
せるとともに、波長変換されたレーザ光を選択的に透過
して外部に出射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部共振型半導体
レーザに関し、特に入射される半導体レーザ光の波長を
変換して特定波長の半導体レーザ光を発生させる外部共
振型半導体レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】外部共振器を用いて出射光をフィードバ
ックする外部共振型半導体レーザは、出射光の線幅を狭
帯域化することができる上、Distribution Feed Back L
aser (DFB), Distributed Bragg Reflector Laser(DBR)
などの半導体レーザに比べて高出力化が容易である。ま
た、ミラー若しくは回折格子を回転させること等の手段
により、波長を変えることができる。このような特長を
生かして、波長多重光通信、非線形光学効果を用いた波
長変換、レーザ冷却、周波数標準、環境やプロセス管理
のための分光計測、干渉計等数多くの用途に用いること
ができる。このような外部共振型半導体レーザは現在商
業的にも入手することが可能となっている。
【0003】共振器の代表的な構成例としては、リット
マン型(Michael G.Littman and Harold Metcalf, ”Sp
ectrally narrow pulsed dye laser without beam expa
nder”, Applied Optics.17.2224.1978、Michael G.Lit
tman, ”Single-mode operation of grating-incident
pulsed dye laser”, Optics Letters.3.38.1978, K.C.
Hervey and C.J.Myatt, ”External-cavity diode lase
r using a grazing-incident diffraction grating”,O
ptics Letters.16.910.1991)とリトロー型とがある。
リトロー型では、ブレーズド形状は特定の波長に対して
入射光と回折光の特定の次数(通常は1次)の光路が正
確に一致するように設計されている。そして、ブレーズ
ド型回折格子による回折光はレーザの共振器に帰還し、
内部の共振器の外側に入れ子状の外部共振器を形成す
る。これにより、グレーティングの分散により帰還する
光の波長が選択され、特定の波長のみがフィードバック
を受け増幅されることとなる。リットマン型の場合も、
同様に波長の選択性が機能する。また、リットマン型の
場合は、外部のミラーの角度を変更することにより、フ
ィードバックして内部の共振器に戻る波長を制御するこ
とができるために、容易に波長可変レーザを実現するこ
とができる。
【0004】また、実用上の出力や波長を安定化させる
ためには、この外部共振器の発振波長と内部共振器の発
振波長が一致させる必要がある。これを制御するための
方法として、例えば、液晶セルによる電気的制御方法
(J.Struck:meier et al, ”Electronically tunable e
xternal-cavity laser diode”,Optics Letters.24.157
3.1999)、フィードバックによる制御方法(特開平7−
30180号公報)、マイクロマシンによる制御方法
(特開平11−307879号公報、特開平10−20
9552号公報等)が提案されている。また、調整を容
易にするために、共焦点型の光学系を用いる方法(B.E
Bernacki et al,”Alignmen-insensitive technique fo
r wideband tuening of an unmodified semiconductor
laser”,Optics Letters.13.725.1988、特開平11−
503877号公報)、共振器のレゾナンスにより選択
された反射光を用いて周波数を安定化させる方法(B.Da
hmaniet al,”Frequency stabiization of semiconduct
or lasers by resonant optical feedback”, Optics L
etters.12.876.1987)、ミラーを特定の位置を中心に回
転させることで正確に位置決めする方法(USP5,319,66
8)等も提案されている。また、回折格子の分散を用い
て発振波長を選択する方法は、半導体レーザに限らず、
Co2、Arイオンなどの気体レーザ、エキシマレー
ザ、色素レーザ、Ti:Saphireなどの波長可変固体レーザ
等でも良く用いられる。通常、回折格子の回折効率は、
ブレーズドグレーティングとしても90%を越えるもの
は作製が困難であり、価格も高い。しかし、上述したレ
ーザはゲインが高く、低回折効率によって生じるロスを
十分埋め合わせることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この外部共
振型半導体レーザを波長変換することにより、より短波
長のコヒーレント光を発生させることが可能になる(W.
J.Kozlovsky et al,”Generation of 41mW of blue rad
iation by Frequency doubling of a GaAlAs diodelase
r”,Applied Physics Letters56()23),4 June,199
0、特開平10−506724号公報)。そして、半導
体レーザの発振波長は、広域に渡るため、波長変換を行
うことにより所望の波長を得ることが容易になる。しか
し、このような半導体レーザの直接波長変換には、半導
体レーザのアスペクト比を補正するためのアナモルフィ
ックプリズム、基本波と波長変換された光の分離を行う
ためのダイクロイックミラー、分散を発生させるための
ブレーズドグレーティング等、様々な光学部品が必要に
なる。したがって、半導体レーザの直接波長変換では、
外部共振器内の部品数が多くなるため、迷光が生じやす
く、ロスが多くなるばかりではなく、半導体レーザへの
戻り光が生じ動作が不安定になりやすいといる問題があ
る。したがって、外部共振器内の部品数を減らして簡略
化した外部共振器が求められている。
【0006】また、外部共振器のフィネスが低いという
問題がある。共振器内部での波長変換で変換効率を上げ
るには、ロスを減らして共振器に光を閉じこめる必要が
ある。しかし、波長選択のために用いられるブレーズド
グレーティングは、実際には80%程度の効率しか得ら
れないことが多い。そのため、共振器内でのパワーエン
ハンスメントの効果があまり得られないことになる。こ
れに対処するには、非線形定数の大きな非線形光学結晶
が必要になるが、これまでのところ十分な安定性が得ら
れる非線形光学結晶は見つかっていない。
【0007】したがって、本発明は、上述した従来の実
情に鑑みて考案されたものであり、簡単、かつ安価な構
成を有し、効率良く波長変換を行うことが可能な外部共
振型半導体レーザを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る外部共振型
半導体レーザは、所定の波長のレーザ光を出射する半導
体レーザ発振器と上記半導体レーザ発振器から出射され
たレーザ光を波長変換する外部共振器とを備える外部共
振型半導体レーザであって、外部共振器内に体積ホログ
ラムと非線形光学結晶とを備え、体積ホログラムは、半
導体レーザ発振器から出射されたレーザ光を回折して上
記非線形光学結晶に入射させるとともに、波長変換され
たレーザ光を選択的に透過して外部に出射することを特
徴とするものである。
【0009】本発明に係る外部共振型半導体レーザは、
外部共振器内に、体積ホログラムを備える。そして、体
積ホログラムは、ブレーズド型回折格子とアナモルフィ
ックプリズムとダイクロイックミラーとの3つの部材の
機能を有する。したがって、ブレーズド型回折格子とア
ナモルフィックプリズムとダイクロイックミラーとの3
つの部材を体積ホログラム1つに置き換えることが可能
となり、外部共振器を構成する部品数が削減される。ま
た、体積ホログラムは、優れた回折効率、波長選択性、
アスペクト比変換特性を有するため、効率良く所望の波
長変換レーザ光を得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、具体的な実施例に基づいて
詳細に説明する。
【0011】(実施例1)実施例1では、第二高調波を
発生させて波長変換を行う場合について説明する。 図
1は、本発明を適用した外部共振型半導体レーザの一構
成例を示した図である。
【0012】実施例1の外部共振型半導体レーザは、半
導体レーザ発振器1と、コリメータレンズ2、体積型ホ
ログラム3、集光レンズ4、非線形光学結晶5及び凹面
ミラーを有する外部共振器とを備えて構成される。
【0013】半導体レーザ発振器1は、所定波長のレー
ザ光を出射するものであり、例えば波長920nmのレ
ーザ光を出射するInGaAs半導体レーザを用いる。
ここで、波長920nmのレーザ光とは、920nm近
傍の波長を含むこととする。以下、本明細書における波
長に関しては、同様とする。また、半導体レーザ発振器
1は、出射側端面を反射防止コーティング(ARコー
ト)を施すことにより、反射率を0.001%以下にし
ておくことが望ましい。
【0014】ここで、上記外部共振型半導体レーザは、
外部共振器内における分散光学素子として、通常用いら
れるブレーズド型回折格子の代わりに体積型ホログラム
3を用いることを特徴とする。
【0015】体積型ホログラム3は、図2に示すよう
に、記録媒体内で傾いた方向の三次元回折格子であり、
回折光のビーム径は回折面内で縮小されるように記録さ
れたものが望ましい。半導体レーザの広がり角は、通常
基板水平方向では狭く、基板垂直方向で広い。体積型ホ
ログラム3は通常の回折格子と比べて、遙かに高い波長
選択性と角度選択性を有する。空間周波数としても、数
千本/mmという優れた空間周波数を有する。そして、
ブレーズド型回折格子の代わりに体積ホログラムを3用
いることにより、外部共振型半導体レーザの性能を向上
させることができる。
【0016】まず、第1に、波長選択性を高め、波長幅
を狭くすることができる。即ち、外部共振型半導体レー
ザから発振するレーザ光のコヒーレンス長を長くするこ
とができる。体積型ホログラム3は記録媒体中の2光線
の干渉縞を記録するために、通常良外部共振器に用いら
れるブレーズド型回折格子に比べて高い空間周波数と高
い回折効率を容易に実現することが可能である。したが
って、ブレーズド型回折格子を用いる場合に比べて、外
部共振器の波長選択性を向上させることができる。
【0017】このように、外部共振器の波長選択性を高
めることにより、出射するレーザ光の波長幅を狭くする
ことができる。即ち、所望の波長以外の波長のレーザ光
を分離することができるため、所望の波長により近いレ
ーザ光のみを取り出すことが可能となる。
【0018】また、外部共振器自体の波長選択性に比べ
ると遙かに広いが、体積型ホログラム3自体も通常用い
られる干渉フィルター以上の波長選択性を有するため、
これも外部共振器の波長選択性の向上に寄与する。そし
て、体積型ホログラム3は回折効率が高いために、外部
共振器のフィネスを通常よりも高くすることができるの
で、この効果は一層強められることとなる。
【0019】これにより、更にレーザ光の波長幅を狭く
することが可能となる。そして、レーザ光の波長幅を狭
くすることにより、レーザ光の視感特性を向上させるこ
とができ、視感特性の良好な優れた光源として機能する
ことができる。
【0020】以上のように、体積ホログラム3を用いる
ことにより、基本波と波長変換されたレーザ光との分離
を行うダイクロイックミラーとしての機能を果たすこと
が可能となる。
【0021】第2に、体積型ホログラム3の有する角度
選択性により、横モードについても選択性が生じるの
で、横モードを安定化させることができる。例えば、体
積ホログラム3の記録時に平面波を用いた場合には、再
生時には入射光の平面波成分のみが回折されることにな
る。したがって、波面が平面波ではない高次モードが生
じた場合においても、ほとんど回折光が生じることはな
く、外部共振器中での損失となる。その結果、内部共振
器にフィードバックされるのは、平面波成分ということ
になり、横モードが選択され、レーザ光の横モードを安
定させることができる。
【0022】第3に、半導体レーザの基板垂直面内でホ
ログラムへの入射と回折が起こるようにホログラムを設
計しておくことにより、体積型ホログラム3を用いて半
導体レーザのビームアスペクト比を1:1に近づけるこ
とができる。したがって、体積型ホログラム3は、アナ
モルフィックプリズムとしても機能する。
【0023】その原理を図3を用いて説明する。即ち、
入射角θ1、図の紙面内のビーム径R1の第1の光ビーム
7が、体積ホログラム3に入射する。体積ホログラム3
への入射光である第1の光ビーム7の断面径をdとす
る。そして、体積ホログラム3により回折及びアスペク
ト比の変換がなされた第2の光ビーム8は、出射角
θ 2、図の紙面面内のビーム径R2の状態で出射する。こ
のとき、θ1とR1及びθ2とR2との関係はそれぞれ下記
の式で表される。
【0024】
【数1】
【0025】
【数2】
【0026】したがって、これらの式からこの体積ホロ
グラム3のアスペクト比変換倍率Mは、次式のように表
される。
【0027】
【数3】
【0028】なお、紙面に垂直な方向では、ビーム径は
不変である。
【0029】上記の関係から、体積ホログラム記録時の
2光束の方向を適切に選択することにより、所望の倍率
Mでビーム径が一方向に拡大若しくは縮小されたビーム
を得ることができる。したがって、アナモルフィックプ
リズム等のアスペクト比変換手段を用いなくても、体積
型ホログラム3を用いてアスペクト比変換を実現するこ
とが可能になる。
【0030】そして、体積ホログラム3は、上述したよ
うに外部共振器内において通常用いられるブレーズド型
回折格子の代わりに分散光学素子としても機能してい
る。したがって、体積ホログラム3は、外部共振器にお
いてアナルモフィックプリズム、ダイクロイックミラー
及びブレーズド型回折格子の3つの機能を果たすことが
できるため、体積ホログラム3を用いることにより外部
共振器の構成を簡略化及び小型化することが可能とな
る。
【0031】また、体積ホログラム3は、Fe:LiN
bO3等の結晶により形成された結晶型の体積ホログラ
ムと、フォトポリマ等の材料により形成された体積ホロ
グラムとがあるが、本発明においては、何れの体積ホロ
グラムも用いることができる。しかしながら、フォトポ
リマに記録された体積ホログラムは、結晶型体積ホログ
ラムに比べて厚みを厚く形成することが可能であるた
め、体積ホログラムの形状的自由度が大幅に広がり、様
々な応用が可能となる。また、結晶型体積ホログラムの
場合、体積ホログラム中に形成した干渉縞は、20時間
程度で消滅してしまうが、フォトポリマに記録された体
積ホログラムの場合には、干渉縞の経時変化はなく、経
時特性に優れるため、分散光学素子としての信頼性を向
上させることができる。したがって、これらの理由か
ら、記録材料としてフォトポリマを用いることが好まし
い。
【0032】また、体積型ホログラムは、反射型体積ホ
ログラム1と透過型体積ホログラム6とに分類すること
もできるが、本発明においては、何れの体積型ホログラ
ムも用いることができる。
【0033】ここで、反射型体積型ホログラムの回折効
率は、角度位相不整合若しくは波長位相不整合に対し
て、中心角度若しくは中心波長近傍で緩やかな変化を示
す。これにより、反射型体積型ホログラムは、波長選択
性が高く、角度トレランスを比較的広く取ることができ
るという利点を有する。一方、体積ホログラムの回折効
率は、反射型体積ホログラムに比べて急峻な変化を示
す。これにより、反射型体積型ホログラムは、角度選択
性が高く、波長トレランスを比較的広く取ることができ
るという利点を有する。したがって、この角度位相不整
合若しくは波長位相不整合に対する変化の特性を考慮
し、目的により反射型体積ホログラムと透過型体積ホロ
グラムとを適宜選択してこれらの特性を活用することも
できる。
【0034】非線形光学結晶5は、入射したレーザ光波
長変換を行うものであり、本発明における波長変換は、
この非線形光学結晶5を用いることにより行われる。非
線形光学結晶5としては、BBO、CLBO、LBO、
KTP、LiNbO3、KNbO3等を用いることがで
き、使用するレーザ光の波長に応じて適宜選択すること
ができる。特に、近年開発が進められているInGaN
等を用いた短波長青色半導体レーザでは、波長406n
m近辺の波長を発生させることができるが、本発明を適
用し、BBO、SBBO、KBBF、CLBO等の非線
形光学結晶5を用いて波長変換することで、小型で低コ
ストのコヒーレント光源を構成することが可能となる。
また、バルク結晶以外にも、周期的分極反転構造を有す
るニオブ酸リチウムなどの非線形光学結晶5を用いるこ
とも可能である。その他の代表的な非線形光学結晶5と
半導体レーザとの組み合わせについて表1に示す。な
お、表1において、各記号は、以下の内容を示すのもで
ある。
【0035】 ○:組み合わせて使用することが可能 △:1部の波長において、組み合わせて使用することが
可能 ×:組み合わせて使用することが不可能
【0036】
【表1】
【0037】次に、実施例1の外部共振型半導体レーザ
の作用について説明する。
【0038】半導体レーザ発振器1から出射されたレー
ザ光は、コリメータレンズ2により平行光に変換された
後、体積型ホログラム3に入射する。
【0039】そして、体積型ホログラム3に入射したレ
ーザ光は、ホログラムにより所定の角度に回折され、集
光レンズ4により非線形光学結晶5中に集光される。ま
た、体積ホログラム3に入光したレーザ光は、ホログラ
ムにより所定のアスペクト比に変換され、所定のスポッ
ト形状に変換されている。
【0040】ここで、非線形光学結晶5に集光したレー
ザ光は、非線形光学結晶5により第二高調波に変換され
る。即ち、波長920nmのレーザ光は、波長460n
mの第二高調波に変換される。ここで、発生した第二高
調波は、直接体積ホログラムに向かうか、若しくは、非
線形光学結晶5を透過した後、後述する凹面ミラー6で
反射してから体積ホログラムに向かう。
【0041】非線形光学結晶5を透過したレーザ光は、
外部共振器端としての凹面ミラー6により反射される。
【0042】そして、凹面ミラー6で反射されたレーザ
光は、上記とは逆の光路をたどることにより、再度体積
型ホログラム3に入光する。ここで、体積型ホログラム
3は波長選択性を有するため、半導体レーザ発振器1か
ら出射された基本波に対して設計された体積ホログラム
3は、第二高調波に対しては回折をおこさず、第二高調
波は透過する。即ち、体積型ホログラム3は、ダイクロ
イックフィルターとしても機能する。
【0043】以上により、半導体レーザ発振器から出射
された波長920nmのレーザ光を波長460nmの第
二高調波に変換したコヒーレント光を得ることができ
る。
【0044】また、本発明においては、第二高調波発生
のために偏光方向を制御するには、図4のように1/2
波長板を配置した構成としても良い。図4に第1の変形
例の構成を示す。
【0045】図4において、図1の第1の実施例と異な
る点は、体積型ホログラム3と集光レンズ4との間に1
/2波長板9を配置し、凹面ミラー6の代わりに平面ミ
ラー10を用いて、非線形光学結晶5と平面ミラー10
との間にコリメータレンズ2を配置したことである。
【0046】第1の変形例では、体積型ホログラム3で
回折されたレーザ光は、1/2波長板9で所定の偏光方
向に変換され、集光レンズ4により非線形光学結晶5中
に集光される。ここで、非線形光学結晶5中に集光され
たレーザ光は、体積ホログラム3により所定のアスペク
ト比に変換され、所定のスポット形状に変換されてい
る。
【0047】そして、非線形光学結晶5に集光されたレ
ーザ光は、非線形光学結晶5により第二高調波に変換さ
れる。即ち、波長920nmのレーザ光は、波長460
nmの第二高調波に変換される。ここで、発生した第二
高調波は、直接体積ホログラム3に向かうか、若しく
は、非線形光学結晶5を透過した後、後述するコリメー
タレンズ2で平行光に変換され、平面ミラー10で反射
してから体積ホログラム3に向かう。
【0048】非線形光学結晶5を透過したレーザ光は、
外部共振器端としての平面ミラー10により反射され
る。
【0049】そして、凹面ミラー6で反射されたレーザ
光は、上記とは逆の光路をたどることにより、1/2波
長板9で元の偏光方向に変換され、再度体積型ホログラ
ム3に入光する。ここで、体積型ホログラム3は波長選
択性を有するため、半導体レーザ発振器1から出射され
た基本波に対して設計された体積ホログラム3は、第二
高調波に対しては回折をおこさず、第二高調波は透過
し、外部共振器外へと出射される。
【0050】以上により、半導体レーザ発振器1から出
射された波長920nmのレーザ光を波長460nmの
第二高調波に変換したコヒーレント光を得ることができ
る。
【0051】また、本発明においては、第2の変形例と
して図5に示すような構成としても良い。
【0052】図5において、図1の第1の実施例と異な
る点は、半導体レーザ発振器1と体積型ホログラム3と
の間のコリメータレンズ2、体積型ホログラム3と非線
形光学結晶5との間の集光レンズ4、及び凹面ミラー6
を無くし、外部共振型の出射側にコリメータレンズ2を
配し、非線形光学結晶5の出射側端面を凸面に加工、コ
ーティングして外部共振器端ミラー11としたことであ
る。
【0053】第2の変形例では、半導体レーザ発振器1
から出射されたレーザ光は、直接体積型ホログラム3に
入射し、体積ホログラム3により所定の角度に回折さ
れ、そのまま、非線形光学結晶5に入光する。ここで、
非線形光学結晶5中に集光されたレーザ光は、体積ホロ
グラム3により所定のアスペクト比に変換され、所定の
スポット形状に変換されている。そして、非線形光学結
晶5に集光されたレーザ光は、非線形光学結晶5により
第二高調波に変換される。即ち、波長920nmのレー
ザ光は、波長460nmの第二高調波に変換される。こ
こで、発生した第二高調波は、直接体積ホログラム3に
向かうか、若しくは、非線形光学結晶5の端部まで透過
した後、非線形光学結晶5の端面に形成した外部共振器
端ミラー11ーで反射してから体積ホログラム3に向か
う。
【0054】そして、再度、体積型ホログラム3に入光
したレーザ光は、体積型ホログラム3の波長選択性によ
り回折することなく透過してコリメータレンズ2で平行
光に変換されて外部共振器外へと出射される。
【0055】以上により、半導体レーザ発振器1から出
射された波長920nmのレーザ光を波長460nmの
第二高調波に変換したコヒーレント光を得ることができ
る。
【0056】また、本発明においては、第3の変形例と
して図6に示すような構成としても良い。
【0057】図6において、図1の第1の実施例と異な
る点は、体積型ホログラムと非線形光学結晶との間の集
光レンズを無くし、体積型ホログラムと非線形光学結晶
との間に凹面ミラーを配し、非線形光学結晶と外部共振
器端側の凹面ミラーの配置位置を変更したことである。
【0058】第3の変形例では、半導体レーザ発振器1
から出射されたレーザ光は、コリメータレンズ2により
平行光に変換された後、体積型ホログラム3に入射す
る。
【0059】そして、体積型ホログラム3に入射したレ
ーザ光は、体積ホログラム3により所定の角度に回折さ
れ、凹面ミラー6に向かう。そして、凹面ミラー6で反
射され、非線形光学結晶5中に集光される。ここで、非
線形光学結晶5中に集光されたレーザ光は、体積ホログ
ラム3により所定のアスペクト比に変換され、所定のス
ポット形状に変換されている。
【0060】そして、非線形光学結晶5に集光したレー
ザ光は、非線形光学結晶5により第二高調波に変換され
る。即ち、波長920nmのレーザ光は、波長460n
mの第二高調波に変換される。ここで、発生した第二高
調波は、直接体積ホログラム3に向かうか、若しくは、
非線形光学結晶5を透過した後、凹面ミラー6で反射さ
れる。
【0061】そして、凹面ミラー6で反射されたレーザ
光は、上記とは逆の光路をたどることにより再度体積型
ホログラム3に入光し、体積型ホログラム3の波長選択
性により回折することなく透過して外部共振器外へと出
射される。
【0062】以上により、半導体レーザ発振器1から出
射された波長920nmのレーザ光を波長460nmの
第二高調波に変換したコヒーレント光を得ることができ
る。
【0063】また、本発明においては、第4の変形例と
して図7に示すような構成としても良い。
【0064】図7において、図1の第1の実施例と異な
る点は、凹面ミラー6、平面、ミラー10非線形光学結
晶5によりリング型外部共振器を構成したことである。
【0065】第4の変形例では、半導体レーザから出射
されたレーザ光は、コリメータレンズにより平行光に変
換された後、体積型ホログラムに入射する。
【0066】そして、体積型ホログラムに入射したレー
ザ光は、ホログラムにより所定の角度に回折され、半導
体レーザにフィードバックされる。
【0067】そして、非線形光学結晶に集光したレーザ
光は、非線形光学結晶により第二高調波に変換される。
即ち、波長920nm近傍のレーザ光は、波長460n
m近傍の第二高調波に変換される。ここで、発生した第
二高調波は、凹面ミラー6を透過して出射する。
【0068】また、アクチュエータ12、フォトディテ
クタ13、サーボ制御回路14及び平面ミラー10を用
いて共振器長をフィードバック制御して、体積ホログラ
ムを用いたリトロー型外部共振型レーザ半導体レーザの
出射光のカップリング効率を高めることができる。
【0069】以上により、半導体レーザから出射された
波長920nm近傍のレーザ光を波長460nm近傍の
第二高調波に変換したコヒーレント光を得ることができ
る。
【0070】(実施例2)実施例2では、和周波混合を
行うことにより波長変換を行う場合について説明する。
図8は、本発明を適用した外部共振型半導体レーザの一
構成例を示した図である。
【0071】実施例2の外部共振型半導体レーザは、実
施例1に固体レーザ発振器及び固体レーザ用の光学系を
加えた構成とされる。即ち、実施例2は、実施例1に半
導体レーザ20、コンデンサレンズ21、凹面ミラー
6、レーザ結晶22、凹面ミラー6及び集光レンズ4を
加えた構成とされる。
【0072】半導体レーザ発振器1は、所定波長のレー
ザ光を出射するものであり、例えば波長810nmのレ
ーザ光を出射するGaAlAs半導体レーザを用いる。
また、半導体レーザ発振器1は、出射側端面を反射防止
コーティング(ARコート)を施すことにより、反射率
を0.001%以下にしておくことが望ましい。
【0073】固体レーザ発振器は、所定波長のレーザ光
を出射するものであり、例えば1064nmのコヒーレ
ント光を出射するNd:YAGレーザ若しくはNd:Y
VO 4レーザを用いる。
【0074】また、非線形光学結晶5と集光レンズ4と
の間の凹面ミラー6は、非線形光学結晶5中に固体レー
ザ発振器からの光が効率良く入射するように、波長81
0nmのレーザ光に対しては反射率が高く、波長106
4nmのレーザ光に対しては透過率が高くなるようにコ
ーティングを施す必要がある。
【0075】半導体レーザ発振器1から出射されたレー
ザ光は、実施例1と同様の形態をとる。一方、半導体レ
ーザ20から出射された励起光は、コンデンサレンズ2
1、凹面ミラー6、レーザ結晶22、凹面ミラー6及び
集光レンズ4を透過した後、半導体レーザ側の凹面ミラ
ー6に入光する。ここで、半導体レーザ側の凹面ミラー
6は、上述したように波長810nmのレーザ光に対し
ては反射率が高く、波長1064nmのレーザ光に対し
ては透過率が高くなるようにコーティングが施されてい
るため、固体レーザから出射された波長1064nmの
レーザ光は、ミラーを透過し、非線形光学結晶5に入光
する。そして、半導体レーザ発振器1から出射された波
長810nmのレーザ光と固体レーザ発振器から出射さ
れた波長1064nmのレーザ光とが非線形光学結晶に
より和周波混合され波長460nmのコヒーレント光と
して体積型ホログラム3を透過して外部共振器外へと出
射される。
【0076】以上により、半導体レーザ発振器1から出
射された波長810nmのレーザ光と固体レーザ発振器
から出射された波長1064nmのレーザ光とが和周波
混合され、波長460nmのコヒーレント光を得ること
ができる。
【0077】また、本発明においては、第5の変形例と
して図9に示すような構成としても良い。
【0078】第5の変形例の外部共振型半導体レーザ
は、変形例1に1/2波長板、固体レーザ発振器及び固
体レーザ用の光学系を加えた構成とされる。即ち、変形
例2は、実施例1の変形例1に1/2波長板9、固体レ
ーザ発振器、コンデンサレンズ21、凹面ミラー6、レ
ーザ結晶22、ミラー及び集光レンズを加えた構成とさ
れる。
【0079】半導体レーザ発振器1及び固体レーザ発振
器は、実施例2と同様に波長810nmのレーザ光を出
射するGaAlAs半導体レーザ及び1064nmのコ
ヒーレント光を出射するNd:YAGレーザ若しくはN
d:YVO4レーザを用いる。
【0080】また、コリメータレンズ2と集光レンズ4
との間の平面ミラー10は、実施例2と同様に、非線形
光学結晶5中に固体レーザ発振器からの光が効率良く入
射するように、波長810nmのレーザ光に対しては反
射率が高く、波長1064nmのレーザ光に対しては透
過率が高くなるようにコーティングを施す必要がある。
【0081】半導体レーザ発振器1から出射されたレー
ザ光は、変形例1と同様の形態をとる。一方、固体レー
ザ発振器から出射されたレーザ光は、平面ミラー15に
入光する。ここで、平面ミラー10は、上述したように
波長810nmのレーザ光に対しては反射率が高く、波
長1064nmのレーザ光に対しては透過率が高くなる
ようにコーティングが施されているため、固体レーザ発
振器から出射された波長1064nmのレーザ光は、平
面ミラー10を透過し、非線形光学結晶5に入光する。
そして、半導体レーザ発振器1から出射された波長81
0nmのレーザ光と固体レーザ発振器から出射された波
長1064nmのレーザ光とが非線形光学結晶5により
和周波混合され波長460nmのコヒーレント光として
体積型ホログラム3を透過して外部共振器外へと出射さ
れる。
【0082】以上により、半導体レーザから出射された
波長810nmのレーザ光と固体レーザから出射された
波長1064nmのレーザ光とが和周波混合され、波長
460nmのコヒーレント光を得ることができる。
【0083】また、本発明においては、第6の変形例と
して図10に示すような構成としても良い。
【0084】第6の変形例の外部共振型半導体レーザ
は、変形例2に固体レーザ及び固体レーザ用の光学系を
加えた構成とされる。即ち、変形例5は、実施例1の変
形例1に固体レーザ発振器、コンデンサレンズ21、凹
面ミラー6、レーザ結晶22、凹面ミラー6及び集光レ
ンズ4を加えた構成とされる。
【0085】半導体レーザ発振器1及び固体レーザ発振
器は、実施例2と同様に波長810nmのレーザ光を出
射するGaAlAs半導体レーザ及び1064nmのコ
ヒーレント光を出射するNd:YAGレーザ若しくはN
d:YVO4レーザを用いる。
【0086】また、非線形光学結晶5の固体レーザ発振
器側端面は、非線形光学結晶5中に固体レーザ発振器か
らの光が効率良く入射するように、波長810nmのレ
ーザ光に対しては反射率が高く、波長1064nmのレ
ーザ光に対しては透過率が高くなるようにコーティング
を施す必要がある。
【0087】半導体レーザ発振器1から出射されたレー
ザ光は、変形例2と同様の形態をとる。一方、固体レー
ザ発振器から出射されたレーザ光は、コンデンサレンズ
21、凹面ミラー6、レーザ結晶22、凹面ミラー6及
び集光レンズ4を透過した後、非線形光学結晶5に入光
する。ここで、非線形光学結晶5の固体レーザ発振器側
端面は、上述したように波長810nmのレーザ光に対
しては反射率が高く、波長1064nmのレーザ光に対
しては透過率が高くなるようにコーティングが施されて
いるため、固体レーザ発振器から出射された波長106
4nmのレーザ光は、非線形光学結晶5に入光する。そ
して、半導体レーザ発振器1から出射された波長810
nmのレーザ光と固体レーザ発振器から出射された波長
1064nmのレーザ光とが非線形光学結晶5により和
周波混合され波長460nmのコヒーレント光として体
積型ホログラム3を透過して外部共振器外へと出射され
る。
【0088】以上により、半導体レーザ発振器1から出
射された波長810nmのレーザ光と固体レーザ発振器
から出射された波長1064nmのレーザ光とが和周波
混合され、波長460nmのコヒーレント光を得ること
ができる。
【0089】また、本発明においては、第7の変形例と
して図11に示すような構成とすることにより、非線形
光学結晶5を半導体レーザと固体レーザの共振器が重な
る部分におくことができ、どちらの波長に対しても共振
器中に非線形光学結晶5を配置することができる。な
お、この場合は非線形光学結晶としてKTP等を用いる
こともできる。
【0090】半導体レーザ発振器1及び固体レーザ発振
器は、実施例2と同様に波長810nmのレーザ光を出
射するGaAlAs半導体レーザ及び1064nmのコ
ヒーレント光を出射するNd:YAGレーザ若しくはN
d:YVO4レーザを用いる。
【0091】半導体レーザ発振器1から出射されたレー
ザ光は、半導体レーザ発振器1、コリメータレンズ2、
体積ホログラム3、集光レンズ4、凹面ミラー810n
m用凹面ミラー24によって外部共振型レーザ半導体レ
ーザとして狭帯化された810nm近辺のコヒーレンス
光を共振器内に発生させる。エンドポンプ励起用半導体
レーザ25若しくは再度ポンプ励起用半導体レーザ26
により励起されたNd:YAGレーザ結晶27は、10
64nmの光を発生させる。その共振器は、1064n
m用凹面ミラー28及び29、Nd:YAGレーザ結晶
27、平面ミラー30により構成される。810nmの
半導体レーザの外部共振器と1064nmのNd:YA
Gレーザの共振器は、1064nm用凹面ミラー28と
29の間に配された非線形光学結晶5で和周波混合され
る。
【0092】そして、半導体レーザ発振器1から出射さ
れた波長810nmのレーザ光と固体レーザ発振器から
出射された波長1064nmのレーザ光とが非線形光学
結晶により和周波混合され波長460nmのコヒーレン
ト光として体積型ホログラムを透過して外部共振器外へ
と出射される。
【0093】以上により、半導体レーザ発振器1から出
射された波長810nmのレーザ光と固体レーザ発振器
から出射された波長1064nmのレーザ光とが和周波
混合され、波長460nmのコヒーレント光を得ること
ができる。
【0094】上記において説明した波長460nmの青
色光は、青色としては比較的視感度も高く、緑色光と赤
色光の光と合成してレーザディスプレイを構成する場合
に特に有効である。しかし、これまでは、この波長を効
率良く大出力で発生させることが困難であった。もちろ
ん、本件手法は他の半導体レーザや固体レーザなどとの
組み合わせにより、このほかの波長発生に対しても有効
である。
【0095】また、上述した外部共振型半導体レーザに
おいて、実用上問題になるのは、共振器長の経時変化で
ある。振動、温度変化、空気の対流等により、光路長が
変化した場合、共振器長が変化して出力変動が生じる。
しかし、これらの問題点については、振動を除去する、
共振器全体をシールドする、半導体レーザをペルチエ素
子にマウントし温度調節をかける、半導体レーザの注入
電流を制御する、ミラーなどの光学素子の一部をピエゾ
素子やボイスコイルモーターなどのアクチュエータにマ
ウントして出力光からのフィードバック信号で位置制御
する、など種々の方法で解決することができる。
【0096】また、ホログラムについては、記録時と再
生時の波長が同じである必要はないが、その場合は物体
光と参照光は共に平面波であることが再生時のブラッグ
位相整合条件から望ましい。記録時と再生時の仕様波長
が異なり、再生時に平面波以外の波面を発生させたい場
合は、この補正を含めて記録時の光学系を補正光学系を
含めて設計すれば良い。この補正光学系には、任意の波
面を発生させるために、ホログラム、非球面光学素子、
偏芯光学系などの収差を有する光学系、回折型光学素子
や液晶パネルなどの空間変調器、等を用いることができ
る。
【0097】以上、本発明に係る外部共振型半導体レー
ザでは、外部共振器において体積ホログラムを用いてい
るため、効率良くレーザ光の波長変換を行うことがで
き、所望のレーザ光を良好な状態で得ることができる。
【0098】また、体積ホログラムを用いているため、
外部共振器の部品点数を削減することができる。したが
って、装置の構成を簡略化、小型化することが可能とな
り、コスト的にも優れたものとなり、装置の信頼性も向
上する。そして、光利用効率が向上するため、光源に係
る負荷も低減させることができ、消費電力も削減するこ
とができる。
【0099】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る外部共振型半導体レーザは、所定の波長のレーザ光
を出射する半導体レーザ発振器と、上記半導体レーザ発
振器から出射されたレーザ光を波長変換する外部共振器
とを備える外部共振型半導体レーザであって、上記外部
共振器内に体積ホログラムと非線形光学結晶とを備え、
上記体積ホログラムは、上記半導体レーザ発振器から出
射されたレーザ光を回折して上記非線形光学結晶に入射
させるとともに、波長変換されたレーザ光を選択的に透
過して外部に出射する。
【0100】本発明に係る外部共振型半導体レーザは、
外部共振器内に、体積ホログラムを備える。そして、体
積ホログラムは、ブレーズド型回折格子とアナモルフィ
ックプリズムとダイクロイックミラーとの3つの部材の
機能を有する。したがって、ブレーズド型回折格子とア
ナモルフィックプリズムとダイクロイックミラーとの3
つの部材を体積ホログラム1つに置き換えることが可能
となり、外部共振器を構成する部品数が削減される。こ
れにより、ロスが少なく信頼性の高い外部共振型半導体
レーザを構成することが可能となる。また、外部共振器
の構成部品数が削減できるため、外部共振器の構成を簡
略化及び小型化することが可能となり、低コストかを図
ることも可能となる。また、体積ホログラムは、優れた
回折効率、波長選択性、アスペクト比変換特性を有する
ため、効率良く所望の波長変換レーザ光を得ることがで
きる。
【0101】したがって、本発明によれば、簡素、かつ
安価な構成を有し、効率良く波長変換を行うことが可能
な外部共振型半導体レーザを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した外部共振型半導体レーザの一
構成例を示した図である。
【図2】体積ホログラムの一例を示す断面図である。
【図3】体積ホログラムによるアスペクト比変換の原理
を説明した図である。
【図4】第1の変形例の構成を説明した図である。
【図5】第2の変形例の構成を説明した図である。
【図6】第3の変形例の構成を説明した図である。
【図7】第4の変形例の構成を説明した図である。
【図8】本発明を適用した外部共振型半導体レーザの一
構成例を示した図である。
【図9】第5の変形例の構成を説明した図である。
【図10】第6の変形例の構成を説明した図である。
【図11】第7の変形例の構成を説明した図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ発振器、2 コリメータレンズ、3
体積ホログラム、4集光レンズ、5 非線形光学結晶、
6 凹面ミラー、7 第1の光ビーム、8第2の光ビー
ム、9 1/2波長板、10 平面ミラー、11 外部
共振器端ミラー、20固体レーザ発振器、21 コンデ
ンサレンズ、22 レーザ結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2K002 AB12 AB27 AB40 CA02 CA03 DA01 GA10 HA20 5F073 AA67 AA83 AB21 AB23 AB25 AB27 AB29 CA05 CA07 EA29

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の波長のレーザ光を出射する半導体
    レーザ発振器と、上記半導体レーザ発振器から出射され
    たレーザ光を波長変換する外部共振器とを備える外部共
    振型半導体レーザであって、 上記外部共振器内に体積ホログラムと非線形光学結晶と
    を備え、 上記体積ホログラムは、上記半導体レーザ発振器から出
    射されたレーザ光を回折して上記非線形光学結晶に入射
    させるとともに、波長変換されたレーザ光を選択的に透
    過して外部に出射することを特徴とする外部共振型半導
    体レーザ。
  2. 【請求項2】 上記体積ホログラムは、上記半導体レー
    ザ発振器から出射されたレーザ光のアスペクト比を変換
    して、上記非線形光学結晶に入射させるレーザ光のスポ
    ット形状を制御することを特徴とする請求項1記載の外
    部共振型半導体レーザ。
  3. 【請求項3】 上記外部共振器は、上記半導体レーザ発
    振器から出射されたレーザ光を第2高調波に変換するこ
    とにより波長変換を行うことを特徴とする請求項1記載
    の外部共振型半導体レーザ。
  4. 【請求項4】 上記半導体レーザ発振器は、InGaA
    s半導体レーザであり、 当該InGaAs半導体レーザから出射する波長920
    nmのコヒーレント光を第2高調波である波長460n
    mのコヒーレント光に波長変換することを特徴とする請
    求項3記載の外部共振型半導体レーザ。
  5. 【請求項5】 上記外部共振器は、所定の波長のレーザ
    光を出射する固体レーザ発振器を上記外部共振器の上記
    波長変換レーザ光の出射側と反対側に備え、 上記半導体レーザ発振器から出射されたレーザ光と上記
    固体レーザ発振器から出射されたレーザ光とを上記外部
    共振器で和周波混合することにより波長変換を行うこと
    を特徴とする請求項1記載の外部共振型半導体レーザ。
  6. 【請求項6】 上記半導体レーザ発振器は、GaAlA
    s半導体レーザであり、上記固体レーザ発振器は、N
    d:YAGレーザ若しくはNd:YVO4レーザであ
    り、 上記半導体レーザ発振器から出射する波長810nmの
    コヒーレント光と上記固体レーザ発振器から出射する波
    長1064nmのコヒーレント光とを和周波混合して波
    長460nmのコヒーレント光に波長変換することを特
    徴とする請求項5記載の外部共振型半導体レーザ。
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