JPH0465177A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0465177A JPH0465177A JP17639990A JP17639990A JPH0465177A JP H0465177 A JPH0465177 A JP H0465177A JP 17639990 A JP17639990 A JP 17639990A JP 17639990 A JP17639990 A JP 17639990A JP H0465177 A JPH0465177 A JP H0465177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor laser
- mirror
- resonator
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体レーザと半導体レーザ励起固体レーザ
を光混合して波長の短いレーザ光を与える半導体レーザ
励起固体レーザに関するものである。
を光混合して波長の短いレーザ光を与える半導体レーザ
励起固体レーザに関するものである。
[従来の技術]
半導体レーザを励起光源として用いた固体レーザは、ビ
ーム品質かよく、高効率、長寿命、小型化が図れること
から、注目を集めている。
ーム品質かよく、高効率、長寿命、小型化が図れること
から、注目を集めている。
半導体レーザ励起固体レーザは、通常、波長か近赤外域
で発振する。半導体レーザ励起固体レーザから更に波長
の短い光を取り出すには、高調波発生技術が知られてい
る。通常、高調波発生の効率は低いため、高調波変換を
行う非線形光学素子を共振器内に配置することにより効
率の向上を図ることが出来る。
で発振する。半導体レーザ励起固体レーザから更に波長
の短い光を取り出すには、高調波発生技術が知られてい
る。通常、高調波発生の効率は低いため、高調波変換を
行う非線形光学素子を共振器内に配置することにより効
率の向上を図ることが出来る。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら上記のような第2高調波発生方法では発振
モート間のカップリングにより出力の大幅な変動を起こ
すのが難点である。
モート間のカップリングにより出力の大幅な変動を起こ
すのが難点である。
また、第2高調波光に出力変調をかける時、高速スイッ
チング素子である半導体レーザに変調をかけるのか最も
望ましい方法である。しかし、例えば、固体レーザ素子
であるNd:YAGの蛍光寿命か230μ秒であるため
5 KHz程度以上の変調をかけることは出来なかった
。
チング素子である半導体レーザに変調をかけるのか最も
望ましい方法である。しかし、例えば、固体レーザ素子
であるNd:YAGの蛍光寿命か230μ秒であるため
5 KHz程度以上の変調をかけることは出来なかった
。
尚、固体レーザから短波長光を得る方法として、Nd:
YAGレーザの第3高調波を得るためにNd:YAGレ
ーザの基本波と第2高調波の和周波を発生させることが
知られている(例えば、特開昭51−24192号公報
等参照)。
YAGレーザの第3高調波を得るためにNd:YAGレ
ーザの基本波と第2高調波の和周波を発生させることが
知られている(例えば、特開昭51−24192号公報
等参照)。
本発明は、かかる状況に鑑みてなされたもので、半導体
レーザ光と半導体レーザ励起固体レーザ光を光混合する
ことにより和周波光を発生して、安定出力て高速変調可
能な短波長光を発生せしめる半導体レーザ励起固体レー
ザ装置を提供することを目的とする。
レーザ光と半導体レーザ励起固体レーザ光を光混合する
ことにより和周波光を発生して、安定出力て高速変調可
能な短波長光を発生せしめる半導体レーザ励起固体レー
ザ装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するために、この発明の手段として、
半導体レーザ励起固体レーザと外部共振器型半導体レー
ザの各共振器の一部を共通にし、共通部分内に非線形光
学素子を配置して半導体レーザと固体レーザの和周波光
を発生させることである。
半導体レーザ励起固体レーザと外部共振器型半導体レー
ザの各共振器の一部を共通にし、共通部分内に非線形光
学素子を配置して半導体レーザと固体レーザの和周波光
を発生させることである。
[作用]
結晶に2本の光ビームを集光して得られる和周波発生に
於て、光子エネルギーか半導体レーザ励起固体レーザと
半導体レーザの各光子エネルギーの和て与えられる和周
波光の出力特性は半導体レーザ励起固体レーザのパワー
密度と光混合用半導体レーザのパワー密度の積に比例す
る。このため、効率よく出力光を取り出すには、半導体
レーザ励起固体レーザの基本波光と外部共振器型半導体
レーザの基本波光とを各々の共振器に閉じ込め、半導体
レーザ励起固体レーザ共振器と外部共振器型半導体レー
ザ共振器の一部を共通にし和周波変換を行う非線形光学
素子を両方の共振器の共通部分に配置し、非線形光学素
子内での両方の基本波光のパワー密度を高くすることで
ある。発生した和周波光は和周波光の波長の光のみを主
に通すアウトプットミラーから取り出すことである。
於て、光子エネルギーか半導体レーザ励起固体レーザと
半導体レーザの各光子エネルギーの和て与えられる和周
波光の出力特性は半導体レーザ励起固体レーザのパワー
密度と光混合用半導体レーザのパワー密度の積に比例す
る。このため、効率よく出力光を取り出すには、半導体
レーザ励起固体レーザの基本波光と外部共振器型半導体
レーザの基本波光とを各々の共振器に閉じ込め、半導体
レーザ励起固体レーザ共振器と外部共振器型半導体レー
ザ共振器の一部を共通にし和周波変換を行う非線形光学
素子を両方の共振器の共通部分に配置し、非線形光学素
子内での両方の基本波光のパワー密度を高くすることで
ある。発生した和周波光は和周波光の波長の光のみを主
に通すアウトプットミラーから取り出すことである。
[実施例]
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第1図は、半導体レーザ励起固体レーザ素子(Nd :
YAGレーザ)と半導体レーザの和周波を発生させる
レーザ共振器である。第1図に示すごとく固体レーザ素
子としてNd:YAGレーザ素子1を用いNd:YAG
レーザ発振波長11064n+て高反射、半導体レーザ
波長808n−て無反射コーティングされたNd :
YAGレーザ素子素子端面aを通して固体レーザ励起用
半導体レーザ8からの出射光を励起光集光用レンズ9て
集光しNd:YAGレーザ素子1を端面励起して、Nd
: YAGレーザ素子素子端面a〜アウトプットミラ
ー5間てNd :YAGレーザ素子素子端本波を共振さ
せる。また、Nd:YAGレーザ素子1の共振器内にダ
イクロイックミラー3(Nd:YAGレーザ発振波長1
064n■で無反射、半導体レーザ光波長808n■て
高反射)を挿入し、反射方向に外部共振器用半導体レー
ザ7のチップを配置して、半導体レーザ7、ダイクロイ
ックミラー3、アウトプットミラー5間て半導体レーザ
基本波を共振させる。Nd:YAGレーザ素子1〜アウ
トプツトミラー5からなるNd:YAGレーザ共振器と
半導体レーザ7〜ダイクロイツクミラー3〜アウトプツ
トミラー5からなる半導体レーザ共振器の共通部分であ
るダイクロイックミラー3、アウトプットミラー5間に
非線形光学素子4としてK T P (K T 10
P O4)を配置し。
YAGレーザ)と半導体レーザの和周波を発生させる
レーザ共振器である。第1図に示すごとく固体レーザ素
子としてNd:YAGレーザ素子1を用いNd:YAG
レーザ発振波長11064n+て高反射、半導体レーザ
波長808n−て無反射コーティングされたNd :
YAGレーザ素子素子端面aを通して固体レーザ励起用
半導体レーザ8からの出射光を励起光集光用レンズ9て
集光しNd:YAGレーザ素子1を端面励起して、Nd
: YAGレーザ素子素子端面a〜アウトプットミラ
ー5間てNd :YAGレーザ素子素子端本波を共振さ
せる。また、Nd:YAGレーザ素子1の共振器内にダ
イクロイックミラー3(Nd:YAGレーザ発振波長1
064n■で無反射、半導体レーザ光波長808n■て
高反射)を挿入し、反射方向に外部共振器用半導体レー
ザ7のチップを配置して、半導体レーザ7、ダイクロイ
ックミラー3、アウトプットミラー5間て半導体レーザ
基本波を共振させる。Nd:YAGレーザ素子1〜アウ
トプツトミラー5からなるNd:YAGレーザ共振器と
半導体レーザ7〜ダイクロイツクミラー3〜アウトプツ
トミラー5からなる半導体レーザ共振器の共通部分であ
るダイクロイックミラー3、アウトプットミラー5間に
非線形光学素子4としてK T P (K T 10
P O4)を配置し。
波長4590厘の和周波光を発生してアウトプットミラ
ー5(1064nmおよび808nmで高反射、459
nmで無反射)から取り出した。
ー5(1064nmおよび808nmで高反射、459
nmで無反射)から取り出した。
また、第2図は本発明の他の実施例を示す図てあり、第
1図と同一符号は同一または同一の機能を有するもので
ある。第2図に示すごとく、共振器ミラー10〜Nd:
YAGレーザ素子1a−アウトプットミラー5からなる
共振器に於て、固体レーザ励起用半導体レーザ8からの
出射光を集光し、両端面がYAGレーザ波長11064
nて無反射コートされたNd :YAGレーザ素子1a
を側面励起して共振器ミラ−10〜アウトプツトミラー
5間で共振させる。以下、第1図と同様にして和周波光
をアウトプットミラー5から取り出した。
1図と同一符号は同一または同一の機能を有するもので
ある。第2図に示すごとく、共振器ミラー10〜Nd:
YAGレーザ素子1a−アウトプットミラー5からなる
共振器に於て、固体レーザ励起用半導体レーザ8からの
出射光を集光し、両端面がYAGレーザ波長11064
nて無反射コートされたNd :YAGレーザ素子1a
を側面励起して共振器ミラ−10〜アウトプツトミラー
5間で共振させる。以下、第1図と同様にして和周波光
をアウトプットミラー5から取り出した。
[発明の効果コ
和周波発生用固体レーザとしてかかる構成をもつ固体レ
ーザは効率よく短波長光を得ることかてき、また外部共
振器型半導体レーザのパワーを変調することにより短波
長光を容易に高速変調することが出来る。
ーザは効率よく短波長光を得ることかてき、また外部共
振器型半導体レーザのパワーを変調することにより短波
長光を容易に高速変調することが出来る。
第1図は、本発明の一実施例である半導体レーザ端面励
起固体レーザと外部共振器型半導体レーザの各共振器の
一部を共通にし共振部分に非線形光学素子を配置して和
周波を発生させる固体レーザの模式図、第2図は、半導
体レーザ側面励起固体レーザと外部共振器型半導体レー
ザの各共振器の一部を共通にし共通部分に非線形光学素
子を配置して和周波を発生させる固体レーザの模式図で
ある。 図中。 1.1a:Nd:YAGレーザ素子 2:固体レーザ共振器内レンズ 3:ダイクロイックミラ− 4:非線形光学素子 5ニアウドプツトミラー 6:半導体レーザ外部共振器内レンズ 7:外部共振器用半導体レーザ 8:固体レーザ励起用半導体レーザ 9コ励起光集光用レンズ 10°:共振器ミラー a:Nd:YAGレーザ素子端面(共振器面) 第1図 代理人 弁理士 1)北 嵩 晴
起固体レーザと外部共振器型半導体レーザの各共振器の
一部を共通にし共振部分に非線形光学素子を配置して和
周波を発生させる固体レーザの模式図、第2図は、半導
体レーザ側面励起固体レーザと外部共振器型半導体レー
ザの各共振器の一部を共通にし共通部分に非線形光学素
子を配置して和周波を発生させる固体レーザの模式図で
ある。 図中。 1.1a:Nd:YAGレーザ素子 2:固体レーザ共振器内レンズ 3:ダイクロイックミラ− 4:非線形光学素子 5ニアウドプツトミラー 6:半導体レーザ外部共振器内レンズ 7:外部共振器用半導体レーザ 8:固体レーザ励起用半導体レーザ 9コ励起光集光用レンズ 10°:共振器ミラー a:Nd:YAGレーザ素子端面(共振器面) 第1図 代理人 弁理士 1)北 嵩 晴
Claims (2)
- (1)半導体レーザにより端面励起される固体レーザ素
子とアウトプットミラーとで固体レーザ共振器を構成し
、前記固体レーザ共振器内にダイクロイックミラーを配
し、前記ダイクロイックミラーの反射方向に外部共振器
用半導体レーザチップを配し、前記ダイクロイックミラ
ーと前記アウトプットミラーとの間に非線形光学素子を
配し、前記固体レーザ共振器で固体レーザを共振させる
と共に、前記外部共振器用半導体レーザチップと前記ア
ウトプットミラーとの間で前記ダイクロイックミラーを
介して外部共振器用半導体レーザを共振させ、前記非線
形光学素子で発生する和周波光を前記アウトプットミラ
ーから取り出すようになしたことを特徴とする半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置。 - (2)半導体レーザにより側面励起される固体レーザ素
子と共振器ミラーとアウトプットミラーとで固体レーザ
共振器を構成し、前記固体レーザ共振器内にダイクロイ
ックミラーを配し、前記ダイクロイックミラーの反射方
向に外部共振器用半導体レーザチップを配し、前記ダイ
クロイックミラーと前記アウトプットミラーとの間に非
線形光学素子を配し、前記固体レーザ共振器で固体レー
ザを共振させると共に、前記外部共振器用半導体レーザ
ャップと前記アウトプットミラーとの間で前記ダイクロ
イックミラーを介して外部共振器用半導体レーザを共振
させ、前記非線形光学素子で発生する和周波光を前記ア
ウトプットミラーから取り出すようになしたことを特徴
とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17639990A JPH0465177A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17639990A JPH0465177A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0465177A true JPH0465177A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16012993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17639990A Pending JPH0465177A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0465177A (ja) |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP17639990A patent/JPH0465177A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4809291A (en) | Diode pumped laser and doubling to obtain blue light | |
JP4231829B2 (ja) | 内部共振器型和周波混合レーザ | |
JP4407039B2 (ja) | 固体レーザ装置および固体レーザ装置システム | |
JP4202730B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2654726B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
JPH09162470A (ja) | 2波長レーザ発振器 | |
US6512630B1 (en) | Miniature laser/amplifier system | |
JP4202729B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
JP2004531075A (ja) | 光周波数混合 | |
JP4242141B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
CN209844200U (zh) | 一种注入锁频1342nm环形固体激光器 | |
JP2001024264A (ja) | 波長変換レーザ装置 | |
JPH0465177A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
JP2001185795A (ja) | 紫外レーザー装置 | |
JP2670647B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
JPH04291976A (ja) | Shg素子 | |
JPH09232665A (ja) | 出力安定化第二高調波光源 | |
JP2670637B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
JP2754101B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
JP3094436B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
JP2663197B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
JP2981671B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
JPH0465176A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
JPH0414273A (ja) | 和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザ | |
JP2000138405A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |