DE10339980B4 - Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme - Google Patents

Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme Download PDF

Info

Publication number
DE10339980B4
DE10339980B4 DE10339980A DE10339980A DE10339980B4 DE 10339980 B4 DE10339980 B4 DE 10339980B4 DE 10339980 A DE10339980 A DE 10339980A DE 10339980 A DE10339980 A DE 10339980A DE 10339980 B4 DE10339980 B4 DE 10339980B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
active layer
radiation
semiconductor
mesa
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10339980A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10339980A1 (de
Inventor
Peter Dr. Brick
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE10339980A priority Critical patent/DE10339980B4/de
Priority to US10/926,465 priority patent/US7356062B2/en
Priority to JP2004247415A priority patent/JP4970715B2/ja
Publication of DE10339980A1 publication Critical patent/DE10339980A1/de
Priority to US12/080,377 priority patent/US7649922B2/en
Priority to US12/080,378 priority patent/US7573927B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE10339980B4 publication Critical patent/DE10339980B4/de
Priority to JP2011006151A priority patent/JP2011109126A/ja
Priority to JP2011006152A priority patent/JP4778592B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
    • H01S5/18352—Mesa with inclined sidewall
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02461—Structure or details of the laser chip to manipulate the heat flow, e.g. passive layers in the chip with a low heat conductivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/041—Optical pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1078—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with means to control the spontaneous emission, e.g. reducing or reinjection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18319—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement comprising a periodical structure in lateral directions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser

Abstract

Halbleiterscheibenlaser mit externem Resonator,
mit einem Halbleiterchip (1), der eine aktive Schicht (5) enthält, und Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung (6) emittiert, wobei die aktive Schicht (5) einen Bereich (7) aufweist, der zum optischen Pumpen durch eine Pumpstrahlungsquelle (8) vorgesehen ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
die aktive Schicht (5) zur Verminderung einer Erwärmung des Halbleiterchips (1) durch spontan emittierte Strahlung (10) in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung (6) derart strukturiert ist, dass die aktive Schicht (5) die Form einer Mesa aufweist, und die Seitenflanken (11, 15) der Mesa eine reflexionsmindernde Schicht (13) aufweisen.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Die Effizienz und Ausgangsleistung von Halbleiterlasern wird entscheidend durch die Wärme, die durch strahlende und nichtstrahlende Rekombinationen der injizierten Ladungsträger entsteht, limitiert.
  • Um die Wärmeabfuhr zu verbessern, werden optoelektronische Bauelemente häufig mit einer Wärmesenke versehen. Die Temperaturerhöhung ΔT in der aktiven Zone ist in diesem Fall durch ΔT = Rth·PV gegeben, wobei Rth der thermische Widerstand zwischen der aktiven Zone und der Wärmesenke und PV die Verlustleistung ist. Eine Temperaturerhöhung bewirkt bei einem Halbleiterlaser in der Regel eine geringere Verstärkung. Um eine solche für die Effizienz des Halbleiterlasers nachteilige Temperaturerhöhung zu verringern, ist es vorteilhaft, den thermischen Widerstand Rth oder die Verlustleistung PV zu reduzieren.
  • Beispielsweise ist aus Kuznetsov et. al., IEEE Journ. Sel. Topics in Quantum Electronics Vol. 5 No. (3), S. 561–573 (1999) ein Halbleiterscheibenlaser mit externem Resonator bekannt, bei dem die Wärmeanbindung der Wärmesenke an die aktive Zone durch die Entfernung eines typischerweise zwischen der aktiven Zone und der Wärmesenke angeordneten Substrats verbessert wird. Der thermische Widerstand Rth und die Temperaturerhöhung ΔT werden dadurch reduziert. Ein weiterer Halbleiterscheibenlaser mit externem Resonator wird in der Druckschrift US 5,991,318 A beschrieben.
  • Die innerhalb der aktiven Schicht entstehende Verlustleistung PV wird maßgeblich durch die nichtstrahlende Rekombination von Ladungsträgern über Defekte bzw. über Auger-Prozesse und durch strahlende Rekombinationen von Ladungsträgern durch Spontanemission bestimmt. Eine hohe Rekombinationsrate führt zu einer kurzen Lebensdauer der induzierten Ladungsträger und damit zu einer hohen Laserschwelle, einer niedrigen Effizienz und Ausgangsleistung. Es ist daher wünschenswert, diese Arten der Rekombination von Ladungsträgern zu minimieren. Die nichtstrahlende Rekombination von Ladungsträgern über Defekte kann durch die Qualität der Epitaxie beeinflußt werden. Die nichtstrahlende Rekombination von Ladungsträgern über Auger-Prozesse ist dagegen schwierig zu beeinflussen.
  • Die spontane Emission von Strahlung ist durch Strukturen in der Größenordnung der Lichtwellenlänge, beispielsweise durch Mikroresonatoren oder photonische Kristalle, beeinflußbar. Ein ausführliche Darstellung der Wirkungsweise und der Methoden zur Herstellung photonischer Kristalle enthält die Druckschrift T. F. Krauss, R. M. De La Rue, Prog. Quant. Electr. Vol. 23 (1999) S. 51–96.
  • Die Beeinflussung der spontanen Emission durch einen Mikroresoantor ist aus der Druckschrift Y. Hanamaki, H. Akiyama, Y. Shiraki, Semicond. Sci. Technol. Vol. 14 (1999) S. 797–803 bekannt.
  • Weiterhin ist aus der WO 98/43329 A1 ein vertikal emittierender Laser bekannt, bei dem die aus einem ersten Volumenbereich eines aktiven Mediums in transversaler Richtung spontan oder stimuliert emittierte Strahlung dazu genutzt wird, einen zweiten Volumenbereich, der den ersten Volumenbereich umgibt, zu pumpen.
  • In der Druckschrift H. D. Summers, G. M. Berry, G. W. Lewis, P. Blond, Spontaneous emission control in quantum well laser diodes, Optics Express, Vol. 2, Nr. 4, (1998), S. 151–156 wird ein kantenemittierender Oxidstreifenlaser beschrieben, bei dem ein Einfluss von in die Epitaxieschichtenfolge integrierten Bragg-Spiegeln auf die spontane Emission der Quantentrogstruktur des Halbleiterlasers beobachtet wurde.
  • In der Druckschrift US 2002/0167984 A1 wird ein Halbleiterlaser offenbart, dessen aktive Schicht durch einen photonischen Kristall gebildet wird. Insbesondere wird in dieser Druckschrift beschrieben, dass die einzelnen Nanokavitäten des photonischen Kristalls jeweils als einzelne VCSEL angesehen werden können.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiterlaser anzugeben, der sich durch eine verhältnismäßig geringe Erwärmung während des Betriebs auszeichnet.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Halbleiterlaser gemäß den unabhängigen Patentansprüchen 1, 4 und 5 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Gemäß der Erfindung ist bei einem Halbleiterlaser mit einem Halbleiterchip, der eine aktive Schicht enthält, und Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung emittiert, die aktive Schicht in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung strukturiert, um eine Erwärmung des Halbleiterchips durch spontan emittierte Strahlung zu vermindern.
  • In einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß die aktive Schicht des Halbleiterlasers in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung derartig strukturiert ist, daß die Auskopplung von innerhalb der aktiven Schicht spontan emittierter Strahlung verbessert wird. Da der Anteil der spontan emittierten Strahlung, der aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt wird, nicht im Halbleiterchip reabsorbiert wird, bewirkt dieser Anteil keine nachteilige Erwärmung des Halbleiterchips.
  • In einer zweiten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß die aktive Schicht in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung derartig strukturiert ist, daß die spontane Emission von Strahlung in der aktiven Schicht in dieser Richtung vermindert ist. Im Gegensatz zur ersten Ausführungsform der Erfindung, in der die nachteilige Erwärmung des Halbleiterchips durch eine Erhöhung des ausgekoppelten Anteils spontan emittierter Strahlung vermindert wird, ist es das Ziel dieser Ausführungsform, bereits die Entstehung spontan emittierter Strahlung zu vermindern. Diese Ausführungsform beruht auf der Tatsache, daß die spontane Emission keine rein intrinsische Materialeigenschaft ist, sondern auch von der Struktur des aktiven Mediums und der Umgebung abhängen kann.
  • Bei dem Halbleiterlaser handelt es sich um einen Scheibenlaser (VECSEL – Vertical External Cavity Surface Emitting Laser), bei dem die aktive Schicht die Form einer Mesa aufweist. Die Mesastruktur kann z. B. durch eine photolithographische Strukturierung in Verbindung mit einem Ätzverfahren hergestellt sein. Durch die Mesastruktur wird die aktive Schicht in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung des Lasers räumlich begrenzt, so daß in der aktiven Schicht spontan emittierte Strahlung, die in diese Richtung emittiert wird, den Halbleiterchip nach einem verhältnismäßig kurzen Weg durch das aktive Medium durch die Seitenflanken der Mesa verlassen kann.
  • Bei einem optisch gepumpten Scheibenlaser, bei dem eine Pumpstrahlungsquelle Pumpstrahlung in einen Teilbereich der aktiven Schicht einstrahlt, ist die Breite der Mesa in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung des Halbleiterlasers in etwa so groß wie die Breite des optisch gepumpten Bereichs. Da die Absorption innerhalb des optisch gepumpten Bereichs aufgrund der Besetzungsinversion während des Laserbetriebs nur gering ist, wird durch diese Maßnahme die Reabsorption von spontan emittierter Strahlung vermindert.
  • Die Seitenflanken der Mesa verlaufen bevorzugt schräg zur Hauptstrahlrichtung des Lasers. Damit wird verhindert, daß die Seitenflanken senkrecht zu Hauptstrahlrichtung des Lasers einen Resonator ausbilden.
  • Bei einer Ausführungsform der Erfindung weisen die Seitenflanken der Mesa eine reflektionsmindernde Schicht auf. Damit wird nicht nur eine unerwünschte Wirkung der Seitenflanken als Resonator quer zur Hauptstrahlrichtung vermindert, sondern auch die Auskopplung spontan emittierter Strahlung aus dem Halbleiterchip verbessert.
  • Bei einer Realisierung der zweiten Ausführungsform der Erfindung ist ein Scheibenlaser mit externem Resonator vorgesehen, dessen aktive Schicht die Form einer Mesa aufweist, wobei die Seitenflanken der Mesa derart einen Resonator ausbilden, daß die spontane Emission in der aktiven Schicht vermindert ist. In diesem Fall weisen die Seitenflanken der Mesa im Gegensatz zur zuvor beschriebenen ersten Ausführungsform der Erfindung zur Verstärkung der Resonatorwirkung eine reflektionserhöhende Schicht auf.
