JP4238530B2 - レーザ光発生装置及びレーザ光発生方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造用露光装置、紫外線検査装置等の光源として用いられるレーザ光を発生するレーザ光発生装置及びレーザ光発生方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、連続波レーザの励起には連続波の励起光を用いるのが当たり前であった。この励起光は、レーザ効率を高めるためには輝度が高いことが望ましく、また、通常励起されるレーザの発振波長より短波長である必要があるため、波長変換等により短波長化された品質の良いレーザ光が多用されてきた。
【0003】
このため、システムの効率向上のためには、励起光発生のための波長変換を効率良く行うことが前提になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、通常の連続波光を用いて簡単に効率の良い波長変換を行うことは困難であった。
【0005】
高出力の励起光を得る際に、波長変換効率を高くするためには、連続波の場合、よほど平均出力が大きくない限り、外部共振器などのエンハンスの手段が必要である。外部共振器を用いる場合、入射する元の光源(基本波)が縦単一モードであることが実用的に必要であるなど、技術的制約が大きかった。
【0006】
また、共振器内で連続波のSHGを発生する方法では、効率は悪くないものの、実用上問題となるモード結合による不安定化を防止するために、種々の手段を講じる必要があり、装置が複雑化または大型化する嫌いがあった。
【0007】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、装置を複雑化又は大型化することなく、安定に略連続波のレーザ光を効率良く出力することができるレーザ光発生装置及びレーザ光発生方法の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るレーザ光発生装置は、前記課題を解決するために、パルス光を発生する第1のレーザ発振手段と、前記第1のレーザ発振手段からのパルス光によって励起される、第2のレーザ発振手段とを備え、前記第1のレーザ発振手段は前記第2のレーザ発振手段の緩和発振周波数frよりも3倍以上高い繰り返し周波数fpのパルス光を発生し、前記第2のレーザ発振手段は前記パルス光によって励起されて略連続波のレーザ光を出力する。
【0009】
パルス光では、同じ平均パワーの時にピークパワーが連続波より高くなる(およそデューティー比分の1倍になる)。従って、波長変換、特に第二高調波の変換効率を容易に高く出来、励起光源として好適な、前記第1のレーザ発振手段による短波長光を効率良く得ることができる。
【0010】
特に、前記第1のレーザ発振手段のパルス繰り返し周波数fpを、緩和発振周波数の3倍以上の周波数にし、fp≧3frを成立させたときには第2のレーザ発振手段に、平均値±20%以内の変動に抑えた略連続波のレーザ光を出力させることができる。
【0011】
本発明に係るレーザ光発生方法は、前記課題を解決するために、パルス光を発生する第1のレーザ発振手段と、前記第1のレーザ発振手段からのパルス光によって励起される第2のレーザ発振手段とを用いてレーザ光を発生するためのレーザ光発生方法であって、前記第1のレーザ発振手段には前記第2のレーザ発振手段の緩和発振周波数frよりも3倍以上高い繰り返し周波数fpのパルス光を発生させ、前記第2のレーザ発振手段には、平均値±20%以内の変動に抑えられた略連続波のレーザ光を出力させる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のレーザ光発生装置及びレーザ光発生方法の実施の形態について図面を参照しながら説明する。この実施の形態は、図1に示すように、第1のレーザ発振器10と、第1のレーザ発振器10の発生光によって励起される第2のレーザ発振器20とを備える、レーザ光発生装置1である。
【0013】
第1のレーザ発振器10は、繰り返し周波数fpのパルス光Pulを発生する。第2のレーザ発振器20は、前記第1のレーザ発振器10からのパルス光Pulによって励起される。特に、第1のレーザ発振器10は第2のレーザ発振器20の緩和発振周波数frよりも高いパルス繰り返し周波数fpのパルス光Pulを発生し、第2のレーザ発振器20は前記パルス光Pulによって光励起されて前記パルス光のパルスデューティ比よりも高いパルスデューティ比の略連続波レーザ光CWであって、パルス光の波長λ1よりも長い波長λ2(λ2>λ1)の略連続波レーザ光CWを出力する。
【0014】
第1のレーザ発振器10と第2のレーザ発振器20の間には、第1のレーザ発振器10によって発生された繰り返し周波数fpで波長λ1のパルス光Pulを励起光として第2のレーザ発振器20に投影するための光学系(レンズ、ミラーなどからなる)19が配置されている。
【0015】
第1のレーザ発振器10は、前記パルス光Pulを得るために、波長λ0(λ0>λ1)の基本波レーザ光RWを発生する元レーザ(基本波レーザ)11と、基本波レーザ光RWを増幅する増幅器12と、増幅器12により増幅された基本波レーザ光RWを投影するためのレンズ13と、レンズ13で投影された基本波レーザ光RWを波長変換する非線形光学結晶素子14と、波長変換されたレーザ光を反射し、基本波レーザ光RWを透過する波長選択性のある波長分離ミラー15とを備えている。
【0016】
基本波レーザ11は、例えば半導体レーザ又は半導体励起固体レーザであり、波長λ0の基本波レーザ光RWを発生する。この基本波レーザ光RWは、必要に応じて増幅器12により増幅された後、レンズ13により投影され、波長変換素子14に入射する。
【0017】
波長変換素子14は、基本波レーザ光RWを波長変換し、波長λ1の例えば第2高調波(SHG)である前記パルス光Pulを発生する。この第2高調波であるパルス光Pulは、波長選択性のある波長分離ミラー15により反射されて、第1のレーザ発振器10の出力光(励起光)として光学系19を介して第2のレーザ発振器20に入射する。波長分離ミラー15の波長選択性は、波長λ1の光を反射し、波長λ0の光を透過するような性質である。このため、波長分離ミラー15は、基本波レーザ11からの波長λ0の基本波レーザ光RWを透過する。
【0018】
この第1のレーザ発振器10では、前記波長変換光(第2高調波であるパルス光Pul)を得るのに、シングルパスでの変換を行っているが、効率向上のために共振器内波長変換などを利用するようにしてもよい。
【0019】
第2のレーザ発振器20は、結晶、ガラス、焼結体、ファイバーなどからなる固体レーザ媒質21と、この固体レーザ媒質21を挟んで共振器を形成するために配設される光学系22、23とからなる。この光学系22、23は、必要に応じてその種類と数を決めるものとする。
【0020】
固体レーザ媒質21は、前記第1のレーザ発振器10からの前記パルス光Pulによって光励起されて波長λ2の略連続波レーザ光CWを出力する。この略連続波レーザ光CWは連続波に準ずるものである。
【0021】
このとき、第1のレーザ発振器10のパルス繰り返し周波数fpは、前述したように、第2のレーザ発振器20の緩和発振周波数frよりも高い周波数であり、fp>frの関係を満たすものである。
【0022】
さらに、第1のレーザ発振器10のパルス繰り返し周波数fpが、
fp≧3fr (1)
のように、第2のレーザ発振器20の緩和発振周波数frの3倍以上の高い周波数であるときには、ほとんど連続波のレーザ光CWを出力することができる。
【0023】
上記(1)式の条件を満足することにより、ほとんど連続波のレーザ光CWは、図2に示すように、例えば時間t0が100μsec(100000nsec)であるときの、出力変動Pmを平均値Pavの±20%以内に抑えられるものとなった。
【0024】
ここで、緩和発振周波数frは、参考文献「"Lasers", ed. Siegman, University Science Books, (1986)」などにより、
fr=1/2π・√(r−1)/(τcτf) (2)
で与えられることが知られている。
【0025】
なお、上記(2)式においてr、τc、τfは以下に示すように定義されている。rは閾値励起パワーに対する励起平均パワーの比であり、Pop/Pth(Popは動作時の励起平均パワー、Pthは閾値励起パワー)で求められる。
【0026】
また、τcは共振器減衰時間(sec)であり、下記の(3)式で与えられる。
τc=T/δc (3)
ここで、Tは共振器の周回時間(sec)、δcは発振光の周回損失率を表す。つまり、このτcは、第2のレーザ発振器20の特性によって決まる。ミラー22とミラー23間の光路長や、固体レーザ媒質21の材料、さらに、これらの反射率等に影響され、共振器内で出力光のパワーが1/eになるまでの時間と等価である。
【0027】
また、τfは上準位緩和時間(sec)であり、固体レーザ媒質21の特性にかかわる。いわゆる蛍光寿命と表現されることもある。短いパルス光を前記固体レーザ媒質等に当てたとき、原子は瞬間的に光るが、ある時間を経過すると活性がなくなり、暗くなる。その暗くなるまでの平均時間である。つまり、光を当てたとき上がった準位が減衰するまでの平均時間である。
【0028】
次に、前記レーザ光発生装置1の具体例について説明する。この具体例は、基本波レーザ(元レーザ)11がNd:YVO4レーザ、非線形光学結晶素子14がLBO結晶、元レーザの波長が1064nm、パルス光Pulの波長が532nm、固体レーザ媒質21がチタンサファイヤ(Ti:Sapphire)レーザ結晶、略連続波レーザ光CWの波長が750nmであるレーザ光発生装置である。
【0029】
図1に示した構成のレーザ光発生装置1では、チタンサファイヤレーザ結晶である固体レーザ媒質21を含む第2のレーザ発振器20が2枚のミラー22と23に挟まれて構成されており、定在波型共振器である。
【0030】
このような構成のレーザ光発生装置1の具体例において、第1のレーザ発振器10内の基本波レーザ(Nd:YVO4レーザ)11は、波長λ0=1064nmの基本波レーザ光RWを発生する。この基本波レーザ光RWは増幅器12によって増幅された後、レンズ13によって投影され、非線形光学結晶素子14(LBO結晶)に入射する。非線形光学結晶素子14(LBO結晶)は、基本波レーザ光RWを波長変換し、λ1=532nmのパルス光Pulを発生する。波長λ1=532nmのパルス光Pulは、波長分離ミラー15によって90度に反射され、光学系19を介して第2の発振器20に向かう。
【0031】
第2の発振器20内の固体レーザ媒質(チタンサファイヤレーザ結晶)21は、前記λ1=532nmのパルス光Pulによって光励起され、ミラー22及び23で形成される共振器内でレーザ光を共振させてから波長λ2=750nmの光を出力する。
【0032】
図3にはチタンサファイヤレーザ結晶21の吸収、発光特性を示す。吸収特性(実線)は500nm付近をピークとし、発光特性(破線)は750nm付近をピークとしている。このような特性により、チタンサファイヤレーザ結晶21は波長532nmのパルス励起光を吸収して750nmから800nm付近で連続波レーザ光を発振する。
【0033】
このレーザ光発生装置1の具体例において、固体レーザ媒質(チタンサファイヤレーザ結晶)21を前記λ1=532nmのパルス光Pulによって光励起したときの出力応答について図4〜図9を用いて説明する。ある励起レベルにおいて、パルス励起光Pulのパルス繰返し周波数fpを変化させたときの、出力光の立ち上がり過渡応答を示したものである。固体レーザ媒質(チタンサファイヤレーザ結晶)21の緩和発振周波数frは約600KHzである。パルス励起光の繰返し周波数fpはそれぞれ、図4が200kHz、図5が500kHz、図6が1MHz、図7が2MHz、図8が5MHz、図9が10MHzであり、横軸は時間(nsec)、縦軸は相対強度を表す。図6、図7、図8、図9に示された例では、図中の立ち上がり時に尖塔値の高いピークが見受けられるが、励起光の平均値を徐々に上昇させるなどの方法を用いることで、この大きな尖塔値のピークを低く抑えることが可能である。
【0034】
図4、図5に示した出力応答では、パルスデューティ比は高くなるが出力応答が全く落ち着かず、かつ明らかに出力変動が激しすぎる。もちろん、連続波レーザ光とはほど遠いものとなっている。図6はパルス繰り返し周波数fpが1MHzのときの出力応答であるが、20000nsec(20μsec)を経過すると出力変動がある程度は落ち着く。図7は前記fpが2MHzのときの出力応答である。励起開始から20000nsec(20μsec)を経過すると出力変動がある程度は落ち着きだし、100μsecのときには前記図2で示したように出力変動率を約±20%以内に抑えることができる。前記fpが5MHzの図8、10MHzの図9に示す出力応答では、出力変動率をさらに低下させることができ、ほとんど連続波レーザ光CWである出力を得ることができる。
【0035】
これらの出力応答は一例であるが、繰返し周波数fpを2MHz以上にすればノイズ約±20%以内に抑圧することができ、実用的な連続波レーザ光に準じた略連続波レーザ光CWを生成することができる。繰り返し周波数fpは2MHz以上であるので、固体レーザ媒質21の緩和発振周波数fr=600kHzの3倍以上となっており、前記(1)式の条件を満たしている。
【0036】
ところで、SHGのような波長変換において、パルス波を発生するときには、平均パワーに対して尖頭値が高くなっている。おおむねパルスデューティ比が0.01以下である。平均値に対して100倍位ピーク値が高くなっている。100倍位ピークが高ければエネルギー(平均値)が同じでも、変換効率はピークの2乗に比例するので、波長変換における変換効率は励起光が連続波レーザ光であるときよりも高くなる。
【0037】
したがって、繰返し周波数fpが2MHz以上であり、尖頭値のパルスデューティ比が0.01以下であるようなパルス光を励起光として用いるとレーザ光発生装置1の具体例はほとんど連続波レーザ光CWである出力光を効率良く発生することができる。
【0038】
もちろん、略連続波レーザ光CWの用途によっては、図6に示したfp=1MHz程度のパルス光によって光励起された出力光を用いることもある。この場合、励起光のパルス繰り返し周波数fpは固体レーザ媒質の緩和発振周波数frよりも大である条件を満たしている。
【0039】
なお、図10には、励起用パルスの波形を示す。パルス幅Δtは一定であり、繰り返し周波数fpに反比例するパワーを有するものとする。よって、ピークパワーは平均パワー/(fp・Δt)によって求められ、またデューティーは1/(fp・Δt)によって求められる。
【0040】
また、図1に示した第1のレーザ発振器10は、前記Nd:YVO4レーザのほかにもNd、Yb、Cr、Tiなどの金属イオンをドープした固体レーザ結晶、セラミック、ガラスを利用した赤外レーザ出力やその出力を増幅後してから、非線形光学結晶により、波長変換(第二高調波や和周波、差周波)を発生させた光源が考えられる。たとえば、Nd:YAG、Nd:YVO4、Nd:YLF、Nd:YALO、Nd:GLASS、Nd:FAP、NLP、ないしは、Yb:YAG、Yb:YVO4、Yb:GLASSなどがある。
【0041】
また、第1のレーザ発振器10は、半導体レーザにより励起された、希土類元素ドープのファイバーレーザの第2高調波を発生してもよい。また、第1のレーザ発振器10は、半導体レーザにより励起された、希土類元素ドープのファイバー増幅器で増幅されたレーザ光の第2高調波を発生してもよい。
【0042】
増幅器12としては、エンドポンプ型のほか、サイドポンプ、光ファイバーなどが考えられる。
【0043】
これらの第1のレーザ発振器10(赤外パルスレーザ)は、光源自体のパルス動作の他、Qスイッチ、光ファイバー、或いは過飽和吸収体によりパルス動作するものでもよい。
【0044】
過飽和吸収体は、基本波レーザ11が連続波励起であるときにパルス発振させるものであり、Cr:YAGなどの誘電体材料のほかに、半導体過飽和吸収体として知られるSESAM(semiconductor saturable-absorber mirror)を用いることができる。このSESAMについては、「J.Opt.Soc.Am.B/Vol.16,No.3/March 1999 P376-P388」に開示されている。
【0045】
また、第1のレーザ発振器10自体である励起光源は、GaAs系(GaAlAs)、InGaAlP系などの半導体をパルス駆動した光源であっても良い。また、GaN系(InGaN、AlGaN)、AlN系などの短波長の半導体をパルス駆動した光源であっても良い。これらの場合、パルス駆動することで、見かけの閾値が下がり、また、熱特性を改善することができ、効率向上に役立つ、または、パルスでしか駆動できない高出力のものも利用できる。吸収波長に応じて、Tiドープのレーザ(Ti:Sapphire)や、Crドープのレーザ(Cr:LiSAF、Cr:LiCAF)などに有効である。また、第1のレーザ発振器10自体を、モードロックレーザ、繰返しの早いQスイッチレーザとしてもよい。
【0046】
また、第2のレーザ発振器20の共振器内または外部に置かれた共振器において、更なる波長変換用結晶を配置して、和周波発生、差周波発生、第二高調波を発生させれば高い効率で波長変換が可能となる。
【0047】
なお、前記図1に示した第2のレーザ発振器20のような定在波型共振器では、空間ホールバーニングによりゲインの空間分布が均一でなくなるため、縦多モード発振しやすいことがある。そこで、図11に示すような1/4波長板(31、31’)を固体レーザ媒質21の両側に配置したツイストモード法を適用した第2のレーザ発振器30を用いてもよい。この第2のレーザ発振器30を用いることにより、レーザ光発生装置は、縦多モード発振を抑えることができるので、波長制御を行いやすくなる。
【0048】
また、図12に示すような第2のレーザ発振器40を用いてもよい。この第2のレーザ発振器40は、ミラー数(41、42)を増やしたり全反射を用いるなどにより一方向リング型共振器を構成し、空間ホールバーニングを低減する。特に、一方向発振のために43で示すファラデーローテータと波長板の組合せを配置している。このほか、記載しない複屈折フィルタ、エタロン、レファレンス共振器を配置するなどの手段が必要な用途もある。また、固体レーザ媒質21はブリュースターカットされている。これは偏光制御をして一方向発振する場合に好適であるが、減反射コートされた平行な対抗面を有するものであっても良い。
【0049】
また、第2のレーザ発振器20,30及び40に搭載された固体レーザ媒質21は、チタンイオン又はクロムイオンをドープされた固体レーザ媒質であってもよい。
【0050】
また、第2のレーザ発振器20,30及び40を構成する共振器中に、更なる波長変換用結晶を配置し、第2のレーザの第2高調波を発生するようにしてもよい。また、同様に、第2のレーザ発振器20,30及び40を構成する共振器中に、更なる波長変換用結晶を配置し、和周波、又は差周波を発生するようにしてもよい。
【0051】
また、図12に示すような第2のレーザ発振器20,30及び40を構成する共振器に、外部から安定したレーザー光を注入してもよい。この場合、共振器内にファラデーローテータなどの素子が不要になる場合もある。縦単一周波数の連続波光源と、インジェクションロッキングの技術を用いることで、波長の安定なレーザ光を増幅可能である。第2のレーザ共振器がリング共振器であるときに、発振光のゲインのある波長の光を外部より導入し、インジェクションロッキングすれば、自動的に片方向の光を発振させ、増幅して、高出力連続波光を得ることが可能になる。
【0052】
また、図示しないが第1のレーザ発振器を複数台用意して、これらを第2のレーザ発振器の励起に用いることも有効である。第2のレーザ発振器のレーザ媒質を励起する際に、対抗する2方向から入射させる方法、角度をわずかに変えて同じ方向から励起する方法、これらの複合方法、あるいは側方からの励起方法により、さらなる高出力化が可能になる。
【0053】
【発明の効果】
本発明に係るレーザ光発生装置及びレーザ光発生装置によれば、パルス光を発生する第1のレーザ発振手段は第2のレーザ発振手段の緩和発振周波数frよりも高い繰り返し周波数fpのパルス光を発生し、第2のレーザ発振手段はそのパルス光によって励起されるので、発生効率、励起効率、又は、波長変換効率の高いパルス光源を利用でき、ほぼ連続波レーザ光の出力を得ることで、効率の高い連続波レーザを実現できる。また、連続波レーザしか許容できない損傷しやすい光学素子、対象物などに対し、パルスの励起光源を用いても、これをレーザを介することで損傷を低減できる連続波出力を得る事ができる。さらに波長変換して短波長、長波長の光を得るときに、その波長における連続波光源を、高効率に得ることができ、さらに損傷しにくい連続波光を得る事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態となる、レーザ光発生装置の構成を示す図である。
【図2】レーザ光発生装置における、第2のレーザ発振器の出力応答特性図である。
【図3】チタンサファイヤレーザ結晶の吸収、発光特性図である。
【図4】パルス励起光Pulのパルス繰返し周波数fpを200kHzとしたときの、出力光の立ち上がり過渡応答特性図である。
【図5】パルス励起光Pulのパルス繰返し周波数fpを500kHzとしたときの、出力光の立ち上がり過渡応答特性図である。
【図6】パルス励起光Pulのパルス繰返し周波数fpを1MHzとしたときの、出力光の立ち上がり過渡応答特性図である。
【図7】パルス励起光Pulのパルス繰返し周波数fpを2MHzとしたときの、出力光の立ち上がり過渡応答特性図である。
【図8】パルス励起光Pulのパルス繰返し周波数fpを5MHzとしたときの、出力光の立ち上がり過渡応答特性図である。
【図9】パルス励起光Pulのパルス繰返し周波数fpを10MHzとしたときの、出力光の立ち上がり過渡応答特性図である。
【図10】励起用パルスの波形を示す図である。
【図11】ツイストモード法を適用した第2のレーザ発振器の構成図である。
【図12】一方向リング型共振器を構成した第2のレーザ発振器の構成図である。
【符号の説明】
1 レーザ光発生装置、10 第1のレーザ発振器、11 基本波レーザ、12 増幅器、14 非線形光学結晶、15 波長分離ミラー、20 第2のレーザ発振器、21 固体レーザ媒質、22,23 ミラー
Claims (10)
- パルス光を発生する第1のレーザ発振手段と、
前記第1のレーザ発振手段からのパルス光によって励起される、第2のレーザ発振手段とを備え、
前記第1のレーザ発振手段は前記第2のレーザ発振手段の緩和発振周波数frよりも3倍以上高い繰り返し周波数fpのパルス光を発生し、前記第2のレーザ発振手段は前記パルス光によって励起されて略連続波のレーザ光を出力するレーザ光発生装置。 - 前記第2のレーザ発振手段は、平均値±20%以内の変動に抑えられた略連続波のレーザ光を出力する請求項1記載のレーザ光発生装置。
- 前記第1のレーザ発振手段はパルスデューティ比が0.01以下であるパルス光を発生し、前記第2のレーザ発振手段は前記パルスデューティ比が0.01以下であるパルス光によって励起される請求項1記載のレーザ光発生装置。
- 前記第2のレーザ発振手段は、共振器内に非線形光学結晶素子を有し、この非線形光学結晶素子による波長変換されたレーザ光を出力する請求項1記載のレーザ光発生装置。
- 前記第1のレーザ発振手段は、半導体レーザによって励起された固体レーザからのレーザ光、またはそのレーザ光を増幅した増幅レーザ光を発生し、発生したレーザ光または増幅レーザ光を波長変換素子に導いて第2高調波レーザ光を出力し、その出力光である第2高調波レーザ光を前記第2のレーザ発振手段に入射する請求項1記載のレーザ光発生装置。
- 前記第1のレーザ発振手段は、半導体レーザからの半導体レーザ光、または半導体レーザ光を波長変換素子により波長変換した出力レーザ光を、前記第2のレーザ発振手段に入射する請求項1記載のレーザ光発生装置。
- 前記第1のレーザ発振手段は、半導体レーザによって励起された、希土類元素ドープのファイバーレーザにより第2高調波レーザ光を発生し、前記第2のレーザ発振手段に入射する請求項1記載のレーザ光発生装置。
- 前記第1のレーザ発振手段は、過飽和吸収体を含む固体レーザにより前記パルス光を発生し、前記第2のレーザ発振手段に入射する請求項1記載のレーザ光発生装置。
- 前記第1のレーザ発振手段は、半導体過飽和吸収体を含む固体レーザにより前記パルス光を発生し、前記第2のレーザ発振手段に入射する請求項8記載のレーザ光発生装置。
- パルス光を発生する第1のレーザ発振手段と、前記第1のレーザ発振手段からのパルス光によって励起される第2のレーザ発振手段とを用いてレーザ光を発生するためのレーザ光発生方法であって、
前記第1のレーザ発振手段には前記第2のレーザ発振手段の緩和発振周波数frよりも3倍以上高い繰り返し周波数fpのパルス光を発生させ、前記第2のレーザ発振手段には、平均値±20%以内の変動に抑えられた略連続波のレーザ光を出力させるレーザ光発生方法。
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