RU2190910C2 - Лазер с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, набор лазеров и способ повышения кпд лазерного устройства - Google Patents

Лазер с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, набор лазеров и способ повышения кпд лазерного устройства Download PDF

Info

Publication number
RU2190910C2
RU2190910C2 RU99122684/28A RU99122684A RU2190910C2 RU 2190910 C2 RU2190910 C2 RU 2190910C2 RU 99122684/28 A RU99122684/28 A RU 99122684/28A RU 99122684 A RU99122684 A RU 99122684A RU 2190910 C2 RU2190910 C2 RU 2190910C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
volume
resonator
laser according
energy
Prior art date
Application number
RU99122684/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99122684A (ru
Inventor
Арам МУРАДЯН
Original Assignee
Ноувэлакс, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ноувэлакс, Инк. filed Critical Ноувэлакс, Инк.
Publication of RU99122684A publication Critical patent/RU99122684A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2190910C2 publication Critical patent/RU2190910C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3141—Constructional details thereof
    • H04N9/315—Modulator illumination systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
    • H01S2301/166—Single transverse or lateral mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/1022—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation by controlling the optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/041—Optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18394—Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к лазерной технике. В устройстве и способе генерирования мощного лазерного излучения геометрия лазерного резонатора определяет основную пространственную или поперечную резонаторную моду. Внутри резонатора расположена усиливающая среда, и источник энергии активизирует усиливающую среду в пределах первого объема. Это вызывает спонтанное и вынужденное испускание энергии, распространяющееся в усиливающей среде в направлении, поперечном основной резонаторной моде. Это поперечное испускание энергии, в свою очередь, накачивает второй объем усиливающей среды, расположенный вокруг первого объема. Когда интенсивность испускания достаточно высока, во втором объеме создаются инверсия и усиление. За счет оптимизации геометрии резонатора таким образом, чтобы основная резонаторная мода проходила как через первый, так и через второй объемы, окружая первый накачиваемый объем, поперечно направленная энергия первого объема, которая иначе была бы потеряна, захватывается основным лучом, что повышает общий энергетический КПД лазера. Технический результат изобретения: упрощение конструкции лазера с вертикальным резонатором. 3 с. и 22 з.п.ф-лы, 5 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к области полупроводниковых лазеров.
Уровень техники
Данная заявка имеет притязание на приоритет, основанное на предварительной заявке на патент США 60/041185, поданной 21 марта 1997 г., содержание которой включено в данную заявку путем ссылки.
К широко используемым в настоящее время полупроводниковым лазерам относятся лазеры на диодах с торцевым излучением и лазеры с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность. В лазерах с торцевым излучением полупроводниковая усиливающая среда, например полупроводниковая структура с квантовыми ямами, выполнена на поверхности полупроводниковой подложки. Резонаторные зеркала выполнены или расположены иным образом на противоположных сторонах подложки перпендикулярно поверхностям подложки с образованием резонатора, в котором находится усиливающая среда. Электрическая или оптическая накачка усиливающей среды создает лазерный луч, распространяющийся в направлении вдоль плоскости подложки.
Лазеры с торцевым излучением находятся среди наиболее распространенных полупроводниковых лазерных устройств. Будучи серийно выпускаемыми как отдельные блоки и в составе линейных матриц стержневого типа, они используются, например, в качестве источника излучения для оптической накачки твердотельных лазеров. Адаптированные варианты лазеров с торцевым излучением, имеющие высокую мощность, как правило, свыше нескольких сотен милливатт, обычно работают в пространственных модах высшего порядка и при множественных частотах. Это не позволяет использовать их в тех случаях, где требуется высокая мощность лазерного излучения в одномодовом режиме и/или при единственной частоте. Излучатели с торцевым излучением также имеют значительную степень астигматизма и коэффициент формы пучка, который обычно является большим, затрудняя фокусирование луча в маленькую точку, что не позволяет использовать их в тех случаях, где требуется сфокусированный луч на выходе. Плохое качество луча в лазерах с торцевым излучением также затрудняет и делает неэффективным удвоение частоты лазерного излучения с помощью нелинейно-оптических материалов.
В обычных лазерах с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность резонаторные зеркала выполнены или расположены иным образом на противоположных поверхностях полупроводниковой усиливающей среды, выращенной на полупроводниковой подложке. Электрическая или оптическая накачка создает лазерный луч, испускаемый в направлении, перпендикулярном плоскости подложки.
Обычные лазеры с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность находят применение в системах оптической информации и оптической связи. Лазеры с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность характеризуются, как правило, низкими значениями мощности излучения в основной пространственной моде при ТЕМ00, ограниченными примерно 8 милливатт (мВт) в непрерывном режиме, и дополнительно характеризуются малыми диаметрами луча в основной пространственной моде, порядка нескольких микрометров (мкм). Излучатели лазеров с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, имеющие большую площадь, с диаметрами луча порядка 100 мкм могут генерировать излучение мощностью несколько сотен мВт в непрерывном режиме. Однако применение лазеров с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность при высокой мощности излучения и большом диаметре пучка несет с собой проблему, состоящую в том, что выходной луч имеет пространственные моды высокого порядка и несколько частот. В конструкции лазера с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, использующей внешний резонатор, называемой в технике лазером с вертикальным внешним резонатором и выводом излучения через поверхность, внешний отражатель служит средством вывода выходного излучения. Лазерные устройства с вертикальным внешним резонатором и выводом излучения через поверхность могут обеспечивать более высокую, чем лазеры с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, мощность излучения, генерируемого в основной пространственной моде.
Предшествующие работы над полупроводниковыми лазерами с вертикальным внешним резонатором и выводом излучения через поверхность, как правило, приводили к получению низкой выходной мощности. Sandusky и Brueck, например, получили низкую выходную мощность и использовали оптическую накачку для возбуждения полупроводника. Смотри работу J.V. Sandusky и S.R.J. Brueck "A cw external cavity surface emitting laser" (Лазер непрерывного излучения с внешним резонатором и выводом излучения через поверхность), Photonics Technology Letters, том 8, стр. 313-315, 1996. В ходе исследования, проведенного Hadley и др., электрически возбуждаемый лазер с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, работавший во внешнем резонаторе, генерировал в основной пространственной моде излучение мощностью 2,4 мВт в непрерывном режиме и 100 мВт в импульсном режиме. В этом случае использовалась площадь излучения до 120 мкм. Смотри работу М.A. Hadley, G.С. Wilson, К.Y. Lau и J.S. Smith "High single-traverse mode output from external cavity surface emitting laser diodes" (Генерирование мощного излучения за один проход лазерными диодами с внешним резонатором и выводом излучения через поверхность), Applied Phys. Letters, том 63, стр. 1607-1609, 1993.
В различных случаях применения лазеров генерируемый лазером луч подвергается преобразованию частоты и удвоению частоты. Это осуществляется установкой на траектории лазерного луча нелинейного материала, например КТР, KTN, КNbО3 и LiNbO3. Такие нелинейные материалы называют "удваивающими кристаллами", материал которых имеет свойство удваивать частоту излучения при прохождении луча через кристалл. Эффективное преобразование частоты таким материалом обычно требует, чтобы падающий луч имел высокую интенсивность и одиночную моду.
Удвоение частоты излучения полупроводниковых лазеров демонстрировалось в прошлом с различной степенью успеха с использованием удваивающего кристалла, установленного вне лазерного резонатора на диоде с торцевым излучением. Лучи на выходе из лазеров на диодах с торцевым излучением обычно имеют высокую расходимость и значительные коэффициенты формы пучка, а также некоторую степень астигматизма, ухудшающую интенсивность оптического поля и фазовый фронт от него, который в идеале требуется для эффективного удвоения частоты. Были проведены эксперименты, в которых световое излучение из лазерного диода вводилось в выполненный из нелинейного материала световод для сохранения интенсивности оптического поля на некотором отрезке пути распространения излучения относительно большой длины. Этот способ обычно сложен и предусматривает использование лазерных диодов относительно низкой мощности, у которых качество генерируемого луча достаточно для введения лазерного светового излучения во внешний световод.
Для использования мощности луча с целью обеспечения возможности эффективного преобразования в прошлом были испробованы разные способы. Первый способ, разработанный Gunter, см. работу Р. Gunter и др. "Nonlinear optical crystals for optical frequency doubling with laser diodes" (Нелинейно-оптические кристаллы для оптического удвоения частоты с лазерными диодами), Proc. of SPIE, том 236, стр.8-18, 1980, показал малоэффективное удвоение частоты излучения лазерного диода при помощи ниобата калия КNbО3 в устройстве удвоения за один проход. По другой методике Koslovsky и др., Optics Letters 12, 1014, 1987, использовали лазер на диоде с торцевым излучением с одиночной пространственной модой и КNbО3 во внешнем кольцевом резонаторе для повышения циркулирующей мощности с целью достижения преобразования частоты. Устройство Koslovsky требовало привязки частоты одночастотного лазера к частоте резонанса Фабри-Перо в кольцевом резонаторе, а также приведения температуры нелинейного кристалла в соответствие обеим частотам. Это требовало сложного выравнивания кристалла и использования схем настройки длины волны для сохранения привязки частоты.
Сущность изобретения
Задачей настоящего изобретения является устройство и способ генерирования лазерного излучения высокой мощности в единственной основной пространственной моде таким образом, который преодолевает вышеуказанные ограничения. При использовании внешнего резонатора лазер, предложенный в настоящем изобретении, особенно удобен для преобразования частоты выходного луча, так как он создает плотности энергии луча на приемлемой длине пути излучения для эффективного преобразования частоты.
В первом варианте выполнения настоящего изобретения предложенное устройство содержит резонатор, образованный между первым и вторым отражателями с частичным отражением. Геометрия резонатора определяет основную пространственную или поперечную резонаторную моду. В резонаторе расположена усиливающая среда, а источник энергии активизирует усиливающую среду в пределах первого объема. Это приводит к спонтанному (самопроизвольному) и вынужденному испусканию энергии, распространяющемуся в усиливающей среде в направлении, поперечном основной резонаторной моде. Это поперечное испускание, в свою очередь, оптически накачивает второй объем усиливающей среды, расположенный вокруг первого объема. Когда интенсивность спонтанного испускания достаточно высока, во втором объеме создаются инверсия и усиление. Энергия в первом и втором объемах вводится в лазерный луч в основной резонаторной моде.
Путем оптимизации геометрии резонатора таким образом, чтобы основная резонаторная мода была связана как с первым, так и со вторым объемами, энергия первого объема, поперечно направленная во второй объем, которая иначе была бы потеряна, улавливается основным лучом, что повышает общий энергетический КПД лазера. Для достижения этого резонаторные зеркала в предпочтительном варианте изобретения подобраны так, чтобы привести основную резонаторную моду в соответствие с диаметром поперечного сечения второго объема. Таким образом, лазерная энергия в основной пространственной моде эффективно извлекается как из первого, так и из второго объемов усиливающей среды. Аналогичные результаты достигаются, когда выходная энергия имеет пространственную моду высшего порядка.
В предпочтительном варианте изобретения первый объем является по существу цилиндрическим и имеет диаметр D1 в поперечном сечении, а второй объем по существу представляет собой кольцо с внешним диаметром D2 в поперечном сечении и внутренним диаметром D1 в поперечном сечении, при этом первый и второй объемы в поперечном сечении по существу концентричны.
Усиливающая среда предпочтительно выполнена из полупроводникового материала в исполнении устройства с вертикальным резонатором. В альтернативном случае усиливающая среда может быть выполнена из кристаллического материала с активными ионами, которые имеют поглощение в спектральной области излучательного перехода. Примерами таких кристаллических материалов являются Еr: стекло, Yb:стекло и Yb:YAG. В случае кристаллических материалов энергия накачки предпочтительно создается оптическими средствами, например лазерным диодом.
Для изменения частоты выходного лазерного излучения внутрь оптического резонатора или вне лазера может быть помещен нелинейный кристалл. К материалам, подходящим для нелинейного преобразования, относятся КТР, KTN, КNbО3 и LiNbО3, а также периодически поляризованные материалы, такие как периодически поляризованный LiNbО3.
Предпочтительный вариант настоящего изобретения, подробно описываемый ниже, способен генерировать внутрирезонаторные уровни циркулирующей мощности свыше 100 кВт в основной пространственной моде при диаметре луча 1 мм. Эти уровни достаточны для осуществления преобразования гармоник основного излучения в нелинейном материале. В качестве примера, удвоение частоты в полупроводниковом устройстве, где используются усиливающие среды GalnAs, обеспечивает излучение с основной длиной волны от 900 нм до 1100 нм и выходное излучение с удвоенной частотой, имеющее длины волн, соответствующие участку от голубой до зеленой области спектра.
Указанные выше и другие задачи, отличительные признаки и преимущества изобретения наглядно представлены в более детальном описании предпочтительных вариантов изобретения, показанных на прилагаемых чертежах, где одни и те же детали показаны в разных видах под одинаковыми ссылочными обозначениями. Чертежи не обязательно соотносятся по масштабу изображений, вместо этого акцент сделан на иллюстрировании принципов изобретения.
На фиг. 1 представлен общий вид конструкции лазерного устройства с вертикальным внешним резонатором и выводом излучения через поверхность согласно настоящему изобретению.
На фиг.2 представлено поперечное сечение устройства, показанного на фиг. 1, иллюстрирующее поперечное распространение спонтанного и вынужденного испускания энергии из первого накачиваемого объема во второй кольцевой объем, согласно настоящему изобретению.
На фиг. 3 представлен общий вид конструкции лазерного устройства с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, иллюстрирующий соотношение первого накачиваемого объема и второго кольцевого объема, согласно настоящему изобретению.
На фиг.4 представлен общий вид конструкции оптического усилителя согласно настоящему изобретению.
На фиг.5 представлен вид сбоку варианта оптического соединения для ввода выходной энергии в волоконно-оптический элемент.
Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения
На фиг. 1 представлен общий вид конструкции предпочтительного варианта исполнения настоящего изобретения с выводом излучения через поверхность с внешним вертикальным резонатором. Представленный на фиг.1 лазер содержит полупроводниковую подложку 20, на первой поверхности которой выполнена полупроводниковая зона 22 усиления (зона усиливающей среды) с квантовой ямой. Первый отражатель 26, например отражающая р-область, создающая отражение Брэгга, выполнен на зоне 22 с квантовой ямой. Второй внешний отражатель 30 расположен противоположно первому отражателю 26. Расстояние между первым и вторым отражателями 26 и 30 и кривизна каждого из них определяют основную резонаторную моду в резонаторе 60. На фиг.1 второй отражатель 30 представлен как внешнее резонаторное зеркало в соответствии с конструкцией лазера с вертикальным внешним резонатором и выводом излучения через поверхность, однако в альтернативном исполнении второй отражатель 30 может быть выполнен в виде слоя, непосредственно прилегающего ко второй поверхности подложки, что будет соответствовать конструкции лазера с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность. Следует отметить, что для целей настоящего изобретения термин "отражатель" в том смысле, в котором он употребляется в данной заявке, включает в себя частично и/или полностью отражающие материалы и/или поверхности. Поверхность 42 подложки 20, обращенная ко второму отражателю 30, предпочтительно обработана противоотражательным покрытием 42 с тем, чтобы любая лучевая энергия в резонаторе 60, пересекающая эту границу раздела, проходила через нее с минимальным отражением, что является желательным свойством, широко известным в технике.
Как показано на сечении, представленном на фиг.2, резонатор подвергают электрической накачке от источника энергии (не показан) через контакты передачи электрической энергии и электрической накачке, например, через кольцевой электрический контакт 28, вызывая ток 38 между кольцевым контактом 28 и круглым контактом 40 на противоположных поверхностях (краях) подложки 20. Результирующий ток 38 имеет в целом коническую форму, причем основание 39А этого конуса находится у кольцевого контакта 28, а вершина 39В конуса - около контакта 40. В зоне вершины 39В ток в поперечном сечении имеет в целом форму круга и активизирует первый, по существу цилиндрический, объем 44 зоны 22 усиления, причем этот первый объем 44 имеет в поперечном сечении диаметр D1. В предпочтительном варианте диаметр D1 существенно больше толщины зоны 22 усиления.
Возбуждаемая зона 22 усиления диаметром D1 создает вынужденное и спонтанное испускание потока энергии 48, которое распространяется в направлении, поперечном распространению получаемого в резонаторе лазерного луча. В известных стандартных лазерах с выводом излучения через поверхность, имеющих собственный или внешний вертикальный резонатор, такая энергия ушла бы через боковые стороны устройства или была бы потеряна иным образом как энергия, не участвующая в создании выходного луча 32. В устройстве по настоящему изобретению эта поперечно распространяющаяся энергия 48 поглощается во втором кольцевом объеме 46, окружающем первый возбуждаемый объем. Эта поглощаемая энергия служит для накачки второго объема 46, создавая усиление, а значит, и мощность в основной моде 60 лазерного излучения.
Когда электрическая или оптическая накачка первой области D1 создает усиление, это усиление происходит как в поперечном, так и в продольном направлениях. Поскольку поперечная длина области усиления больше, чем продольная длина области усиления, в этом направлении может иметь место более сильное вынужденное испускание. Чем больше размер D1, тем больше суммарное усиление при вынужденном испускании в поперечном направлении. Вследствие теплового рассеяния и предела, определяемого пагубным снижением плотности мощности оптического излучения на поверхности полупроводника в продольном направлении, для получения более высокой выходной мощности требуются устройства большей площади. В таких устройствах большой площади наличие поперечного вынужденного испускания может вызвать значительные потери мощности, тем самым снижая суммарный КПД преобразования энергии. Имеет место также спонтанное испускание, но для устройств большой площади оно становится менее важным. Если примыкающая область выполнена с возможностью поглощения вынужденного испускания (а также в меньшей степени спонтанного испускания), то энергия, которая иначе была бы потеряна, может использоваться для оптической накачки второй области D2 до такой степени, что в ней будет создаваться усиление. Энергию, введенную при такой накачке во вторую область D2, можно извлечь в перпендикулярном направлении, регулируя внешнее зеркало 30 для создания на усиливающей среде перетяжки моды размером, равным D2. Внешнее резонаторное зеркало 30 будет фиксировать, или "схватывать" усиление во всей области, определяемой D1 и D2. Существует некоторый предел величины второй области D2, так как степень поперечной накачки уменьшается с уменьшением интенсивности по мере удаления от центра накачиваемой зоны. Этот предел связан с размером D1 и интенсивностью накачки (электрической или оптической) в области, определяемой D1.
При заданном диаметре D2 перетяжки моды способ выполнения резонатора, обеспечивающий приемлемый радиус R кривизны второго отражателя 30 и приемлемую длину L резонатора, хорошо известен в технике. Смотри, например, работу Herwig, Kogelnik и Tingye Lee "Beams, Modes and Resonators" (Пучки, моды и резонаторы), CRC Handbook of Lasers, CRC Press, 1971, стр.421-441.
Второй диаметр D2 зависит от уровня возбуждения и диаметра D1. Конструкцию можно оптимизировать для получения максимальной выходной мощности с ограничением по плотности циркулирующей мощности, которая ограничена катастрофическим ухудшением характеристик полупроводника, и по отводу тепловой энергии из области второго диаметра D2. Требуемый диаметр перетяжки моды в резонаторе можно обеспечить, например, регулированием длины L резонатора при фиксированном радиусе R кривизны второго отражателя 30.
На фиг.3 представлен общий вид конструкции лазера с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность согласно настоящему изобретению, иллюстрирующий соотношение первого накачиваемого объема 44 и второго выходного объема 46. Накачиваемый первый объем 44 в зоне 22 усиливающей среды имеет диаметр D1. Поперечное распространение спонтанного и вынужденного испускания энергии, обозначенное стрелками 48, оптически накачивает или иным путем возбуждает кольцевой объем 46, характеризующий второй объем 46, который окружает первый объем 44. Кольцевой объем 46 имеет внутренний диаметр D1 и внешний диаметр D2 и по существу концентричен в поперечном сечении первому объему 44 при допущении нормального распределения интенсивности излучения. Основная резонаторная мода оптимизирована таким образом, чтобы ее диаметр был приблизительно равен внешнему диаметру D2 второго объема 46, из условия улавливания энергии как в первом, так и во втором объемах и использования ее для генерирования выходного луча 32. Возбуждение первого объема 44 может осуществляться электрическими или оптическими средствами активизации (возбуждения) усиливающей среды и создания при этом в указанной усиливающей среде потока световой энергии.
Параметры лазерного резонатора предпочтительно регулируются таким образом, чтобы сделать перетяжку моды при максимальных рабочих уровнях мощности по существу равной диаметру D2. В лазерном резонаторе, содержащем одно плоское зеркало 26 и одно вогнутое сферическое зеркало 30 с радиусом R кривизны, как показано на фиг.2, диаметр луча в резонаторной моде на лазерном кристалле (w1) и на выходном зеркале (w2) определяется выражениями
w 2 1 = 4λL/π[(R-L)/L]1/2 (1)
w 2 2 = 4λL/π[L/(R-L)]1/2 (2)
где L - длина резонатора, а λ - длина волны выходного излучения 32 лазера, как описано в вышеупомянутой работе Kogelnik и др. Из этих уравнений ясно, что диаметр основной моды лазера можно сделать равным внешнему диаметру D2 второго объема 46, например, путем регулирования длины L резонатора при заданном радиусе R кривизны. В альтернативном варианте можно выбирать радиус R кривизны для конкретного диапазона длин L резонатора. Вместо искривленных зеркал 30 можно использовать плоское средство вывода выходного луча, используемое с линзой в резонаторе, имеющее соответствующую геометрию для получения тех же результатов. С этой целью можно использовать физическую или тепловую линзу.
Предпочтительный вариант полупроводникового лазерного устройства может содержать многоэлементную структуру с квантовыми ямами или единственную зону усиления, имеющую общую усиливающую толщину, эквивалентную толщине структуры с несколькими квантовыми ямами. Для достижения достаточного усиления за один проход лазерная структура, излучающая длину волны от 900 нанометров (нм) до 1100 нм, выполненная в полупроводниковом материале, таком как GalnAs, предпочтительно имеет, по меньшей мере, пять квантовых ям или эквивалентную толщину. Для более эффективной работы используют, по меньшей мере, десять квантовых ям с тем, чтобы преодолеть оптические потери, возникающие из-за поглощения свободных носителей заряда в проводящем слое подложки 20 при длине волны излучения лазера. Характерная толщина одной квантовой ямы приблизительно равна 8 нм. Следует отметить, что оптическая ширина запрещенной зоны зависит от толщины квантовой ямы, и поэтому эквивалентной толщине единственного слоя усиливающего материала будет соответствовать длина волны излучения, несколько смещенная относительно такой же сложной структуры для материала с узкой квантовой ямой. Общую толщину или число квантовых ям можно увеличить для повышения усиления и преодоления всех внутрирезонаторных потерь для обеспечения эффективной работы. Это ограничивается только возможностями равномерного наращивания таких структур и практической пороговой плотностью потока для таких структур. Обычные лазеры с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, как правило, работают только с одной или несколькими квантовыми ямами между зеркалами с очень высокой отражательной способностью. Такие устройства показывают низкое оптическое усиление и поэтому не могут функционировать так же эффективно, как и предложенное в настоящем изобретении устройство.
Создание электрического тока или энергии оптической накачки, инжектируемой в лазерное устройство, может осуществляться любыми известными способами, например, описанными G. P. Agarwal в работе "Semiconductor Lasers" (Полупроводниковые лазеры), The American Institute of Physics Press, стр. 146-157. В предпочтительном варианте настоящего изобретения большая часть инжекционного тока 38 направлена в круглую область основной пространственной моды, диаметр которой равен или меньше диаметра D1 и выражен в приведенных выше уравнениях (1) и (2).
Как было указано выше, ранее Gunter и Koslovsky показали малоэффективное удвоение частоты излучения лазерного диода с использованием лазеров на диодах с торцевым излучением. В отличие от тех работ, в предпочтительном варианте настоящего изобретения используется лазерная структура с выводом излучения через поверхность и с собственным или внешним вертикальным резонатором, в которой общее усиление за один проход значительно ниже, чем в лазерах с торцевым излучением. Кроме того, мощность выходного излучения предложенного устройства с вертикальным резонатором распределена по площади сечения круглого луча, гораздо большей, например - в несколько сотен раз, чем в устройствах с торцевым излучением. Достижимая плотность внутрирезонаторной циркулирующей мощности в основной пространственной моде круглого сечения может превышать несколько МВт/см2, будучи ограниченной только катастрофическим разрушением материала у поверхности полупроводника. Хотя подобные плотности мощности могут быть достигнуты и в лазерах с торцевым излучением, генерируемый луч заключен в волноводе резонатора диода, что затрудняет удвоение частоты. Поскольку эффективность преобразования частоты зависит как от интенсивности оптического излучения, так и от длины области взаимодействия, удвоение частоты лазерных диодов является сложным и проводилось в волноводных структурах для сохранения интенсивности поля на достаточном расстоянии взаимодействия. В настоящем изобретении можно достичь высокой эффективности преобразования, так как можно сохранять высокие значения интенсивности оптического поля на достаточно длинном отрезке взаимодействия, потому что излучение в оптическом лазерном резонаторе является по существу не расходящимся. Луч высокого качества создает более благоприятные условия преобразования частоты для любого преобразующего устройства вне резонатора, как, например, с применением недавно исследованных нелинейных материалов с периодической поляризацией. Кроме того, настоящее изобретение может работать в импульсном устройстве, устройствах с модуляцией усиления или с синхронизацией мод для повышения мощности оптического излучения, а значит - и эффективности нелинейного преобразования. Настоящее изобретение применимо не только к преобразованию частот гармоник, но и к генерированию суммарных и разностных частот. В предпочтительном варианте изобретения нелинейный материал имеет резонаторы Фабри-Перо с тем, чтобы лазер работал на одной частоте. На фиг.2 показан пример такого устройства, которое содержит внутрирезонаторный нелинейный кристалл 58 между подложкой 20 и внешним зеркалом 30.
Эффективность каждого из известных вышеупомянутых устройств, например устройства Sandusky и др. и Hadley и др., была ограничена подгонкой геометрии резонатора к размеру только накачиваемого объема, в отличие от настоящего изобретения, в котором энергию извлекают из первого накачиваемого объема, а также второго объема, активизируемого поперечным испусканием энергии, создаваемым в первом объеме.
В настоящем изобретении выходную мощность можно усиливать увеличением диаметра объема моды, как это описано выше. Максимальные уровни выходной мощности, например свыше 10 кВт, можно генерировать с поверхности зоны усиления диаметром один миллиметр. В непрерывном режиме возможно получение с одноэлементного устройства уровней выходной мощности, превышающих 10 Вт, ограниченных только по соображениям теплового режима.
Второе гармоническое излучение, которое распространяется в обратном (противоположном основному излучению) направлении, может дополнительно поглощаться полупроводниковой лазерной структурой таким образом, чтобы создавать электроны и дырки, которые мигрируют в активную зону усиления, тем самым повышая мощность основного лазерного излучения. Это также имеет эффект повышения эффективности этого второго гармонического излучения, а также создания направленного в одну сторону выхода гармонического излучения. В альтернативном варианте изобретения можно использовать резонатор с тремя зеркалами, в котором нелинейный материал расположен в таком месте, где гармоническое излучение не отражается назад в усиливающую среду, а выходит через среднее зеркало. Также может использоваться конструкция с кольцевым резонатором.
К характерным частотно-удваивающим материалам, подходящим для преобразования волн инфракрасного диапазона в видимый свет, относятся периодически поляризованный LiNbО3, KTP и KNbО3. Например, КТР может использоваться с фазовым согласованием для преобразования излучения с длиной волны 1 мкм в зеленый свет, а KNbO3 может преобразовывать инфракрасное излучение в голубой свет при использовании лазерного диода GalnAs, излучающего в диапазоне длин волн около 900 нм.
В настоящем изобретении можно использовать многие широко известные схемы внутрирезонаторного удвоения частоты. Например, для повышения плотности мощности можно установить фокусирующую линзу внутри лазерного резонатора, образованного зеркалами 26 и 30. Современная технология позволяет использовать нелинейные материалы очень малой длины или нелинейные материалы с меньшей нелинейной добротностью.
Для удваивающих материалов, таких как КТР и КNbО3, длина активных кристаллов может быть значительно меньше 1 см при уровнях циркулирующей мощности, существующих в рассматриваемых типах устройств. Меньшие длины нелинейных материалов обеспечивают более широкие условия фазового согласования по температуре и длине волны. Например, для KNbO3 длина кристалла в 1 мм или меньше обеспечивает ширину полосы фазового согласования по температуре более нескольких градусов Цельсия и ширину полосы согласования по длине волны несколько нанометров. Такие широкие диапазоны допустимых значений делают производство и эксплуатацию таких устройств значительно более удобными. Длину волны можно контролировать подбором компонентов сплава материала усиливающей среды, а точная настройка длины волны достижима с применением внутрирезонаторных эталонов или других известных в технике способов управления длиной волны. Аналогичные результаты могут быть получены для других нелинейных материалов, включая КТР.
Полупроводниковая зона 22 усиления предпочтительно представляет собой многоэлементную структуру с квантовыми ямами. В альтернативном варианте может использоваться единственная зона усиления, общая усиливающая толщина которой равна толщине структуры с несколькими квантовыми ямами. Для достижения достаточного усиления за один проход число квантовых ям, обычное для выполненной из GalnAs лазерной структуры с излучаемой длиной волны от 900 нм до 1100 нм, должно быть более 5 при характерном количестве от 10 до 25 ям. Для устройства с высокой максимальной мощностью, работающего в импульсном режиме с использованием оптического или электрического возбуждения, число ям может быть более 50. Предел этого параметра определяется возможностью выращивать на практике больше слоев с квантовыми ямами без деформаций. В таком случае более действенным выбором может быть гетероструктура. Устройства с высокой максимальной мощностью могут быть выполнены, например, с использованием мощных твердотельных лазеров с модуляцией добротности в качестве источников энергии накачки.
Обычные полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором, как правило, работают только с одной или несколькими квантовыми ямами и резонаторными зеркалами очень высокой отражательной способности. Такие устройства не могут функционировать так же эффективно, как и предложенное в настоящем изобретении устройство, из-за свойственного им низкого оптического усиления. Суммарное усиление должно быть достаточным для преодоления потерь во внешнем резонаторе, в том числе потерь свободных носителей заряда в материале подложки зоны 22 и оптических потерь в нелинейном материале и используемым вместе с ним противоотражательном покрытии на внутрирезонаторных оптических элементах.
На фиг. 2 представлено характерное устройство с зоной 22 с квантовыми ямами, выполненной на полупроводниковой подложке 20. Зеркало 26 с высокой отражательной способностью наращено на тыльной поверхности устройства для выполнения функции одного из резонаторных зеркал. Верхний наружный слой служит в качестве проводящего контакта, который может нести на себе противоотражательное покрытие 42 и который имеет низкое оптическое поглощение на длине волны излучения лазера. В альтернативном варианте слой электропроводного материала с оптической шириной запрещенной зоны, большей энергии излучения второй гармоники, служит проводящим слоем со вторым слоем толщиной, меньшей длины диффузии носителей заряда, прозрачным для основного излучения лазера и поглощающим излучение второй гармоники, наращенным между активным материалом и толстым материалом с широкой запрещенной зоной, что позволяет оптически возбужденным носителям заряда диффундировать в зону усиления. Толстый проводящий материал может содержать, например, осажденный оксид олова.
Работа на одной частоте может быть достигнута, например, введением в резонатор эталона. В альтернативном случае нелинейный кристалл 58 может также служить частотно-избирательным элементом.
Способность генерировать излучение видимого диапазона с высокой выходной мощностью делает настоящее изобретение привлекательным в ряде случаев применения, включая средства проекционного отображения, средства чтения и записи информации на оптические диски, голографические запоминающие средства и биофлюоресцентные чувствительные элементы. В случае проекционного отображения могут генерироваться три основных цвета. Например, излучение голубого и зеленого участков видимого спектра можно получить удвоением частоты выходного излучения полупроводниковых GalnAs лазеров, которые могут избирательно излучать в диапазоне длин волн от 900 нм до более чем 1100 нм. Подходящие для удвоения частоты материалы включают в себя КТР для получения длины волны зеленого света и КNbО3 для получения длины волны голубого света. Мощность можно наращивать, применяя матрицы таких устройств. Можно создавать выходную мощность на уровне нескольких десятков ватт. Поскольку в выходном излучении подобной матрицы отсутствует некогерентность между элементами матрицы, эффект пятнистости будет значительно ослаблен, тем самым не ухудшая качество проецируемого изображения в отображающей системе. В случае матричного устройства средства передачи выходного излучения могут содержать матрицу бинарных оптических зеркал или микрозеркал, точно выровненных по центру излучающих поверхностей лазерных диодов.
Система проекционного отображения, использующая настоящее изобретение, может работать с помощью различных оптических модуляторов, таких как пространственный световой модулятор на жидких кристаллах, микрозеркала, например, продаваемые фирмой "Тексас Инструменте", и оптические модуляторы на решеточных дефлекторах, например, разработанные фирмой "Силикон Лайт Машинз", Саннивейл, Калифорния. Для матрицы лазерных источников все элементы оптического модулятора можно освещать каждым лазерным источником, давая возможность отдельным лазерным лучам расширяться так, чтобы они перекрывали друг друга в удаленном поле. В таком исполнении выход из строя одного элемента существенно не ухудшит работу системы. Бинарные оптические линзы могут использоваться для фокусирования лазерного света с цилиндрическим распределением на каждый элемент изображения оптического модулятора для эффективного использования всего располагаемого лазерного излучения.
Хотя данное изобретение подробно представлено и описано на примере его предпочтительных вариантов, специалисту должно быть понятно, что в него можно внести различные изменения в отношении формы и деталей осуществления, без отхода от изобретательского замысла и объема существенных признаков изобретения, определенного в его прилагаемой формуле.
Как пример альтернативного варианта исполнения оптического устройства согласно изобретению, на фиг.4 представлен общий вид оптического элемента, например оптического усилителя 70. Как и в случае лазера, устройство оптического усилителя 70 содержит полупроводниковую подложку 20, полупроводниковую усиливающую среду 22 и первый отражатель 26. Следует отметить, что второй отражатель не требуется, так как оптический усилитель 70 не имеет резонатора. Первый объем 44 усиливающей среды 22 накачивается электрической или световой энергией 56 от источника энергии (не показан). Первый объем 44 имеет в целом круглое сечение диаметром D1. Как описано выше, это вызывает вынужденное и спонтанное поперечное распространение энергии 48 во второй объем 46, расположенный вокруг первого объема 44. В предпочтительном варианте изобретения второй объем 46 является по существу круглым в сечении с диаметром D2. Падающий луч 50, имеющий диаметр D2 и первую амплитуду, направлен на область 46 накачки, перекрывающую как первый объем 44, так и второй объем 46 и активизируемую ими. Падающий луч 50 отражается на зеркале 26 и выходит в виде выходного луча 52 такого же диаметра D2. Выходной луч 52 усиливается активизируемой зоной 46 усиления и поэтому имеет более высокую интенсивность, чем падающий луч 50. Для повышения общего усиления системы можно использовать несколько таких усиливающих элементов.
Второй альтернативный вариант показан на фиг.5, представляющей вид сбоку оптического соединения. Одиночный оптический (зеркальный/линзовый) элемент 70 имеет первую отражающую вогнутую поверхность 72, которая действует как резонаторное зеркало для лазера 78 с вертикальным внешним резонатором и выводом излучения через поверхность, и вторую пропускающую выпуклую поверхность 74, которая действует как элемент фокусирования энергии на выходе из указанного элемента для направления лазерного излучения 32 в волоконно-оптический элемент 76. Волоконно-оптический элемент 76 может содержать одномодовое или многомодовое волокно и расположен в фокусе лазерного излучения 32 так, чтобы лазерная энергия направлялась по существу в пределах числовой апертуры волокна. Первая поверхность 72 имеет оптимизированную отражательную способность с тем, чтобы обеспечить максимальную мощность на выходе лазерного устройства 78, тогда как вторая поверхность 74 и входная поверхность 75 волоконно-оптического элемента 76 для минимизации отражательной способности имеют покрытие, препятствующее отражению на длине волны лазерного излучения.
При сборке зеркальный/линзовый элемент 70 выравнивают и располагают так, чтобы обеспечить максимальный вывод мощности из лазера, и фиксируют известными способами, включая пайку, склеивание эпоксидными смолами и/или лазерную сварку. Затем волокно располагают так, чтобы оно принимало сфокусированное излучение 32, и соответствующим образом фиксируют любым из вышеуказанных способов. Этот вариант дает преимущество, связанное с уменьшением числа оптических элементов, необходимых для фокусирования энергии в волокно, за счет соединения функций резонаторного зеркала и выходной линзы в одном элементе.

Claims (25)

1. Лазер с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, отличающийся тем, что он содержит первый и второй отражатели (26), (30), образующие резонатор (60), усиливающую среду (22), расположенную внутри указанного резонатора (60), и источник энергии, являющийся средством активизации усиливающей среды (22) в пределах ее первого объема (44), при этом указанный резонатор (60) определяет основную резонаторную моду генерируемого лазерного луча (32), а источник энергии является средством создания потока световой энергии (48) в указанной усиливающей среде (22) в направлении, по существу поперечном указанной основной резонаторной моде, при этом второй объем (46) указанной усиливающей среды (22) является оптически накачиваемым вокруг указанного первого объема (44) посредством указанного поперечного потока энергии (48), причем поток энергии в пределах указанных первого и второго объемов (44), (46) излучается в указанную основную резонаторную моду.
2. Лазер по п.1, отличающийся тем, что указанный первый объем (44) образуется по существу цилиндрическим и имеет диаметр поперечного сечения D1, а указанный второй объем (46) образуется по существу кольцевым, с внешним диаметром поперечного сечения D2 и внутренним диаметром поперечного сечения D1, причем первый и второй объемы (44), (46) в основном концентричны в поперечном сечении.
3. Лазер по п.1 или 2, отличающийся тем, что дополнительно содержит полупроводниковую подложку (20), и указанная усиливающая среда (22) сформирована на данной подложке, причем и подложка (20) и указанная усиливающая среда (22) расположены внутри указанного резонатора.
4. Лазер по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что указанная усиливающая среда включает полупроводниковый материал.
5. Лазер по п.4, отличающийся тем, что указанная усиливающая среда (22) включает структуру полупроводникового материала с по крайней мере одной квантовой ямой.
6. Лазер по п.4, отличающийся тем, что указанный второй отражатель (30) непосредственно примыкает к указанной полупроводниковой подложке (20).
7. Лазер по п.4, отличающийся тем, что указанный второй отражатель (30) находится за пределами указанной полупроводниковой подложки (20).
8. Лазер по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что конфигурация первого и второго отражателей (26, 30) выполнена в соответствии с основной резонаторной модой.
9. Лазер по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что источником энергии является средство электрического возбуждения усиливающей среды (22) в пределах ее первого объема (44) с созданием инверсии населенности и вынужденного оптического испускания, причем поперечный размер указанного первого объема (44) в основном превышает толщину указанной усиливающей среды (22).
10. Лазер по п.9, отличающийся тем, что дополнительно содержит первый контакт (40), непосредственно примыкающий к первому отражателю (26), полупроводниковую подложку (20), непосредственно примыкающую к указанной усиливающей среде (22) по первому краю, и второй контакт (28), расположенный на указанной полупроводниковой подложке (20) по второму краю, напротив первого края, причем первый и второй контакты (40), (28) являются контактами передачи электрической энергии для электрической накачки первого объема (44) указанной усиливающей зоны (22), причем указанные первый и второй контакты (40), (28) определяют путь электрической энергии через указанную полупроводниковую подложку (20), указанную усиливающую зону (22) и указанный первый отражатель (26).
11. Лазер по п.10, отличающийся тем, что указанный первый контакт (40) имеет в основном цилиндрическую форму, а указанный второй контакт (28) имеет в основном форму кольца.
12. Лазер по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что источник энергии выполнен с возможностью оптического возбуждения усиливающей среды (22).
13. Лазер по п.12, отличающийся тем, что усиливающая среда (22) образована из материала в твердом состоянии.
14. Лазер по п. 13, отличающийся тем, что указанные твердые материалы выбраны из группы материалов, включающей Еr:стекло, Yb:стекло или Yb:YAG.
15. Лазер по любому из пп.1-14, отличающийся тем, что он дополнительно содержит нелинейный материал, расположенный на пути лазерного луча (32) с возможностью настройки частоты луча (32).
16. Лазер по п.15, отличающийся тем, что нелинейный материал расположен внутри лазерного резонатора (60).
17. Лазер по п.15, отличающийся тем, что нелинейный материал выбран из группы, состоящей из КТР, LiNbO3, периодически поляризованного LiNbO3, KTN и KNbO3.
18. Лазер по п.15, отличающийся тем, что нелинейный материал содержит элементы в виде резонатора Фабри-Перо, при этом лазер имеет одну рабочую частоту.
19. Лазер по любому из пп.1-18, отличающийся тем, что он дополнительно содержит внутрирезонаторный настраивающий элемент, выбранный из группы, состоящей из эталона, двулучепреломляющего элемента, призмы и решетки.
20. Лазер по любому из пп.1-19, отличающийся тем, что в основном вся энергия возбуждения из указанного первого объема (44), поглощенная в указанном втором объеме (46), излучается в основную резонаторную моду в форме вынужденного излучения.
21. Лазер по любому из пп.1-20, отличающийся тем, что вынужденное оптическое излучение имеет направление распространения из указанного первого объема (44), по существу поперечное основной моде излучения, при этом усиливающая среда (22) в кольцевом втором объеме (46), расположенном вокруг указанного оптически накаченного первого объема (44), является оптически накаченной посредством упомянутого вынужденного оптического излучения с созданием инверсии населенности в усиливающей среде (22) в пределах упомянутого второго объема (46).
22. Набор лазеров, состоящий из лазеров по любому из пп.1-21, в котором указанные лазеры совмещены в виде матрицы адресуемых элементов.
23. Способ повышения КПД лазерного устройства, отличающийся тем, что сначала устанавливают первый и второй отражатели с заданием основной моды излучения лазерного устройства, затем устанавливают первый контакт на первом отражателе с заданием первого объема в активной зоне лазерного устройства, затем подают электрическую энергию на первый контакт и при этом генерируют испускание световой энергии в первом объеме, распространяют световую энергию вдоль активной зоны из первого объема во второй объем, непосредственно примыкающий к первому объему, с оптическим возбуждением указанного второго объема, и затем согласовывают первый и второй отражатели и вводят тем самым испускание световой энергии в первом и втором объемах в основную моду излучения.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что дополнительно устанавливают слой полупроводникового материала непосредственно примыкающим к активной зоне со стороны, удаленной от первого отражателя, и устанавливают второй контакт на слое полупроводникового материала с заданием пути электрической энергии через слой полупроводникового материала между первым контактом и вторым контактом внутри лазерного устройства.
25. Способ по пп.23 и 24, отличающийся тем, что дополнительно преобразовывают частоту основной моды излучения посредством установки нелинейного материала между первым и вторым отражателями.
RU99122684/28A 1997-03-21 1998-03-19 Лазер с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, набор лазеров и способ повышения кпд лазерного устройства RU2190910C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US4118597P 1997-03-21 1997-03-21
US60/041,185 1997-03-21
US08/888,533 1997-07-07
US08/888,533 US6243407B1 (en) 1997-03-21 1997-07-07 High power laser devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99122684A RU99122684A (ru) 2001-08-10
RU2190910C2 true RU2190910C2 (ru) 2002-10-10

Family

ID=26717895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99122684/28A RU2190910C2 (ru) 1997-03-21 1998-03-19 Лазер с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, набор лазеров и способ повышения кпд лазерного устройства

Country Status (16)

Country Link
US (3) US6243407B1 (ru)
EP (1) EP0968552B1 (ru)
JP (2) JP4050328B2 (ru)
KR (1) KR100375850B1 (ru)
AT (1) ATE409362T1 (ru)
AU (1) AU732161B2 (ru)
BR (1) BR9808393A (ru)
CA (1) CA2284225C (ru)
CZ (1) CZ290895B6 (ru)
DE (1) DE69840043D1 (ru)
HU (1) HUP0001761A3 (ru)
IL (1) IL131977A (ru)
NZ (1) NZ337874A (ru)
PL (1) PL335834A1 (ru)
RU (1) RU2190910C2 (ru)
WO (1) WO1998043329A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2696335C2 (ru) * 2014-12-19 2019-08-01 Конинклейке Филипс Н.В. Модуль лазерного датчика
RU199498U1 (ru) * 2019-12-24 2020-09-03 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) Гетероструктура длинноволнового вертикально-излучающего лазера

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2950302B2 (ja) * 1997-11-25 1999-09-20 日本電気株式会社 半導体レーザ
US6813291B2 (en) * 1998-06-26 2004-11-02 Coretek Inc Tunable fabry-perot filter and tunable vertical cavity surface emitting laser
US6542527B1 (en) 1998-08-27 2003-04-01 Regents Of The University Of Minnesota Vertical cavity surface emitting laser
US5991318A (en) † 1998-10-26 1999-11-23 Coherent, Inc. Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
WO2000025398A1 (en) 1998-10-26 2000-05-04 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers
US6285702B1 (en) 1999-03-05 2001-09-04 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor laser
US6298076B1 (en) 1999-03-05 2001-10-02 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers
US6574255B1 (en) 1999-03-05 2003-06-03 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers
US7249328B1 (en) * 1999-05-21 2007-07-24 E-Numerate Solutions, Inc. Tree view for reusable data markup language
AU5168000A (en) * 1999-05-26 2000-12-12 Ii-Vi Incorporated Improved optical contacting method and apparatus
US6370168B1 (en) 1999-10-20 2002-04-09 Coherent, Inc. Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
US6522673B1 (en) * 1999-12-22 2003-02-18 New Focus, Inc. Method and apparatus for optical transmission
US7043134B2 (en) 1999-12-23 2006-05-09 Spectalis Corp. Thermo-optic plasmon-polariton devices
US6735234B1 (en) * 2000-02-11 2004-05-11 Giga Tera Ag Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser
US6778582B1 (en) * 2000-03-06 2004-08-17 Novalux, Inc. Coupled cavity high power semiconductor laser
US6647048B2 (en) * 2000-04-28 2003-11-11 Photodigm, Inc. Grating-outcoupled surface-emitting lasers using quantum wells with thickness and composition variation
US6760359B2 (en) * 2000-04-28 2004-07-06 Photodigm, Inc. Grating-outcoupled surface-emitting lasers with flared gain regions
US6515305B2 (en) * 2000-09-18 2003-02-04 Regents Of The University Of Minnesota Vertical cavity surface emitting laser with single mode confinement
US6972400B2 (en) * 2000-11-02 2005-12-06 Raytheon Company Multi-mode vibration sensor laser
US6853658B1 (en) * 2000-12-14 2005-02-08 Finisar Corporation Optical logical circuits based on lasing semiconductor optical amplifiers
US6714575B2 (en) * 2001-03-05 2004-03-30 Photodigm, Inc. Optical modulator system
US6909536B1 (en) * 2001-03-09 2005-06-21 Finisar Corporation Optical receiver including a linear semiconductor optical amplifier
FR2824188B1 (fr) * 2001-04-25 2003-12-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif optique comportant une pluralite de cavites resonantes de longueurs differentes associees a differentes longueurs d'ondes
US6507593B1 (en) 2001-09-24 2003-01-14 Coherent, Inc. Step-tunable external-cavity surface-emitting semiconductor laser
US6714581B2 (en) 2001-10-01 2004-03-30 Christopher J. Corcoran Compact phase locked laser array and related techniques
US7539232B1 (en) 2001-10-01 2009-05-26 Corcoran Christopher J Compact phase locked laser array and related techniques
US6765725B1 (en) 2001-10-11 2004-07-20 Boston Laser, Inc. Fiber pigtailed high power laser diode module with high brightness
US20030071269A1 (en) * 2001-10-15 2003-04-17 Tseng Ampere A. Apparatus and method for laser selective bonding technique for making sealed or enclosed microchannel structures
KR100404043B1 (ko) * 2001-10-19 2003-11-03 주식회사 비첼 수직으로 집적화된 고출력 면발광 반도체 레이저 장치 및그 제조 방법
US6628695B1 (en) * 2002-03-07 2003-09-30 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Monolithically integrated mode-locked vertical cavity surface emitting laser (VCSEL)
US6768757B2 (en) * 2002-03-29 2004-07-27 Nortel Networks, Ltd. Cavity mirror for optically-pumped vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL)
US7197059B2 (en) * 2002-05-08 2007-03-27 Melles Griot, Inc. Short wavelength diode-pumped solid-state laser
KR101033759B1 (ko) * 2002-09-02 2011-05-09 리모 파텐트페어발퉁 게엠베하 운트 코. 카게 반도체 레이저 장치
US20040076204A1 (en) 2002-10-16 2004-04-22 Kruschwitz Brian E. External cavity organic laser
US20040202223A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Eric Crosson External cavity laser having improved single mode operation
CA2453760A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-20 Spectalis Corp. External-cavity lasers
DE10339980B4 (de) 2003-08-29 2011-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme
US20070166852A1 (en) * 2003-09-22 2007-07-19 Snake Creek Lasers Llc Diode-pumped microlasers including resonator microchips and methods for producing the same
US20050063441A1 (en) * 2003-09-22 2005-03-24 Brown David C. High density methods for producing diode-pumped micro lasers
US20070121689A1 (en) * 2003-09-22 2007-05-31 Snake Creek Lasers Llc Methods for Producing Diode-Pumped Micro Lasers
DE602004030376D1 (de) * 2003-12-22 2011-01-13 Panasonic Corp Oberflächenemissionslaser und laserprojektor
EP1560306B1 (de) * 2004-01-30 2014-11-19 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit einem Interferenzfilter
DE102004040077A1 (de) * 2004-05-28 2005-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenemittierendes Halbleiterlaserbauelement mit einer vertikalen Emissionsrichtung
EP1608049B1 (en) * 2004-06-19 2007-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. External cavity plural wavelength laser system
KR101015499B1 (ko) * 2004-06-19 2011-02-16 삼성전자주식회사 복수의 파장을 발생시키는 반도체 레이저 소자 및 상기반도체 레이저 소자용 레이저 펌핑부
DE102004052686A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement mit einem gekrümmten Spiegel und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem gekrümmten Halbleiterkörper
US20060083276A1 (en) * 2004-09-28 2006-04-20 Snake Creek Lasers, Llc. Cryogenically cooled solid state lasers
KR101015500B1 (ko) * 2004-10-11 2011-02-24 삼성전자주식회사 터널 접합을 구비한 고출력 레이저 소자 및 상기 레이저소자용 레이저 펌핑부
JP4855038B2 (ja) * 2004-10-14 2012-01-18 三星電子株式会社 ファンネル構造のｖｅｃｓｅｌ
KR100982421B1 (ko) * 2004-10-14 2010-09-15 삼성전자주식회사 깔대기 형태의 전류주입영역을 구비하는 면발광 고출력레이저 소자
US7244028B2 (en) 2004-12-14 2007-07-17 Coherent, Inc. Laser illuminated projection displays
US7355657B2 (en) * 2004-12-14 2008-04-08 Coherent, Inc. Laser illuminated projection displays
KR100982423B1 (ko) * 2004-12-28 2010-09-15 삼성전자주식회사 이중채널 전류주입구조를 구비하는 면발광 레이저 소자
CN101120493A (zh) * 2005-02-17 2008-02-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 全固态紫外线激光器系统
WO2006105258A2 (en) 2005-03-30 2006-10-05 Novalux, Inc. Manufacturable vertical extended cavity surface emitting laser arrays
CN101180778A (zh) 2005-03-30 2008-05-14 诺瓦光电技术公司 稳频竖直扩展腔表面发射激光器
KR100718128B1 (ko) * 2005-06-02 2007-05-14 삼성전자주식회사 단일한 히트싱크 위에 펌프 레이저와 함께 결합된 면발광레이저
US20070147458A1 (en) * 2005-06-10 2007-06-28 Novalux, Inc. Cavity and packaging designs for arrays of vertical cavity surface emitting lasers with or without extended cavities
JP4285447B2 (ja) * 2005-06-20 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 レーザ光源装置、表示装置およびプロジェクタ
KR100738527B1 (ko) * 2005-07-13 2007-07-11 삼성전자주식회사 광펌핑 반도체 레이저
KR20080049740A (ko) 2005-09-02 2008-06-04 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 2차원 포토닉 결정 면발광 레이저 광원
DE102006010727B4 (de) * 2005-12-05 2019-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Tunnelübergang
DE102006010728A1 (de) * 2005-12-05 2007-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Laservorrichtung
US7411735B2 (en) * 2005-12-06 2008-08-12 3M Innovative Property Company Illumination system incorporating collimated light source
JP2007258260A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Kyoto Univ ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
DE102006024220A1 (de) * 2006-04-13 2007-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US7801197B2 (en) * 2006-06-16 2010-09-21 Epicrystals Oy High power laser device
US7421001B2 (en) * 2006-06-16 2008-09-02 Pbc Lasers Gmbh External cavity optoelectronic device
EP2036172A2 (en) * 2006-06-16 2009-03-18 Vitaly Shchukin Coupled cavity ld with tilted wave propagation
US7986454B1 (en) 2006-07-03 2011-07-26 Terahertz Technologies Llc Tunable terahertz generator using a magnon gain medium with an antenna
US7706056B2 (en) * 2006-07-03 2010-04-27 Terahertz Technologies Llc Modulation of terahertz radiation
US7471449B2 (en) * 2006-07-03 2008-12-30 Terahertz Technologies Llc Method and apparatus for generating Terahertz radiation with magnon gain medium and magnon mirror
US8031397B1 (en) 2006-07-03 2011-10-04 Terahertz Technologies, Llc Three-level magnon laser at room temperatures
EP2425868B1 (en) 2006-07-28 2014-11-19 ResMed Limited Delivery of respiratory therapy
TWI338983B (en) * 2007-07-20 2011-03-11 Young Optics Inc Laser light source module
US20090080063A1 (en) * 2007-09-21 2009-03-26 Hc Photonics Corp. Array waveguide and light source using the same
JP5233235B2 (ja) * 2007-10-10 2013-07-10 セイコーエプソン株式会社 半導体発光素子の制御
US20090141749A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Young Optics Inc. Laser module
US7630125B2 (en) * 2007-12-11 2009-12-08 Young Optics Inc. Laser module
US7801195B2 (en) * 2008-02-14 2010-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrically-pumped semiconductor zigzag extended cavity surface emitting lasers and superluminescent LEDs
JP2009212422A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Seiko Epson Corp 半導体発光素子の制御
JP2010219307A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクター
US9740019B2 (en) * 2010-02-02 2017-08-22 Apple Inc. Integrated structured-light projector
US8427740B1 (en) 2010-03-10 2013-04-23 Terahertz Technologies Llc Modulation of terahertz radiation at room temperatures
US8194512B2 (en) 2010-11-08 2012-06-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Head structure for thermally-assisted recording (TAR) disk drive
US8107326B1 (en) 2010-11-15 2012-01-31 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Slider with integrated thermally-assisted recording (TAR) head and integrated long laser diode
US8184507B1 (en) 2010-12-15 2012-05-22 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Slider with integrated thermally-assisted recording (TAR) head and long laser diode with optical body for directing laser radiation
US8139448B1 (en) 2010-12-15 2012-03-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Slider with integrated thermally-assisted recording (TAR) head and vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with angled external cavity
US20120232538A1 (en) 2011-02-03 2012-09-13 Tria Beauty, Inc. Radiation-based dermatological devices and methods
US9220915B2 (en) 2011-02-03 2015-12-29 Tria Beauty, Inc. Devices and methods for radiation-based dermatological treatments
US11406448B2 (en) 2011-02-03 2022-08-09 Channel Investments, Llc Devices and methods for radiation-based dermatological treatments
US9789332B2 (en) 2011-02-03 2017-10-17 Tria Beauty, Inc. Devices and methods for radiation-based dermatological treatments
US8685008B2 (en) 2011-02-03 2014-04-01 Tria Beauty, Inc. Devices and methods for radiation-based dermatological treatments
US8679102B2 (en) 2011-02-03 2014-03-25 Tria Beauty, Inc. Devices and methods for radiation-based dermatological treatments
US8774238B2 (en) 2011-06-30 2014-07-08 Coherent, Inc. Mode-locked optically pumped semiconductor laser
US10054430B2 (en) 2011-08-09 2018-08-21 Apple Inc. Overlapping pattern projector
US8749796B2 (en) 2011-08-09 2014-06-10 Primesense Ltd. Projectors of structured light
FR2986916A1 (fr) * 2012-02-09 2013-08-16 Eolite Systems Systeme amplificateur optique et laser a impulsion limites en energie par impulsion.
WO2014203110A1 (en) * 2013-06-19 2014-12-24 Primesense Ltd. Integrated structured-light projector
GB2526063B (en) * 2014-04-28 2016-10-26 Solus Tech Ltd Optical amplifier
US10153614B1 (en) 2017-08-31 2018-12-11 Apple Inc. Creating arbitrary patterns on a 2-D uniform grid VCSEL array
JP7384067B2 (ja) 2020-02-19 2023-11-21 ウシオ電機株式会社 半導体レーザ装置
US20210349281A1 (en) * 2020-02-28 2021-11-11 Steven J. Augst High Power Light Absorbers
DE102020115133A1 (de) * 2020-06-08 2021-12-09 Laser Zentrum Hannover E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Laserpulses

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4479224A (en) 1981-10-26 1984-10-23 Massachusetts Institute Of Technology Fiber-coupled external cavity semiconductor laser
US4499569A (en) * 1982-09-07 1985-02-12 Discovision Associates Writing beam focus monitor
JPS61239678A (ja) * 1985-04-16 1986-10-24 Mitsubishi Electric Corp 光電変換装置
US4881236A (en) 1988-04-22 1989-11-14 University Of New Mexico Wavelength-resonant surface-emitting semiconductor laser
US4991179A (en) 1989-04-26 1991-02-05 At&T Bell Laboratories Electrically pumped vertical cavity laser
US5091915A (en) * 1989-12-25 1992-02-25 Mitsubishi Denki K.K. Semiconductor laser excited solid laser device
US5325386A (en) 1992-04-21 1994-06-28 Bandgap Technology Corporation Vertical-cavity surface emitting laser assay display system
US5337327A (en) * 1993-02-22 1994-08-09 Motorola, Inc. VCSEL with lateral index guide
US5301201A (en) 1993-03-01 1994-04-05 At&T Bell Laboratories Article comprising a tunable semiconductor laser
DE69405427T2 (de) * 1993-03-04 1998-04-02 At & T Corp Vorrichtung mit fokussierendem oberflächenemittierendem Halbleiterlaser
JPH06350191A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Nec Corp 面発光素子
SE501722C2 (sv) 1993-09-10 1995-05-02 Ellemtel Utvecklings Ab Ytemitterande laseranordning med vertikal kavitet
US5388120A (en) 1993-09-21 1995-02-07 Motorola, Inc. VCSEL with unstable resonator
US5420880A (en) 1993-10-12 1995-05-30 Wisconsin Alumni Research Foundation Low threshold vertical cavity surface emitting laser
US5461637A (en) 1994-03-16 1995-10-24 Micracor, Inc. High brightness, vertical cavity semiconductor lasers
US5412680A (en) 1994-03-18 1995-05-02 Photonics Research Incorporated Linear polarization of semiconductor laser
US5513203A (en) 1995-04-05 1996-04-30 At&T Corp. Surface emitting laser having improved pumping efficiency
US5513204A (en) 1995-04-12 1996-04-30 Optical Concepts, Inc. Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump
US5594751A (en) * 1995-06-26 1997-01-14 Optical Concepts, Inc. Current-apertured vertical cavity laser
GB2304993B (en) 1995-08-23 1997-08-06 Toshiba Cambridge Res Center Semiconductor device
TW322649B (ru) 1995-10-30 1997-12-11 Motorola Inc
US5724376A (en) * 1995-11-30 1998-03-03 Hewlett-Packard Company Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding
GB2311166A (en) 1996-03-13 1997-09-17 Sharp Kk An optoelectronic semiconductor device
US5706306A (en) 1996-03-15 1998-01-06 Motorola VCSEL with distributed Bragg reflectors for visible light
US5838715A (en) * 1996-06-20 1998-11-17 Hewlett-Packard Company High intensity single-mode VCSELs
US5724375A (en) 1996-07-17 1998-03-03 W. L. Gore & Associates, Inc. Vertical cavity surface emitting laser with enhanced second harmonic generation and method of making same
US5905750A (en) * 1996-10-15 1999-05-18 Motorola, Inc. Semiconductor laser package and method of fabrication
US5943357A (en) * 1997-08-18 1999-08-24 Motorola, Inc. Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with photodetector for automatic power control and method of fabrication
US6246708B1 (en) * 1997-08-27 2001-06-12 Xerox Corporation Semiconductor laser with associated electronic components integrally formed therewith
US6438149B1 (en) * 1998-06-26 2002-08-20 Coretek, Inc. Microelectromechanically tunable, confocal, vertical cavity surface emitting laser and fabry-perot filter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2696335C2 (ru) * 2014-12-19 2019-08-01 Конинклейке Филипс Н.В. Модуль лазерного датчика
RU199498U1 (ru) * 2019-12-24 2020-09-03 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) Гетероструктура длинноволнового вертикально-излучающего лазера

Also Published As

Publication number Publication date
ATE409362T1 (de) 2008-10-15
JP2001502119A (ja) 2001-02-13
CZ9903245A3 (cs) 2002-06-12
IL131977A0 (en) 2001-03-19
PL335834A1 (en) 2000-05-22
CA2284225C (en) 2002-12-24
JP2007081415A (ja) 2007-03-29
KR20010005608A (ko) 2001-01-15
KR100375850B1 (ko) 2003-03-10
EP0968552A1 (en) 2000-01-05
AU732161B2 (en) 2001-04-12
CA2284225A1 (en) 1998-10-01
US6243407B1 (en) 2001-06-05
HUP0001761A2 (hu) 2001-04-28
JP4050328B2 (ja) 2008-02-20
DE69840043D1 (de) 2008-11-06
US6404797B1 (en) 2002-06-11
EP0968552B1 (en) 2008-09-24
BR9808393A (pt) 2000-05-23
NZ337874A (en) 2000-03-27
AU6939698A (en) 1998-10-20
IL131977A (en) 2003-02-12
HUP0001761A3 (en) 2003-01-28
US6614827B1 (en) 2003-09-02
WO1998043329A1 (en) 1998-10-01
CZ290895B6 (cs) 2002-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2190910C2 (ru) Лазер с вертикальным резонатором и выводом излучения через поверхность, набор лазеров и способ повышения кпд лазерного устройства
EP1222720B1 (en) Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
US6192062B1 (en) Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power
US5317447A (en) High-power, compact, diode-pumped, tunable laser
US5321718A (en) Frequency converted laser diode and lens system therefor
US6208679B1 (en) High-power multi-wavelength external cavity laser
US6198756B1 (en) CW far-UV laser system with two active resonators
RU99122684A (ru) Лазер (варианты), набор лазеров, оптическое устройство, устройство генерирования лазерного излучения, способ повышения кпд лазерного устройства
JPH0242778A (ja) レーザ共振装置
US7548569B2 (en) High-power optically end-pumped external-cavity semiconductor laser
US6097540A (en) Frequency conversion combiner system for diode lasers
US5559824A (en) Optical frequency-converting medium pumped by unstable resonator semiconductor laser
US3992681A (en) Method and means for controlling population inversion and electronically scanning solid state laser output deflections
US20020094006A1 (en) Solid-state laser device and solid-state laser amplifier provided therewith
US5022041A (en) Near resonant Nd3+, solid state laser system
WO2018108251A1 (en) Laser
MXPA99008663A (en) High power laser devices
WO2002084825A1 (en) High-power, high beam quality slab waveguide laser
JPH0414273A (ja) 和周波発生用半導体レーザ励起固体レーザ
JPH04323628A (ja) 高調波発生装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090320