  • Eine weitere Realisierung der zweiten Ausführungsform der Erfindung sieht einen Halbleiterscheibenlaser mit externem Resonator vor, bei dem die aktive Schicht einen Bereich aufweist, der zum optischen Pumpen durch eine Pumpstrahlungsquelle vorgesehen und nicht strukturiert ist, wobei der optisch gepumpte Bereich von einem Bereich umgeben ist, der in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung des Lasers eine periodische Struktur aufweist, die einen photonischen Kristall bildet, in dem Strahlung mit der Emissionswellenlänge nicht ausbreitungsfähig ist.
  • Die periodische Struktur ist zum Beispiel eine gitterförmige Anordnung von Ausnehmungen. Diese Ausnehmungen können mit einem Material gefüllt sein, dessen Brechungsindex sich von dem der aktiven Schicht unterscheidet.
  • Durch den Resonator oder den photonischen Kristall wird die photonische Zustandsdichte in der aktiven Schicht derart verändert, daß die Wahrscheinlichkeit für die spontane Emission von Strahlung in die Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung vermindert wird.
  • Eine weitere vorteilhafte Verminderung der Erwärmung des Halbleiterchips kann dadurch erzielt werden, daß der Halbleiterlaser eine Wärmesenke enthält. Diese kann beispielsweise auf einer der aktiven Schicht abgewandten Seite eines Substrats angeordnet sein, auf das die Schichtenfolge des Halbleiterlasers aufgebracht ist. Vorzugsweise ist ein ursprünglich vorhandenes Substrat des Halbleiterchips entfernt, so daß ein verbleibendes Dünnschichtsystem, das insbesondere die aktive Schicht enthält, in unmittelbarem Kontakt zur Wärmesenke steht.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 bis 4 näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterlasers,
  • 2 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterlasers,
  • 3a eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterlasers,
  • 3b eine schematische Schnittansicht der aktiven Schicht des dritten Ausführungsbeispiels von oben und
  • 4 eine Simulation der Ausgangsleistung eines Halbleiterlasers in Abhängigkeit von der Pumpleistung, wobei die Stärke und die Auskopplung der spontan emittierten Strahlung variiert wurden.
  • Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.
  • Bei dem in 1 dargestellten Halbleiterlaser handelt es sich um einen oberflächenemittierenden optisch gepumpten Halbleiterlaser mit externem Resonator (VECSEL). Der Halbleiterlaser weist einen Halbleiterchip 1 auf, der ein Substrat 2, einen Reflektor 3, und eine aktive Schicht 5 enthält. Der Reflektor 3, bei dem es sich bevorzugt um einen Bragg-Reflektor handelt, bildet zusammen mit einem externen Reflektor 4 den Resonator des Halbleiterlasers. Der Halbleiterlaser emittiert Strahlung in die Hauptstrahlrichtung 6.
  • Die aktive Schicht 5 kann beispielsweise eine Quantentrogstruktur aufweisen und insbesondere III–V-Verbindungshalbleitermaterialien enthalten. Ein Bereich 7 der aktiven Schicht 5 wird von einer Pumpstrahlungsquelle 8 optisch gepumpt. Die aktive Schicht 5 weist die Form einer Mesa auf. In einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung 6 des Halbleiterlasers weist die Mesa einen kleineren Querschnitt als der übrige Halbleiterchip 1 auf. Die Herstellung der Mesastruktur erfolgt beispielsweise durch eine photolithographische Strukturierung und einen anschließenden Ätzprozeß.
  • Strahlung 10, die innerhalb des Bereichs 7, in den die Pumpstrahlungsquelle 8 Pumpstrahlung 9 einstrahlt, spontan emittiert wird und sich in Richtung der Seitenflanken 11 der Mesa ausbreitet, erreicht die Seitenflanken 11 nach einem verhältnismäßig kurzen Weg durch Bereiche 12 der aktiven Schicht 5, die optisch nicht gepumpt werden und deshalb absorbieren. Innerhalb des optisch gepumpten Bereichs 7 kann sich spontan emittierte Strahlung 10 dagegen nahezu absorptionsfrei ausbreiten, da dort aufgrund des Pumpvorgangs eine Besetzungsinversion vorliegt. Da die Ausformung der aktiven Schicht 5 als eine Mesastruktur die nicht invertierten Bereiche 12 in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung einschränkt, wird die Absorption spontan emittierter Strahlung in diesen Bereichen 12 vorteilhaft vermindert. Besonders bevorzugt ist die Mesa in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung 6 in etwa so breit wie der optisch gepumpte Bereich 7. Die Breite der nicht invertierten Bereiche 12, die spontan emittierte Strahlung 10 absorbieren können, wird dadurch auf ein Minimum reduziert.
  • Um die Auskopplung spontan emittierter Strahlung 10 aus dem Halbleiterchip 1 weiter zu verbessern, sind die Seitenflanken 11 der Mesa vorteilhaft mit einer antireflektierenden Schicht 13 versehen. Dadurch wird die Rückreflektion aufgrund des Brechungsindexunterschieds der aktiven Schicht 5 zur Umgebung verringert.
  • Die verminderte Absorption spontan emittierter Strahlung 10 verringert die thermische Belastung des Halbleiterlasers. Um dennoch auftretende Verlustwärme besser abzuführen, kann der Halbleiterlaser weiterhin eine Wärmesenke 14 enthalten. Beispielsweise kann der Halbleiterchip 1 mit der Rückseite des Halbleitersubstrats 2 auf die Wärmesenke 14 montiert sein. Der thermische Widerstand zwischen der aktiven Schicht 5 und der Wärmesenke 14 kann vorteilhaft dadurch verringert werden, daß das Substrat 2 entfernt wird. Ein derartiger Halbleiterlaser ist in 2 dargestellt.
  • Das in 2 dargestellte Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterlasers unterscheidet sich von dem in 1 dargestellten weiterhin dadurch, daß die Seitenflanken 15 der Mesa schräg zur Hauptstrahlrichtung 6 des Halbleiterlasers verlaufen. Die schrägen Seitenflanken 15 bilden vorteilhaft keinen Resonator aus und verhindern so ein Anschwingen des Lasers in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung 6. Auch bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Seitenflanken 15 der Mesa bevorzugt mit einer antireflektierenden Schicht 13 versehen.
  • Die zweite Ausführungsform der Erfindung, die zum Ziel hat, die spontane Emission bereits in ihrer Entstehung zu reduzieren, kann z. B. in dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch realisiert werden, daß die Seitenflanken 11 der Mesa einen Resonator ausbilden, durch den die spontane Emission in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung vermindert wird. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung werden die Seitenflanken 11 der Mesa mit einer reflektionserhöhenden Schicht 16 versehen.
  • Ein zweites Ausführungsbeispiel der zweiten Ausführungsform der Erfindung ist in den 3a und 3b dargestellt. Der in 3a dargestellte Halbleiterlaser entspricht abgesehen von der Ausgestaltung der aktiven Schicht 5 dem in 1 dargestellten Halbleiterlaser. Die aktive Schicht 5 ist derart strukturiert, daß der optisch gepumpte Bereich 7 in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung 6 des Lasers von einem Bereich 17 umgeben ist, der eine Gitterstruktur aufweist, die einen photonischen Kristall ausbildet, in der Strahlung mit der Emissionswellenlänge nicht ausbreitungsfähig ist.
  • Die Gitterstruktur ist beispielsweise dadurch realisiert, daß ein den optisch gepumpten Bereich 7 umgebender Bereich 17 der aktiven Schicht 5 mit einer periodischen Anordnung von Ausnehmungen 18 versehen ist. Dies wird in der 3b dargestellten Schnittansicht der aktiven Schicht 5 von oben verdeutlicht. Die Ausnehmungen 18 können auch von einem Material ausgefüllt sein, dessen Brechungsindex sich von dem Brechungsindex des umgebenden Halbleitermaterials unterscheidet.
  • Die in 4 gezeigten Ergebnisse einer Simulationsrechnung verdeutlichen noch einmal die grundlegende Idee der beiden Ausführungsformen der Erfindung. Dargestellt sind Simulationen der Ausgangsleistung PL eines Halbleiterlasers in Abhängigkeit von der Leistung der Pumpstrahlungsquelle PP.
  • Bei der Simulation der mit quadratischen Symbolen dargestellten Kurve 19 wurde angenommen, daß im Halbleiterlaser entstehende spontan emittierte Strahlung nicht ausgekoppelt wird. Bei einer Pumpleistung oberhalb von etwa 17 W zeigt der Halbleiterlaser einen starken Einbruch der Ausgangsleistung aufgrund thermischer Überhitzung.
  • Die mit kreisförmigen Symbolen dargestellte Kurve 20 wurde unter der Annahme simuliert, daß 50% der spontan emittierten Strahlung aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt werden. Diese verbesserte Auskopplung spontan emittierter Strahlung entspricht der Grundidee der ersten Ausführungsform der Erfindung. Die Kurve 20 verdeutlicht, daß der Einbruch der Ausgangsleistung erst bei einer höheren Pumpleistung erfolgt und daher auch eine höhere Ausgangsleistung erreicht werden kann.
  • Die mit dreieckigen Symbolen dargestellte Kurve 21 verdeutlicht das Prinzip der zweiten Ausführungsform der Erfindung. Bei dieser Simulation wurde angenommen, daß spontan emittierte Strahlung zwar nicht aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt wird, aber die spontan emittierte Strahlung insgesamt um 50% reduziert ist. Auch in diesem Fall können höhere Ausgangsleistungen als bei der Kurve 19 erreicht werden. Die Ausgangsleistung des Halbleiterlasers ist bei der simulierten Kurve 21 bei gleicher Pumpleistung größer als bei der Kurve 20, da durch die Reduzierung der Spontanemission insgesamt auch die Laserschwelle abgesenkt ist. Die Lasertätigkeit setzt daher auch schon bei einer geringeren Pumpleistung ein.

Claims (9)

  1. Halbleiterscheibenlaser mit externem Resonator, mit einem Halbleiterchip (1), der eine aktive Schicht (5) enthält, und Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung (6) emittiert, wobei die aktive Schicht (5) einen Bereich (7) aufweist, der zum optischen Pumpen durch eine Pumpstrahlungsquelle (8) vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (5) zur Verminderung einer Erwärmung des Halbleiterchips (1) durch spontan emittierte Strahlung (10) in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung (6) derart strukturiert ist, dass die aktive Schicht (5) die Form einer Mesa aufweist, und die Seitenflanken (11, 15) der Mesa eine reflexionsmindernde Schicht (13) aufweisen.
  2. Halbleiterscheibenlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Seitenflanken (15) der Mesa schräg zur Hauptstrahlrichtung (6) verlaufen.
  3. Halbleiterscheibenlaser nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Breite der Mesa in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung (6) des Halbleiterlasers in etwa so groß ist wie die Breite des optisch gepumpten Bereichs (7).
  4. Halbleiterscheibenlaser mit externem Resonator, mit einem Halbleiterchip (1), der eine aktive Schicht (5) enthält, und Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung (6) emittiert, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (5) zur Verminderung einer Erwärmung des Halbleiterchips (1) durch spontan emittierte Strahlung (10) in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung (6) derart strukturiert ist, dass die aktive Schicht (5) die Form einer Mesa aufweist, wobei die Mesa Seitenflanken (11) aufweist, die derart einen Resonator ausbilden, dass die spontane Emission in der aktiven Schicht (5) in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung (6) vermindert ist, und die Seitenflanken (11) der Mesa eine reflexionserhöhende Schicht (16) aufweisen.
  5. Halbleiterscheibenlaser mit externem Resonator, mit einem Halbleiterchip (1), der eine aktive Schicht (5) enthält und Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung (6) emittiert, wobei die aktive Schicht (5) zur Verminderung einer Erwärmung des Halbleiterchips (1) durch spontan emittierte Strahlung (10) in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung (6) strukturiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (5) einen Bereich (7) aufweist, der zum optischen Pumpen durch eine Pumpstrahlungsquelle (8) vorgesehen und nicht strukturiert ist, und der optisch gepumpte Bereich (7) der aktiven Schicht (5) von einem Bereich (17) umgeben ist, der in einer Richtung senkrecht zur Hauptstrahlrichtung (6) eine periodische Struktur aufweist, die einen photonischen Kristall ausbildet, in dem Strahlung mit der Emissionswellenlänge nicht ausbreitungsfähig ist.
  6. Halbleiterlaser nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die periodische Struktur durch eine gitterförmige Anordnung von Ausnehmungen (18) gebildet wird.
  7. Halbleiterscheibenlaser nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausnehmungen (18) von einem Material, dessen Brechungsindex sich von dem der aktiven Schicht (5) unterscheidet, ausgefüllt sind.
  8. Halbleiterscheibenlaser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Laser eine Wärmesenke (14) enthält.
  9. Halbleiterscheibenlaser nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Wärmesenke (14) und der aktiven Schicht (5) kein Substrat (2) enthalten ist.
DE10339980A 2003-08-29 2003-08-29 Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme Expired - Fee Related DE10339980B4 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10339980A DE10339980B4 (de) 2003-08-29 2003-08-29 Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme
US10/926,465 US7356062B2 (en) 2003-08-29 2004-08-25 Semiconductor laser with reduced heat loss
JP2004247415A JP4970715B2 (ja) 2003-08-29 2004-08-26 半導体チップを備えた半導体レーザ
US12/080,377 US7649922B2 (en) 2003-08-29 2008-04-01 Semiconductor laser with reduced heat loss
US12/080,378 US7573927B2 (en) 2003-08-29 2008-04-01 Semiconductor laser with reduced heat loss
JP2011006151A JP2011109126A (ja) 2003-08-29 2011-01-14 半導体チップを備えた半導体レーザ
JP2011006152A JP4778592B2 (ja) 2003-08-29 2011-01-14 半導体チップを備えた半導体レーザ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10339980A DE10339980B4 (de) 2003-08-29 2003-08-29 Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10339980A1 DE10339980A1 (de) 2005-03-31
DE10339980B4 true DE10339980B4 (de) 2011-01-05

Family

ID=34223228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10339980A Expired - Fee Related DE10339980B4 (de) 2003-08-29 2003-08-29 Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme

Country Status (3)

Country Link
US (3) US7356062B2 (de)
JP (3) JP4970715B2 (de)
DE (1) DE10339980B4 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10207045A1 (de) * 2002-02-20 2003-08-28 Bosch Gmbh Robert Kraftstoffeinspritzeinrichtung für eine Brennkraftmaschine
US7756172B2 (en) * 2002-05-29 2010-07-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optically pumped semi-conductive laser
US7248609B2 (en) * 2004-10-27 2007-07-24 Agilent Technologies, Inc. Amplified beam source
DE102005056949B4 (de) * 2005-09-30 2013-08-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpter oberflächenemittierender Halbleiterlaser und optische Projektionsvorrichtung mit solch einem Halbleiterlaser
JP2010219307A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクター
US7960922B2 (en) * 2009-10-21 2011-06-14 General Electric Company High efficiency low power capacitor charged DC driver
US9124062B2 (en) 2012-03-22 2015-09-01 Palo Alto Research Center Incorporated Optically pumped surface emitting lasers incorporating high reflectivity/bandwidth limited reflector
US9112331B2 (en) * 2012-03-22 2015-08-18 Palo Alto Research Center Incorporated Surface emitting laser incorporating third reflector
US9112332B2 (en) 2012-06-14 2015-08-18 Palo Alto Research Center Incorporated Electron beam pumped vertical cavity surface emitting laser
JP2014007335A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Hamamatsu Photonics Kk 半導体発光素子
US9106053B2 (en) * 2012-10-15 2015-08-11 Palo Alto Research Center Incorporated Distributed feedback surface emitting laser
CN103840368A (zh) * 2014-01-02 2014-06-04 重庆师范大学 用散热窗口片作为滤波元件的小型化单频光泵浦垂直外腔面发射激光器
FR3025948B1 (fr) * 2014-09-15 2018-03-16 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) Dispositif laser a cavite externe verticale a emission par la surface a double frequence pour la generation de thz et procede de generation de thz
JP7341673B2 (ja) * 2019-02-27 2023-09-11 三菱重工業株式会社 レーザ装置
CN114498285B (zh) * 2022-01-24 2024-02-06 中国科学院半导体研究所 一种半导体激光器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998043329A1 (en) * 1997-03-21 1998-10-01 Novalux, Inc. High power laser devices
US5991318A (en) * 1998-10-26 1999-11-23 Coherent, Inc. Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
WO2001093386A1 (de) * 2000-05-30 2001-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpte oberflächenemittierende halbleiterlaservorrichtung und verfahren zu deren herstellung
EP1220392A2 (de) * 2000-12-15 2002-07-03 Nortel Networks Limited Seitengepumpter oberflächenemittierenden Laser mit vertikalem Resonator
US20020167984A1 (en) * 2001-01-11 2002-11-14 Axel Scherer Compact electrically and optically pumped multi-wavelength nanocavity laser, modulator and detector arrays and method of making the same
US20030072523A1 (en) * 2001-10-10 2003-04-17 Chih-Hsiang Lin Optical fiber with mirror for semiconductor laser

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03263891A (ja) * 1990-03-14 1991-11-25 Fujitsu Ltd 半導体発光素子
US5420880A (en) 1993-10-12 1995-05-30 Wisconsin Alumni Research Foundation Low threshold vertical cavity surface emitting laser
JPH07263799A (ja) * 1994-03-25 1995-10-13 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
JPH10284806A (ja) * 1997-04-10 1998-10-23 Canon Inc フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
JPH11186657A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Canon Inc フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
JP4138930B2 (ja) * 1998-03-17 2008-08-27 富士通株式会社 量子半導体装置および量子半導体発光装置
US6285702B1 (en) 1999-03-05 2001-09-04 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor laser
US6347109B1 (en) * 1999-01-25 2002-02-12 The Regents Of The University Of California High average power scaleable thin-disk laser
JP2001015865A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp 半導体波長変換素子及び波長変換方法
US6735234B1 (en) * 2000-02-11 2004-05-11 Giga Tera Ag Passively mode-locked optically pumped semiconductor external-cavity surface-emitting laser
SE521023C2 (sv) 2000-07-07 2003-09-23 Ericsson Telefon Ab L M Optisk anordning samt framställning därav
US6515305B2 (en) * 2000-09-18 2003-02-04 Regents Of The University Of Minnesota Vertical cavity surface emitting laser with single mode confinement
DE10061424A1 (de) * 2000-12-09 2002-06-13 Haas Laser Gmbh & Co Kg Laserverstärkersystem
JP2002353563A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製法
DE10147888A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpter vertikal emittierender Halbleiterlaser
US7756172B2 (en) 2002-05-29 2010-07-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optically pumped semi-conductive laser
DE10223879A1 (de) 2002-05-29 2003-12-11 Univ Stuttgart Strahlwerkzeuge Laserverstärkersystem

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998043329A1 (en) * 1997-03-21 1998-10-01 Novalux, Inc. High power laser devices
US5991318A (en) * 1998-10-26 1999-11-23 Coherent, Inc. Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
WO2001093386A1 (de) * 2000-05-30 2001-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpte oberflächenemittierende halbleiterlaservorrichtung und verfahren zu deren herstellung
EP1220392A2 (de) * 2000-12-15 2002-07-03 Nortel Networks Limited Seitengepumpter oberflächenemittierenden Laser mit vertikalem Resonator
US20020167984A1 (en) * 2001-01-11 2002-11-14 Axel Scherer Compact electrically and optically pumped multi-wavelength nanocavity laser, modulator and detector arrays and method of making the same
US20030072523A1 (en) * 2001-10-10 2003-04-17 Chih-Hsiang Lin Optical fiber with mirror for semiconductor laser

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Hanamaki, Y. et al.: "Spontaneous emission alteration in InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structures. In: Semicond. Sci. Technol., 1999, Vol. 14, S. 797-803 *
JP 10-284 806 A (Abstract, Claims, Detailed Description, Description of Drawings, Drawings, insgesamt 15 Seiten)
JP 10284806 A (Abstract, Claims, Detailed Description, Description of Drawings, Drawings, insgesamt 15 Seiten) *
JP 11-186 657 A (Abstract, Claims, Detailed Description, Description of Drawings, Drawings, insgesamt 14 Seiten)
JP 11186657 A (Abstract, Claims, Detailed Description, Description of Drawings, Drawings, insgesamt 14 Seiten) *
Krauss, Thomas F., De la Rue, Richard M.: Photonic crystals in the optical regime - past, present a nd future. In: Progress in Quantum Electronics, 1999, Vol. 23, S. 51-96 *
Kuznetsov, Mark et al.: Design and Characteristics of High-Power (>0.5-W CW) Diode-Pumped Vertical External-Cavity Surface-Emmiting Semiconductor Lasers with Circular TEM 00 Beams. In: IEEE Journal Of Selected Topics in Quantum Electronics, 1999, Vol. 5 No. 3, S. 561-573 *
Summers, H. u.a.: "Spontaneous emission control in quantum well laser diodes". Optics Express, Vol. 4, No. 2, S. 151-156, 1998 *

Also Published As

Publication number Publication date
US7356062B2 (en) 2008-04-08
JP2005079582A (ja) 2005-03-24
US7649922B2 (en) 2010-01-19
JP2011097092A (ja) 2011-05-12
DE10339980A1 (de) 2005-03-31
JP4970715B2 (ja) 2012-07-11
US20080212626A1 (en) 2008-09-04
JP2011109126A (ja) 2011-06-02
US20080192784A1 (en) 2008-08-14
US7573927B2 (en) 2009-08-11
JP4778592B2 (ja) 2011-09-21
US20050083980A1 (en) 2005-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10339980B4 (de) Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme
DE60107679T2 (de) Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Resonator auf Indiumphosphid-Basis
DE102009019996B4 (de) DFB Laserdiode mit lateraler Kopplung für große Ausgangsleistungen
DE60220430T2 (de) Halbleiterlaser auf der basis des effekts der kristallvermittelten photonenbandfiltration höherer moden der laserstrahlung und verfahren zu seiner herstellung
DE102009054564A1 (de) Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung
EP1430575B1 (de) Optisch gepumpter vertikal emittierender halbleiterlaser
DE10214120B4 (de) Optisch pumpbare oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung
EP0829121A1 (de) Dfb-laserdiodenstruktur mit komplexer optischer gitterkopplung
DE2454733A1 (de) Halbleiterkoerper in form eines halbleiterlasers
Kapon et al. Quantum wire heterostructure for optoelectronic applications
DE102016014938B4 (de) Lichtemittervorrichtung, basierend auf einem photonischen Kristall mit säulen- oder wandförmigen Halbleiterelementen, und Verfahren zu deren Betrieb und Herstellung
EP1535376B1 (de) Optisch gepumpte strahlungsemittierende halbleitervorrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE602006000522T2 (de) Endgepumpter, oberflächenemittierender Laser mit externem vertikalen Resonator
DE60021505T2 (de) Hochleistungshalbleiterlaser mit Strombegrenzung und indexgeführter Struktur
DE10243545B4 (de) Optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung
EP2218153B1 (de) Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements und strahlungsemittierendes bauelement
DE102013215052A1 (de) Halbleiterlaservorrichtung
DE102008011654B4 (de) Laservorrichtung
EP1741170B1 (de) Optisch gepumpte halbleitervorrichtung
DE10223540B4 (de) Optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung
EP2337168B1 (de) Oberflächenemittierende Laserstrahlquelle mit zwei Kavitäten
DE602005001810T2 (de) Mehrwellenlängenlasersystem mit externem Resonator
DE102004036963A1 (de) Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaser-Vorrichtung
DE102006042196A1 (de) Oberflächenemittierender Halbleiterkörper mit vertikaler Emissionsrichtung und stabilisierter Emissionswellenlänge
DE10258475B4 (de) Optischer Halbleiterverstärker

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R020 Patent grant now final

Effective date: 20110405

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee