TW468058B - Optical device and fabrication thereof - Google Patents

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TW468058B
TW468058B TW089122184A TW89122184A TW468058B TW 468058 B TW468058 B TW 468058B TW 089122184 A TW089122184 A TW 089122184A TW 89122184 A TW89122184 A TW 89122184A TW 468058 B TW468058 B TW 468058B
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TW
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modulator
output
plane
optical device
patent application
Prior art date
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TW089122184A
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Per Granestrand
Stefan Bjurshagen
Asa Bjorkstrom
Lennart Lundqvist
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Ericsson Telefon Ab L M
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Description

4 6 8 058 A7 B7 五、發明說明(1 ) 本發明之技術範圍 本發明關於光纖通信之範圍。特別關於一含雷射及調變 器之光學裝置,及關於該光學裝置之製造方法。 相關技藝説明及本發明之背景 在許多光纖系統應用中,對光源之需求非常迫切。特別 是需要良號之頻譜純度,以在長距上傳輸高位元率資訊。 在雷射調變期間,會發生頻譜之最小擴展。線性調頻爲超 過’較猗頻所需之頻譜寬度之頻譜擴展。因爲不同波長以 不同速度在頻散媒介中傳播,如光纖,由於大幅線性調頻 之存在,會造成跨光纖網路上,傳輸之調變光信號之較大 頻譜擴展。 因此,降低線性調頻爲光學通信之長遠理想。低線性調 變之調變雷射源在長距離,高位元率光纖傳輸系統中非常 要’因線性調頻引起之脈衝失眞,能降低性能及距離。 調變雷射光使用二種方法:直接調變及外部調變。直接 調變中,雷射,如雷射二極體由一資訊直接調變,以產生 調變之雷射輸出。外部調變時,利用一調變器以調變自雷 射二極體之光。一資訊信號加至調變器,而非如直接調變 加在雷射上。自外部調變之頻率偏移(線性調變),較直接 調變雷射達成者低甚多,特別是,如需要傳輸之光信號之 高消率時爲甚,而不論在雷射與調變器間之發生之光電互 動。 在外部調變中,.利用二不同配置以連接外部調變器與雷 射源。在第一配置中,調變器與雷射配置在分立,各別之 , 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·!丨丨丨II訂·!----Ί nil 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 468 05 8 A7 B7 五、發明說明(2) 基體上,在第二配置中,調變器及雷射則構造成在—單晶 片上之積體雷射調變器裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第一配置中,雷射與調變器間之光互動可用一光隔離 器,置於雷射與調變器之間,以達成將雷射及調變器光隔 離,該光隔離器可使光僅在一方向傳播。 在第二配置中,雷射與調變器製造在一單一晶片上,俾 可獲得雷射與調變器之内連。但,其甚爲複雜及價筇,如 非不可能將一光隔離器,與雷射及調變器統合在單—晶片 上。 爲了降低成本,複雜性及大I]、,利用第二配置非常理想 ’即統合一雷射及碉變器之組合及降低光互動,及降低線 性調變,而不用光隔離器" 如圖1所示’爲一習知技藝之統合之雷射/調變器.。雷射 部份1及調變器部份3 ’形成在一具有背平面7及前平面9 之基體5上。爲獲得良號性能,利用此一積體配置必須使 晶片上之内部反射爲最小,因爲反射回至雷射之光,會干 擾雷射及造成線性調頻及其他問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲降低調變器中之向回反射,在調變器3之輸出端13與 前平面9之間形成一所謂視窗結構11 ^视窗區爲丨5微米長 _,由InP組成並安排成自由光傳播。由於自調變器3之光· 輸出之擴散,前平面9反射之光’被搞合回至波導,因此 可以降低。此外,爲降低前干面9之反射率,典型地在其 上會形成一抗反射(AR)塗層15。在配置中保持高效率耦合 ,甚爲重要,但此舉使降低反射至雷射.部份更爲複雜。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 3 05 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(3 在傳統裝置中抑制内部反射,在許多情況下均不夠,因 而導致此種基體調變器/蕾射裝置之生產上,不良之產量。 自晶片上調變器波導終端13引起之反射,與AR-塗層之 前平面9之剩餘反射,均返回波導。 本發明之概述 本發明之一主要目的爲提供一含雷射及一調變器之光學 裝置,其中之内部反射可以降低。. 本發W之一特殊目的爲提供光學裝置,其中,雷射部份 與調變器部份間之光互動可以降低。 本發明之另一目的爲提供一光學裝置,其可同時展現良 好之韓合效率。 冬發明之又一目的爲提供一光學裝置,其爲—簡單,低 成本及有緊縮尺寸。 根據本發明,此等目的可由一光學裝置達成,該裝置具 有一背平面及前平面,彼此相對,此裝置包括一雷射,— 調變器,及一视窗區β雷射適於放射與背平面傳直之光。 #1變器有一輸入端及一輸出端,其適於接收及調變自雷射 放射之光,及在調變器輸出端,輸出調變之光。視窗區安 棑在”周變li輸出端與裝置之前平面之間,俾自調變器^出 之調變光,可經視窗區傳輸,並由裝置之前平面輸出。此 調變器爲彎的,俾自調變器輸出之調變光,主要在—方1 傳播’其與前平面之法線成一角度。 有此設施,在前平面反射之光自調變器之輸出端被導向 ,而不致向其反射回去,.因而自前平面反射之向回反射: -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------訂------ _| 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 B 05 8 A7 _ B7 _ _ 五、發明說明(4 ) 則不致進入調變器及雷射,因此,線性調頻可以降低。 根據本發明之第二特性,上述之目的可由一光學裝置提 供’其具有背平面及前平面,彼此相對,該裝置包括—雷 射,一調變器,及一視窗區。雷射適於發射光。調變器有 一輸入端及一輸出端’並適於接收及調變放射自雷射之光 ’並在調變器之輸出端輸出調變之光。視窗區安排在調變 輸出端與裝置之前平面之間,俾自,調變輸出之調變光,可 經視窗區傳輸’並可由裝置之前平面輸出ν此外,裝置之 安排可使自調變器輸出之光,主要在一方向傳播,該方向 與裝置前平面之法線成一角度。最後,調變器輸出端爲遞 變的。 在此設施後·,在調變器輸出端反射之光可降低。此外,遞 變之調變器輸出端,在改進耦合效率上亦甚有效,因其將 自調變器光輸出之角擴展更窄。角度入射於前平面與遞變 之調變器輸出之組合,可進一步降低反射在前平面之光, 該光將反射回至調變器。因此,線性調變可進一步降低。 組合本發明之二第一特性,可獲得一光學裝置,其中, 向後散射之被防止而無法進入調變器,其中之彎調變器與 斜前平面可設計爲,使裝置之光輸出之方向,與自雷射之 光放射之傳播方向平行。 本發明之另一目的爲提供一方法,以根據本發明之第一 及第二特性製造光學裝置。 在此一方面,本發明有一特別目的,即提供一製造方法 可提供高產量。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ί琦先閱讀背面之速意事項再填寫本買} - " - . 裝 ---il-lir-----ΙΙΊΙ- 468058 A7 — 1 _________ B7 __ 五、發明說明(5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此,根據本發明之第三特性,備有—方法以製造一光 學裝置’方法包括步驟⑴提供一具有背平面及前平面彼此 相對I基體;以)在基體中或其上形成雷射,此雷射適於 方射與背平面成垂直之光;在基體之内或其上形成— 具有輸入端及輸出端之調變器,此調變器可適於接收及調 變自雷射方射之光,及在調變器輸出端輸出調變之光;及 (ίν)在調變器輸出端與裝置之前平面間,構成一視窗區,使 自裯變IT之賙變光,可經視窗區傳輸,並經裝置之前平面 輸出。此外’調變器形成一彎曲,使自調變器之輸出調變 光’可在一與裝置之前平面之法線成一角度之方向傳播。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 最後’根據本發明之第四特性,備有一製造光學裝置之 方法,含下列步驟:⑴提供一具有前平面及背平面,彼此 相對之基體;(ii)在基體中或其上形成一雷射,此雷射適 於放射光·’(iii)在基體中或其上,形成一輸入端及輪出端 之調變器,調變器於接收及調變自雷射放射之光,並在調 變器之輸出端輸出調變之光;(iv)在調變器之輸出端與裝 置之前平面間,建立一視窗區,俾自調變器輸出之調變光 ,可經由視窗傳輸,並經由裝置之前平面輸出。形成基體 ,雷射,ϊ周變器及視窗區等步驟實施後’自調變器輸出之 調變光’可在一方向傳播,該方向與裝置前平面之法線成 一角度。此外,調變器形成一遞變輸出端。 本發明之一優點爲低内部反射及良好之耦合效率可同時 獲得。 本發明之其他特性及優點可自下列實施例之詳細說明後 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 46 8 05 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(6 ) ,而非常明顯。 圖式簡略説明 本發明可在詳細説明實施例及附圖式1 - 4後而更爲瞭解 ,彼等僅係說明性質,而無限制意。 圖1圖解説明習知技藝之積體雷射/調變器之頂視圖。 圖2説明本發明第一實施例之積體雷射/調變器之頂視圖。 圖3説明一調變器之部分頂視圖,,調變器具有一突變輸 出端及二遞變輸出端,其安排與前平面成一角度關係,該 圖特別説明遞變調變器輸出端之優點、 圖4説明本發明之第二實施例之積體雷射/調變器之頂视 圖’插圖爲前平面之放大。 實施例之詳細説明 以下之説明中’係爲解釋之目的,而非限制,其所述之 特殊細節如特殊技術及應用,以提供對本發明之徹底瞭解 。對精於此技藝人士而言’非常明顯,即本發明可以與此 特殊細節不同之實施例實施,有時,知名之方法及装置之 詳細之説明,已予省略,俾不致以無必要細節混淆本發明 之説明。 參考圖2 ’其圖解説明一基體雷射/調變器之頂視圖,本 發明之第一實施例將予以説明。 此基體雷射/調變器包含一基體21,其中,雷射部份23及 調變器部份25形成其内。雷射23爲典型DFB (分步回輸)雷 射’亦可爲其他適合雷射,即DBR (分步Bragg反射)雷射。 調變器25最好爲一 EAM (電吸收調變器),其中之波導有一 -9 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝--------.訂-------!嗥—Y I, _| 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 468058 Α7 Β7 五、發明說明(7) 大或量子壁結構,波導可爲埋入或及脊波導。或者,調變 器爲其他型如Mach-Zehnder調變器6 此系統最好由材料系統InP/Ini xGaxAsyPi y構成,其他材料 系統亦可使用ό 此外,裝置包含一背平面27及一前平面29彼此相對。最 好’二平面爲平坦而彼此平行之平面,俾圖2之ζ轴構成與 二表面正交。背平面27可用作在雷射部份之反射機構,特 別在雷射·爲DFB時爲然,並可備有一高反射(HR)塗層(未説 明)。前平面29輸出調變光,其最好備有一 ARs 31。視窗 區33備於調變器25與裝置前平面29之間。 根據本發明,調變器25爲曲線形,故雷射23放射之光沿 Ζ轴,’並由調變器25在操作期間調變,並以一方向輸出進 入視窗區33,如圖2之34所示,其形成裝置之前平面之法 線,即Ζ軸成一角度。調變器之彎曲半徑爲約5〇〇微米。角 度α至少2度,最好爲至少5度,更佳爲至少或約爲8度。 總折射角之上限,視視窗區33之折射率,AR塗層31,及四 邊空氣而定,上限之典型値爲15-20度。 如此設計,即以彎曲終止波導,而非以直線,俾調變器 波導之尖端或輸出端35,可與Ζ軸形成一角α,因此可能 降低反射回波導之光。此可由幾何考慮而瞭解:光將以與 Ζ軸成α角進入視窗區33,在前平面29(包括AR塗層31)反 射之光,因此角之關係,而大部份反射遠離波導輸出端。 此可抑制自前平面(包括AR塗層)之反射。 此外,波導最好一遞變方式終結,意即波導之寬度及/ -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 tr-i------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 0 05 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(8 ) 或厚度,在一長約爲20-50微米區域,漸漸降爲零,或接近 零。此舉使自波導終止35產生之反射降低,因爲,波導不 連續將出現一段距離,與材料中之光波長相較爲大。此外 ,場之形狀亦因此遞變而改變,其結果將參考圖3加以説 明。 最後,向外耦合裝置37,其爲典型透鏡-隔離器組合, 用以耦合光進入光纖39,該裝置位於(即裝置37之光軸41) 與Z軸成-一角度々處,以使積體雷射/調變器組件之耦合效 率最大。該適當之角度/3由Snell定律所定,及在典型狀況 下,爲30度(在波導終端35自Z軸有10度之偏移(〇〇)。 此積體雷射/調變器裝置,向外合裝置及選擇性之光纖 連接,可安裝於模组中或包封中。 現在轉向圖3 ’其爲調變器51之部份頂視圖,其具有一 突變輸出端53’及一調變器55,其具有一遞變輸出端57, 與前平面59安排成一角度,遞變調變器輸出端之優點將予 以討論。 因爲波導之遞變之結果,遞變區之輸出之光將橫向,擴展 。此舉意味,視窗中之衍射之角擴展,要較無遞變時爲小 。自突變53及遞變57輸出端之光輸出,角擴展由圖3之63及 67所示。 較小之角擴展代表耦合之效率可獲改進。 此外,彎調變器與遞變調變器組合之優異效應爲,在有 角度之遞變調變器端57’之輸出之角分布中之光較少,因 其大部反射回至調變器波導。此與—直線調變器爲一對比 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------— 1 訂·! ---Ί :β 463^5^8 A7 一 一 一 B7 五、發明說明(9) ,此情況下,光以與前平面垂直方式入射,此時,較小之 角擴展’將導致更多之光反射回至調變器。 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 其次參考圖4,其爲一積體雷射/調變器裝置之頂視圖, 其中之插圖顯示前平面之放大,本發明之第二實施例將予 以説明。 此第二實施例之裝置與圖2中之裝置相同,但在圖4中, 裝置前平面以29’表示,此前平面與z軸成一角度,而非與 Z轴以一角度配置一任何外部向外耦合装置。裝置之所有 其他零件’與圖1所示之參考號碼相同。在此實施例中, 一 AR塗層(未説明)可涵蓋此前平面。 前平面29'可能應用適當技術,如乾蚀刻與z軸成一角度 。乾蚀刻視窗終端之角度厂主要由Sndl|律而定(提供一 與Z軸平行之輸出耦合)。 吾人應注意,在此實施例中,最好應用大或更大角度( 即圖2中之角度α之調變器彎曲,因爲,乾蝕刻之角度前 平面29'可降低,光傳播方向與裝置之前平面的法線(71)之間 之角度(在)β 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 吾人應暸解,本發明之遞變調變器端,在與有角度之入 射至裝置之前平面結合時,具有三重優異效應:第一,在 調變器端之反射可以降低;第二,向外耦合效率可獲改進 :第三’自前平面反射回至調變器之反射可降低。吾人暸 解,此等特性可在不提供一彎調變器時獲得。 例如,裝置之前平面可與Ζ軸成一角度,如第二實施例 所述,而備有遞變輸出端之調變器爲直線形(無寶曲)a入 -12- 本紙張尺度適用+國國家標準(CNS)A4規格(2W X 297公釐)
6 B 05 B 第89122184號專利申請案 中文說明書修正頁(9〇年8斤y -------A7~----^ ------ρ Ψ _ 五、發明説明(〒年扣, 〜-----
ί I J 射進入裝置之前平面之有角度光,僅由前平面傾斜而定。 在另一直線雷射/調變器版式中,具有遞變調變器輸出 端之配置可用對角線方式安排在基體上。 以本發明之原理,可獲得一在反射上較佳性能之 變器/雷射。 、本發明提供-機會,以獲得積體雷射,調變器中之低内 部反射,而無AR塗潛上之需纟。同時可獲得良好之輕合效 率。本發明(新穎特性’有潛力可降低自波導終端之反 射,及剩餘平面反射。 非常明顯,本發明可有許多方式之變化。此等變化不被 認為有悖本發明之範圍。所有修改對精於此技藝人士而 言,甚為明顯,並意欲包括在本發明之申請專利範圍中。 元件符號說明 I 雷射部份 3 調變器部份 5 基體 7 背平面 9 前平面 II 视窗結構 1 3 輸出端 15 抗反射(AR)塗層 2 1 基體 23 雷射 25 調變器 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4规格(210X297公釐) 4 6 8 Q_ 5 889122184號專利申請案 A7 B7 中文說明書修正頁(90年8月) 五、發明説明(伽 27 背平面 29,29’ 前平面 3 1 A R塗層 3 3 視窗區 3 4 方向 3 5 輸出端 3 7 向外镇合裝置 3 9 光纖 4 1 光軸 5 1 調變器 5 3 輸出端 5 5 調變器 5 7 輸出端 5 9 前平面 63,6 7 光輸出之角擴展 7 1 法線 -13a-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 4 68 〇5 8 第89mi84號專利申請案 部 中文申請專利範圍修正本(9〇年8月)gj 六、甲請專利範圍 1·—種光學裝置,具有一背平面(27)及一前平面(29; 29’)’彼此相對,該裝置包括: 一雷射(23)適於放射與背平面垂直之光; 一調變器(25; 51; 55)分別具有一輸入端及輸出端(35; 53; 57),及適於接收及調變自雷射放射之光,及輸出調 變之光於調變器輸出端;及 一視窗區(33)安排在調變器輸出端與裝置之前平面之 間; 該裝置被安排成,使自調變器之調變光經由視窗區輸 出’及自該裝置經由該前平面輸出,其特徵為 調變器為彎的’俾自調變器之調變光輸出在一方向 (34)傳播’該方向與該前平面之法線(2;71)成一角度 (5) 〇 2.如申請專利範園第1項之光學裝置,其中之表光之傳播 方向與該前平面之法線間之角度至少為2度’較 佳至少5度,更佳至少為8度,最佳約為8度。 經濟部中央標準局男工消费合作社印製 3·如申請專利範圍第1項之光學裝置,其中該調變器輸出 端為漸尖遞變。 4·如申請專利範圍第3項之光學裝置,其中該調變器輸出 端之寬度為漸尖遞變。 5. 如申請專利範圍第3項之光學裝置,其中該調變器輸出 之厚度為漸尖遞變。 6. 如申請專利範固第3項之光學裝置,其中之遞變調變器 本紙張尺及適用中國國家揉準(CNS > A4規格(210X297公釐) 468 05 8 A8 B8 C8 D8 經濟部t央標準局貝工消費合作社印裝 六、申請專利範園 輸出端部份’約為10至1000微米長度之間,最好在2〇至 50微米長度之間。 7 .如申請專利範圍第1項之光學裝置.,其中該前表面備有 一 AR塗層(31)。 8 .如申請專利範圍第1項之光學裝置,其中之裝置係為一 單塊積體半導體裝置。 9. 如申請專利範圍第i項之光學裝置,其中之雷射為DFB 雷射,調變器為一 EAM。 10. 如申請專.利知圍第9項之光學裝置,其中之背平面備有 一 mi塗層。 11. 如申·請專利範圍第1項之光學裝置,其中之裝置由 InP/In^GaxASyPh製成。 12_如申請專利範圍第!項之光學裝置,其中之前平面(29,) 與背平面成一角度(r)。 13.如申請專利範圍第12項之光學裝置,其中在光傳播方向 與該前平面之法線(71)間之角度(<5 ),及在前平面與背 平面間之角度(7 ),須加以選擇俾經視窗區傳輸之光, 及自裝置輸出之光在一方向傳播,該方向與該背平面垂 直。 14_ 一種光學模組,包含如申請專利範圍第丨項之光學裝 置。 .子 15.如申請專利範圍第14項之光學模組,尚包含—向外轉 合裝置(37)安排成與光學裝置之前平面之法線成L角产 ___ -2· 本紙張又度逋用中囷國家揉準(CNS ) A4規格(210x297公釐) ---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I17 4 6 B 05 8 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (沒)。 16. 如申請專利範圍第15項之光學模組,其中該與光學裝置 前平面所成之角(沒)須加以選擇,俾經由視窗傳輸及自 光學裝置輸出之光,主要在一方向傳播,該方向與該向 外耦合裝置之光軸(41)平行。 17. 如申請專利範圍第15項之光學模組,其中該向外搞合裝 置含一透鏡及/或一光學隔離器。 is. —種光學模組’包含如申請專利範園第12項之光學裝 置,及一向外耦合裝置(37)。 19. —種光學裝置,具有一背平面(27)及前平面(29; 29,)彼此 相對,該裝置含: 一雷射(23)適於放射光; —調變器(25; 51; 55)分別具有一輸入端及一輸出端(35; 53; 57) ’及適於接收及調變自雷射放射之光,並適於在 調變器輸出端輸出調變光;及 一視窗區(33)安排在調變器輪出端與裝置之前平面之 間; 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印製 該裝置尚安排成,使自調變器之調變光輸出經由該視 窗區傳輸’及自該裝置之輸出經由該裝置之前平面輸 出,其特徵為 該裝置安排成,自調變器輸出之調變光主要在一方向 (34)傳播,該方向與該裝置之前平面之法線(z;71)成一 角度(α ; <5);及 ._ _3. 本紙張XJt適用情國家揉準)从祕(21()><297公着) 8 5 ο 8 b
    ABCD 、申請專利範圍 該調變器輸出端為漸尖遞變。 (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 20.如申請專利範園第19項之光學裝置,其中,在光傳播方 向與該前平面之法線間之角度(α ; τ )至少為2度,較佳 為至少5度’更佳為至少8度,最佳為約8度。 21,如申請專利範圍第19項之光學裝置,其中該調變器輸出 端之寬度為漸尖遞變。 22. 如申請專利範圍第19項之光學裝置,其中該調變器之輸 出端之厚度為漸尖遞變。 23. 如申請專利範園第19項之光學裝置,其中,漸尖調變器 輸出端部份長度在10至1000微米之間,最好在20至50微 米之間。 24. 如申請專利範園第19項之光學裝置,其中該前平面備有 一 AR塗層(3 1)。 25_如申請專利範圍第19項之光學裝置,其中之裝置為單塊 積體半導體裝置。 26. 如申請專利範圍第19項之光學裝置,其中該調變器為彎 的。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裂 27. 如申請專利範圍第19項之光學裝置,其中該調變器與該 前平面之法線成一角度。 28. 如申請專利範圍第19項之光學裝置,其中之該前平面 (29')與該背平面成一角度(Τ)。 29. —種用以製造一光學裝置之方法,含下列步驟: 提供·一基體’其具有一1背平面(27)及前平面(29; 29,)彼 -4- 本紙張尺度適用中圃國家雜準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) 4 〇Β 05 8 A3 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 夂、申請專利範圍 此相對; 在基體中或其上構成—雷射(23),該雷射適於放射於 背平面成垂直之光; 形成一具有輸入端及輸出端(35; 53; 57)之調變器(25; 51; 55)於一基體中或其上,該調變器適於接收及調變自 雷射之光’及在該調變器輸出端輸出調變之光;及 在調變器輸出端與裝置前平面間形成一視窗區(33), 俾自調變器之調變光輸出,可經由該視窗區傳輸,及自 該裝置經由裝置之前平面輸出,其特徵為 形成一具有彎曲之調變器,俾自調變器之調變光輸出 主要由一方向(34)傳播,該方向與裝置之前平面之法線 (Z;71)成一角度(α; 5)。 30. —種用以製造一光學裝置之方法,含下列步驟: 提供一基體’其具有一背平面(27)及前平面(29; 29·)彼 此相對; 在基體中或其上形成雷射(23),該雷射適於放射光; 形成一具有輸入端及輸出端(35; 53; 57)之調變器(25; 51; 5 5)於基體中或其上’該調變,器適於接收及調變自雷 射放射之光’及在調變器之輸出端輸出調變之光;及 在调變器輸出端與裝置前平面間形成一視窗區(33), 俾自調變器之調變光輸出可經由該視窗區傳輸,並經由 該裝置之前平面輸出,其特徵為 形成基體’雷射’ 1周變器及視窗區,俾自調變器之調 -5- 本紙張適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(2丨0X29*7公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I)
    468 05 8 韶 C8 D8 六、申請專利範圍 變光輸出主要在一方向(34)傳播,該方向與裝置之前平 面之法線(Z;71)成一角度(α; 5);及 形成漸尖遞變之調變器輸出端。. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '..,4 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家楯準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10339980B4 (de) 2003-08-29 2011-01-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser mit reduzierter Verlustwärme
US9014230B2 (en) * 2010-05-19 2015-04-21 The Trustees Of Princeton University Single-mode quantum cascade lasers having shaped cavities
JP6654468B2 (ja) * 2016-02-29 2020-02-26 日本ルメンタム株式会社 光送信モジュール

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5190829A (zh) * 1975-02-07 1976-08-09
US4740987A (en) * 1986-06-30 1988-04-26 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Distributed-feedback laser having enhanced mode selectivity
JPH0682863B2 (ja) * 1987-12-02 1994-10-19 日本電信電話株式会社 発光ダイオード
JPH04296067A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Mitsubishi Precision Co Ltd スーパー・ルミネッセント・ダイオード
JPH0720359A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光デバイス
JP2746065B2 (ja) * 1993-07-29 1998-04-28 日本電気株式会社 光半導体素子の製造方法
GB9425729D0 (en) * 1994-09-14 1995-02-22 British Telecomm Otical device
US6381056B1 (en) * 1995-03-31 2002-04-30 British Telecommunications Public Limited Company Dark pulse generation and transmission
JPH1012959A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子、発光素子モジュールおよび半導体発光素子の製造方法
DE69704544T2 (de) * 1996-12-26 2001-11-29 Nec Corp., Tokio/Tokyo Optischer Halbleiterverstärker
JP3674806B2 (ja) * 1997-05-01 2005-07-27 日本電信電話株式会社 半導体光導波路機能素子
JP3239809B2 (ja) * 1997-07-24 2001-12-17 日本電気株式会社 光半導体装置
JPH1146044A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Nec Corp 半導体光増幅素子
US6091755A (en) * 1997-11-21 2000-07-18 Sdl, Inc. Optically amplifying semiconductor diodes with curved waveguides for external cavities
US6137619A (en) * 1998-04-08 2000-10-24 Nz Applied Technologies, Incorporated High-speed electro-optic modulator
SE9902916L (sv) * 1999-08-16 2001-02-17 Ericsson Telefon Ab L M Modulator och integrerad krets
US6542533B1 (en) * 2000-04-10 2003-04-01 Triquint Technology Holding Co Process for obtaining ultra-low reflectivity facets for electro-absorption modulated lasers
WO2002017002A2 (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Danmarks Tekniske Universitet Bent electro-absorption modulator

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