SE521023C2 - Optisk anordning samt framställning därav - Google Patents

Optisk anordning samt framställning därav

Info

Publication number
SE521023C2
SE521023C2 SE0002580A SE0002580A SE521023C2 SE 521023 C2 SE521023 C2 SE 521023C2 SE 0002580 A SE0002580 A SE 0002580A SE 0002580 A SE0002580 A SE 0002580A SE 521023 C2 SE521023 C2 SE 521023C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
modulator
front surface
optical device
laser
output
Prior art date
Application number
SE0002580A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0002580L (sv
SE0002580D0 (sv
Inventor
Per Granestrand
Stefan Bjurshagen
Aasa Bjoerkstroem
Lennart Lundqvist
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE0002580A priority Critical patent/SE521023C2/sv
Publication of SE0002580D0 publication Critical patent/SE0002580D0/sv
Priority to TW089122184A priority patent/TW468058B/zh
Priority to PCT/SE2001/001461 priority patent/WO2002005398A1/en
Priority to EP01944071A priority patent/EP1307954A1/en
Priority to AU2001266512A priority patent/AU2001266512A1/en
Priority to US09/898,018 priority patent/US6914924B2/en
Publication of SE0002580L publication Critical patent/SE0002580L/sv
Publication of SE521023C2 publication Critical patent/SE521023C2/sv

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0265Intensity modulators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H01S5/1085Oblique facets

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

521 023 2 vid direkt modulering. Frekvensavvikelsen (chirpet) vid extern modulering är vanligtvis mycket lägre än vad som kan erhållas med en direkt modulerad laser, särkilt om en hög extinktions- koefficient hos den transmitterade ljussignalen krävs, trots faktumet att chirp kan uppstå från elektriska och optiska växelverkningar mellan lasern och modulatorn.
Vid extern modulering är två olika arrangemang vanligt förekom- mande för anslutning av den externa modulatorn till laserkäl- lan. I det första arrangemanget är modulatorn och lasern anord- nade på separata, diskreta substrat och i det andra arrange- manget är modulatorn och lasern framställda såsom en integrerad laser-modulatoranordning på ett enda chips.
I det första arrangemanget kan optiska växelvärkningar mellan lasern och modulatorn reduceras genom att optiskt isolera den diskreta lasern respektive modulatorn från varandra medelst exempelvis en optisk isolator anordnad mellan lasern och modu- latorn, där den optiska isolatorn tillåter ljus att färdas endast i en riktning.
I det andra arrangemanget är lasern och modulatorn framställda på ett enda chips så att en förbunden laser-modulator erhålls.
Det är emellertid komplext och kostsamt, om inte omöjligt, att integrera en optisk isolator med en laser och en modulator på ett chips.
Det är ändock ofta önskvärt att använda det andra arrangemang- et, d.v.s. den integrerade kombinationen av laser och modula- tor, för att minska kostnader, komplexitet och storlek, och att minska optiska växelverkningar och således chirp genom andra tillvägagångssätt än användande av en optisk isolator.
I fig. 1 visas schematiskt en vy ovanifrån av en typisk inte- grerad laser/modulator enligt teknikens ståndpunkt. En laser- sektion l och en modulatorsektion 3 är framställda på ett sub- strat 5 med en bakre yta 7 och en främre yta 9. För att erhålla 521 023 3 god prestanda användande ett sådant integrerat arrangemang krävs det att interna reflexer på chipset kan minskas till mycket låga nivåer eftersom ljus som reflekteras tillbaka till lasern kommer att störa lasern och orsaka chirp och andra pro- blem.
För att minska backreflexerna i modulatorn framställs en s.k. fönsterstruktur ll mellan utgångsänden 13 av modulatorn 3 och den främre ytan 9. Fönsterområdet, som exempelvis kan vara 15 mikrometer långt, består typiskt av InP, och är anordnat för oinskränkt ljuspropagering. På grund av divergensen hos ljusut- mätningen från modulatorn 3 minskas ljuset som reflekteras vid den främre ytan 9 och som kopplas tillbaka till vågledaren.
Vidare, för att minska reflektiviteten vid den främre ytan 9, skapas typiskt en antireflexbeläggning (AR-beläggning) 15 därpå. Det är viktigt att erhålla en god kopplingseffektivitet i arrangemanget och detta komplicerar processerna för att minska reflektioner tillbaka till lasersektionen.
Undertryckningen av interna reflexer hos en sådan anordning är emellertid i många fall icke tillräcklig, vilket resulterar i dåligt utbyte vid framställningen av sådana integrerade modula- tor/laseranordningar.
Reflexerna härrör både från den på chipset skapade modulator- vågledaravslutningen 13 och från kvarvarande reflexer från den AR-belagda, främre ytan 9, som letar sig tillbaka in i vågleda- ren.
Redoqörelse för uppfinningen Det är ett huvudsakligt syfte med föreliggande uppfinning att tillhandahålla en optisk anordning innefattande en laser och en modulator, vari interna reflexer är reducerade.
Det är i detta avseende ett särskilt syfte med uppfinningen att tillhandahålla en sådan optisk anordning, vari optiska växel- 521 025 4 verkningar mellan lasersektionen och modulatorsektionen är reducerade.
Det är ytterligare ett syfte med uppfinningen att tillhandahål- la en sådan optisk anordning, som samtidigt uppvisar en god kopplingseffektivitet.
Det är ännu ett syfte med uppfinningen att tillhandahålla en sådan optisk anordning som är enkel, av låg kostnad, samt kom- pakt.
De ovannämnda syftena uppnås enligt en första aspekt på före- liggande uppfinning genom en optisk anordning som har en bakre yta och en främre yta, vilka är belägna motsatt varandra, varvid nämnda anordning innefattar en laser, en modulator och ett fönsterområde. Lasern är anpassad att utsända ljus och modulatorn har en inmatningsände och en utmatningsände och är anpassad att mottaga och modulera ljus utsänt från lasern och att mata ut modulerat ljus vid modulatorutmatningsänden.
Fönsterområdet är anordnat mellan modulatorutmatningsänden och den främre ytan hos anordningen så att det modulerade ljuset utmatat från modulatorn transmitteras genom fönsterområdet och matas ut från anordningen genom en främre yta. Vidare är anordningen anordnad så att det modulerade ljuset utmatat från modulatorn propagerar huvudsakligen i en riktning, som är vinklad med avseende på normalen till anordningens främre yta.
Slutligen är modulatorutmatningsänden avsmalnande.
Genom sådana åtgärder minskas ljuset, som reflekteras vid modu- latorutmatningsänden. Vidare är också den avsmalnande modula- torutmatningsänden verksam för att förbättra kopplingseffekti- viteten genom att smalna av den vinkelmässiga spridningen av ljuset utmatat från modulatorn. Kombinationen av det vinklade infallet mot den främre ytan och den avsmalnande modulatorutmatningsänden minskar ytterligare ljuset som reflekteras vid den främre ytan, som reflekteras tillbaka in i modulatorn. Således minskas chirpet ytterligare. 521 023 5 Om dessutom modulatorn är böjd kan en optisk anordning erhållas, vari tillbakaspritt ljus förhindras från att träda in i modulatorn och varvid den böjda modulatorn och den lutande främre ytan kan utformas så att ljuset som utmatas från anordningen propagerar huvudsakligen i en riktning parallell med propageringsriktningen hos ljuset som sänds ut från lasern.
Ett ytterligare syfte med föreliggande uppfinning är att till- handahålla förfaranden för framställning av optiska anordningar enligt den första aspekten på uppfinningen.
I detta avseende är det ett särskilt syfte med uppfinningen att tillhandahålla sådana framställningsförfaranden som sörjer för höga utbyten.
Således, i enlighet med en andra aspekt på föreliggande upp- finning tillhandahålles ett förfarande för framställning av en optisk anordning innefattande stegen att (i) ett substrat med en bakre yta och en främre yta belägna motsatt varandra åstadkoms, (ii) en laser framställs i eller på nämnda substrat, där lasern är anordnad att utsända ljus, (iii) en modulator med en inmatningsände respektive en utmatningsände framställs i eller på nämnda substrat, där modulatorn är anordnad att mottaga och modulera ljus utsänt från lasern och att mata ut modulerat ljus vid modulatorns utmatningsände och (iv) ett fönsterområde framställs mellan modulatorns utmatningsände och anordningens främre yta så att modulerat ljus utmatat från modulatorn kan transmitteras genom fönsterområdet och matas ut från anordningen genom anordningens främre yta. Stegen att framställa substratet, lasern, modulatorn och fönsterområdet utförs så att det modulerade ljuset utmatat från modulatorn kan propagera huvudsakligen i en riktning, som är vinklad med av- seende på normalen till anordningens främre yta. Vidare fram- ställs modulatorn med en avsmalnande utmatningsände.
En fördel med föreliggande uppfinning är att låga interna reflexer och en god kopplingseffektivitet erhålls samtidigt. 521 023 6 Ytterligare kännetecken hos uppfinningen och fördelar med den- samma kommer att bli uppenbara från den följande detaljerade beskrivningen av utförinqsformer av uppfinningen.
Kort beskrivning av ritninqarna Föreliggande uppfinning kommer att bättre förstås från den detaljerade beskrivningen av utförinqsformer av föreliggande uppfinning given här nedan och de medföljande figurerna l-4, som endast ges av illustrativa skäl, och skall således icke vara begränsande för uppfinningen.
Fig. l illustrerar schematiskt en vy ovanifrån av en integrerad laser/modulatoranordning enligt teknikens ståndpunkt.
Fig. 2 illustrerar schematiskt i en vy ovanifrån en integrerad laser/modulatoranordning enligt en första utföringsform av föreliggande uppfinning.
Fig. 3 är schematiska, partiella vyer ovanifrån av en modulator med en tvär utmatningsände och en modulator med en avsmalnande utmatningsände, anordnade i ett vinklat förhållande med avseen- de på den främre ytan, där nämnda vyer särskilt illustrerar fördelarna med en avsmalnande modulatorutmatningsände.
Fig. 4 illustrerar schematiskt i en vy ovanifrån en integrerad laser/modulator enligt en andra utföringsform av föreliggande uppfinning, varvid en förstoring av den främre ytan visas in- fälld.
Detaljerad beskrivninq av utförinqsformer I följande beskrivning, i förklarande och ickebegränsande syf- te, är särskilda detaljer angivna, såsom särskilda tekniker och tillämpningar för att ge en grundlig förståelse av föreliggande uppfinning. Det skall emellertid vara uppenbart för fackmannen inom området att föreliggande uppfinning kan utövas i andra ut- föringsformer som avviker från dessa särskilda detaljer. I and- ra fall är detaljerade beskrivningar av välkända förfaranden 521 023 7 och anordningar utelämnade för att inte tynga beskrivningen av föreliggande uppfinning med onödiga detaljer.
Med hänvisning till fig. 2, som schematiskt visar en vy ovan- ifrån av en integrerad laser/modulatoranordning kommer en första utföringsform av föreliggande uppfinning att beskrivas.
Den integrerade laser/modulatoranordningen innefattar ett sub- strat 21, i vilket en lasersektion 23 och en modulatorsektion 25 är framställda. Lasern 23 är typiskt någon typ av DFB-laser (distributed feedback laser), men kan vara varje typ av lämplig laser, t.ex. en DBR-laser (distributed Bragg reflection laser).
Modulatorn 25 är företrädesvis en EAM (electro-absorption modu- lator), vari vågledaren har en bulk- eller kvantbrunnstruktur och vågledaren kan vara en begravd eller en ryggvågledare.
Alternativt är modulatorn av annat slag, såsom t.ex. en Mach- Zehnder-baserad modulator.
Anordningen är företrädesvis framställd i materialsystemet InP/In,*Gagu¿PhY, men andra materialsystem kan användas.
Vidare innefattar anordningen en bakre yta 27 och en främre yta 29 belägna motsatt varandra. Företrädesvis är båda ytorna plana och parallella med varandra så att en Z-axel, som indikeras i fig. 2, utgör en normal till båda ytorna. Den bakre ytan 27 kan användas såsom reflektionsorgan i lasersektionen, särskilt i fallet med en DFB-laser, och kan vara försedd med en beläggning för hög reflektion (HR-beläggning) (icke illustrerat). Den främre ytan 29, genom vilken det modulerade ljuset matas ut, är företrädesvis försedd med en AR-beläggning 31. Ett fönsterområ- de 33 är anordnat mellan modulatorn 25 och anordningens främre yta 29.
Enligt uppfinningen är modulatorn 25 böjd så att ljus, som sänds ut av lasern 23 längs Z-axeln, och som moduleras av modu- latorn 25 vid användning, matas ut i fönsterområdet 33 i en riktning, schematiskt visad med hänvisningsbeteckning 34 i fig. 521 023 s 2, som bildar en vinkel a med avseende på normalen till anordningens främre yta, d.v.s. Z-axeln. Böjningsradien hos modulatorn är typiskt omkring 500 mikrometer. Vinkeln a är företrädesvis åtminstone 2°, mera företrädesvis åtminstone 5°, och mest företrädesvis åtminstone omkring 8°. En övre gräns för vinkeln är totalreflektionsvinkeln, som beror på brytningsindex hos fönsterområdet 33, AR-beläggningen 31 och omkringliggande luft. Typiska värden på den övre gränsen 15-20°.
Genom sådan utformning, d.v.s. att avsluta vågledaren i en böj i stället för i en rak geometri, så att spetsen eller utmat- ningsänden 35 hos modulatorvågledaren kommer att bilda vinkeln a med z-axeln, är det möjligt att minska ljusreflexerna tillbaka in i vågledaren. Detta kan förstås genom en geometrisk betraktelse: ljuset kommer att träda in i fönsterområdet 33 vid huvudsakligen vinkeln a relativt Z-axeln och ljuset som reflek- teras vid den främre ytan 29 (innefattande AR-beläggningen 31) kommer, på grund av denna vinkel, att i stor utsträckning av- länkas bort från vågledarutmatningsänden. Detta kommer att undertrycka reflektionen från den främre ytan (inkluderande AR- beläggningen).
Vidare avslutas företrädesvis vågledaren på ett avsmalnande sätt, vilket typiskt innebär att bredden och/eller tjockleken hos vågledaren gradvis minskas till noll, eller nära noll, över ett område, som är typiskt 20-50 mikrometer långt. Detta kommer bl.a. att minska reflexen som härrör från vågledaravslutningen 35 eftersom vågledardiskontinuiteten kommer att bredas ut över ett avstånd, som är stort jämfört med ljusvåglängden i materialet. Formen hos fältet kommer också att ändras på grund av detta avsmalnande, av vilket konsekvenserna kommer att be- skrivas nedan med hänvisning till fig. 3.
Slutligen är en utmatningsanordning 37, som typiskt är en lins- isolatorkombination som kopplar ljuset in i en optisk fiber 39, anordnad (d.v.s. den optiska axeln 41 hos anordningen 37) vid 521 023 9 en vinkel ß relativt Z-axeln för att maximera kopplingseffekti- viteten från den integrerade laser/modulatorkombinationen. En lämplig vinkel ß är i huvudsak given av Snell's lag och kan i en typisk situation vara i storleksordningen av 30° (med mindre än l0° avvikelse (a) från Z-axeln vid vågledaravslutningen 35).
Den integrerade laser/modulatoranordningen, utkopplingsanord- ningen och möjligen en fiberanslutning kan monteras i en modul eller i ett paket.
Med hänvisning nu till fig. 3, som är schematiska, partiella vyer ovanifrån av en modulator 51 med en abrupt utmatningsände 53 och en modulator 55 med en avsmalnande utmatningsände 57, anordnat i ett vinklat förhållande med avseende på den främre ytan 59, kommer fördelarna med en avsmalnande modulatorutmat- ningsände att diskuteras.
Såsom en konsekvens av avsmalnandet av vågledaren kommer ljus- fältet vid utmatningen av det avsmalnande området att vara transversellt expanderat. Detta i sin tur medför att vinkel- spridningen i diffraktionen i fönstret kommer att bli mindre än vad som skulle vara fallet om inget avsmalnande förekom. Vin- kelspridningarna hos ljustutmatningen från den abrupta utmat- ningsänden 53 och från den avsmalnande utmatningsänden 57 visas schematiskt med hänvisningsbeteckningarna 63 och 67 i fig. 3.
En mindre vinkelspridning innebär att kopplingseffektiviteten kommer att förbättras.
En särskilt fördelaktig effekt av kombinationen med en böjd modulator och en avsmalnande modulatorutmatningsände är att mindre ljus kommer att vara närvarande i den vinkelfördelning i utmatningen hos den avsmalnande modulatoränden 57, som i stor utsträckning skulle reflekteras tillbaka in i modulatorvåg- ledaren. Detta är en motsats till fallet med en rak modulator, från vilken modulerat ljus är infallande vinkelrätt mot den 521 G23 10 främre ytan, i vilket fall en mindre vinkelspridning resulterar i att mer ljus reflekteras tillbaka in i modulatorn.
Närmast, med hänvisning till fig. 4, som är en schematisk vy ovanifrån av en integrerad laser/modulatoranordning, vari en förstoring av den främre ytan visas infälld, kommer en andra utföringsform av föreliggande uppfinning att beskrivas.
Anordningen i denna andra utföringsform är identisk med utfö- ringsformen i fig. 2 förutom att anordningens främre yta, i fig. 4 betecknad med 29', är vinklad med avseende på Z-axeln i stället för att någon extern utkopplingsanordning positioneras vid en vinkel med avseende på Z-axeln. Alla andra delar hos anordningen har samma hänvisningsbeteckningar som de har i fig. l. Också i denna utföringsform kan en AR-beläggning (ej illustrerad) täcka den främre ytan.
Den främre ytan 29' kan vara vinklad med avseende på Z-axeln genom att använda någon lämplig teknik såsom t.ex. torretsning. vinkeln y hos den torretsade fönsteravslutningen ges huvudsakli- gen av Snell' s lag (för att ge en utmatningskoppling parallell med Z-axeln).
Det skall särskilt noteras att i denna utföringsform används företrädesvis modulatorböjar med större eller mycket större vinklar (d.v.s. vinkeln a i fig. 2) eftersom den torretsade, vinklade främre ytan 29' minskar vinkeln (5) mellan ljuspropa- geringsriktningen och normalen 71 hos anordningens främre yta.
Det skall noteras att en avsmalnande modulatorände enligt före- liggande uppfinning har en trefaldig fördelaktig effekt när den kombineras med ett mot anordningens främre yta vinklat infall: för det första minskas reflektionerna vid modulatoränden, för det andra förbättras utkopplingseffektiviteten och för det tredje minskas reflektionerna tillbaka in i modulatorn från en främre yta. Det skall inses att dessa kännetecken kan erhållas utan tillhandahållande av en böjd modulator. 521 023 ll Exempelvis kan anordningens främre yta var vinklad med avseende på Z-axeln såsom i den andra utföringsformen, medan modulatorn, försedd med en avsmalnande utmatningsände, är rak (utan böjar).
Det vinklade ljuset som faller in mot anordningens främre yta ges då endast av lutningen hos den främre ytan.
I en annan version kan en rak laser/modulatorarrangemang med en avsmalnande modulatorutmatningsände anordnas diagonalt på ett substrat.
Genom att utnyttja principerna hos föreliggande uppfinning erhålls bättre prestanda med avseende på reflexer i integrerade laser/modulatoranordningar.
Föreliggande uppfinning sörjer för möjligheter att erhålla låga interna reflexer i en integrerad modulator/laser utan oöver- stigliga krav på AR-beläggningen. Samtidigt kan god kopplings- effektivitet erhållas. De uppfinningsenliga kännetecknen hos föreliggande uppfinning har potential att lyckosamt minska både reflexer från vågledaravslutningen och kvarvarande reflexer från den främre ytan.
Det är uppenbart att uppfinningen kan varieras på ett flertal sätt. Sådana variationer skall inte betraktas såsom en avvikel- se från skyddsomfånget för föreliggande uppfinning. Alla sådana modifikationer som är uppenbara för fackmannen inom området är avsedda att innefattas inom skyddsomfånget för de bifogade pa- tentkraven.

Claims (25)

521 023 12 PATENTKRAV
1. Optisk anordning med en bakre yta (27) och en främre yta (29; 29') belägna motsatt varandra, varvid nämnda anordning innefattar: - en laser (23) anordnad att utsända ljus, - en modulator (25; 51; 55) med en inmatningsände och en ut- matningsände (35; 53; 57) och anordnad att mottaga och mo- dulera ljus utsänt från nämnda laser och att mata ut modu- lerat ljus vid nämnda modulators utmatningsände och - ett fönsterområde (33) anordnat mellan nämnda modulators utmatningsände och nämnda anordnings främre yta, - varvid nämnda anordning är ytterligare anordnad så att mo- dulerat ljus utmatat från nämnda modulator transmitteras genom nämnda fönsterområde och matas ut från nämnda anord- ning genom nämnda anordnings främre yta, k ä n n e - t e c k n a t a v att - nämnda anordning är anordnad så att det modulerade ljuset utmatat från nämnda modulator propagerar huvudsakligen i en riktning (34), som är vinklad (a; ö) med avseende på normalen (Z; 71) till nämnda anordnings främre yta och - nämnda modulators utmatningsände är avsmalnande.
2. Optisk anordning enligt krav 1, varvid nämnda modulator är böjd för att åstadkomma nämnda vinklade (a; 6) riktning hos det modulerade ljuset.
3. Optisk anordning enligt krav 1 eller 2, varvid nämnda modulator är vinklad med avseende på normalen till nämnda främre yta för att åstadkomma nämnda vinklade (d; ö) riktning hos det modulerade ljuset. 521 023 13
4. Optisk anordning enligt krav 3, varvid nämnda modulator är anordnad diagonalt i nämnda optiska anordning.
5. Optisk anordning enligt krav 3, varvid - nämnda modulator är rak och - nämnda främre yta (29') är vinklad (g) med avseende på nämnda bakre yta för att åstadkomma nämnda vinklade (d; Ö) riktning hos det modulerade ljuset.
6. Optisk anordning enligt något av kraven 2-4, varvid nämnda främre yta (29') är vinklad (y) med avseende på nämnda bakre yta så att nämnda modulerade ljus utmatat från nämnda optiska anordning genom nämnda främre yta är parallellt med ljuset emitterat av nämnda laser (23) och med normalen hos nämnda bakre yta.
7. Optisk anordning enligt krav 6, varvid nämnda vinklade främre yta (29') är torretsad.
8. Optisk anordning enligt något av kraven 1-7, varvid vinkeln (d; Ö) mellan propageringsriktningen för ljuset och normalen till nämnda främre yta är åtminstone 2°, företrädesvis åtminstone 5°, mera företrädesvis åtminstone 8°, och mest företrädesvis omkring 8°.
9. Optisk anordning enligt något av kraven 1-8, varvid bredden hos nämnda modulators utmatningsände är avsmalnande.
10. Optisk anordning enligt något av kraven 1-9, varvid tjockleken hos nämnda modulators utmatningsände är avsmalnande.
11. ll. Optisk anordning enligt något av kraven 1-10, varvid modu- latorns avsmalnande utmatningsände är mellan 10 och 1000 mikro- meter lång, och företrädesvis mellan 20 och 50 mikrometer lång. 521 023 14
12. Optisk anordning enligt något av kraven 1-11, varvid nämnda främre yta är försedd med en AR-beläggning (31).
13. Optisk anordning enligt något av kraven 1-12, varvid anordningen är en monolitiskt integrerad halvledaranordning.
14. Optisk anordning enligt något av kraven 1-13, varvid lasern är en DFB-laser och modulatorn är en EAM.
15. Optisk anordning enligt krav 15, varvid den bakre ytan är försedd med en HR-beläggning.
16. Optisk anordning enligt något av kraven 1-15, varvid an- ordningen är gjord av InP/InHGaxAsyPby.
17. Optisk modul innefattande en optisk anordning enligt något av kraven 1-16.
18. Optisk modul enligt krav 17, ytterligare innefattande en utkopplingsanordning (37) anordnad vid en vinkel (ß) med av- seende på normalen till nämnda optiska anordnings främre yta.
19. Optisk modul enligt krav 18, varvid nämnda vinkel (ß) med avseende på normalen till den optiska anordningens främre yta är vald så att ljuset transmitterat genom nämnda fönsterområde och utmatat från nämnda optiska anordning propagerar huvudsak- ligen i en riktning, som en parallell med den optiska axeln (41) hos nämnda utkopplingsanordning.
20. Optisk modul enligt krav 18 eller 19, varvid nämnda utkopplingsanordning innefattar en lins och/eller en optisk isolator.
21. Förfarande för framställning av en optisk anordning inne- fattande stegen att: - ett substrat med en bakre yta (27) och en främre yta (29; 29') belägna motsatt varandra åstadkoms,
22. böjd för att åstadkomma nämnda 521 023 15 en laser (23) framställs i eller på nämnda substrat, där nämnda laser är anordnad att utsända ljus, en modulator (25; 51; 55) med en inmatningsände och en ut- matningsände (35; 53; 57) framställs i eller på nämnda substrat, där nämnda modulator är anordnad att mottaga och modulera ljus utsänt från nämnda laser och att mata ut mo- dulerat ljus vid nämnda modulators utmatningsände och ett fönsterområde (33) framställs mellan nämnda modulators utmatningsände och nämnda anordnings främre yta så att mo- dulerat ljus utmatat från nämnda modulator kan transmitte- ras genom nämnda fönsterområde och matas ut från nämnda anordning genom nämnda anordnings främre yta, k ä n n e - t e c k n a t a v att substratet, lasern, modulatorn och fönsterområdet utformas så att modulerat ljus utmatat från nämnda modulator propa- gerar huvudsakligen i riktning (34), som är vinklad (a; 5) med avseende på normalen (Z; 71) till nämnda anordnings främre yta och modulatorns utmatningsände utformas avsmalnande. Förfarande enligt krav 21, varvid nämnda modulator utformas vinklade (d; ö) riktning hos det modulerade ljuset.
23. modulator utformas vinklad med Förfarande enligt krav 21 eller 22, varvid nämnda avseende på normalen till nämnda främre yta för att åstadkomma nämnda vinklade (a; ö) riktning hos det modulerade ljuset.
24. Förfarande enligt något av kraven 21-23, varvid nämnda främre yta (29') utformas vinklad (y) med avseende på nämnda bakre yta. 521 025 16
25. Förfarande enligt krav 24, varvid vinkeln (6) mellan propageringsriktningen hos nämnda modulerade ljus utmatat från nämnda modulator och normalen (71) hos nämnda främre yta och vinkeln mellan nämnda främre yta och nämnda bakre yta väljes så att ljuset transmitterat genom nämnda fönsterområde och utmatat från nämnda optiska anordning propagerar huvudsakligen i en riktning, som är vinkelrät mot nämnda bakre yta.
SE0002580A 2000-07-07 2000-07-07 Optisk anordning samt framställning därav SE521023C2 (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0002580A SE521023C2 (sv) 2000-07-07 2000-07-07 Optisk anordning samt framställning därav
TW089122184A TW468058B (en) 2000-07-07 2000-10-21 Optical device and fabrication thereof
PCT/SE2001/001461 WO2002005398A1 (en) 2000-07-07 2001-06-26 Optical device and fabrication thereof
EP01944071A EP1307954A1 (en) 2000-07-07 2001-06-26 Optical device and fabrication thereof
AU2001266512A AU2001266512A1 (en) 2000-07-07 2001-06-26 Optical device and fabrication thereof
US09/898,018 US6914924B2 (en) 2000-07-07 2001-07-05 Optical device and fabrication thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0002580A SE521023C2 (sv) 2000-07-07 2000-07-07 Optisk anordning samt framställning därav

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0002580D0 SE0002580D0 (sv) 2000-07-07
SE0002580L SE0002580L (sv) 2002-01-08
SE521023C2 true SE521023C2 (sv) 2003-09-23

Family

ID=20280421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0002580A SE521023C2 (sv) 2000-07-07 2000-07-07 Optisk anordning samt framställning därav

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6914924B2 (sv)
EP (1) EP1307954A1 (sv)
AU (1) AU2001266512A1 (sv)
SE (1) SE521023C2 (sv)
TW (1) TW468058B (sv)
WO (1) WO2002005398A1 (sv)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10339980B4 (de) 2003-08-29 2011-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme
US9014230B2 (en) * 2010-05-19 2015-04-21 The Trustees Of Princeton University Single-mode quantum cascade lasers having shaped cavities
JP6654468B2 (ja) * 2016-02-29 2020-02-26 日本ルメンタム株式会社 光送信モジュール

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5190829A (sv) * 1975-02-07 1976-08-09
US4740987A (en) * 1986-06-30 1988-04-26 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Distributed-feedback laser having enhanced mode selectivity
JPH0682863B2 (ja) * 1987-12-02 1994-10-19 日本電信電話株式会社 発光ダイオード
JPH04296067A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Mitsubishi Precision Co Ltd スーパー・ルミネッセント・ダイオード
JPH0720359A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光デバイス
JP2746065B2 (ja) * 1993-07-29 1998-04-28 日本電気株式会社 光半導体素子の製造方法
GB9425729D0 (en) * 1994-09-14 1995-02-22 British Telecomm Otical device
US6381056B1 (en) * 1995-03-31 2002-04-30 British Telecommunications Public Limited Company Dark pulse generation and transmission
JPH1012959A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子、発光素子モジュールおよび半導体発光素子の製造方法
EP0851548B1 (en) * 1996-12-26 2001-04-11 Nec Corporation Semiconductor optical amplifier
JP3674806B2 (ja) * 1997-05-01 2005-07-27 日本電信電話株式会社 半導体光導波路機能素子
JP3239809B2 (ja) * 1997-07-24 2001-12-17 日本電気株式会社 光半導体装置
JPH1146044A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Nec Corp 半導体光増幅素子
US6091755A (en) * 1997-11-21 2000-07-18 Sdl, Inc. Optically amplifying semiconductor diodes with curved waveguides for external cavities
US6137619A (en) * 1998-04-08 2000-10-24 Nz Applied Technologies, Incorporated High-speed electro-optic modulator
SE9902916L (sv) * 1999-08-16 2001-02-17 Ericsson Telefon Ab L M Modulator och integrerad krets
US6542533B1 (en) * 2000-04-10 2003-04-01 Triquint Technology Holding Co Process for obtaining ultra-low reflectivity facets for electro-absorption modulated lasers
US6512860B2 (en) * 2000-08-18 2003-01-28 Danmarks Tekniske Universitet Bent electro-absorption modulator

Also Published As

Publication number Publication date
SE0002580L (sv) 2002-01-08
WO2002005398A1 (en) 2002-01-17
SE0002580D0 (sv) 2000-07-07
US6914924B2 (en) 2005-07-05
US20020003825A1 (en) 2002-01-10
TW468058B (en) 2001-12-11
AU2001266512A1 (en) 2002-01-21
EP1307954A1 (en) 2003-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210351562A1 (en) Optical device having a substrate and a laser unit that emits light into the substrate
US9507111B2 (en) Optical interposer
EP3347751B1 (en) A fiber to chip optical coupler and method of manufacturing thereof
US11681167B2 (en) Optoelectronic device and array thereof
JP3793718B2 (ja) 良好なマルチモ−ドファイバ励振と反射制御をもたらす回折光学素子
US10564374B2 (en) Electro-optical interconnect platform
US5943461A (en) Connectorized optical module package and method using same with internal fiber connections
US7257295B2 (en) Attachment-type optical coupler apparatuses
JP6056800B2 (ja) 光変調器
US20120114293A1 (en) Optical waveguide structure having angled mirror and lens
US6862388B2 (en) High density fibre coupling
JPH10282364A (ja) 光学デバイスの組立体
JP5474065B2 (ja) 光信号を増幅、変調及び検出するためのナノワイヤの光学的ブロック・デバイス
SE521023C2 (sv) Optisk anordning samt framställning därav
US6892010B2 (en) Photodetector/optical fiber apparatus with enhanced optical coupling efficiency and method for forming the same
WO2005036212A2 (en) Photodetector/optical fiber apparatus with enhanced optical coupling efficiency and method for forming the same
US20040190833A1 (en) Optical monitor module
US7627216B2 (en) Folded cavity of optoelectronic devices
US7492025B2 (en) Photo coupler
Hwang et al. Parallel optical transmitter module using angled fibers and a V-grooved silicon optical bench for VCSEL array
US20220229229A1 (en) Surface Emission Optical Circuit and Surface Emission Light Source Using the Same
US20200026001A1 (en) Anti-reflective and resonant waveguide grating to free-space couplers
CN107850744B (zh) 光学波导部件
CN108270147B (zh) 一种激光装置及其出光方法
US6913401B2 (en) Optical transmitter and optical connector

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed