JPH04208905A - 光半導体モジュール - Google Patents
光半導体モジュールInfo
- Publication number
- JPH04208905A JPH04208905A JP2400232A JP40023290A JPH04208905A JP H04208905 A JPH04208905 A JP H04208905A JP 2400232 A JP2400232 A JP 2400232A JP 40023290 A JP40023290 A JP 40023290A JP H04208905 A JPH04208905 A JP H04208905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- optical
- light
- optical semiconductor
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
「発明の目的］
［０００１１
【産業上の利用分野］この発明は光半導体モジュールに
関する。 ［０００２］ 【従来の技術】コンピュータ関連技術の進展によって機
器間の通信でさえもますます高度化し、従来の電気通信
技術で間に合わない分野での、光への置き換えが始まっ
ている。従って、その重要な要素である光半導体モジュ
ールに対する要求も、次第に強くなっている。 ［０００３］光半導体モジュールの構成の一例を図５に
示す。レーザダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）などの発光素子、またはｐｉｎフォトダイオード
（ＰＤ）などの受光素子といった光半導体素子（１）、
光ファイバまたは薄膜導波路などの光導波素子（２）、
そして、これらの間の光結合効率を高めるためのレンズ
（３）を主な構成要素としている。 ［０００４］ここで、現在普通に用いられているＬＤは
端面出力型であり、光導波素子も端面入出力型であるた
め、ＬＤや光導波素子は基板（４）に対して平行に搭載
でき、モジュールの製造も比較的容易である。しかし現
在のＰＤ、ＬＥＤ、そして将来用いられるであろうＬＤ
は画人出力型であるため、光半導体素子または光導波素
子のいずれかを基板に対して垂直に搭載せねばならず、
ここに製造上の困難が伴う。簡便に製造してコストを低
下させるためには、途中の反射器を設けて光路を曲げ、
全ての構成要素を平行に搭載できることが望ましい。 ［０００５］反射器を用いて光路を曲げる方法として、
例えば図６ （ａ） 、 （ｂ）に示すような方法が
提案されている。いずれも１１が半導体基板、１２が光
導波路、１３が光半導体素子、１４が反射器である。４
１はＰＤの受光面、１５は反射器の反射面をそれぞれ表
している。しかしこれらの方法にも幾つかの困難がある
。先ず、この様に微小な反射器を形成すること自体が困
難である。反射面（１５）を形成する方法は研磨や襞間
が考えられるが、元が小さいだけにそれぞれ困難を伴う
。また、この様に微小な反射器を、半導体基板（１１）
上の所定の位置に精度良く搭載することも困難である。 ［０００６１更に図６（ａ）の様な搭載方法では、光半
導体素子（１３）が片持ち型となるため、配線方法や強
度上の問題がある。反射器（１４）に支持腕を設けるこ
とは研磨や襞間では不可能であるし、別の支持体を搭載
することは工程数の増加をもたらす。図６（ｂ）の様な
搭載方法では、反射器（１４）の下面が上面より小さい
だけに、位置合わせが一層困難になるという問題がある
。 ［０００７］一方、光源にＬＤを用いるときには、ＬＤ
から発した光の一部が光路内のどこかで反射してＬＤへ
戻る、いわゆる戻り光も少なくなるよう考慮されねばな
らない。反射面の角度を４５°とし、光導波路から出射
した光の光路を９０’曲げて受光素子に入射させるとす
ると、受光素子表面で反射した光の一部は必ず光導波路
へ再度大斜して、ＬＤへの戻り光となる。従って、反射
面の角度は４５°でない方が良い。 ［０００８］この戻り光に関する問題は、反射面を用い
ない場合も同様で、そのため通常の光半導体モジュール
では、光アイソレータが用いられたり、ファイバ端面を
斜めに研磨するなどして、戻り光を極力低下させるよう
努力されている。しかしこれらの方法を用いることには
、部品点数や工程数の増加によるコストの増大という問
題がある。できればレンズさえも省略できることが、コ
ストダウンのためには望ましい。 ［０００９］
関する。 ［０００２］ 【従来の技術】コンピュータ関連技術の進展によって機
器間の通信でさえもますます高度化し、従来の電気通信
技術で間に合わない分野での、光への置き換えが始まっ
ている。従って、その重要な要素である光半導体モジュ
ールに対する要求も、次第に強くなっている。 ［０００３］光半導体モジュールの構成の一例を図５に
示す。レーザダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）などの発光素子、またはｐｉｎフォトダイオード
（ＰＤ）などの受光素子といった光半導体素子（１）、
光ファイバまたは薄膜導波路などの光導波素子（２）、
そして、これらの間の光結合効率を高めるためのレンズ
（３）を主な構成要素としている。 ［０００４］ここで、現在普通に用いられているＬＤは
端面出力型であり、光導波素子も端面入出力型であるた
め、ＬＤや光導波素子は基板（４）に対して平行に搭載
でき、モジュールの製造も比較的容易である。しかし現
在のＰＤ、ＬＥＤ、そして将来用いられるであろうＬＤ
は画人出力型であるため、光半導体素子または光導波素
子のいずれかを基板に対して垂直に搭載せねばならず、
ここに製造上の困難が伴う。簡便に製造してコストを低
下させるためには、途中の反射器を設けて光路を曲げ、
全ての構成要素を平行に搭載できることが望ましい。 ［０００５］反射器を用いて光路を曲げる方法として、
例えば図６ （ａ） 、 （ｂ）に示すような方法が
提案されている。いずれも１１が半導体基板、１２が光
導波路、１３が光半導体素子、１４が反射器である。４
１はＰＤの受光面、１５は反射器の反射面をそれぞれ表
している。しかしこれらの方法にも幾つかの困難がある
。先ず、この様に微小な反射器を形成すること自体が困
難である。反射面（１５）を形成する方法は研磨や襞間
が考えられるが、元が小さいだけにそれぞれ困難を伴う
。また、この様に微小な反射器を、半導体基板（１１）
上の所定の位置に精度良く搭載することも困難である。 ［０００６１更に図６（ａ）の様な搭載方法では、光半
導体素子（１３）が片持ち型となるため、配線方法や強
度上の問題がある。反射器（１４）に支持腕を設けるこ
とは研磨や襞間では不可能であるし、別の支持体を搭載
することは工程数の増加をもたらす。図６（ｂ）の様な
搭載方法では、反射器（１４）の下面が上面より小さい
だけに、位置合わせが一層困難になるという問題がある
。 ［０００７］一方、光源にＬＤを用いるときには、ＬＤ
から発した光の一部が光路内のどこかで反射してＬＤへ
戻る、いわゆる戻り光も少なくなるよう考慮されねばな
らない。反射面の角度を４５°とし、光導波路から出射
した光の光路を９０’曲げて受光素子に入射させるとす
ると、受光素子表面で反射した光の一部は必ず光導波路
へ再度大斜して、ＬＤへの戻り光となる。従って、反射
面の角度は４５°でない方が良い。 ［０００８］この戻り光に関する問題は、反射面を用い
ない場合も同様で、そのため通常の光半導体モジュール
では、光アイソレータが用いられたり、ファイバ端面を
斜めに研磨するなどして、戻り光を極力低下させるよう
努力されている。しかしこれらの方法を用いることには
、部品点数や工程数の増加によるコストの増大という問
題がある。できればレンズさえも省略できることが、コ
ストダウンのためには望ましい。 ［０００９］
【発明が解決しようとする課題】この発明は、少ない部
品点数と簡単な工程とで光半導体素子と光導波素子とを
効率よく光結合でき、かつ戻り光の少ない光半導体モジ
ュールを提供することを目的とするものである。 ［発
明の構成］ ［００１０１
品点数と簡単な工程とで光半導体素子と光導波素子とを
効率よく光結合でき、かつ戻り光の少ない光半導体モジ
ュールを提供することを目的とするものである。 ［発
明の構成］ ［００１０１
【課題を解決するための手段］この発明は、半導体基板
に設けられた凹部の側面に露呈した結晶面を反射面とし
て、光半導体素子と光導波素子とを光結合させたことを
特徴とする。 ［００１１１ 【作用］半導体結晶の結晶面は、原子が規則正しく並ん
だ面であるため、光学的に優れた反射器となる。半導体
基板に精度良く凹部を設けることは、通常のマスク合わ
せ工程、エツチング工程を用いることによって容易であ
る。このとき異方性の強いエツチングを行えば、ある特
定の結晶面だけが露呈されるため、光学的に優れた反射
器が容易に形成できる。しかもその結晶面は、角度が４
５°とならない面を選ぶことも可能であるため、凹部の
大きさを適当に並べば、戻り光を少なくすることも容易
である。しかもこの結晶面が凹部内に適当に配されてい
れば、これらに集光作用を持たせることもできる。そし
て、凹部が設けられた半導体基板の表面側に画人出力型
の素子、端面側に端面入出力型の素子を実装することに
より、これらの光結合が容易に行われる。 ［００１２］ 【実施例】この発明により、ファイバとＰＤを結合させ
た例を図１に示す。ここで、図１ （ａ）は反射器の拡
大図、図１（ｂ）は反射器とファイバ、ＰＤとの実装方
法を示す。２１は（１００）面を表面とし、（１１０＞
方向に切り出されたＳｔ基板である。表面に装着した酸
化膜（２２）に適当なマスク合わせ工程を経て溝に形成
し、ヒドラジンや水酸化カリウム等を用いて異方性エツ
チングを行うと、反射面となる側面（２３） （２４
）に（１１１）面が露呈した凹部（２５）が形成される
。エツチングは（１１１）面が露呈した時点で終了する
ので、凹部の大きさ、深さはマスク合わせ工程によって
高精度に決定される。このとき、露呈（１１１）面の（
１００）面に対する角度は、５４．７°となる。場合に
よっては、側面（２３） （２４）に金属や誘電体の
一層または多層の薄膜を装着して、反射率を高めてもよ
い。 （００１３］この様にして形成された反射器（２９）の
表面に合わせマーカ（２７）を形成しておき、ＰＤ （
２８）の受光面を下にしてフリップチップ接続する。反
射器表面の酸化膜（２２）上に必要な電極配線（２６）
を施しておけば、ＰＤ自身の固定と同時に配線までが、
一つの工程で終了する。もちろん受光面を上に接続して
、ワイヤボンディングを行っても構わない。また、Ｓｉ
基板（２１）内に電子素子を作り付けてＩＣ化すること
も可能である。このときはＰＤ（２８）への電気配線が
最短距離で済むので、高速に変調された光を受光するの
に適している。 ［００１４１反射器（２９）とファイバの接続は、市販
のファイバコネクタ（３０）が利用できる。このコネク
タは本来、２本のビン（３１）を介してコネクタ同志を
突き合わせることにより、２本のファイバを簡便に接続
するためのものであるが、そのためビンとファイバ端面
（３２）との位置関係が精密に作製されている。従って
このビン（３１）でＳｉ基板（２１）を挟み込み、適当
な方法で固定すれば、ファイバ端面（３２）と凹部（２
５）との位置関係も精密に決まる。 ［００１５］Ｓｉ基板（２１）の厚さを３５０μｍ、Ｓ
ｉ基板（２１）の端から正側面（２３）上端までの距離
を２２５μｍとしたとき、ファイバ端面（３２）から出
射した光が、側面（２３） （２４）で反射された後
、ＰＤ（２８）の上面に投射される点を図２ （ａ）
（ｂ）に示す。どちらもＰＤ上面から見た図であり、
４１はＰＤ受光部を示す直径７０μｍの円、その周辺の
小さな円が、ＰＤ上面に投射される点を示している。フ
ァイバ端面（３２）の左半面から、一定の角度間隔で出
射される光について計算した。 ［００１６１図２（ａ）は、横側面（２４）同士の間隔
を５００μｍと広くとった場合である。ファイバ端面（
３２）から放射された光は、正側面（２３）のみで反射
されるので、ＰＤ上面に均等に投射され、ＰＤ受光部（
４１）内に投射される光の割合は全体の約３３％であっ
た。一方（ｂ）は、横側面間隔を２２０μｍと狭くとっ
た場合である。このときは、ファイバ端面（３２）から
外側へ大きな角度で出射した光は、横側面（２４）→正
側面（２３）と反射されてＰＤ受光部（４１）近傍に投
射されるので、結合効率も５０％近くに増加することが
確かめられた。即ち、反射面を１面ではなく３面用いる
ことによって、反射器（２９）に集光作用も持たせるこ
とが可能となる。 ［００１７］このときのＰＤ上下面らの再反射光を追跡
すると、一部はファイバ端面（３２）に投射されるもの
の、その大部分はファイバの中心軸からの角度が３０゜
以上であった。従って、再びファイバに入射してＬＤへ
の戻り光となる成分はほとんど無視し得ることが確認で
きた。即ちこの発明によれば、レンズ等を使わなくとも
高効率の光結合ができ、かつアイソレータ等がなくとも
戻り光は少ないということが判る。 ［００１８］ＰＤの位置合わせを更に精度良くするため
には、図３の方法がある。即ち、ＰＤ上下面メサ状の突
起（４２）を形成し、その突起を凹部（２５）に嵌め込
んで実装する。これにより、簡単な工程で高精度の実装
が可能となる。以上挙げた例は、ＰＤのような受光素子
ばかりでなく、ＬＥＤや面発光レーザのような発光素子
にも応用できる。 ［００１９］またこの発明は、ファイバばかりでなく薄
膜導波路と光半導体素子との光結合にも適用できる。そ
の様子を図４（ａ）に示す。図６と同様に光半導体素子
（１３）と薄膜導波路（１２）とが形成された半導体基
板（１１）上に、先に説明した反射器（２９）を、凹部
（２５）を下にして装着する。この反射器（２９）は従
来の反射器（１４）に比較して形も大きく、上面と下面
の大きさも等しいため、従来例で説明した困難はない。 また、反射器（２９）に集光作用もあるので、従来例よ
りも高効率の光結合ができる。更に高精度に位置合わせ
をしたいときは、半導体基板（１１）の受光素子周辺部
にも位置合わせ用の凹部を設け、ここに反射器（２９）
を嵌め込むとよい。 ［００２０１この発明を利用すれば、複数の光半導体素
子、光導波素子をまとめたアレイ化モジュールも、容易
に製造できる。例えば図１のファイバコネクタ（３０）
にリボンファイバ用を用い、反射器（２９）の凹部（２
５）は、それに合わせた個数形成すればよい。 ［００２１１以上、結晶面反射器を用いた光半導体モジ
ュールについて詳しく説明してきたが、この発明の適用
範囲は以上の例に限られるものではない。例えば、反射
器として用いる結晶はＳｉに限られるものではなく、ま
たＩｎＰやＧａＡｓのような正方晶系の結晶ばかりでも
なく、六方晶系や斜方晶系といった複雑な構造の結晶で
も可能であろう。また反射面となる結晶面も（１１１）
面に限られるものではなく、 （１００）、 （２１１
）等、結晶の構造と異方性エツチングの種類に応じて、
様々な結晶面とその組み合わせを選ぶことができる。そ
の他、この発明の精神を逸脱することなく、種々の変形
、応用が可能であろう。 ［００２２］
に設けられた凹部の側面に露呈した結晶面を反射面とし
て、光半導体素子と光導波素子とを光結合させたことを
特徴とする。 ［００１１１ 【作用］半導体結晶の結晶面は、原子が規則正しく並ん
だ面であるため、光学的に優れた反射器となる。半導体
基板に精度良く凹部を設けることは、通常のマスク合わ
せ工程、エツチング工程を用いることによって容易であ
る。このとき異方性の強いエツチングを行えば、ある特
定の結晶面だけが露呈されるため、光学的に優れた反射
器が容易に形成できる。しかもその結晶面は、角度が４
５°とならない面を選ぶことも可能であるため、凹部の
大きさを適当に並べば、戻り光を少なくすることも容易
である。しかもこの結晶面が凹部内に適当に配されてい
れば、これらに集光作用を持たせることもできる。そし
て、凹部が設けられた半導体基板の表面側に画人出力型
の素子、端面側に端面入出力型の素子を実装することに
より、これらの光結合が容易に行われる。 ［００１２］ 【実施例】この発明により、ファイバとＰＤを結合させ
た例を図１に示す。ここで、図１ （ａ）は反射器の拡
大図、図１（ｂ）は反射器とファイバ、ＰＤとの実装方
法を示す。２１は（１００）面を表面とし、（１１０＞
方向に切り出されたＳｔ基板である。表面に装着した酸
化膜（２２）に適当なマスク合わせ工程を経て溝に形成
し、ヒドラジンや水酸化カリウム等を用いて異方性エツ
チングを行うと、反射面となる側面（２３） （２４
）に（１１１）面が露呈した凹部（２５）が形成される
。エツチングは（１１１）面が露呈した時点で終了する
ので、凹部の大きさ、深さはマスク合わせ工程によって
高精度に決定される。このとき、露呈（１１１）面の（
１００）面に対する角度は、５４．７°となる。場合に
よっては、側面（２３） （２４）に金属や誘電体の
一層または多層の薄膜を装着して、反射率を高めてもよ
い。 （００１３］この様にして形成された反射器（２９）の
表面に合わせマーカ（２７）を形成しておき、ＰＤ （
２８）の受光面を下にしてフリップチップ接続する。反
射器表面の酸化膜（２２）上に必要な電極配線（２６）
を施しておけば、ＰＤ自身の固定と同時に配線までが、
一つの工程で終了する。もちろん受光面を上に接続して
、ワイヤボンディングを行っても構わない。また、Ｓｉ
基板（２１）内に電子素子を作り付けてＩＣ化すること
も可能である。このときはＰＤ（２８）への電気配線が
最短距離で済むので、高速に変調された光を受光するの
に適している。 ［００１４１反射器（２９）とファイバの接続は、市販
のファイバコネクタ（３０）が利用できる。このコネク
タは本来、２本のビン（３１）を介してコネクタ同志を
突き合わせることにより、２本のファイバを簡便に接続
するためのものであるが、そのためビンとファイバ端面
（３２）との位置関係が精密に作製されている。従って
このビン（３１）でＳｉ基板（２１）を挟み込み、適当
な方法で固定すれば、ファイバ端面（３２）と凹部（２
５）との位置関係も精密に決まる。 ［００１５］Ｓｉ基板（２１）の厚さを３５０μｍ、Ｓ
ｉ基板（２１）の端から正側面（２３）上端までの距離
を２２５μｍとしたとき、ファイバ端面（３２）から出
射した光が、側面（２３） （２４）で反射された後
、ＰＤ（２８）の上面に投射される点を図２ （ａ）
（ｂ）に示す。どちらもＰＤ上面から見た図であり、
４１はＰＤ受光部を示す直径７０μｍの円、その周辺の
小さな円が、ＰＤ上面に投射される点を示している。フ
ァイバ端面（３２）の左半面から、一定の角度間隔で出
射される光について計算した。 ［００１６１図２（ａ）は、横側面（２４）同士の間隔
を５００μｍと広くとった場合である。ファイバ端面（
３２）から放射された光は、正側面（２３）のみで反射
されるので、ＰＤ上面に均等に投射され、ＰＤ受光部（
４１）内に投射される光の割合は全体の約３３％であっ
た。一方（ｂ）は、横側面間隔を２２０μｍと狭くとっ
た場合である。このときは、ファイバ端面（３２）から
外側へ大きな角度で出射した光は、横側面（２４）→正
側面（２３）と反射されてＰＤ受光部（４１）近傍に投
射されるので、結合効率も５０％近くに増加することが
確かめられた。即ち、反射面を１面ではなく３面用いる
ことによって、反射器（２９）に集光作用も持たせるこ
とが可能となる。 ［００１７］このときのＰＤ上下面らの再反射光を追跡
すると、一部はファイバ端面（３２）に投射されるもの
の、その大部分はファイバの中心軸からの角度が３０゜
以上であった。従って、再びファイバに入射してＬＤへ
の戻り光となる成分はほとんど無視し得ることが確認で
きた。即ちこの発明によれば、レンズ等を使わなくとも
高効率の光結合ができ、かつアイソレータ等がなくとも
戻り光は少ないということが判る。 ［００１８］ＰＤの位置合わせを更に精度良くするため
には、図３の方法がある。即ち、ＰＤ上下面メサ状の突
起（４２）を形成し、その突起を凹部（２５）に嵌め込
んで実装する。これにより、簡単な工程で高精度の実装
が可能となる。以上挙げた例は、ＰＤのような受光素子
ばかりでなく、ＬＥＤや面発光レーザのような発光素子
にも応用できる。 ［００１９］またこの発明は、ファイバばかりでなく薄
膜導波路と光半導体素子との光結合にも適用できる。そ
の様子を図４（ａ）に示す。図６と同様に光半導体素子
（１３）と薄膜導波路（１２）とが形成された半導体基
板（１１）上に、先に説明した反射器（２９）を、凹部
（２５）を下にして装着する。この反射器（２９）は従
来の反射器（１４）に比較して形も大きく、上面と下面
の大きさも等しいため、従来例で説明した困難はない。 また、反射器（２９）に集光作用もあるので、従来例よ
りも高効率の光結合ができる。更に高精度に位置合わせ
をしたいときは、半導体基板（１１）の受光素子周辺部
にも位置合わせ用の凹部を設け、ここに反射器（２９）
を嵌め込むとよい。 ［００２０１この発明を利用すれば、複数の光半導体素
子、光導波素子をまとめたアレイ化モジュールも、容易
に製造できる。例えば図１のファイバコネクタ（３０）
にリボンファイバ用を用い、反射器（２９）の凹部（２
５）は、それに合わせた個数形成すればよい。 ［００２１１以上、結晶面反射器を用いた光半導体モジ
ュールについて詳しく説明してきたが、この発明の適用
範囲は以上の例に限られるものではない。例えば、反射
器として用いる結晶はＳｉに限られるものではなく、ま
たＩｎＰやＧａＡｓのような正方晶系の結晶ばかりでも
なく、六方晶系や斜方晶系といった複雑な構造の結晶で
も可能であろう。また反射面となる結晶面も（１１１）
面に限られるものではなく、 （１００）、 （２１１
）等、結晶の構造と異方性エツチングの種類に応じて、
様々な結晶面とその組み合わせを選ぶことができる。そ
の他、この発明の精神を逸脱することなく、種々の変形
、応用が可能であろう。 ［００２２］
【発明の効果】この発明により、光半導体素子と光導波
素子との高効率の光結合が、簡単な工程で実現できる光
半導体モジュールが得られる。
素子との高効率の光結合が、簡単な工程で実現できる光
半導体モジュールが得られる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す斜視図。
【図２】第１の実施例の光が投射される点を示す平面図
。
。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図。
【図４】本発明のその他の実施例を示す斜視図。
【図５】従来の技術を示す斜視図。
【図６】従来の技術を示す斜視図。
１．１３・・・光半導体素子 ２・・・光導波素子 １
２・・・光導波路 １４．２９・・・反射器 １５・・・反射面 ２１・・・Ｓｉ基板２３、 ２４・
・・凹部の側面 ２５・・・凹部 ３３・・・光ファイバ
２・・・光導波路 １４．２９・・・反射器 １５・・・反射面 ２１・・・Ｓｉ基板２３、 ２４・
・・凹部の側面 ２５・・・凹部 ３３・・・光ファイバ
【図５】
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板に設けられた凹部の結晶面を反
射面として、光半導体素子と光導波素子とを光結合させ
たことを特徴とする光半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40023290A JP3090335B2 (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | 光半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40023290A JP3090335B2 (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | 光半導体モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04208905A true JPH04208905A (ja) | 1992-07-30 |
| JP3090335B2 JP3090335B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=18510143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40023290A Expired - Fee Related JP3090335B2 (ja) | 1990-12-03 | 1990-12-03 | 光半導体モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3090335B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288590A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Nec Corp | 面発光素子の実装方法 |
| JPH09232601A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Nec Corp | 受光デバイス |
| JP2003534568A (ja) * | 2000-05-23 | 2003-11-18 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 受動位置合わせの方法および装置 |
-
1990
- 1990-12-03 JP JP40023290A patent/JP3090335B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288590A (ja) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Nec Corp | 面発光素子の実装方法 |
| JPH09232601A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-09-05 | Nec Corp | 受光デバイス |
| US5929500A (en) * | 1996-02-27 | 1999-07-27 | Nec Corporation | Light receiving device for use in optical fiber communications and the like |
| JP2003534568A (ja) * | 2000-05-23 | 2003-11-18 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 受動位置合わせの方法および装置 |
| JP4808900B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2011-11-02 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン（パブル） | 受動位置合わせの方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3090335B2 (ja) | 2000-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7118293B2 (en) | Optical module and manufacturing method of the same, optical communication device, opto-electrical hybrid integrated circuit, circuit board, and electronic apparatus | |
| US7204646B2 (en) | Substrate, optical fiber connection end member, optical element housing member, and method of fabrication of an optical module and the substrate | |
| US5071213A (en) | Optical coupler and method of making optical coupler | |
| US6491447B2 (en) | Optical device module | |
| US6965714B2 (en) | Integrated aspheric optical coupler for RF planarized automatic photonics packaging | |
| JPH1082930A (ja) | 光モジュール，およびその製造方法 | |
| US6985647B2 (en) | Optical module | |
| JPH07146424A (ja) | 光電子サブモジュールおよびその製造方法 | |
| JP2004212847A (ja) | 光結合器 | |
| JP2008102283A (ja) | 光導波路、光モジュール及び光導波路の製造方法 | |
| JP2007272159A (ja) | 光導波路コネクタ及びそれを用いた光接続構造、並びに光導波路コネクタの製造方法 | |
| EP0846966A2 (en) | Optical waveguide | |
| JP3090335B2 (ja) | 光半導体モジュール | |
| JPH11326662A (ja) | 光平面回路 | |
| JP4607063B2 (ja) | 光路変換コネクタの製造方法 | |
| JPH09101435A (ja) | 自己整合型小型光モジュール | |
| JP2001343559A (ja) | 光モジュール | |
| US20130129276A1 (en) | Optical engine assembly and optoelectronic package | |
| JP3295327B2 (ja) | 双方向光モジュール | |
| JPH02220013A (ja) | 並列伝送光モジュール | |
| JP3677348B2 (ja) | 光伝送モジュール | |
| JP2000275480A (ja) | 光モジュール | |
| JPH07209560A (ja) | 光モジュール | |
| JPH1114846A (ja) | 単一モード光導波路及びその製造方法並びにそれを用いた光モジュール | |
| JPH0990158A (ja) | 光モジュール及びその組立方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |