CN101120493A - 全固态紫外线激光器系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及全固态紫外线激光器系统，这种全固态紫外线激光器系统包括呈VECSEL构造的至少一个半导体激光器(10)。这种半导体激光器(10)中的增益结构(3)发射以一种波长范围的基频辐射，这种波长范围可被倍频至该紫外线区域中的波长。用非线性光学晶体(6)来实现这种倍频，这种非线性光学晶体(6)用于产生二次谐波并布置在半导体激光器(10)的外延腔中。通过半导体激光器的电泵浦，可用公知的半导体材料如GaN来有效地产生低于200nm的波长。激光器系统更加紧凑并可以用低于光泵浦半导体激光器的成本制造。所提出的紫外线激光器系统既紧凑又可以用低于紫外线受激准分子激光器的成本制造和操作。

Description

全固态紫外线激光器系统
技术领域
本发明涉及全固态紫外线激光器系统(UV激光器系统)，这种全固态紫外线激光器系统包括以VECSEL(Vertical Extended CavitySurface Emitting Laser，垂直延伸的腔面发射激光器)构造的至少一个半导体激光器，这种半导体激光器具有布置在第一镜与外镜之间的增益结构(gain structure)，第一镜和外镜形成半导体激光器的激光谐振腔(laser resonator)。
背景技术
在许多技术领域中，对紫外线光源均有强烈的需求。示范性应用是在深的紫外线波长区域中的显微光刻。在这种应用中，最重要的光源是受激准分子激光器。这些激光源能够产生相干辐射的高平均功率输出，如以248、193和157nm的波长。不过，受激准分子激光器涉及较多的设计量大、效率受限且要求连续工作的设置。用在光刻中的受激准分子激光器的典型的管寿命在连续运行时约为500小时，且必须每周对气体混合物进行更换。这些受激准分子气体的毒性特征也是对显微光刻应用中替代光源有着强烈需求的原因。
固态激光器往往是显微光刻中气体放电激光器的良好替代。不过，到目前为止还没有在所要求的深的紫外线波长区域中直接发射辐射的固态增益介质。GaN激光二极管提供目前所知的最短波长，波长范围在345nm及以上。
US 6,693,941描述了一种在紫外线波长区域中产生激光辐射的半导体激光器系统。这种半导体激光器系统包括呈VECSEL构造的表面发射型半导体激光器，这种表面发射型半导体激光器以作为活性层的GaN型半导体为基础。表面发射型半导体激光器由作为泵浦射束源(pumping beam source)的GaN半导体激光器进行光泵浦。从活性层发射的范围在400nm至560nm的基频辐射(fundamental radiation)在非线性光学晶体中进行倍频，这种非线性光学晶体布置在增益结构与表面发射型半导体激光器的外镜之间。由于这种倍频，该美国专利中的固态激光器系统能够产生波长范围在200nm与280nm之间的紫外线辐射。将BBO用作非线性光学晶体将这种频率范围限制到高于205nm的频率，因为这种频率的相位匹配范围受限。
在这种光泵浦半导体激光器系统中，泵浦激光频率(pump laserfrequency)必须低于泵浦的增益介质(pumped gain medium)的基频辐射。由于具有较低如375nm波长的GaN泵浦激光器的效率降低，所以难以在这种半导体激光器系统的低于200nm的深紫外线区域中实现具有足够效率的紫外线激光辐射。而且，该专利所公开的BBO晶体并不允许这种低波长的产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种紧凑的紫外线激光器系统，这种紫外线激光器系统能够产生具有高效率的甚至低于200nm的波长的紫外线辐射。
本发明的这个目的通过根据权利要求1的全固态紫外线激光器系统实现。本发明的有利实施例在从属权利要求的特征中描述，或者在下面的描述和本发明的示例中指出。
所提出的全固态紫外线激光器系统包括以VECSEL(垂直延伸的腔面发射激光器)构造的至少一个半导体激光器。这种半导体激光器具有布置在第一镜与外镜之间的增益结构，第一镜和外镜形成半导体激光器的激光谐振腔。增益结构包括电触点，这些电触点被电泵浦(electrically pumped)并在被电泵浦时发射基频辐射，这种基频辐射允许通过倍频产生紫外线辐射。增益介质以半导体材料如GaN为基础并用足够高的频率发射辐射。外镜对这种基频辐射高度反射且通过对基频辐射进行倍频所形成的紫外线辐射足够地透过这种外镜。优选固态介质是非线性光学晶体，用于产生基频辐射的二次谐波(secondharmonic)，并且布置在增益结构与外镜之间的激光谐振腔中。
为了避免误解，此处指出，在说明书和权利要求书的上下文中，短语“包括”并不排除其它的元件，短语“一”和“一个”并不排除短语之后的元件的复数。用在权利要求书中的附图标记仅说明示范性实施例，不应理解为限制权利要求书的范围。
这种紫外线激光器系统包括呈VECSEL构造的电泵浦半导体激光器。由增益结构发射的基频辐射由腔内二次谐波生成进行倍频。电泵浦构造允许具有低于200nm的波长并具有高效率的紫外线辐射的产生。用于增益结构的半导体材料和用于倍频的固态介质可理想地选择为产生具有在深紫外线光谱区域中的波长的理想辐射。通过将如以GaN为基础的材料用作半导体材料并将KBBF晶体(KBBF：KBe2BO3F2)用作用于二次谐波的产生的介质，可产生具有高效率的低至177nm的紫外线辐射。SBBO晶体(SBBO：Sr2Be2B2O7)可替代KBBF用作该紫外线激光器系统中的非线性光学晶体。该激光器系统更加紧凑并可以用低于光泵浦半导体激光器的成本制造。
由于在紫外线激光器系统的几种应用中高射束质量并不重要，所以本发明中的紫外线激光器系统的进步包括几个这种半导体激光器，这些半导体激光器布置成形成激光源阵列。在这种进步中，优选这些半导体激光器适于发射波长为193nm的紫外线辐射。利用这种发射波长，本发明中的紫外线激光器系统可用于替代ArF受激准分子激光器，尤其是在显微光刻领域。由于这些半导体激光器以阵列形式布置，所以这种激光器系统提供足够的功率来替代受激准分子激光源。
本发明中的全固态紫外线激光器系统的优选应用领域是深紫外线光谱区域中的光刻或显微光刻。不过，本发明中的紫外线激光器系统的使用并不仅限于前面所描述的领域。这种激光器系统可用在需要紫外线激光源的领域，例如，用于生物医学诊断领域、生物分子应用以及材料处理领域，生物分子应用如在诊断、治疗或物质的产生尤其是基因材料的产生应用中，材料处理总体上或特别用于出于医学或消毒目的对空气、水和组织进行处理。
附图说明
从下面通过参考实施例和附图进行的描述就会明白本发明的这些和其它方面，且通过下面的描述对本发明的这些和其它方面进行说明。在这些图中：
图1示出了根据本发明的紫外线激光器系统的构造的示例；以及
图2示意性地示出了由半导体激光器阵列形成的根据本发明的紫外线激光器系统。
具体实施方式
本发明中的紫外线激光器系统的半导体激光器以基于GaN的半导体激光器的腔内二次谐波的产生为基础，这种基于GaN的半导体激光器处于垂直外腔设置。包括用于二次谐波的产生的非线性光学晶体的这种VECSEL构造在图1中示意性地示出。在此示例中，激光谐振腔的一部分由基于GaN的激光二极管1形成，这种基于GaN的激光二极管1包括分布布喇格反射器(DBR)谐振腔镜以及GaN增益结构3。增益结构3包括用于增益结构3的电泵浦的前和后电触点5。激光二极管1安装在热槽2上。这种基于GaN的激光二极管的详细布局是现有技术中所公知的，所以在本说明书中不再进行详细描述。具有用于基频辐射的设计波长的适当的增益介质的任何类型的表面发射激光二极管均适用于本发明的紫外线激光器系统。而且，还可使用其它类型的谐振腔镜，例如，这种激光二极管中的分布反馈(DFB)结构。
在此示例中，在被电泵浦时，基于GaN的VECSEL二极管发射386nm的基频辐射8。离开基于GaN的激光二极管1安装的外谐振腔镜7形成激光谐振腔以及DBR镜4，DBR镜4在激光二极管1的增益结构3上生长。外谐振腔镜7对这种基频波长高度反射且二次谐波辐射透过这种外谐振腔镜7。二次谐波辐射的透明度不必是100％但足以将紫外线辐射的大部分耦合输出。二次谐波辐射9在此情形中具有193nm的波长，并且从从非线性光学晶体6中的基频辐射产生，非线性光学晶体6位于外延激光腔内，即在激光二极管1与外镜7之间。在此示例中，这种非线性光学晶体6是可利用棱镜耦合技术安装在外延激光腔中的KBBF晶体。在这种棱镜耦合技术中，辐射通过棱镜耦合晶体并耦合输出，这些棱镜固定到晶体的两个侧面。
由于基于GaN的激光二极管的基频辐射的波长由层结构和增益介质的掺杂所控制，所以可通过在制造增益结构时改变前面所描述的参数产生其它的紫外线波长。
根据电泵浦，可以用连续波模式或用脉冲模式操作这种紫外线激光器系统。而且，本发明中的紫外线激光器系统并不仅限于一个单一的半导体激光器。图2示意性地示出了这种紫外线激光器系统的示例，这种紫外线激光器系统包括几个示于图1中的半导体激光器10，这些半导体激光器10布置成形成激光源阵列。图2示出了这种以发射的紫外线激光束的相反方向的阵列。
可利用本发明中的全固态紫外线激光器系统来替代目前的用于显微光刻的光源，尤其是大体积受激准分子激光器。不过，本发明中的全固态紫外线激光器系统还可用在需要用于深紫外线波长区域的紧凑的低成本紫外线激光源的其它多种用途中。
附图标记清单
1    基于GaN的VECSEL二极管
2    热槽
3    基于GaN的增益结构
4    DBR镜
5    电触点
6    非线性光学晶体
7    外镜
8    基频辐射
9    二次谐波辐射
10   半导体激光器
缩略语清单
VECSEL      垂直延伸的腔面发射激光器
BBO         (β-BaB2O4)
KBBF        KBe2BO3F2
SBBO        Sr2Be2B2O7
DBR         布喇格反射器

Claims (9)

1.一种全固态紫外线激光器系统，包括呈VECSEL构造的至少一个半导体激光器(10)，所述半导体激光器(10)具有布置在第一镜(4)与外镜(7)之间的增益结构(3)，所述第一镜(4)和所述外镜(7)形成所述半导体激光器(10)的激光谐振腔，其中，所述增益结构(3)包括电触点(5)，所述这些电触点(5)被电泵浦并在被电泵浦时发射基频辐射(8)，所述基频辐射(8)允许通过进行倍频而产生紫外线辐射(9)，
其中：所述外镜(7)对所述基频辐射(8)高度反射且所述紫外线辐射(9)可透过所述外镜(7)，以及
其中：用于产生所述基频辐射(8)的二次谐波的固态介质(6)布置在所述增益结构(3)与所述外镜(7)之间的所述激光谐振腔中。
2.如权利要求1所述的全固态紫外线激光器系统，其特征在于：所述增益结构(3)和用于产生二次谐波的所述固态介质(6)适于产生波长范围在170与220nm之间的二次谐波辐射。
3.如权利要求1所述的全固态紫外线激光器系统，其特征在于：所述增益结构(3)是基于GaN的结构。
4.如权利要求1或3所述的全固态紫外线激光器系统，其特征在于：用于产生二次谐波的所述固态介质是KBBF晶体。
5.如权利要求1或3所述的全固态紫外线激光器系统，其特征在于：用于产生二次谐波的所述固态介质是SBBO晶体。
6.如权利要求1所述的全固态紫外线激光器系统，其特征在于：所述第一镜(4)由在所述增益结构(3)上生长的DBR结构形成。
7.如权利要求1所述的全固态紫外线激光器系统，其特征在于：几个所述半导体激光器(10)被布置成形成激光源阵列。
8.将根据权利要求1的全固态紫外线激光器系统的使用在显微光刻领域中的用途。
9.将根据权利要求1的全固态紫外线激光器系统用于生物分子或生物医学应用中的用途。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111988088A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 京瓷株式会社 光供电系统的供电装置和受电装置、以及光供电系统
CN113661619A (zh) * 2019-03-11 2021-11-16 维林光电公司 稳定的uv激光器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010519756A (ja) * 2007-02-27 2010-06-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 低減された温度依存性を有する固体レーザー装置
JP5685438B2 (ja) * 2007-05-07 2015-03-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 検出範囲の広がった自己混合干渉計用レーザーセンサ
US7633979B2 (en) 2008-02-12 2009-12-15 Pavilion Integration Corporation Method and apparatus for producing UV laser from all-solid-state system
AU2010279305A1 (en) * 2009-08-07 2012-03-01 Perry Felix Method and apparatus for surface and subsurface sanitizing of food products in a cooking appliance using ultraviolet light
JP2015522937A (ja) * 2012-06-01 2015-08-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 複数の放射ビームの特性を修正するアセンブリ、リソグラフィ装置、複数の放射ビームの特性を修正する方法およびデバイス製造方法
CN103022884B (zh) * 2012-12-26 2014-10-01 长春理工大学 482.5nm泵浦Pr:KYF获得305nm连续激光的圆盘激光器
JP2016541009A (ja) * 2013-10-25 2016-12-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、パターニングデバイス、およびリソグラフィ方法
JP6303019B2 (ja) * 2014-09-19 2018-03-28 シャープ株式会社 殺菌装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6373868B1 (en) * 1993-05-28 2002-04-16 Tong Zhang Single-mode operation and frequency conversions for diode-pumped solid-state lasers
US5796771A (en) * 1996-08-19 1998-08-18 The Regents Of The University Of California Miniature self-pumped monolithically integrated solid state laser
US6243407B1 (en) * 1997-03-21 2001-06-05 Novalux, Inc. High power laser devices
US6097742A (en) * 1999-03-05 2000-08-01 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers
US6693941B1 (en) * 1999-09-10 2004-02-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus
US6393038B1 (en) * 1999-10-04 2002-05-21 Sandia Corporation Frequency-doubled vertical-external-cavity surface-emitting laser
US6778582B1 (en) * 2000-03-06 2004-08-17 Novalux, Inc. Coupled cavity high power semiconductor laser
US6515308B1 (en) * 2001-12-21 2003-02-04 Xerox Corporation Nitride-based VCSEL or light emitting diode with p-n tunnel junction current injection

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113661619A (zh) * 2019-03-11 2021-11-16 维林光电公司 稳定的uv激光器
CN111988088A (zh) * 2019-05-24 2020-11-24 京瓷株式会社 光供电系统的供电装置和受电装置、以及光供电系统

Also Published As

Publication number Publication date
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